JP4954515B2 - The method for manufacturing a display device - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置およびその作製方法並びにその製造装置に関し、特に折り曲げることが可能な可撓性基板上に設けられた表示装置およびその作製方法並びにその製造装置に関する。 The present invention relates to a display device and a manufacturing method and a manufacturing apparatus, a display device and a manufacturing method and a manufacturing apparatus provided on a flexible substrate that can be bent particularly.

近年、発光素子を用いた表示装置の研究、開発が盛んに行われている。 Recently, studies of a display device using the light emitting element, development has been actively conducted. 発光素子を用いた表示装置は、液晶を用いた表示装置等のようにバックライトを必要とせず、さらに高視野角で表示することが可能となるといった利点を有している。 A display device using the light emitting element does not require a backlight as display devices using liquid crystals have the advantage becomes possible to further display at wide viewing angle. また、最近では、表示装置そのものを折り曲げることが可能なフィルム状の表示装置が注目を集めている。 In recent years, a film-like display device capable of folding the display device itself has attracted attention.

フィルム状の表示装置を作製する方法としては、大きく分けて2通りの方法がある。 The method of making a film-like display device are roughly divided into two methods. 1つは、あらかじめプラスチック等の可撓性(フレキシブル性)を有する基板を用意して、その基板上に配線や画素電極等の回路のパターンを金属材料や絶縁物材料を用いて直接形成していく方法がある。 One is to prepare a flexible substrate in advance such as plastic (flexibility), a pattern of a circuit such as wiring and the pixel electrode on the substrate to form directly by using a metal material or an insulating material there is a way to go. もう1つの方法は、あらかじめガラス等の剛性を有する基板上に配線や画素電極等の回路のパターンを金属材料や絶縁物材料を用いて形成し、その後剛性を有する基板のみを研削・研磨することによって薄膜化したり、剛性を有する基板と可撓性を有する基板を置き換えたりする方法がある。 Another method is that the pattern of the circuit such as wiring and a pixel electrode on a substrate having a rigidity in advance glass or the like is formed by using a metal material or an insulating material, grinding and polishing the substrate only with subsequent rigid or thinning by a method of or replace a substrate having a substrate and a flexible having rigidity.

しかしながら、プラスチック等の可撓性を有する基板上に直接金属材料や絶縁物材料を形成することによって、フィルム状の表示装置を作製する場合、基板の耐熱性等に伴い作製条件が制限される。 However, by forming a metal material or an insulating material directly on a substrate having flexibility, such as plastic, to produce a film-like display device, manufacturing conditions with the heat resistance of the substrate is limited. つまり、可撓性基板の耐熱性や強度等の種々の耐性を考慮して表示装置の作製を行わなければならない。 In other words, it must be performed for manufacturing a display device of various resistance heat resistance and strength of the flexible substrate or the like in consideration. 例えば、表示装置の画素や駆動回路等を薄膜トランジスタ(TFT)を用いて形成する場合には、熱処理等の条件が制限され、半導体膜の結晶化を十分行うことができないため、特性の高いTFTを得ることができない。 For example, in the case of forming by using a thin film transistor pixel and driving circuit of the display device (TFT), the conditions of the heat treatment is limited, it is impossible to perform sufficient crystallization of the semiconductor film, a high characteristic TFT can not be obtained.

一方、ガラス基板等の剛性を有する基板上に表示装置を形成し、その後表示装置を剛性を有する基板から剥離して可撓性基板に移し替えることによってフィルム状の表示装置を作製する場合、剥離の際に表示装置に加わる応力による配線等の断線の問題や、表示装置の大きさが基板(ここではガラス基板)の大きさに依存するため大型の表示装置の作製が困難となる問題がある。 On the other hand, when forming a display device on a substrate having a rigidity such as a glass substrate, to produce a film-like display device by transferring to the release to the flexible substrate from a substrate having a rigidity then display, peel problems and disconnection of wiring or the like due to stress applied to the display device, the size of the display device is manufactured is difficult problem of large-sized display device since it depends on the size of (the glass substrate in this case) the substrate during .

本発明は、上記問題を鑑み、フィルム状表示装置を効率よく生産し、また大型のフィルム状の表示装置の形成が可能となる作製方法およびフィルム状の表示装置を作製するための装置並びにフィルム状表示装置の提供を課題とする。 In view of the above problems, the film-like display device to produce efficiently and large film-like display device as well as a film-like for formation to prepare a manufacturing method and film-like display device becomes possible an object of the present invention to provide a display device.

本発明の表示装置の製造装置は、表示装置を構成する素子形成部が設けられた基板を搬送する搬送手段と、素子形成部の一方の面を第1のシート材に接着させて、基板から素子形成部を剥離する第1の剥離手段と、素子形成部の他方の面を第2のシート材に接着させて、第1のシート材から素子形成部を剥離する第2の剥離手段と、素子形成部に画素部を形成する加工手段と、加工された素子形成部を第2のシート材と第3のシート材で挟み込み封止する封止手段とを有することを特徴としている。 Apparatus for manufacturing a display device of the invention comprises a conveying means for conveying the substrate from which the element formation portion constituting the display device is provided, by bonding the one surface of the element forming portion to the first sheet material, the substrate a first peeling means for peeling the element formation portion, and the second release means are adhered to the other surface of the element forming portion in the second sheet material, peeling the element formation portion of the first sheet material, It is characterized in that it has a processing means for forming a pixel portion in the element forming portion, and a sealing means for sealing pinching the processed element forming portion in the second sheet member and the third sheet member.

