JP4976591B2 - 高周波加熱装置および高周波加熱方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
次に、高周波加熱装置100の反射電力の検出方法について説明する。
次に、高周波加熱装置100のスルー電力の検出方法の一例について説明する。
次に、上述した反射電力の検出方法およびスルー電力の検出方法を用いて、被加熱物を加熱する際の高周波電力発生部102a、102b、102cに発生させる高周波電力の周波数の組み合わせを決定する処理について、詳細に説明する。この処理は、図2に示した各ステップのうち、ステップS201およびS202に相当する。
|S11+S12+S13|=M11+M12+M13・・・・・・(式1−1)
|S21+S22+S23|=M21+M22+M23・・・・・・(式1−2)
|S31+S32+S33|=M31+M32+M33・・・・・・(式1−3)
各高周波電力発生ユニット101a、101b、101cに設定された周波数が全て同じ場合、第1の高周波電力発生ユニット101aにおける照射ロス|S11+S12+S13|は、次の式2−1で表される。
例えば、第1の高周波電力発生ユニット101aに設定された周波数と、第2の高周波電力発生ユニット101bに設定された周波数とが同じであり、第3の高周波電力発生ユニット101cに設定された周波数が異なる場合、第1の高周波電力発生ユニット101aにおける照射ロス|S11+S12+S13|は、次の式で表される。
次に、上述した反射電力の検出方法およびスルー電力の検出方法を用いて、被加熱物の加熱処理中の、高周波電力発生部102a、102b、102cに発生させる高周波電力の周波数の組み合わせを再度決定する処理について、詳細に説明する。この処理は、図2に示した各ステップのうち、ステップS201およびS202に相当する。つまり、プレ・サーチ処理では、ステップS201およびS202に相当する処理を、被加熱物の加熱前に実行したが、再サーチ処理では、ステップS201およびS202に相当する処理を、被加熱物の加熱処理中に実行する点が異なる。
以下、本発明の第2の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
101a、201a 第1の高周波電力発生ユニット(高周波電力発生ユニット)
101b、201b 第2の高周波電力発生ユニット(高周波電力発生ユニット)
101c、201c 第3の高周波電力発生ユニット(高周波電力発生ユニット)
102a、102b、102c 高周波電力発生部
103a、103b、103c 高周波電力増幅部
104a、104b、104c 方向性結合部
105a、105b、105c 放射部
106a、106b、106c 直交検波部
107a、107b、107c 分配部
108a、108b、108c 逆流電力検出部
109a、109b、109c 検波電力発生部
111a、111b、111c 周波数制御信号
112a、112b、112c 増幅利得制御信号
113a、113b、113c 同相検波信号
114a、114b、114c 直交検波信号
115a、115b、115c 検波周波数制御信号
150、250 制御部
301、311 発振部
302、312 位相同期ループ
303、313 増幅部
304 可変減衰器
305 高周波電力増幅器
306 同相検波ミキサー
307 直交検波ミキサー
308 π/2移相器
309 同相出力側低域通過フィルター
310 直交出力側低域通過フィルター
Claims (14)
- 被加熱物が収納される加熱室と、
前記加熱室内に高周波電力を放射する複数の高周波電力発生ユニットと、
前記複数の高周波電力発生ユニットを制御する制御部と、
を備えた高周波加熱装置であって、
各々の前記複数の高周波電力発生ユニットは、
前記制御部により設定された周波数の高周波電力を発生する高周波電力発生部と、前記高周波電力発生部により発生された高周波電力を前記加熱室内に放射する放射部と、前記加熱室内から前記放射部へ入射する逆流電力を検出する逆流電力検出部とを備え、
前記逆流電力検出部は、
前記制御部により各々の前記高周波電力発生部に設定された各周波数に基づいて、一の前記高周波電力発生ユニットの放射部から放射される高周波電力の一部が反射して当該一の前記高周波電力発生ユニットの放射部へ入力される反射による逆流電力と、他の前記高周波電力発生ユニットの放射部から放射される高周波電力の一部が前記一の前記高周波電力発生ユニットの放射部へ入力される通り抜けによる逆流電力とをそれぞれ個別に検出し、
前記制御部は、
各々の前記高周波電力発生部に複数の組み合わせの各周波数を順次設定し、
設定した各周波数の組み合わせごとに検出された、前記反射による逆流電力の振幅および位相と前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とに基づいて、当該高周波加熱装置の前記高周波電力の照射効率が向上するように、前記被加熱物を加熱する際の各々の前記複数の高周波電力発生ユニットにおける複数の前記高周波電力発生部に設定する各周波数の組み合わせを決定し、
