JP4963705B2 - 発光デバイス及び照明装置 - Google Patents

発光デバイス及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4963705B2
JP4963705B2 JP2008529840A JP2008529840A JP4963705B2 JP 4963705 B2 JP4963705 B2 JP 4963705B2 JP 2008529840 A JP2008529840 A JP 2008529840A JP 2008529840 A JP2008529840 A JP 2008529840A JP 4963705 B2 JP4963705 B2 JP 4963705B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluorescent material
light
emission
wavelength
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008529840A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2008020541A1 (ja
Inventor
直樹 木村
龍次 鈴木
健 佐久間
尚登 広崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
National Institute for Materials Science
Original Assignee
Fujikura Ltd
National Institute for Materials Science
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd, National Institute for Materials Science filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2008529840A priority Critical patent/JP4963705B2/ja
Publication of JPWO2008020541A1 publication Critical patent/JPWO2008020541A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4963705B2 publication Critical patent/JP4963705B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77347Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

本発明は、白色発光ダイオードランプなどの発光デバイス及びそれを用いた発光装置に関し、特に、照明分野での利用を目的とした発光デバイス及びそれを用いた照明装置に関する。
本願は、2006年8月14日に、日本に出願された特願2006−221062号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
現在、照明分野においては、固体照明、特に半導体発光ダイオードを用いた白色照明に期待が集まっており、広く精力的な研究開発が続けられている。白色発光ダイオードランプは、すでに白熱電球と同等以上の発光効率を達成し、さらに改善の途上にあり、近い将来には省エネルギー照明機器として広く普及するものと考えられている。また、水銀等の環境負荷の高い物質を含まないことも大きな利点である。さらに、素子の寸法が小さいことから、液晶ディスプレイ装置のバックライトや携帯電話などにも組み込まれ多用されている。
なお、以下の明細書の記載中、発光ダイオードはLEDと略記する。
従来、青色光や紫外光等の短波長で発光するLED素子と、前記LED素子の発光の一部又は全部を吸収することにより励起され、より長波長の黄色等の蛍光を発する蛍光物質とを用いた白色LEDが知られている。例えば、化合物半導体青色LED素子と、青色光を吸収し青色の補色である黄色の蛍光を発するセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とからなる白色LEDが特許文献1や特許文献2、及び非特許文献1などに開示されている。
また、赤色成分の不足を補うために赤色蛍光体を追加する技術が公知であり、特許文献3には、青色LED素子とセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とからなる白色LEDに対して、赤色蛍光体である(Sr1−x−y−zBaCaSi:Eu 2+やSrS:Eu、CaS:Eu、(CaSr1−x)S:Eu2+を添加する技術が開示されている。同様の技術は、特許文献4及び非特許文献2にも開示されている。
青色LED素子を使った他の事例として、青色LED素子と青色励起緑色発光蛍光体と青色励起赤色発光蛍光体とにより白色LEDを実現する技術が公知であり、特許文献5等に開示されている。また、青色励起緑色発光蛍光体であるSrGa:Eu2+と、青色励起赤色発光蛍光体であるSrS:Eu2+とを用いた白色LEDが、非特許文献3等に開示されている。
さらに、紫外LED素子を使った事例として、紫外LED素子と紫外励起青色発光蛍光体と紫外励起緑色発光蛍光体と紫外励起赤色発光蛍光体との組み合わせにより、高い演色性を持つ白色光を実現する技術が公知であり、特許文献6などに開示されている。
一方で、近年、酸窒化物蛍光体や窒化物蛍光体の研究が盛んになってきており、例えばユーロピウム元素(Eu)を賦活させたカルシウム(Ca)固溶アルファサイアロン蛍光体が特許文献7に開示されている。前記蛍光体は、青色で励起することにより黄色光を発するので、白色LED用波長変換材料として好適である。この蛍光体の詳細は、非特許文献4等で公知である。また、この蛍光体を用いた、温度変化に対する色度安定性に優れた色温度の低い白色LEDランプが、非特許文献5等に開示されている。
特許第2900928号公報 特許第2927279号公報 K. Bando, K. Sakano, Y. Noguchi and Y. Shimizu,"Development of High-bright and Pure-white LED Lamps," J. Light & Vis. Env. Vol. 22, No. 1(1998), pp. 2-5 特開2003−273409号公報 特開2003−321675号公報 M. YAMADA, T. NAITOU, K. IZUNO, H. TAMAKI, Y. MURAZAKI, M. KAMESHIMA and T. MUKAI,"Red-Enhanced White-Light-Emitting Diode Using a New RedPhosphor," Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42 (2003) pp. L20-L23 特開平10−163535号公報 Paul S. Martin, "Performance, Thermal, Cost & Reliability challenges for Solid State Lighting," OIDA Conference, May 30th 2002 特表2000−509912号公報 特開2002−363554号公報 R. J. Xie, N. Hirosaki, K. Sakuma, Y. Yamamoto, M. Mitomo,"Eu2+-doped Ca-α-SiAlON: A yellow phosphor for white light-emitting diodes," Appl. Phys. Lett., Vol. 84, pp. 5404-5406 (2004) K. Sakuma, K. Omichi, N. Kimura, M. Ohashi, D. Tanaka, N. Hirosaki, Y. Yamamoto, R. -J. Xie, T. Suehiro,"Warm-white light-emitting diode with yellowish orange SiAlON ceramic phosphor," Opt. Lett., Vol. 29, pp. 2001-2003 (2004)
従来、蛍光体は酸化物あるいは硫化物が主体であり、その耐久性あるいは高温環境下での特性においてはさらなる改善が求められていた。近年になって、より長期信頼性と高温特性とに優れた酸窒化物蛍光体あるいは窒化物蛍光体の開発が盛んになっている。一方で、半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた固体照明デバイスの研究が盛んであるが、酸窒化物蛍光体あるいは硫化物蛍光体が主流であった。しかしながら、これら従来公知の各種蛍光物質を適宜組み合わせ、前記蛍光物質と青色LED素子とを組み合わせて白色LEDを作製しても、演色性の高い白色LEDを得ることは困難であった。
一方、特許文献6等に開示されている、紫外LED素子を用いた白色LEDは、高い演色性が実現できるものの、発光ダイオード素子からの紫外光によって封止樹脂やパッケージが劣化してしまうという大きな課題がある。これは、長期信頼性に大きな問題となる。
さらに、波長変換されなかった紫外光が外に漏れるといった問題や、青色LED素子に比べて紫外LED素子の発光効率が低いという課題もある。