また、本発明の表示装置の製造装置の他の構成として、表示装置を構成する素子形成部が設けられた基板を搬送する搬送手段と、第1のシート材が巻きつけられた第1の供給用ロールと、素子形成部の一方の面を第1のシート材に接着させて、基板から素子形成部を剥離する第1の剥離手段と、第2のシート材が巻きつけられた第2の供給用ロールと、素子形成部の他方の面を第2のシート材に接着させて、第1のシート材から素子形成部を剥離する第2の剥離手段と、素子形成部に画素部を形成する加工手段と、第3のシート材が巻きつけられた第3の供給用ロールと、加工された素子形成部を第2のシート材と第3のシート材で挟み込み封止する封止手段と、封止されて形成された表示装置を巻き取る回収用ロールとを有することを特徴 As another configuration of a manufacturing apparatus of a display device of the present invention, the display and transport means elements forming portion constituting the device for transporting a substrate provided with a first supply first sheet material wound and use the roll, is adhered to one surface of the element forming portion to the first sheet material, and the first peeling means for peeling the element formation portion of the substrate, a second of the second sheet material wound forming a supply roll, is adhered to the other surface of the element forming portion in the second sheet material, a second peeling means for peeling the element formation portion of the first sheet material, the pixel portion in the element forming unit and processing means for a third supply roll of wound third sheet material, the processed element forming portion and a second sheet material and sealing means for sealing sandwiched between the third sheet material , characterized in that it has a collection roll for winding the display device formed sealed している。 It is. また、本発明では、上記構成において、加工された素子形成部を第2のシート材と第3のシート材で封止する方法として、第3のシート材を加熱溶融状態で押し出しながら供給して封止することができる。 Further, in the present invention, in the above configuration, as a method of sealing the machined element forming portion in the second sheet member and the third sheet material, supplied with extruded third sheet material in a heated molten state it can be sealed.

また、本発明の表示装置の製造装置は、上記構成において、複数の異なる基板上に設けられた表示装置を構成する素子形成部をつなげ合わせて表示装置を形成する場合にも適用することができる。 The apparatus for manufacturing a display device of the present invention having the above structure can be applied to a case of forming a display device combined connecting element forming part of a display device provided in a plurality of different substrates . この場合は、基板上に設けられた素子形成部を剥離する前に、制御手段により精確に複数の基板の配列を調整する。 In this case, before peeling the element formation portion provided on the substrate, accurately adjust the arrangement of a plurality of substrates by the control means. また基板を配列させる際に、基板同士を接合させてもよい。 Further, when aligning the substrate may be bonded to the substrate to each other.

上記構成において、加工手段は、画素部を形成する手段である。 In the above structure, the processing means is a means for forming a pixel portion. ここでいう画素部とは、配線や電極等の導電膜、層間絶縁膜や保護膜等の絶縁膜、EL素子等の発光層または液晶等の画素部を構成するものであればどのようなものでも含まれる。 Here, the pixel section of the conductive film such as a wiring or an electrode, an interlayer insulating film or a protective film such as an insulating film, which as long as it constitutes a pixel portion of the light-emitting layer or a liquid crystal such as EL elements But it is included. また、画素領域の周辺に設けられた駆動回路部等と画素部とを接続する配線等の導電膜や配線を覆う絶縁膜等も加工手段により形成することができる。 Further, it can also be formed by working means insulating film for covering the conductive film and a wiring such as wiring for connecting the drive circuit unit provided in the peripheral such as a pixel portion of the pixel region. また、加工手段としては、液滴吐出法やスクリーン印刷法またはグラビア印刷法等の各種印刷法や大気圧プラズマ装置を用いることができる。 As the processing means, it is possible to use various printing method or an atmospheric pressure plasma apparatus such as a droplet discharging method, a screen printing method or a gravure printing method. 液滴吐出法とは、導電物や絶縁物等の材料を含んだ組成物の液滴(ドットともいう)を選択的に吐出(噴射)して任意の場所にパターンを形成する方法であり、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれている。 The droplet discharging method selectively discharges liquid droplets (also called dots) of conductive material or an insulating material such as material laden composition (injection) to a method of forming a pattern anywhere, It is also referred to as an ink-jet method depending on its system. また、封止手段は、少なくとも対向して設けられた2つのローラーを有することを特徴としている。 The sealing means is characterized by having two rollers which are provided at least opposite.

本発明の表示装置の作製方法は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に表示装置の一部を構成する素子形成部を形成し、素子形成部に開口部を形成して剥離層を露出させ、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層を除去し、素子形成部の一方の面を第1のシート材に接着させて、基板から素子形成部を剥離し、素子形成部の他方の面を第2のシート材に接着させて、第1のシート材から素子形成部を剥離し、加工手段を用いて素子形成部に画素部を形成し、素子形成部の一方の面を第3のシート材に接着させて封止することを特徴としている。 The method for manufacturing a display device of the present invention, the release layer is formed on a substrate, forming a device forming portion forming part of the display device on the release layer, the release layer to form an opening in the element forming unit to expose the, by introducing an etchant into the opening, the release layer is removed, it is adhered to one surface of the element forming portion on the first sheet member, and peeling the element formation portion of the substrate, the element forming unit the other surface is attached to a second sheet material, the first peeling the element formation portion of the sheet material, the pixel portion is formed in the element forming unit using the processing means, one surface of the element forming portion is characterized in that a is adhered to the third sheet material for sealing. つまり、剛性を有する基板上にあらかじめ熱処理等が必要な表示装置を構成する素子形成部の一部を形成し、その後剥離して可撓性基板上に設けた後に表示装置を構成する残りの部分を形成する。 In other words, the remaining portion constituting the display device after forming a part of the element forming unit constituting the display device required in advance the heat treatment or the like on a substrate having a rigid, provided thereafter peeled to a flexible substrate to form.