各々の前記複数の高周波電力発生ユニットは、決定された各周波数の高周波電力を前記加熱室内に放射することにより前記被加熱物を加熱する、
高周波加熱装置。 - 前記制御部は、
前記複数の高周波電力発生ユニットにおける複数の前記高周波電力発生部に設定可能な各周波数の全ての組み合わせのうち一部の組み合わせを順次設定し、
設定した前記一部の組み合わせごとに前記逆流電力検出部で検出された前記反射による逆流電力および前記通り抜けによる逆流電力から、当該反射による逆流電力の振幅および位相と当該通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とを計算し、計算結果を用いて、前記設定可能な各周波数の全ての組み合わせのうち他の組み合わせを順次設定した場合に、当該他の組み合わせごとに前記逆流電力検出部で検出される前記反射による逆流電力の振幅および位相と前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とを推定し、
前記一部の組み合わせごとの算出結果と、前記他の組み合わせごとの推定結果とから、前記被加熱物を加熱する際の、複数の前記高周波電力発生部に設定する各周波数の組み合わせを、当該高周波加熱装置の前記高周波電力の照射効率が向上するように前記全ての組み合わせのうちのいずれか1つに決定する、
請求項1に記載の高周波加熱装置。 - 前記逆流電力検出部は、直交検波部を有し、
当該直交検波部は、前記放射部へ入射した前記逆流電力を前記高周波電力発生部で発生された高周波電力を用いて直交検波することにより得られる同相検波信号と直交検波信号とを制御部へ出力し、
前記制御部は、前記同相検波信号と前記直交検波信号とを用いて、前記反射による逆流電力の振幅および位相と前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とを計算する、
請求項1又は2に記載の高周波加熱装置。 - 各々の前記複数の高周波電力発生ユニットは、
前記高周波電力発生部で発生された高周波電力を増幅し、かつ当該増幅の利得が可変である高周波電力増幅部をさらに備え、
前記制御部は、さらに、前記高周波電力増幅部における増幅利得を設定する、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波加熱装置。 - 前記制御部は、
一の前記高周波電力発生ユニットにおける逆流電力検出部が、他の前記高周波電力発生ユニットからの前記通り抜けによる逆流電力を検出する際に、
当該一の前記高周波電力発生ユニットの高周波電力発生部の周波数を、当該他の前記高周波電力発生ユニットの高周波電力発生部の周波数と同一の周波数に設定し、
かつ、当該他の前記高周波電力発生ユニットからの前記通り抜けによる逆流電力の振幅に比べて、当該一の前記高周波電力発生ユニットにおける前記反射による逆流電力の振幅が小さくなるように、前記高周波電力増幅部の各増幅利得を設定する、
請求項4に記載の高周波加熱装置。 - 一の前記高周波発生ユニットの周波数と他の前記高周波ユニットの周波数とが重複する場合において、
前記制御部は、
一の前記高周波電力発生ユニットにおける逆流電力検出部が、前記反射による逆流電力を検出する際に、
当該一の前記高周波電力発生ユニットにおける前記反射による逆流電力の振幅に比べて、他の前記高周波電力発生ユニットからの前記通り抜けによる逆流電力の振幅が小さくなるように、前記高周波電力増幅部の各増幅利得を設定する、
請求項4に記載の高周波加熱装置。 - 前記制御部は、
前記複数の高周波電力発生ユニットにおける複数の前記高周波電力発生部に設定する各周波数の組み合わせの決定を、前記被加熱物に対する加熱処理前にプレ・サーチ処理として実行する、および、前記被加熱物に対する加熱処理中に再サーチ処理として実行する、うちの少なくとも一方を実行し、
前記プレ・サーチ処理または前記再サーチ処理の実行時に、各々の前記複数の高周波電力発生ユニットの前記放射部から放射される高周波電力が、加熱処理時に当該放射部から放射される高周波電力よりも小さい値となるように、各々の前記複数の高周波電力発生ユニットの前記高周波電力増幅部の各増幅利得を設定する、
請求項4〜6のいずれか1項に記載の高周波加熱装置。 - 前記制御部は、前記複数の高周波電力発生ユニットにおける複数の前記高周波電力発生部に設定する各周波数の組み合わせの決定を、前記被加熱物に対する加熱処理前に、プレ・サーチ処理として実行する、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の高周波加熱装置。 - 前記制御部は、前記複数の高周波電力発生ユニットにおける複数の前記高周波電力発生部に設定する各周波数の組み合わせの決定を、前記被加熱物に対する加熱処理中に、再サーチ処理として実行し、