本発明は、前記事情に鑑みてなされ、青色LED素子を使って、平均演色評価数が90を超える、演色性の高い白色LEDの提供を目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、青色光又は青紫色光を発し、発光中心波長が445nm〜480nmである半導体発光素子と、前記半導体発光素子から発せられた光の一部又は全部を吸収し、前記光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光物質とを備え、前記蛍光物質は、青緑色光又は緑色光を発する第1の蛍光物質と、前記第1の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、緑色光又は黄緑色光を発する第2の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、黄緑色光、黄色光又は黄赤色光のいずれかを発する第3の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、黄赤色光又は赤色光を発する第4の蛍光物質とを混合して得られる混合蛍光物質であり、前記第1の蛍光物質は、一般式Ba x(1−r) Si (2x+4y−2z)/3 :Eu xr で表され、且つ前記xが0.8以上1.2以下、前記yが1.6以上2.4以下、前記zが1.6以上2.4以下、前記rが0.015以上0.10以下である酸窒化物結晶蛍光体であり、前記第2の蛍光物質は、一般式Eu (Si,Al) 6−s (O,N) で表され、主相がベータサイアロン結晶構造を有し、前記sが0.011以上0.019以下である、ユーロピウム元素で賦活したベータサイアロン蛍光体であり、前記第3の蛍光物質は、一般式Ca Eu (Si,Al) 12 (O,N) 16 で表され、主相がアルファサイアロン結晶構造を有し、前記qが0.75以上1.0以下且つ前記rが0.03以上0.10以下である、ユーロピウム元素で賦活したアルファサイアロン蛍光体であり、前記第4の蛍光物質は、一般式(Ca,Eu)AlSiN で表される窒化物結晶赤色蛍光体である発光デバイスを提供する。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.4775、y=0.4283により示される点と、座標x=0.4594、y=0.3971により示される点と、座標x=0.4348、y=0.4185により示される点と、座標x=0.4214、y=0.3887により示される点とを結ぶ四辺形によって表される電球色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:1.6:2.4:4.2:9.5であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比2.5×D/A対1.9×D/B対1.5×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比6:8:7:3で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.4341、y=0.4233により示される点と、座標x=0.4171、y=0.3846により示される点と、座標x=0.4021、y=0.4076により示される点と、座標x=0.3903、y=0.3719により示される点とを結ぶ四辺形によって表される温白色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:1.0:1.5:2.3:4.6であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比3.7×D/A対12.8×D/B対1.8×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比9:12:8:3で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3938、y=0.4097により示される点と、座標x=0.3805、y=0.3642により示される点と、座標x=0.3656、y=0.3905により示される点と、座標x=0.3584、y=0.3499により示される点とを結ぶ四辺形によって表される白色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:0.8:1.2:1.6:2.9であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比5.5×D/A対3.6×D/B対2.0×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比4.5:5:3:1で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3616、y=0.3875により示される点と、座標x=0.3552、y=0.3476により示される点と、座標x=0.3353、y=0.3659により示される点と、座標x=0.3345、y=0.3314により示される点とを結ぶ四辺形によって表される昼白色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:0.8:0.9:1.1:1.7であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比7.4×D/A対5.0×D/B対2.3×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比6:7:3.5:1で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3274、y=0.3673により示される点と、座標x=0.3282、y=0.3297により示される点と、座標x=0.2998、y=0.3396により示される点と、座標x=0.3064、y=0.3091により示される点とを結ぶ四辺形によって表される昼光色の範囲内にあることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:0.7:0.7:0.9:1.1であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比9.8×D/A対6.4×D/B対2.6×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
本発明の発光デバイスにおいて、前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比8:9:4:1で混合して得られる混合蛍光物質であることが好ましい。
また本発明は、前述した本発明に係る発光デバイスを光源とする照明装置を提供する。
本発明の発光デバイスは、青色光又は青紫色光を発する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から発せられた光の一部又は全部を吸収し、青緑色光又は緑色光を発する第1の蛍光物質、前記第1の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、緑色光又は黄緑色光を発する第2の蛍光物質、前記第2の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、黄緑色光、黄色光又は黄赤色光のいずれかを発する第3の蛍光物質、前記第3の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、黄赤色光又は赤色光を発する第4の蛍光物質の4種類を混合した混合蛍光物質とを組み合わせた構成としたので、信頼性が高く、高効率でかつ演色性が極めて高い白色LEDランプを提供することができる。
また本発明によれば、前記本発明に係る発光デバイスを用いて照明装置を構成することによって、信頼性が高く、高効率でかつ演色性が極めて高い照明装置を提供することができる。
第1の蛍光物質である(Ba,Eu)Si蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルである。 第2の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルである。 第3の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルである。 第4の蛍光物質である(Ca,Eu)AlSiN蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルである。 実施例1で作製したLEDランプの概略構造を示す断面図である。 実施例1で作製したLEDランプの発光スペクトルである。 実施例1で作製した第1〜第4の蛍光物質の発光スペクトルである。 実施例2で作製したLEDランプの発光スペクトルである。 実施例3で作製したLEDランプの発光スペクトルである。 実施例4で作製したLEDランプの発光スペクトルである。 実施例5で作製したLEDランプの発光スペクトルである。
符号の説明
11…チップ型LEDランプ、12,13…リードワイヤ、14…青色LED素子、15…ボンディングワイヤ、16…蛍光体粉末、17…樹脂、19…パッケージ。
本発明の発光デバイスは、青色光又は青紫色光を発する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から発せられた光の一部又は全部を吸収し、青緑色光又は緑色光を発する第1の蛍光物質、前記第1の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、緑色光又は黄緑色光を発する第2の蛍光物質、前記第2の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、黄緑色光、黄色光又は黄赤色光のいずれかを発する第3の蛍光物質、前記第3の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、黄赤色光又は赤色光を発する第4の蛍光物質の4種類を混合した混合蛍光物質とを組み合わせた構成である。