また、本発明の表示装置の作製方法の異なる構成として、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成されたチャネル領域とソースまたはドレイン領域を含む半導体膜と、半導体膜のチャネル領域の上方にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆って形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された半導体膜のソースまたはドレイン領域と電気的に接続するソースまたはドレイン電極および配線と、ソースまたはドレイン電極の一方と電気的に接続した画素電極と、画素電極の端部を覆って形成された絶縁膜とから構成される素子形成部を形成し、絶縁膜、層間絶縁膜、ゲート絶縁膜および下地絶縁膜に剥離層に達する開口部を形成して剥離層を露出させ、開口部にエッチング剤を導 Moreover, as different configurations of a manufacturing method of a display device of the present invention, includes a release layer formed on a substrate, a base insulating film on the release layer, a channel region and a source or drain region formed on the base insulating film a semiconductor film, a gate electrode above the channel region is formed via a gate insulating film of the semiconductor film, an interlayer insulating film covering the gate electrode, the source of the semiconductor film formed on the interlayer insulating film or a source or drain electrode and the wiring to the drain region and electrically connected, are comprised of one and the pixel electrode electrically connected to the source or drain electrode, and an insulating film formed to cover end portions of the pixel electrode forming a that element forming portion, an insulating film, an interlayer insulating film to expose the peeling layer to form an opening in the gate insulating film and the base insulating film reaching the peeling layer, the conductive etchant into the opening して、剥離層を除去し、素子形成部の一方の面に第1のシート材を接着させて、基板から前記素子形成部を剥離し、素子形成部の他方の面に第2のシート材を接着させて、第1のシート材から素子形成部を剥離し、加工手段を用いて画素電極上に発光層および対向電極を形成し、対向電極上に保護膜を形成し、保護膜の表面に第3のシート材を接着させて封止することを特徴としている。 To, a release layer is removed, by bonding the first sheet material to one surface of the element forming portion, and separating the element formation portion of the substrate, the second sheet material to the other surface of the element formation portion It was allowed to adhere, and peeling the element formation portion of the first sheet material, using the processing means to form a light-emitting layer and the counter electrode on the pixel electrode, forming a protective film on the counter electrode, the surface of the protective film It is characterized in that sealing by adhering a third sheet material.

また、本発明は上記構成において、剥離処理を行う前に基板上設けられた剥離層上に下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成されたチャネル領域とソースまたはドレイン領域を含む半導体膜と、ゲート絶縁膜とからなる構造を形成して、その後剥離層を除去して剥離を行い、可撓性基板に移し替えた後に、残りの構造を形成してフィルム状表示装置を作製してもよい。 Further, the present invention is in the above structure, a semiconductor film including a base insulating film on a release layer provided on the substrate, a channel region and a source or drain region formed on the base insulating film before performing the stripping process, forming a structure composed of a gate insulating film, after which the release layer is removed disbonds, after transferred to a flexible substrate, it may be to produce a film-like display device to form the remaining structure . 他にも、剥離処理を行う前に基板上設けられた剥離層上に下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成されたチャネル領域とソースまたはドレイン領域を含む半導体膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜のチャネル領域の上方にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆って形成された層間絶縁膜とからなる構造を形成して、その後剥離層を除去し、層間絶縁膜に半導体膜のソースまたはドレイン領域に達する開口部を形成して剥離を行い、可撓性基板に移し替えた後に、残りの構造を形成してフィルム状表示装置を作製してもよい。 Additional, a semiconductor film containing on a release layer provided on the substrate and the base insulating film, a channel region and a source or drain region formed on the base insulating film before performing the stripping process, a gate insulating film, and upwardly formed via a gate insulating film gate electrode in the channel region of the semiconductor film, by forming a structure composed of an interlayer insulating film formed covering the gate electrode, removing the then peeling layer, an interlayer insulating forming an opening reaching the source or drain region of the semiconductor film in film subjected to peeling, after transferred to a flexible substrate, may be to produce a film-like display device to form the remaining structure.

また、本発明の表示装置の作製方法は、複数の基板上に剥離層を形成し、剥離層上に表示装置の一部を構成する素子形成部を形成し、素子形成部に開口部を形成して剥離層を露出させ、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層を除去し、素子形成部がそれぞれ設けられた複数の基板を配列させ、複数の基板上にそれぞれ設けられた素子形成部の一方の面を第1のシート材に接着させて、複数の基板から素子形成部を剥離し、素子形成部の他方の面を第2のシート材に接着させて、第1のシート材から素子形成部を剥離し、加工手段を用いて素子形成部に画素部を形成し、素子形成部の一方の面を第3のシート材に接着させて封止することを特徴としている。 Further, a method for manufacturing a display device of the present invention, the release layer is formed on a plurality of substrates, to form an element formation portion that forms a part of a display device on the release layer, openings are formed in the element formation part to expose the peeling layer, by introducing an etchant into the opening, the release layer is removed, by arranging a plurality of substrates from which the element formation portion is provided respectively, elements formed respectively provided on a plurality of substrates one surface of the parts is attached to a first sheet material, and peeling the element formation portion of a plurality of substrates, by bonding the other surface of the element forming portion to the second sheet material, the first sheet material peeling the element formation part from using the processing means to form a pixel portion in the element forming portion, is characterized in that sealing is adhered to one surface of the element forming portion to the third sheet material. 上記構成において、複数の基板上にそれぞれ形成される素子形成部のうち、素子形成部の構造は異なっている場合にも適用することができる。 In the above structure, among the element forming portion formed in a plurality of substrates can be applied even if is different structure of the element formation portion. この場合、機能が異なる素子形成部の構造を組み合わせて一つの表示装置を形成することができる。 In this case, it is possible to function to form a single display device by combining the structures of different elements forming part.