前記再サーチ処理で決定された新たな各周波数の組み合わせを前記複数の高周波電力発生ユニットにおける複数の前記高周波電力発生部に設定する、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の高周波加熱装置。 - 前記逆流電力検出部は、前記被加熱物に対する加熱処理中に前記逆流電力を検出し、
前記制御部は、前記複数の高周波電力発生ユニットにおける複数の前記逆流電力検出部の少なくとも1つで検出された前記逆流電力が所定の閾値を超えた場合に、前記再サーチ処理を実行する、
請求項9に記載の高周波加熱装置。 - 前記高周波加熱装置は、さらに、設定された周波数の検波用の高周波電力を発生する少なくとも1つの検波電力発生部を備え、
前記制御部は、さらに、前記少なくとも1つの検波電力発生部のそれぞれに、前記複数の高周波電力発生ユニットにおける複数の前記高周波電力発生部に設定する各周波数とは異なる周波数である検波用の周波数を設定し、
前記逆流電力検出部は、直交検波部を有し、
当該直交検波部は、前記放射部へ入射した前記逆流電力を前記少なくとも1つの検波電力発生部で発生された前記検波用の高周波電力を用いて直交検波することにより得られる同相検波信号と直交検波信号とを制御部へ出力し、
前記制御部は、前記同相検波信号と前記直交検波信号とを用いて、前記反射による逆流電力の振幅および位相と前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とを計算する、
請求項1又は2に記載の高周波加熱装置。 - 前記少なくとも1つの検波電力発生部のそれぞれは、前記複数の高周波電力発生ユニットのそれぞれと1対1に対応する、
請求項11に記載の高周波加熱装置。 - 加熱室に収納された被加熱物を複数の高周波電力発生ユニットから放射される高周波電力によって加熱する高周波加熱方法であって、
各々の前記複数の高周波電力発生ユニットから放射される高周波電力の各周波数を設定する設定ステップと、
各々の前記複数の高周波電力発生ユニットに設定された各周波数に基づいて、一の前記高周波電力発生ユニットから放射される高周波電力の一部が反射して当該一の前記高周波電力発生ユニットへ入力される反射による逆流電力の振幅および位相と、他の前記高周波電力発生ユニットから放射される高周波電力の一部が前記一の前記高周波電力発生ユニットへ入力される通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とを検出する第1検出ステップと、
各々の前記複数の高周波電力発生ユニットから放射される高周波電力の周波数を変更して設定する変更ステップと、
前記変更ステップで設定された周波数に基づいて、前記反射による逆流電力の振幅および位相と、前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とを検出する第2検出ステップと、
前記第1検出ステップおよび前記第2検出ステップで検出された前記反射による逆流電力の振幅および位相と前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とに基づいて、当該高周波加熱装置の前記高周波電力の照射効率が向上するように、前記被加熱物を加熱する際の、各々の前記複数の高周波ユニットから放射される高周波電力の各周波数の組み合わせを決定する決定ステップと、
決定された各周波数の組み合わせの高周波電力を各々の前記複数の高周波電力発生ユニットから放射することにより、前記被加熱物を加熱する加熱ステップとを含む、
高周波加熱方法。 - 前記決定ステップは、
前記第1検出ステップおよび前記第2検出ステップで検出された前記反射による逆流電力および前記通り抜けによる逆流電力から、当該反射による逆流電力の振幅および位相と当該通り抜けによる逆流電力の振幅および位相と計算し、計算結果を用いて、各々の前記複数の高周波電力発生ユニットから放射される高周波電力の各周波数として設定可能な各周波数の全ての組み合わせごとに前記反射による逆流電力の振幅および位相と前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とを計算することで推測する推測ステップと、
前記第1検出ステップおよび前記第2検出ステップで検出された前記反射による逆流電力の振幅および位相と前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相と、前記推測ステップで推測された前記反射による逆流電力の振幅および位相と前記通り抜けによる逆流電力の振幅および位相とから、前記被加熱物を加熱する際の、各々の前記複数の高周波ユニットから放射される複数の高周波電力の各周波数の組み合わせを、当該高周波加熱装置の前記高周波電力の照射効率が向上するように決定する組み合わせ決定ステップとを含む、
請求項13に記載の高周波加熱方法。
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