以下、本発明の発光デバイスの実施形態として、白色LEDについて具体的に説明するが、以下の各実施例は本発明の例示であり、本発明はこれらの具体的な例示にのみ限定されるものではない。
[実施例1]
まず始めに、第1の蛍光物質について説明する。第1の蛍光物質は、青色励起で青緑色・緑色のいずれかで発光するユーロピウム元素で賦活した、Bax(1−r)Si(2x+4y−2z)/3:Euxrで表される酸窒化物結晶蛍光体である。このBax(1−r)Si(2x+4y−2z)/3:Euで表される酸窒化物結晶蛍光体の合成は次の通りである。
原料粉末として、Si粉末、SiO粉末、BaCO粉末、Eu粉末を用いて焼成を行った。バリウムは、目的の組成からは、窒化バリウム、或いは酸化バリウムを用いることが適当と考えられるが、窒化バリウムは非常に高価で工業的に不向きであること、また酸化バリウムは空気中の水分や二酸化炭素によって一部が水酸化バリウム及び炭酸バリウムになってしまうため、正確な秤量ができないという問題がある。そこで、本実施例では、安価で且つ安定な炭酸バリウムを使い、焼成時に炭酸バリウムから二酸化炭素が抜ける温度で一定時間保持することで、焼成温度での加熱の前に炭酸バリウムから酸化バリウムに変化させるという方法で行った。この方法により、秤量が正確にでき且つ安価に作製することができる。
本発明者らは、原料粉末に占めるSi、SiO、BaCO、Euの割合をそれぞれ変更して多数の試料を合成し、その発光特性を比較した結果、その組成範囲が、0.8≦x≦1.2、1.6≦y≦2.4、1.6≦z≦2.4、0.015≦r≦0.10の範囲において、発光強度が特に強く、また非常に演色性が高いことから、白色LEDランプの用途に適していることを見出した。
本実施例では、x=1.0、y=2.0、z=2.0、r=0.025を選択した。組成式Ba0.975Si:Eu0.025 で示される組成が得られるように、Si粉末23.62質量%、SiO粉末10.12質量%、BaCO粉末64.78質量%、Eu粉末1.48質量%をそれぞれ秤量し、1バッチ50gとして混合した。次に、窒化ホウ素製のふた付き容器に収容し、前記のふた付き容器ごと原料粉末をガス加圧焼結炉に収めた。炭酸バリウムから二酸化炭素を脱離するため、一旦1300℃、真空の下で、3時間保持した後、焼結温度1500℃、窒素雰囲気0.5MPaでガス加圧して、5時間焼結した。焼結後の粉末は一つの塊のようになっているが、これにわずかな力を加えて粉末状に崩し、蛍光体粉末とした。
次に、第2の蛍光物質について説明する。第2の蛍光物質は、第1の蛍光物質よりも発光波長が長く、緑色・黄緑色のいずれかで発光するユーロピウム元素で賦活したベータサイアロン蛍光体である。このベータサイアロン蛍光体の合成について説明する。
通常、ベータサイアロンとは、一般式Si6−zAl8−zで表されるものを言うが、本発明においては、その組成が一般式Eu(Si,Al)6−s(O,N)で表され、ベータ型Siあるいはベータ型サイアロンと同等の結晶構造を有する窒化物蛍光体あるいは酸窒化物蛍光体をベータサイアロン蛍光体と同等の結晶構造を有する窒化物蛍光体あるいは酸窒化物蛍光体をベータサイアロン蛍光体と称することとする。
本発明者らは、原料粉末に占めるSi、AlN、Euの割合をそれぞれ変更して多数の試料を合成し、その発光特性を比較した結果、0.011≦s≦0.019の範囲において良好な発光特性が得られ、s=0.013において特に良好な特性が得られることを見出した。
本実施例では、前記組成Si 89mol%、AlN 10.7mol%、Eu 0.3mol%とした。原料粉末は、窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、酸化ユーロピウム粉末を用いた。前記組成が得られるように、窒化ケイ素粉末95.82質量%、窒化アルミニウム粉末3.37質量%、酸化ユーロピウム粉末0.81質量%をそれぞれ秤量し、1バッチ50gとして、n−ヘキサンを添加し、湿式遊星ボールミルで2時間混合した。次に、混合された原料粉末をロータリーエバポレータにより乾燥させ、これを乳鉢を用いて十分にほぐし、JIS Z 8801に準拠した公称目開き125μmのステンレス鋼製の試験用網ふるいを用いて適切な粒径に造粒し、窒化ホウ素製のふた付き容器に収容した。次に、前記のふた付き容器ごと原料粉末をガス加圧焼結炉におさめ、焼結温度2000℃、窒素雰囲気0.5MPaでガス加圧して、2時間焼結し、引き続いて、焼結温度1700℃、窒素雰囲気0.5MPaでガス加圧して、さらに24時間焼結した。焼結後の粉末は一つの塊のようになっているが、これにわずかな力を加えて粉末状にくずし、蛍光体粉末とした。
第3の蛍光物質は、第2の蛍光物質よりも発光波長が長く、黄緑色・黄色・黄赤色のいずれかで発光するユーロピウム元素で賦活したカルシウムアルファサイアロン蛍光体である。このカルシウムアルファサイアロン蛍光体の合成について説明する。
前記アルファサイアロン蛍光体は、2価のユーロピウム(Eu)で賦活されたカルシウム(Ca)固溶アルファサイアロン蛍光体であり、その組成は一般式Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu2+ で示される。本発明者らは、q及びrをそれぞれ変更して多数の試料を合成し、その発光特性を比較した結果、その組成範囲は0.75≦q≦1.0且つ0.03≦r≦0.10において発光強度が特に強く、またその発光色度が白色LEDランプ用途に適していることを見出した。
本実施例では、q=0.875、r=0.07を選択した。原料粉末は、窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、炭酸カルシウム粉末、酸化ユーロピウム粉末を用いた。組成式Ca0.875Si9.06Al2.940.9815.02:Eu0.07 2+で示される組成が得られるように、窒化ケイ素粉末65.78質量%、窒化アルミニウム粉末18.71質量%、炭酸カルシウム粉末13.59質量%、酸化ユーロピウム粉末1.91質量%をそれぞれ秤量し、1バッチ50gとして、n−ヘキサンを添加し、湿式遊星ボールミルで2時間混合した。次に、混合された原料粉末をロータリーエバポレータにより乾燥させ、これを乳鉢を用いて十分にほぐし、JIS Z 8801に準拠した公称目開き125μmのステンレス鋼製の試験用網ふるいを用いて適切な粒径に造粒し、窒化ホウ素製のふた付き容器に収容した。次に、前記のふた付き容器ごと原料粉末をガス加圧焼結炉におさめ、焼結温度1700℃、窒素雰囲気0.5MPaでガス加圧して、24時間焼結した。焼結後の粉末は一つの塊のようになっているが、これにわずかな力を加えて粉末状にくずし、蛍光体粉末とした。
第4の蛍光物質は、第3の蛍光物質よりも発光波長が長く、黄赤色・赤色のいずれかで発光する一般式(Ca,Eu)AlSiNで表される窒化物結晶蛍光体である。この(Ca,Eu)AlSiNで表される窒化物結晶蛍光体の合成について説明する。
原料粉末は、窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化カルシウム粉末、金属ユーロピウムをアンモニア中で窒化して合成した窒化ユーロピウムを用いた。組成式Eu0.0005Ca0.9995AlSiNで示される組成が得られるように、窒化ケイ素粉末34.0735質量%、窒化アルミニウム粉末29.8705質量%、窒化カルシウム粉末35.9956質量%、窒化ユーロピウム粉末0.06048質量%をそれぞれ秤量し、メノウ乳鉢と乳棒で30分間混合を行い、得られた混合物を、金型を用いて20MPaの圧力を加えて成形し、直径12mm、厚さ5mmの成形体とした。粉末の秤量、混合、成形の各工程は全て、水分1ppm以下酸素1ppm以下の窒素雰囲気を保持することができるグローブボックス中で操作を行った。この成形体は窒化ホウ素製のるつぼに入れて黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成の操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.999体積%の窒素を導入して圧力1MPaとし、毎時500℃で1800℃まで昇温し、1800℃で2時間保持して行った。焼成後、得られた焼結体をメノウの乳棒と乳鉢を用いて粉末に粉砕した。
このようにして合成した第1の蛍光物質、第2の蛍光物質、第3の蛍光物質、第4の蛍光物質の光学特性について説明する。測定には、日立製作所社製の分光蛍光光度計F−4500を用いた。前記測定器は、ローダミンB法と、標準光源とを用いて校正を実施し、スペクトル補正して測定を行った。
図1は、第1の蛍光物質である(Ba,Eu)Si蛍光体の発光スペクトルと励起スペクトルである。
図2は、第2の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光体の発光スペクトルと励起スペクトルである。
図3は、第3の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光体の発光スペクトルと励起スペクトルである。
図4は、第4の蛍光物質である(Ca,Eu)AlSiN蛍光体の発光スペクトルと励起スペクトルである。
図1〜図4では、発光スペクトルを太線で、励起スペクトルを細線で示している。発光スペクトルの測定は、青色LEDによる励起を想定して、いずれも励起波長450nmで測定を実施した。励起スペクトルの測定は、それぞれの蛍光体の発光ピーク波長をモニタ波長として測定を実施した。また、縦軸は、基準蛍光体の発光ピーク強度を1として規格化した。基準蛍光体には、市販の(Y,Gd)Al12:Ce3+蛍光体粉末(YAG系蛍光体)を利用し、基準蛍光体の発光強度が最も高くなる、励起波長を460nmとした際の測定結果を使用した。