また、上記構成において、加工手段は、画素部を形成する手段である。 In the above structure, the processing means is a means for forming a pixel portion. 画素部とは配線や電極等の導電膜、層間絶縁膜や保護膜等の絶縁膜、EL素子等の発光層または液晶等の画素部を構成するものであればどのようなものでも含まれる。 Conductive film such as a wiring or an electrode is a pixel portion, an interlayer insulating film or a protective film of the insulating film also includes any as long as it constitutes a pixel portion of the light-emitting layer or a liquid crystal such as EL elements. また、画素領域の周辺に設けられた駆動回路部等と画素部とを接続する配線等の導電膜や配線を覆う絶縁膜等も加工手段により形成することができる。 Further, it can also be formed by working means insulating film for covering the conductive film and a wiring such as wiring for connecting the drive circuit unit provided in the peripheral such as a pixel portion of the pixel region. 加工手段としては、液滴吐出法またはスクリーン印刷法やグラビア印刷法等の各種印刷法や大気圧プラズマ装置を用いることができる。 The processing means may comprise various printing method or an atmospheric pressure plasma apparatus such as a droplet discharging method or a screen printing method or a gravure printing method.

本発明の表示装置の製造装置を用いることによって、可撓性基板上に設けられた表示装置を低コストで効率良く作製することができる。 By using the manufacturing apparatus of a display device of the present invention, a display device provided on a flexible substrate can be efficiently manufactured at low cost. また、本発明の作製方法を用いることにより、特性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を得ることができる。 Further, by using the manufacturing method of the present invention, it is possible to obtain a display device having high characteristics TFT.

本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。 However, the present invention is not limited to the following description, it may be various changes and modifications without departing from the spirit and scope of the present invention will be readily understood by those skilled in the art. 従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Accordingly, the present invention is not to be construed as being limited to the description of the embodiments below. なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。 In the structure of the invention described below, reference numerals denoting the same portions are used in common in different drawings.

本発明は、あらかじめガラス等の剛性を有する基板上に表示装置の少なくとも一部を形成し、その後基板を剥離して可撓性基板上に設けた後に、表示装置の残りの部分を形成することによって表示装置を作製する。 The present invention, after forming at least a portion of the display device on a substrate having a rigidity in advance such as glass, is provided subsequently to the substrate peeling to a flexible substrate, forming a remaining portion of the display device a display device is manufactured by. その模式図を図1に示す。 The schematic diagram shown in Figure 1. なお、図1において、図1(A)は表示装置の作製工程を示しており、図1(B)は、各工程における表示装置を構成する模式図を示している。 In FIG. 1, FIG. 1 (A) shows a manufacturing process of a display device, and FIG. 1 (B) shows a schematic diagram constituting a display device in each process.

本発明が提案する表示装置の製造装置は、図1(A)に示すように、表示装置を構成する素子形成部102(以下素子形成部102と記す)が設けられた基板101を搬送する搬送手段100と、少なくとも一方の面に粘着層を有する第1のシート材103と、表示装置を封止する第2のシート材104および第3のシート材106とを有している。 Apparatus for manufacturing a display device proposed by the present invention, as shown in FIG. 1 (A), the transport to transport the substrate 101 to the element forming unit 102 constituting the display device (hereinafter referred to as an element formation portion 102) is provided and means 100, and a first sheet material 103 having an adhesive layer on at least one surface, and a second sheet material 104 and third sheet material 106 for sealing the display device. さらに、基板101の位置を制御する制御手段111、基板101から素子形成部102を剥離する第1の剥離手段112、第1のシート材103から素子形成部102を剥離する第2の剥離手段113、素子形成部102に導電膜と絶縁膜の一方または両方を形成する加工手段114、素子形成部102を封止する封止手段115等の構成が設けられている。 Further, the control unit 111 for controlling the position of the substrate 101, second release means 113 for peeling the first release means 112, the element forming portion 102 from the first sheet material 103 is peeled off the element forming portion 102 from the substrate 101 the configuration of such a sealing means 115 for sealing is provided a processing unit 114, the element forming portion 102 for forming one or both of the conductive film and the insulating film on the element forming portion 102. なお、これらの構成は、全て設けてもよいし、いくつかの構成を組み合わせて設けてもよい。 However, these functions may be provided all or may be provided by combining some configurations.

図1に示す装置では、まず素子形成部102が設けられた基板101が搬送手段100によって搬送される。 In the device shown in FIG. 1, a substrate 101 of the element formation part 102 is provided first is conveyed by the conveying means 100. この際、制御手段111によって基板の位置が調整される。 At this time, the position of the substrate is adjusted by the control unit 111. また、複数の基板上にそれぞれ形成された素子形成部をつなぎ合わせて1つの表示装置を形成する場合には、制御手段111により複数の基板の位置を調整する。 In the case of forming a single display device by connecting the device forming portion respectively formed in a plurality on the substrate, it adjusts the position of the plurality of substrates by the control unit 111. なお、この場合、基板同士を貼り合わせてもよい。 It should be noted that, in this case, may be bonded to the substrates to each other.

制御手段111(基板の位置の調整に使用される)は、CCD(charge coupled device)カメラ等を用いることができる。 Control means 111 (used to adjust the position of the substrate) can be used a CCD (charge coupled device) camera or the like. 複数の基板を精度よく並べることによって、複数の基板に設けられた表示装置を構成する素子形成部をつなぎ合わせて大型の表示装置の作製が可能となる。 By arranging a plurality of substrates with high accuracy, it is possible to produce a large-sized display device by connecting the device forming part of a display device provided on a plurality of substrates. なお、複数の基板をつなぎ合わせて表示装置を形成する場合には、画素部に表示を行う際につなぎ合わせた境目を目立たないようにする必要がある。 In the case of forming the display device by connecting a plurality of substrates, it is necessary to unobtrusively boundary obtained by connecting in performing display in the pixel portion. 本発明では、境目に画素と画素の隙間を配置するように形成したり、つなげ合わせた後に配線や電極あるいは発光層や液晶等を形成したりすることにより境目が目立つのを防止することが可能となる。 In the present invention, it is possible to prevent the form to place the gap between pixels at the boundary or, the boundary by or forming the wiring and the electrode or the light emitting layer and a liquid crystal or the like after the combined connecting conspicuous to become.

続いて、第1の剥離手段112によって、基板101上に設けられた素子形成部102を第1のシート材103に接着させて基板101から剥離する。 Then, the first release means 112, the element formation part 102 provided on the substrate 101 is attached to a first sheet material 103 is peeled from the substrate 101. そして、剥離した素子形成部102は第1のシート材に接着したまま次の工程に流れていく。 Then, the peeled element forming portion 102 flows to the next step while bonded to the first sheet material. それと同時に基板101は回収され、再利用される。 At the same the same time the substrate 101 is recovered and reused.

次に、第1のシート材103に接着した薄膜である素子形成部102を、第2の剥離手段113によって第2のシート材104に接着させて第1のシート材103から剥離する。 Then, the element formation part 102 is a thin film bonded to the first sheet material 103 is peeled from the first sheet material 103 is adhered by a second stripping unit 113 to the second sheet material 104. そして、素子形成部102は第2のシート材104に接着されて次の工程に流れていく。 Then, the element formation part 102 is adhered to the second sheet material 104 flows to the next step.

次に、第2のシート材104に接着した素子形成部102の表面に、加工手段114によって配線、発光層、電極等を形成する。 Next, the adhesive surface of the element forming portion 102 to the second sheet material 104, the wiring by the processing means 114, the light emitting layer to form an electrode or the like. 加工手段114としては、素子形成部102に直接形成できる手段を用いることが好ましく、例えば液滴吐出法やスクリーン印刷やグラビア印刷等の各種印刷法を用いることができる。 The processing means 114, can be used it is preferred to use means capable directly formed on the element forming portion 102, for example, a droplet discharge method, screen printing or various printing methods gravure printing. 液滴吐出法や印刷法を用いて素子形成部102に配線、発光層、電極等を直接形成することによって、材料の利用効率および作業効率を向上させることができる。 Wiring the element forming portion 102 by a droplet discharging method or a printing method, by forming the light emitting layer, an electrode or the like directly, it is possible to improve the use efficiency and work efficiency of the material.

続いて、封止手段115によって、加工手段114により加工された素子形成部105の表面に第3のシート材106を接着させて、素子形成部105を第2のシート材104と第3のシート材106によって封止する。 Subsequently, the sealing means 115, the processed surface of the element forming portion 105 by the processing means 114 the third sheet material 106 is adhered, the element formation part 105 and the second sheet material 104 the third sheet by wood 106 sealing.

以上の工程によって、表示装置を作製することができる。 Through the above steps, it is possible to manufacturing a display device. なお、第2のシート材および第3のシート材に可撓性を有するフィルム状のシート材を用いることによって、フィルム状の表示装置を作製することができる。 Note that by using a film-like sheet material having a flexible second sheet material and a third sheet member, it is possible to produce a film-like display device. 本発明の表示装置の作製方法および作製装置は、液晶表示装置や発光素子を用いた表示装置をはじめとしてどのような表示装置にも利用することができる。 Making and manufacturing apparatus of a display device of the present invention can also be used in any display device including the display device using a liquid crystal display device or a light emitting element. また、アクティブマトリクス型の表示装置でもパッシブマトリクス型の表示装置でも適用することが可能である。 Further, it can be applied in a passive matrix display device in an active matrix display device.

以下に、本発明のより具体的な構成に関して図面を用いて説明を行う。 The following description with reference to the drawings for a more specific structure of the present invention.

(実施の形態1) (Embodiment 1)
本実施の形態1では、図1に示した表示装置の製造装置のより具体的な構成について図面を参照して説明する。 In the first embodiment, it will be described with reference to the drawings more specific structure of an apparatus for manufacturing a display device shown in FIG.

本実施の形態1で示す装置は、図2に示すように、表示装置の一部を構成する素子形成部12(以下素子形成部12と記す)が設けられた基板11を搬送する搬送手段10と、基板11の位置を調整する制御手段21と、第1のシート材13が巻き付けられた第1の供給用ロール14と、基板11から素子形成部12を第1のシート材13に接着させて剥離するローラー26を備えた第1の剥離手段22と、第2のシート材16が巻き付けられた第2の供給用ロール17と、第1のシート材13から素子形成部12を第2のシート材16に接着させて剥離するローラー27、28を備えた第2の剥離手段23と、第1のシート材13を回収する回収用ロール15と、素子形成部12に画素部を形成する加工手段24と、第3のシート材18を Device described in the first embodiment, as shown in FIG. 2, the transport means transports the substrate 11 of the element forming unit 12 which forms a part of a display device (hereinafter referred to as an element formation part 12) is provided 10 When a control unit 21 for adjusting the position of the substrate 11, is bonded to the first supply roll 14 first sheet material 13 is wound, the element formation part 12 from the substrate 11 to the first sheet material 13 Te first peeling means 22 provided with a roller 26 for peeling, a second supply roll 17 the second sheet 16 is wound, the element formation part 12 from the first sheet member 13 second and second release means 23 provided with a roller 27 for peeling is adhered to the sheet 16 to form a collecting roll 15 for recovering the first sheet material 13, the pixel portion in the element forming unit 12 processing a means 24, a third sheet material 18 給する第3の供給用ロール19と、加工手段によって加工された素子形成部を第2のシート材16と第3のシート材18により封止する封止手段25と、封止された素子形成部12を巻き取る回収用ロール20とを有する。 A third supply roll 19 of Kyusuru, a sealing means 25 for sealing the element formation part that has been processed by the processing means and the second sheet member 16 third sheet material 18, sealed element formed winding the section 12 and a recovery roll 20. 以下に全体の流れについて説明する。 Explained overall flow below.