励起波長を450nmとした時のそれぞれの蛍光体の発光ピーク波長は、第1の蛍光物質である(Ba,Eu)Si蛍光体が493nm、第2の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光体が539nm、第3の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光体が589nm、第4の蛍光物質である(Ca,Eu)AlSiN蛍光体が655nmであった。発光ピーク波長による第1〜第4の蛍光物質の発光色は、JIS Z8110から、第1の蛍光物質である(Ba,Eu)Si蛍光体が青緑色、第2の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光体が緑色、第3の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光体が黄赤色、第4の蛍光物質である(Ca,Eu)AlSiN蛍光体が赤色である。
励起スペクトルについては、いずれの蛍光物質も青色光から紫外光の領域にかけて非常に広範な励起ピークを有している。第3の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光体と第4の蛍光物質である(Ca,Eu)A1SiN蛍光体については、特に450nm近傍の青色光で高効率に励起できた。また、第1の蛍光物質である(Ba,Eu)Si蛍光体についても、450nm近傍の青色光はピークに近く、高効率で励起できた。一方、第2の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光体については、450nmでの励起効率は十分高いが、さらに短波長の光で励起した方がより励起効率が高く好ましい結果となった。
発光ピーク強度は、前述した基準蛍光体の発光ピーク強度を100%とした時に、第1の蛍光物質である(Ba,Eu)Si蛍光体が226%、第2の蛍光物質であるベータサイアロン蛍光体が131%、第3の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光体が121%、第4の蛍光物質である(Ca,Eu)A1SiN蛍光体が184%であった。図7に、第1〜第4の蛍光物質の発光スペクトルを比較した図を示す。
次に、本実施例の発光デバイスとして、第1〜第4の蛍光物質を混合して得られた混合蛍光物質を用いた白色LEDランプの構造について説明する。図5は、チップ型LEDランプ11である。白色樹脂製のパッケージ19は2本のリードワイヤ12,13をはさみこんだ構造となっており、その中央部に凹部がある。凹部ではリードワイヤ12,13の端部が露出しており、発光ピーク波長450nmの青色LED素子14が載置されている。青色LED素子14の下部電極とリードワイヤ12の端部とが導電性ペーストによって電気的に接続されている。また、青色LED素子14の上部電極とリードワイヤ13の端部とが金細線であるボンディングワイヤ15によって電気的に接続されている。透明樹脂に第1の蛍光物質と第2の蛍光物質と第3の蛍光物質と第4の蛍光物質とを混合した蛍光体粉末16を分散した樹脂17で青色LED素子14の全体を被覆するとともに、リードワイヤ12,13を含む凹部全体を封止している。青色LED素子14は、発光中心波長400nm〜480nmが好適であり、特に第3の蛍光物質であるアルファサイアロン蛍光体と第4の蛍光物質である(Ca,Eu)A1SiN蛍光体を効率よく励起できる445nm〜460nmが良い。
このチップ型LEDランプ11の製造手順を示す。
第1の工程では、第1の蛍光物質と第2の蛍光物質と第3の蛍光物質と第4の蛍光物質とを秤量・混合した。
第2の工程では、リードワイヤ12の端部に発光ピーク波長450nmの青色LED素子14を導電性ペーストを用いてダイボンディングした。
第3の工程では、青色LED素子14ともう一方のリードワイヤ13とを金細線でワイヤボンディングした。
第4の工程では、混合した蛍光体粉末16を11質量%で分散させた樹脂17を、青色LED素子14を被覆するように凹部に適量塗布して硬化させた。このとき、あらかじめ実験によって決定した適切な塗布量に調整した。樹脂はシリコーン樹脂を用いた。
本実施例では、青緑色光を発する第1の蛍光物質と、緑色光を発する第2の蛍光物質と、黄赤色光を発する第3の蛍光物質と、赤色光を発する第4の蛍光物質との混合比を、質量比で6:8:7:3とすることにより、その発光色度を電球色とした。電球色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.4775,0.4283)、(0.4594,0.3971)、(0.4348,0.4185)、(0.4214,0.3887)である4点を結ぶ四辺形によって表される範囲である。
本実施例の電球色LEDランプは、CIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(X.Y)が(0.451,0.415)の電球色であり、相関色温度が2870Kであった。平均演色評価数Raは98と極めて高かった。投入電力に対する発光効率は23 lm/Wであった。図6にその発光スペクトルを示す。
図6に示す電球色LEDランプの発光スペクトルと、図7に示す第1〜第4の蛍光物質の発光スペクトルとの比較から、本実施例で作製した電球色LEDランプでは、380nm〜475nmの波長域の発光は青色LED素子からの発光が支配的であり、475nm〜520nmの波長域の発光は第1の蛍光物質からの発光が支配的であり、520nm〜560nmの波長域の発光は第2の蛍光物質からの発光が支配的であり、560nm〜615nmの波長域の発光は第3の蛍光物質からの波長が支配的であり、615nm〜780nmの波長域の発光は第4の蛍光物質からの発光が支配的であることがわかる。可視光領域における、波長380nm〜475nm、波長475nm〜520nm、波長520nm〜560nm、波長560nm〜615nm、波長615nm〜780nmの各波長域の発光強度、つまり発光スペクトルの面積の比率は、1:1.6:2.4:4.2:9.5であった。
一方、第1〜第4の蛍光物質の混合比については、必要に応じて再検討する必要がある。本実施例で使用した第1〜第4の蛍光物質は光学特性改善検討の途上にあるため、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。本実施例では、蛍光体の発光強度は図7に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光体の発光強度が向上しその比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が電球色となるように第1〜第4の蛍光物質の混合比も当然再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第4の蛍光物質の発光ピーク強度がA対B対C対Dである時に、その混合比を重量比で2.5×D/A対1.9×D/C対1とすることなどが考えられる。
[実施例2]
本実施例では、前記実施例1で用いたものと同じ、青緑色光を発する第1の蛍光物質と、緑色光を発する第2の蛍光物質と、黄赤色光を発する第3の蛍光物質と、赤色光を発する第4の蛍光物質とを用い、これら第1〜第4の蛍光物質の混合比を、質量比で9:12:8:3とすることにより、その発光色度を温白色とした。
温白色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.4341,0.4233)、(0.4171,0.3846)、(0.4021,0.4076)、(0.3903,0.3719)である4点を結ぶ四辺形によって表される範囲である。
それ以外は、実施例1と同様にして、温白色LEDランプを作製し、その発光スペクトルを測定した。
本実施例の温白色LEDランプは、CIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が、(0.413,0.397)の温白色であり、相関色温度が3500Kであった。平均演色評価数Raは96であり、実施例1の電球色の場合と同様に極めて高かった。投入電力に対する発光効率は25 lm/Wであった。図8にその発光スペクトルを示す。
前述した実施例1と同様に、本実施例のLEDランプにおける、380nm〜475nmの波長域の発光は青色LED素子からの発光が支配的であり、475nm〜520nmの波長域の発光は第1の蛍光物質からの発光が支配的であり、520nm〜560nmの波長域の発光は第2の蛍光物質からの発光が支配的であり、560nm〜615nmの波長域の発光は第3の蛍光物質からの波長が支配的であり、615nm〜780nmの波長域の発光は第4の蛍光物質からの発光が支配的である。可視光領域における、波長380nm〜475nm、波長475nm〜520nm、波長520nm〜560nm、波長560nm〜615nm、波長615nm〜780nmの各波長域の発光強度、つまり発光スペクトルの面積の比率は、1:1.0:1.5:2.3:4.6であった。
一方、第1〜第4の蛍光物質の混合比については、必要に応じて再検討する必要がある。使用した第1〜第4の蛍光物質は光学特性改善検討の途上にあるため、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。本実施例では、蛍光体の発光強度は図7に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光体の発光強度が向上しその比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が温白色となるように第1〜第4の蛍光物質の混合比も当然再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第4の蛍光物質の発光ピーク強度がA対B対C対Dである時に、その混合比を質量比で3.7×D/A対12.8×D/B対1.8×D/C対1とすることなどが考えられる。
[実施例3]
本実施例では、前記実施例1で用いたものと同じ、青緑色光を発する第1の蛍光物質と、緑色光を発する第2の蛍光物質と、黄赤色光を発する第3の蛍光物質と、赤色光を発する第4の蛍光物質とを用い、これらの第1〜第4の蛍光物質の混合比を、質量比で4.5:5:3:1とすることにより、その発光色度を白色とした。
白色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.3938,0.4097)、(0.3805,0.3642)、(0.3656,0.3905)、(0.3584,0.3499)である4点を結ぶ四辺形によって表される範囲である。
それ以外は、実施例1と同様にして、白色LEDランプを作製し、その発光スペクトルを測定した。
本実施例の白色LEDランプは、CIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が、(0.376,0.378)の白色であり、相関色温度が4130Kであった。
平均演色評価数Raは95であり、実施例1の電球色と同様に極めて高かった。投入電力に対する発光効率は27 lm/Wであった。図9にその発光スペクトルを示す。
前述した実施例1と同様に、本実施例のLEDランプにおける、380nm〜475nmの波長域の発光は青色LED素子からの発光が支配的であり、475nm〜520nmの波長域の発光は第1の蛍光物質からの発光が支配的であり、520nm〜560nmの波長域の発光は第2の蛍光物質からの発光が支配的であり、560nm〜615nmの波長域の発光は第3の蛍光物質からの波長が支配的であり、615nm〜780nmの波長域の発光は第4の蛍光物質からの発光が支配的である。可視光領域における、波長380nm〜475nm、波長475nm〜520nm、波長520nm〜560nm、波長560nm〜615nm、波長615nm〜780nmの各波長域の発光強度、つまり発光スペクトルの面積の比率は、1:0.8:1.2:1.6:2.9であった。
一方、第1〜第4の蛍光物質の混合比については、必要に応じて再検討する必要がある。使用した第1〜第4の蛍光物質は光学特性改善検討の途上にあるため、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。本実施例では、蛍光体の発光強度は図7に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光体の発光強度が向上しその比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が白色となるように第1〜第4の蛍光物質の混合比も当然再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第4の蛍光物質の発光ピーク強度がA対B対C対Dである時に、その混合比を質量比で5.5×D/A対3.6×D/B対2.0×D/C対1とすることなどが考えられる。
[実施例4]
本実施例では、前記実施例1で用いたものと同じ、青緑色光を発する第1の蛍光物質と、緑色光を発する第2の蛍光物質と、黄赤色光を発する第3の蛍光物質と、赤色光を発する第4の蛍光物質とを用い、これらの第1〜第4の蛍光物質の混合比を、質量比で6:7:3.5:1とすることにより、その発光色度を昼白色とした。
昼白色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.3616,0.3875)、(0.3552,0.3476)、(0.3353,0.3659)、(0.3345,0.3314)である4点を結ぶ四辺形によって表される範囲である。
それ以外は、実施例1と同様にして、昼白色LEDランプを作製し、その発光スペクトルを測定した。
本実施例の昼白色LEDランプは、CIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が、(0.343,0.353)の昼白色であり、相関色温度が5380Kであった。平均演色評価数Raは96であり、実施例1の電球色と同様に極めて高かった。投入電力に対する発光効率は29 lm/Wであった。図10にその発光スペクトルを示す。
前述した実施例1と同様に、本実施例のLEDランプにおける、380nm〜475nmの波長域の発光は青色LED素子からの発光が支配的であり、475nm〜520nmの波長域の発光は第1の蛍光物質からの発光が支配的であり、520nm〜560nmの波長域の発光は第2の蛍光物質からの発光が支配的であり、560nm〜615nmの波長域の発光は第3の蛍光物質からの波長が支配的であり、615nm〜780nmの波長域の発光は第4の蛍光物質からの発光が支配的である。可視光領域における、波長380nm〜475nm、波長475nm〜520nm、波長520nm〜560nm、波長560nm〜615nm、波長615nm〜780nmの各波長域の発光強度、つまり発光スペクトルの面積の比率は、1:0.8:0.9:1.1:1.7であった。
一方、第1〜第4の蛍光物質の混合比については、必要に応じて再検討する必要がある。使用した第1〜第4の蛍光物質は光学特性改善検討の途上にあるため、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。本実施例では、蛍光体の発光強度は図7に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光体の発光強度が向上しその比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が昼白色となるように第1〜第4の蛍光物質の混合比も当然再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第4の蛍光物質の発光ピーク強度がA対B対C対Dである時に、その混合比を質量比で7.4×D/A対5.0×D/B対2.3×D/C対1とすることなどが考えられる。
[実施例5]
本実施例では、前記実施例1で用いたものと同じ、青緑色光を発する第1の蛍光物質と、緑色光を発する第2の蛍光物質と、黄赤色光を発する第3の蛍光物質と、赤色光を発する第4の蛍光物質とを用い、これらの第1〜第4の蛍光物質の混合比を、質量比で8:9:4:1とすることにより、その発光色度を昼光色とした。
昼光色は、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標(x,y)が(0.3274,0.3673)、(0.3282,0.3297)、(0.2998,0.3396)、(0.3064,0.3091)である4点を結ぶ四辺形によって表される範囲である。
それ以外は、実施例1と同様にして、昼光色LEDランプを作製し、その発光スペクトルを測定した。
本実施例の昼光色LEDランプは、CIE1931のXYZ表色系色度図上の座標(x,y)が、(0.311,0.328)の昼光色であり、相関色温度が6630Kであった。平均演色評価数Raは96であり、実施例1の電球色と同様に極めて高かった。投入電力に対する発光効率は31lm/Wであった。図11にその発光スペクトルを示す。
前述した実施例1と同様に、本実施例のLEDランプにおける、380nm〜475nmの波長域の発光は青色LED素子からの発光が支配的であり、475nm〜520nmの波長域の発光は第1の蛍光物質からの発光が支配的であり、520nm〜560nmの波長域の発光は第2の蛍光物質からの発光が支配的であり、560nm〜615nmの波長域の発光は第3の蛍光物質からの波長が支配的であり、615nm〜780nmの波長域の発光は第4の蛍光物質からの発光が支配的である。可視光領域における、波長380nm〜475nm、波長475nm〜520nm、波長520nm〜560nm、波長560nm〜615nm、波長615nm〜780nmの各波長域の発光強度、つまり発光スペクトルの面積の比率は、1:0.7:0.7:0.9:1.1であった。
一方、第1〜第4の蛍光物質の混合比については、必要に応じて再検討する必要がある。使用した第1〜第4の蛍光物質は光学特性改善検討の途上にあるため、その発光強度についても今後さらに向上する可能性がある。本実施例では、蛍光体の発光強度は図7に示すような関係にあるが、今後いずれかの蛍光体の発光強度が向上しその比率が変化した場合には、白色LEDランプの発光色度が昼光色となるように第1〜第4の蛍光物質の混合比も当然再検討する必要がある。例えば、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した第1〜第4の蛍光物質の発光ピーク強度がA対B対C対Dである時に、その混合比を質量比で9.8×D/A対6.4×D/B対2.6×D/C対1とすることなどが考えられる。
本発明の発光デバイスは、信頼性が高く、高効率でかつ演色性が極めて高い白色LEDランプ及び照明装置を提供することができる。従って、本願発明は産業上極めて有用である。

Claims (22)

  1. 青色光又は青紫色光を発し、発光中心波長が445nm〜480nmである半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子から発せられた光の一部又は全部を吸収し、前記光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光物質とを備え、