まず、搬送手段10によって基板11上に設けられた素子形成部12が搬送される。 First, the element formation part 12 provided on the substrate 11 by the transport unit 10 is conveyed. 搬送されてきた素子形成部12は、制御手段21によって基板の位置が調整される。 Element forming portion 12 that has been conveyed, the position of the substrate is adjusted by the control means 21. そして、ローラー26の方向に流れていく。 Then, it flows in the direction of the roller 26. 基板の位置の精度がそれほど厳密に求められない場合は、位置制御手段21は設けなくともよい。 If the accuracy of the position of the substrate is not determined less strict, may not be provided position control means 21. なお、複数の基板に形成された素子形成部をつなげ合わせて表示装置を形成する場合には、制御手段21によって位置を調整して基板同士を接合する。 In the case of forming the display device to fit connecting element forming portion formed in a plurality of substrates is to adjust the position by the control means 21 for joining the substrates together.

次に、第1の供給用ロール14から供給された第1のシート材13がローラー26を備えた第1の剥離手段22によって、基板11上に設けられた素子形成部12に接着し、基板11から素子形成部12を剥離する。 Then, the first release means 22 first sheet material 13 which is supplied from the first supply roll 14 is provided with a roller 26, adhered to the element formation part 12 formed on the substrate 11, the substrate 11 peeling the element formation part 12. その後、剥離された素子形成部12は、第1のシート材13に接着されてローラー27の方向に流れていく。 Then, the stripped element forming portion 12 is bonded flows in the direction of the roller 27 to the first sheet material 13. また、第2の供給用ロール17から供給される第2のシート材16がローラー28の方向に流れていく。 The second sheet material 16 supplied from the second supply roll 17 flows in the direction of the roller 28.

そして、ローラー27、28を備えた第2の剥離手段23によって、第1のシート材13に接着されて搬送されてきた素子形成部12の表面に第2のシート材16が接着し、第1のシート材13から素子形成部12を剥離する。 Then, the second stripping unit 23 provided with a roller 27, the second sheet member 16 is adhered to the surface of the first sheet material 13 element forming portion 12 which is bonded been transported to the first from the sheet material 13 peeling the element formation part 12. なお、第2の剥離手段23は、第1のシート材13に接着された素子形成部12を第2のシート材16に接着する際に、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行う。 The second peeling means 23, when bonding the element formation part 12 which is bonded to the first sheet member 13 to the second sheet material 16 to one or both of pressure treatment and heat treatment. その後、剥離された素子形成部12は、第2のシート材16に接着されて加工手段24の方向に流れていく。 Then, the stripped element forming unit 12, flows in the direction of the processing means 24 is bonded to the second sheet 16.

加工手段24では、第2の剥離手段23から流れてきた素子形成部12に、画素部を形成する。 The processing means 24, the element formation part 12 that has flowed from the second separating means 23, to form a pixel portion. 加工手段は、導電膜、絶縁膜、有機EL素子等の発光層または液晶等の画素部を構成するものであればどのようなものでも形成することができる。 Processing means, the conductive film may be an insulating film, be any one as long as it constitutes a pixel portion of the light-emitting layer or a liquid crystal such as an organic EL element is formed. 加工手段24としては、導電体や絶縁体や半導体等を含んだ組成物を吐出(噴射)してパターンを直接形成する液滴吐出法やスクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、大気圧プラズマ装置等を用いることができる。 The processing means 24, discharging a conductor or an insulator or a composition containing a semiconductor or the like (injector) and a droplet discharge method, a screen printing or printing gravure printing to form a pattern directly, the atmospheric pressure plasma apparatus or the like can be used. その後、画素部が形成された素子形成部は、封止手段25の方向に流れていく。 Thereafter, the element forming unit pixel portion is formed, flows in the direction of the sealing means 25. また、第3の供給用ロール19から供給される第3のシート材18がローラー30の方向に流れていく。 The third sheet member 18 supplied from the third supply roll 19 flows in the direction of the roller 30.

封止手段25では、第3のシート材18に、第2のシート材に接着されて搬送されてきた素子形成部の表面を接着させて挟み込むと共に、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行う。 The sealing means 25, the third sheet material 18, the sandwich with the adhesive has been conveyed to come element formation portion surface is attached to a second sheet material, one or both of pressure treatment and heat treatment do. その後、挟み込まれた(封止された)素子形成部は、回収用ロール20の方向に流れていき、回収用ロール20に巻き付いていく。 Thereafter, sandwiched (sealed) element forming section, will flow in the direction of the recovery roll 20, it will wind around the recovery roll 20.

上述したように、図2で示した装置において、第1のシート材13は、第1の供給用ロール14から供給され、第1の剥離手段22が含むローラー26、ローラー27の順に流れて、回収用ロール15に回収される。 As described above, in the apparatus shown in FIG. 2, the first sheet material 13 is fed from the first supply roll 14, roller 26 first peeling means 22 includes, in flow order of the rollers 27, It is collected in the collection roll 15. また、第1の供給用ロール14とローラー26とローラー27は同じ方向に回転する。 Further, a first supply roll 14 roller 26 and the roller 27 rotates in the same direction. 第2のシート材16は第2の供給用ロール17から供給され、第2の剥離手段23が含むローラー28、封止手段25が含むローラー29の順に流れて回収用ロール20に回収される。 The second sheet material 16 is supplied from the second supply roll 17, second release means 23 comprises a roller 28, is collected in the collecting roll 20 in this order of the roller 29 to the sealing means 25 comprises. また、第2の供給用ロール17とローラー28とローラー29は同じ方向に回転する。 The second supply roll 17 and the roller 28 and the roller 29 rotates in the same direction. 第3のシート材18は第3の供給用ロール19から供給され、封止手段25が含むローラー30を流れた後に回収用ロール20に回収される。 The third sheet member 18 is supplied from the third supply roll 19, it is recovered by the recovery roll 20 after flowing through the rollers 30 in which the sealing means 25 comprises. また、第3の供給用ロール19とローラー30は同じ方向に回転する。 The third supply roll 19 and the roller 30 of which rotate in the same direction.