    前記蛍光物質は、青緑色光又は緑色光を発する第1の蛍光物質と、前記第1の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、緑色光又は黄緑色光を発する第2の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、黄緑色光、黄色光又は黄赤色光のいずれかを発する第3の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質より発光ピーク波長が長く、黄赤色光又は赤色光を発する第4の蛍光物質とを混合して得られる混合蛍光物質であり、
    前記第1の蛍光物質は、一般式Ba x(1−r) Si (2x+4y−2z)/3 :Eu xr で表され、且つ前記xが0.8以上1.2以下、前記yが1.6以上2.4以下、前記zが1.6以上2.4以下、前記rが0.015以上0.10以下である酸窒化物結晶蛍光体であり、
    前記第2の蛍光物質は、一般式Eu (Si,Al) 6−s (O,N) で表され、主相がベータサイアロン結晶構造を有し、前記sが0.011以上0.019以下である、ユーロピウム元素で賦活したベータサイアロン蛍光体であり、
    前記第3の蛍光物質は、一般式Ca Eu (Si,Al) 12 (O,N) 16 で表され、主相がアルファサイアロン結晶構造を有し、前記qが0.75以上1.0以下且つ前記rが0.03以上0.10以下である、ユーロピウム元素で賦活したアルファサイアロン蛍光体であり、
    前記第4の蛍光物質は、一般式(Ca,Eu)AlSiN で表される窒化物結晶赤色蛍光体である発光デバイス。
  2. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.4775、y=0.4283により示される点と、座標x=0.4594、y=0.3971により示される点と、座標x=0.4348、y=0.4185により示される点と、座標x=0.4214、y=0.3887により示される点とを結ぶ四辺形によって表される電球色の範囲内にある請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:1.6:2.4:4.2:9.5である請求項1に記載の発光デバイス。
  4. 前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比2.5×D/A対1.9×D/B対1.5×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  5. 前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比6:8:7:3で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  6. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.4341、y=0.4233により示される点と、座標x=0.4171、y=0.3846により示される点と、座標x=0.4021、y=0.4076により示される点と、座標x=0.3903、y=0.3719により示される点とを結ぶ四辺形によって表される温白色の範囲内にある請求項1に記載の発光デバイス。
  7. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:1.0:1.5:2.3:4.6である請求項1に記載の発光デバイス。
  8. 前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比3.7×D/A対12.8×D/B対1.8×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  9. 前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比9:12:8:3で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  10. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3938、y=0.4097により示される点と、座標x=0.3805、y=0.3642により示される点と、座標x=0.3656、y=0.3905により示される点と、座標x=0.3584、y=0.3499により示される点とを結ぶ四辺形によって表される白色の範囲内にある請求項1に記載の発光デバイス。
  11. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:0.8:1.2:1.6:2.9である請求項1に記載の発光デバイス。
  12. 前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比5.5×D/A対3.6×D/B対2.0×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  13. 前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比4.5:5:3:1で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  14. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3616、y=0.3875により示される点と、座標x=0.3552、y=0.3476により示される点と、座標x=0.3353、y=0.3659により示される点と、座標x=0.3345、y=0.3314により示される点とを結ぶ四辺形によって表される昼白色の範囲内にある請求項1に記載の発光デバイス。
  15. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:0.8:0.9:1.1:1.7である請求項1に記載の発光デバイス。
  16. 前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比7.4×D/A対5.0×D/B対2.3×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  17. 前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比6:7:3.5:1で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  18. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の色度が、CIE1931のXYZ表色系色度図上で、座標x=0.3274、y=0.3673により示される点と、座標x=0.3282、y=0.3297により示される点と、座標x=0.2998、y=0.3396により示される点と、座標x=0.3064、y=0.3091により示される点とを結ぶ四辺形によって表される昼光色の範囲内にある請求項1に記載の発光デバイス。
  19. 前記半導体発光素子から発せられた光と前記混合蛍光物質から発せられた蛍光とが混色することにより発せられる光の発光スペクトルにおいて、波長380nm〜475nmの発光強度と、波長475nm〜520nmの発光強度と、波長520nm〜560nmの発光強度と、波長560nm〜615nmの発光強度と、波長615nm〜780nmの発光強度との比率が1:0.7:0.7:0.9:1.1である請求項1に記載の発光デバイス。
  20. 前記混合蛍光物質は、スペクトル補正を実施した蛍光分光光度計で測定した、前記第1の蛍光物質の発光ピーク強度をA、前記第2の蛍光物質の発光ピーク強度をB、前記第3の蛍光物質の発光ピーク強度をC、前記第4の蛍光物質の発光ピーク強度をDとした時に、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比9.8×D/A対6.4×D/B対2.6×D/C対1で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  21. 前記混合蛍光物質は、前記第1の蛍光物質と、前記第2の蛍光物質と、前記第3の蛍光物質と、前記第4の蛍光物質とを質量比8:9:4:1で混合して得られる混合蛍光物質である請求項1に記載の発光デバイス。
  22. 請求項1〜2のいずれかに記載の発光デバイスを光源として有する照明装置。
JP2008529840A 2006-08-14 2007-07-30 発光デバイス及び照明装置 Active JP4963705B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008529840A JP4963705B2 (ja) 2006-08-14 2007-07-30 発光デバイス及び照明装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006221062 2006-08-14
JP2006221062 2006-08-14
JP2008529840A JP4963705B2 (ja) 2006-08-14 2007-07-30 発光デバイス及び照明装置
PCT/JP2007/064861 WO2008020541A1 (fr) 2006-08-14 2007-07-30 Dispositif électroluminescent et dispositif d'éclairage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008020541A1 JPWO2008020541A1 (ja) 2010-01-07
JP4963705B2 true JP4963705B2 (ja) 2012-06-27

Family

ID=39082067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008529840A Active JP4963705B2 (ja) 2006-08-14 2007-07-30 発光デバイス及び照明装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8053970B2 (ja)
EP (1) EP2056366B1 (ja)
JP (1) JP4963705B2 (ja)
KR (1) KR101108975B1 (ja)
CN (1) CN101501874B (ja)
TW (1) TWI364853B (ja)
WO (1) WO2008020541A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015068916A1 (ko) * 2013-11-08 2015-05-14 루미마이크로 주식회사 발광장치
WO2017007209A1 (ko) * 2015-07-08 2017-01-12 엘지이노텍 주식회사 발광장치
WO2017043851A1 (ko) * 2015-09-07 2017-03-16 엘지전자 주식회사 발광 장치
KR101795740B1 (ko) * 2013-11-08 2017-11-08 루미마이크로 주식회사 발광장치
KR101809098B1 (ko) * 2017-08-14 2018-01-18 루미마이크로 주식회사 발광장치

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100944085B1 (ko) 2008-06-23 2010-02-24 서울반도체 주식회사 발광 장치
GB2474413B8 (en) * 2008-08-12 2013-02-13 Samsung Led Co Ltd Method for producing a ß-SiA1ON phosphor
US8158026B2 (en) 2008-08-12 2012-04-17 Samsung Led Co., Ltd. Method for preparing B-Sialon phosphor
KR101172143B1 (ko) * 2009-08-10 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 led 소자
WO2011019191A2 (ko) * 2009-08-10 2011-02-17 엘지이노텍주식회사 형광체, 형광체 제조방법 및 백색 발광 소자
EP2432037B1 (en) 2009-08-26 2019-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor white light-emitting device
US9909058B2 (en) 2009-09-02 2018-03-06 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor, phosphor manufacturing method, and white light emitting device
KR101163902B1 (ko) * 2010-08-10 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN101760190B (zh) * 2009-10-30 2013-07-03 彩虹集团公司 一种合成稀土掺杂氮氧化物荧光粉及其制备方法
KR101144754B1 (ko) * 2010-01-19 2012-05-09 일진반도체 주식회사 백색 발광장치 및 이의 제조방법
CN102792473B (zh) 2010-03-12 2015-11-25 株式会社东芝 白色照明装置
TW201138159A (en) * 2010-04-22 2011-11-01 shi-long Liu Light emitting diode package structure and its manufacturing method
KR101261461B1 (ko) * 2010-07-14 2013-05-10 엘지이노텍 주식회사 액정 표시 장치
TWI457418B (zh) * 2010-09-29 2014-10-21 Au Optronics Corp 白光發光二極體裝置、發光裝置及液晶顯示器
JP5676653B2 (ja) 2011-01-18 2015-02-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
KR101781437B1 (ko) * 2011-04-29 2017-09-25 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치
CN102796522A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 亿广科技(上海)有限公司 荧光粉组合物及使用该荧光粉组合物的白色发光装置
CN107068838B (zh) 2011-06-03 2021-11-30 西铁城电子株式会社 用于展示展示物的装置和用于展示展示物的系统
JP5916411B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-11 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP5937837B2 (ja) * 2012-02-09 2016-06-22 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
CN104136832B (zh) * 2012-02-20 2017-07-25 夏普株式会社 照明装置
JP5749201B2 (ja) 2012-03-09 2015-07-15 株式会社東芝 白色発光装置
KR101402540B1 (ko) * 2013-01-23 2014-06-02 주식회사 효성 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치
TW201432953A (zh) * 2013-02-07 2014-08-16 Everlight Electronics Co Ltd 螢光粉組成及發光二極體元件
KR20150007885A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 구비한 발광 소자
JP6148395B2 (ja) * 2013-10-02 2017-06-14 ジーエルビーテック カンパニー リミテッド 高演色性白色発光素子
KR101706600B1 (ko) * 2014-06-13 2017-02-16 지엘비텍 주식회사 고연색성 백색 발광 소자
US10895545B2 (en) 2013-10-14 2021-01-19 Raytheon Technologies Corporation Method of detecting conversion quality of green matrix composite material and system for same
WO2015072599A1 (ko) * 2013-11-14 2015-05-21 안종욱 청색 광원과 형광체를 이용한 초고연색 백색 발광 조명용 소자
CN103642492B (zh) * 2013-12-23 2016-01-20 厦门大学 一种硅基氮氧化物荧光粉的制备方法
US20150184813A1 (en) * 2013-12-31 2015-07-02 Xicato, Inc. Efficient led-based illumination modules with high color rendering index
CN103881703B (zh) * 2014-03-25 2016-04-06 陕西科技大学 一种白光led用单一基质荧光粉的制备方法
KR101476217B1 (ko) * 2014-05-28 2014-12-24 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
KR101467808B1 (ko) 2014-07-14 2014-12-03 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
CN104263359B (zh) * 2014-09-12 2016-10-05 江门市科恒实业股份有限公司 一种全光谱led荧光粉及其应用
WO2016056836A1 (ko) * 2014-10-07 2016-04-14 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR102100193B1 (ko) * 2014-11-10 2020-04-13 엘지전자 주식회사 발광 장치
KR101651342B1 (ko) * 2014-12-03 2016-08-26 주식회사 올릭스 미술 조명용 스펙트럼 특성을 만족하는 발광 다이오드 소자 및 모듈
JP6384302B2 (ja) * 2014-12-05 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101652258B1 (ko) * 2015-09-10 2016-08-31 지엘비텍 주식회사 고연색성 백색 발광 소자
JP6585521B2 (ja) * 2016-02-16 2019-10-02 東芝メモリ株式会社 テンプレート、インプリント方法およびインプリント装置
JP6460040B2 (ja) * 2016-03-04 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10256374B2 (en) 2016-03-04 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