搬送手段10は、素子形成部12が設けられた基板11を搬送するものであり、図2ではローラー31を具備し、当該ローラー31が回転することで、基板11が搬送される。 Conveying means 10, which carry the substrate 11 to the element forming unit 12 is provided, comprising a roller 31 in FIG. 2, by which the roller 31 rotates, the substrate 11 is conveyed. なお、搬送手段10は基板11を搬送できるものならどのような構成でもよく、例えばベルトコンベア、複数のローラーまたはロボットアーム等を用いることができる。 The transport means 10 may be any configuration if it can transfer the substrate 11 may be, for example, a belt conveyor, a plurality of rollers or a robot arm or the like. ロボットアームは、基板11をそのまま搬送したり、基板11が設けられたステージを搬送したりする。 Robotic arm, or the substrate 11 is transported as it is, or to convey a stage on which the substrate 11 is provided. また、搬送手段10は、第1のシート材13が移動する速度に合わせて、所定の速度で基板11を搬送する。 The transport means 10, in accordance with the speed at which the first sheet material 13 is moved to transport the substrate 11 at a predetermined speed.

第1の供給用ロール14、第2の供給用ロール17、第3の供給用ロール19にはそれぞれ、第1のシート材13、第2のシート材16、第3のシート材18が巻き付けられている。 The first supply roll 14, a second supply roll 17, each of the third supply roll 19 of the first sheet member 13, the second sheet member 16, the third sheet member 18 is wound ing. 第1の供給用ロール14を所定の速度で回転することによって、第2の剥離手段が含むローラー27に向かって第1のシート材13を所定の速度で流し、第2の供給用ロール17および第3の供給用ロール19をそれぞれ所定の速度で回転することによって、封止手段25に向かって第2のシート材16、第3のシート材18をそれぞれ所定の速度で流す。 By rotating the first supply roll 14 at a predetermined speed, the first sheet material 13 toward the roller 27 including the second peeling means to flow at a predetermined speed, and the second supply roll 17 by rotating the third respective predetermined speed feed roll 19, passing the second sheet member 16, a third sheet material 18 respectively towards the sealing means 25 at a predetermined speed. なお、第1の供給用ロール14、第2の供給用ロール17、第3の供給用ロール19は、円柱状であり、樹脂材料、金属材料またはゴム材料等からなる。 The first supply roll 14, a second supply roll 17, the third supply roll 19 is a cylindrical, made of a resin material, a metal material or a rubber material or the like.

第1のシート材13は、可撓性のフィルムからなっており、少なくとも一方の面に粘着剤を有する面が設けてある。 The first sheet member 13 is formed of a flexible film, it is provided with a surface having an adhesive on at least one surface. 具体的には、ポリエステル等の基材として用いるベースフィルム上に粘着剤が設けてある。 Specifically, there is adhesive provided on a base film used as a base material such as polyester. 粘着剤としては、アクリル樹脂等を含んだ樹脂材料または合成ゴム材料からなる材料を用いることができる。 As the adhesive, it is possible to use a material made of a resin material or a synthetic rubber material containing acrylic resin or the like. また、第1のシート材13には粘着力が弱いフィルム(粘着力が、好ましくは0.01N〜1.0N、より好ましくは0.05N〜0.5N)を用いるのが好ましい。 Moreover, weak film adhesion to the first sheet material 13 (adhesive strength, preferably 0.01N~1.0N, more preferably 0.05N~0.5N) preferably used. これは、基板上に設けられた素子形成部を第1のシート材に接着した後に、第2のシート材を素子形成部に接着して、第1のシート材を素子形成部から剥離するためである。 This element forming portion provided on the substrate after bonding the first sheet material, by adhering the second sheet material in the element forming unit, for stripping the first sheet material from the element forming unit it is. させるためである。 This is because to be. 接着剤の厚さは、1μm〜100μm、好ましくは1μm〜30μmにすることができる。 The thickness of the adhesive, 1 m to 100 m, preferably can be 1 to 30 [mu] m. また、ベースフィルムとしては、ポリエステル等のフィルムを用いて10μm〜1mmで形成すると加工時に扱いやすくなるため好ましい。 As the base film, which is preferable easily handled during processing to form at 10μm~1mm using a film such as polyester.

粘着層の表面がセパレーター32で保護されている場合は、使用する時に図2に示すようにセパレーター回収ロール33を設け、使用時にセパレーター32を除去すればよい。 When the surface of the adhesive layer is protected by a separator 32, a separator collection roll 33, as shown in FIG. 2 when used provided, it may be removed separator 32 at the time of use. また、基材として用いたベースフィルム上に帯電防止処理が施されたものを用いることもできる。 It is also possible to use one antistatic treatment on a base film used as a substrate has been subjected. セパレーターはポリエステル等のフィルムや紙等からなるが、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムで形成されている場合は、加工時に紙粉などが生じないため好ましい。 Separator is made of a film or paper such as polyester, if it is formed with a film of polyethylene terephthalate is preferred because it does not cause such paper dust during processing.

第2のシート材16と第3のシート材18は、可撓性のフィルムからなっており、例えばラミネートフィルムや繊維質な材料からなる紙などを利用することができる。 A second sheet member 16 third sheet material 18 is formed of a flexible film, can be used such as paper of a laminate film or a fibrous material. ラミネートフィルムは、ラミネート処理等の封止に用いることができるフィルム全般を指し、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、メタクリル酸メチル、ナイロン、ポリカーボネート等の材料からなり、その表面にエンボス加工等の加工処理が施されていてもよい。 Laminate film refers to films in general which may be used for sealing the lamination etc., becomes polypropylene, polystyrene, polyester, vinyl, polyvinyl fluoride, vinyl chloride, methyl methacrylate, nylon, a material such as polycarbonate, the surface processing of embossing may be subjected to.