US10236425B2 (en) * 2016-03-08 2019-03-19 Glbtech Co., Ltd. White light emitting device having high color rendering
CN105870303B (zh) * 2016-04-18 2020-08-28 佛山市中昊光电科技有限公司 一种全光谱的led光源
JP6477779B2 (ja) * 2016-05-26 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN107565004B (zh) * 2016-06-07 2020-06-30 青岛云源光电科技有限公司 一种led面光源高显指发光的封装方法
KR102560889B1 (ko) * 2016-07-29 2023-07-31 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명장치
US10270015B1 (en) 2017-01-13 2019-04-23 Nichia Corporation Light-emitting device
KR102373817B1 (ko) * 2017-05-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
CN107565006B (zh) * 2017-08-30 2021-05-18 合肥工业大学 一种具有日光可见光部分光谱结构的led光源及灯具
CN108091751B (zh) * 2017-12-06 2020-02-18 佛山市国星光电股份有限公司 一种白光led器件及其制备方法、led灯
CN113178437B (zh) * 2017-12-21 2023-08-11 厦门市三安光电科技有限公司 一种白光led封装结构以及白光源系统
KR102130817B1 (ko) * 2018-01-25 2020-07-08 지엘비텍 주식회사 고연색성 백색 발광 소자
CN108732818A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 武汉华星光电技术有限公司 背光模组、显示装置及背光模组的制作方法
CN108638707A (zh) * 2018-06-27 2018-10-12 朗昭创新控股(深圳)有限公司 一种发光黑板
CN108828888A (zh) * 2018-06-27 2018-11-16 朗昭创新控股(深圳)有限公司 一种投影设备
JP7224983B2 (ja) * 2019-03-19 2023-02-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光モジュール
JP2023153574A (ja) * 2022-04-05 2023-10-18 Toppanホールディングス株式会社 表示装置および波長変換基板
CN114806550A (zh) * 2022-05-18 2022-07-29 龙岩学院 一种红色氮化物荧光材料及其制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
WO1998039805A1 (de) 1997-03-03 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2003321675A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
ATE454718T1 (de) * 2002-11-08 2010-01-15 Nichia Corp Lichtemissionsbauelement, leuchtstoff und verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
JP3921545B2 (ja) * 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP2005285800A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Kyocera Corp 発光装置
JP4543250B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-15 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4729281B2 (ja) * 2004-09-13 2011-07-20 株式会社フジクラ 発光ダイオード及び発光ダイオード製造方法
JP4798335B2 (ja) * 2004-12-20 2011-10-19 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体および蛍光体を用いた光源
JP2006221062A (ja) 2005-02-14 2006-08-24 Canon Inc 積層型回折光学素子の製造方法及び積層型回折光学素子
JP2007180377A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Sharp Corp 発光装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015068916A1 (ko) * 2013-11-08 2015-05-14 루미마이크로 주식회사 발광장치
KR101795740B1 (ko) * 2013-11-08 2017-11-08 루미마이크로 주식회사 발광장치
US9837585B2 (en) 2013-11-08 2017-12-05 Lumimicro Corp. Ltd. Light emitting device
WO2017007209A1 (ko) * 2015-07-08 2017-01-12 엘지이노텍 주식회사 발광장치
US10475966B2 (en) 2015-07-08 2019-11-12 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting emitting apparatus
WO2017043851A1 (ko) * 2015-09-07 2017-03-16 엘지전자 주식회사 발광 장치
KR101809098B1 (ko) * 2017-08-14 2018-01-18 루미마이크로 주식회사 발광장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN101501874A (zh) 2009-08-05
KR20090048589A (ko) 2009-05-14
JPWO2008020541A1 (ja) 2010-01-07
KR101108975B1 (ko) 2012-05-30
TWI364853B (en) 2012-05-21
EP2056366A1 (en) 2009-05-06
WO2008020541A1 (fr) 2008-02-21
TW200818553A (en) 2008-04-16
EP2056366B1 (en) 2013-04-03
CN101501874B (zh) 2012-04-04
US20090146549A1 (en) 2009-06-11
EP2056366A4 (en) 2011-05-25
US8053970B2 (en) 2011-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4963705B2 (ja) 発光デバイス及び照明装置
JP4104013B2 (ja) 発光デバイス及び照明装置
JP4045298B2 (ja) 発光デバイス及び照明装置
EP1980605B1 (en) Light-emitting Device
US8709838B2 (en) Method for preparing a β-SiAlON phosphor
US7928648B2 (en) Yellow light emitting Ce3+-activated silicate phosphor with new composition, manufacturing method thereof and white LEDs including phosphor
US20100283381A1 (en) Phosphor and light emitting device
JP2007088248A (ja) 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置
KR20070103087A (ko) 형광체 및 그 형광체를 이용한 전구색광을 발하는 전구색광발광 다이오드 램프
JP6287268B2 (ja) 発光装置
JP5100059B2 (ja) 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111031

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20111031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120228

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120326

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4963705

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250