また、本実施の形態では、ホットメルト接着剤を用いて素子形成部の封止を行うのが好ましい。 Further, in this embodiment, it is preferable to carry out sealing element forming portions with a hot-melt adhesive. ホットメルト接着材は、水や溶剤を含まず、室温では固体で不揮発性の熱可塑性材料からなり、溶融状態で塗布し冷却することにより物と物を接着する化学物質である。 Hot melt adhesive is free of water and solvent, at room temperature solid a nonvolatile thermoplastic material, a chemical that bonds the objects and objects by applying cooled in a molten state. また、接着時間が短く、無公害、安全で衛生的、省エネルギーであり、低コストであるといった利点を有する。 Also, short adhesion time, nonpolluting, safe and hygienic, is energy saving, has the advantage of low cost.

ホットメルト接着剤は常温で固体であるため、あらかじめフィルム状、繊維状に加工したもの、またはポリエステル等のベースフィルム上にあらかじめ接着層を形成してフィルム状にしたものを用いることができる。 Since hot melt adhesives are solid at room temperature, pre-film form, it can be used those to those processed into fibers, or a base film in advance to form an adhesive layer on a film-like, such as polyester. ここでは、ポリエチレンテレフタレートからなるベースフィルム上にホットメルトフィルムを形成したシート材を用いる。 Here, a sheet material to form a hot-melt film on a base film made of polyethylene terephthalate. ホットメルトフィルムは、ベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂からなっており、加熱することによってホットメルトフィルムのみが溶融してゴム状になり接着し、冷却すると硬化する。 Hot-melt film, rather than the base film is made of low softening point resin, only hot-melt film by heating becomes rubbery bonded by melting, it hardens when cooled. また、ホットメルトフィルムとして、例えばエチレン・酢酸ビニル共重合体(EVA)、ポリエステル、ポリアミド、熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン等を主成分としたフィルムを用いることができる。 Furthermore, it can be used as a hot-melt film, for example, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), polyester, polyamide, thermoplastic elastomer, the films composed mainly of polyolefins, and the like.

また、第2のシート材16と第3のシート材18の一方または両方は、一方の面に接着面を有していてもよい。 Further, a second sheet material 16 one or both of the third sheet material 18 may have an adhesive surface on one side. 接着面は、熱硬化樹脂性樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、光硬化型接着剤、湿気硬化型接着剤、樹脂添加剤等の接着剤を塗布したものを用いることができる。 Adhesive surface, thermosetting resins resin, ultraviolet curing resin, an epoxy resin adhesive, light curing adhesive, moisture-curing adhesive, it can be used coated with adhesive such as a resin additive.

また、第2のシート材16と第3のシート材18の一方または両方は、透光性を有していてもよい。 Further, a second sheet material 16 one or both of the third sheet material 18 may have a light-transmitting property. また、第2のシート材16と第3のシート材18の一方または両方に、保護膜として炭素を主成分とする薄膜(ダイヤモンドライクカーボン膜)や、インジウム錫酸化物(ITO)等の導電性材料によりコーティングしてもよい。 Further, in one or both of the second sheet member 16 third sheet material 18, a thin film containing carbon as a main component as a protective film (diamond-like carbon film) or a conductive such as indium tin oxide (ITO) it may be coated with a material. また、他にも、第2のシート材16と第3のシート材18として、静電気等を防止する帯電防止対策を施したフィルム(以下、帯電防止フィルムと記す)を用いることもできる。 Alternatively, it is also possible to form the second sheet material 16 third sheet material 18, antistatic subjected to film for preventing static electricity or the like (hereinafter, referred to as an antistatic film) can also be used. 帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。 As the antistatic film, a film with an antistatic material dispersed in a resin film, and an antistatic material is attached films. 帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。 Antistatic material provided film may be a film with an antistatic material provided on one surface, or a film with an antistatic material provided on both surfaces. さらに、片面に帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、帯電防止可能な材料が設けられた面をフィルムの内側になるように層に貼り付けてもよいし、フィルムの外側になるように貼り付けてもよい。 Additionally, an antistatic material is provided film on one side, an antistatic material is placed on it may be stuck to the layer so that the inside of the film, so that the outer side of the film it may be attached. なお、帯電防止可能な材料はフィルムの全面、あるいは一部に設けてあればよい。 The antistatic material may be provided over the entire surface or over a part of the film. ここでの帯電防止可能な材料としては、金属、インジウムと錫の酸化物(ITO)、両性界面活性剤や陽イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤等の界面活性剤を用いることができる。 As the antistatic material here, a metal, indium tin oxide (ITO), is to use surfactants such as amphoteric surfactants and cationic surfactants and non-ionic surfactants it can. また、他にも帯電防止材料として、側鎖にカルボキシル基および4級アンモニウム塩基をもつ架橋性共重合体高分子を含む樹脂材料等を用いることができる。 Further, as the antistatic material, a resin material containing crosslinkable copolymer having a carboxyl group and a quaternary ammonium base on its side chain. これらの材料をフィルムに貼り付けたり、練り込んだり、塗布したりすることによって帯電防止フィルムとすることができる。 Or paste such a material to a film, Dari kneaded can be an antistatic film or to the coating. 帯電防止フィルムで封止を行うことによって、商品として取り扱う際に、外部からの静電気等によって素子形成部に悪影響が及ぶことを抑制することができる。 By sealing with the antistatic film, when dealt with as a commercial product, it is possible to suppress the adverse effect on the element formation part by static electricity or the like from the outside.

制御手段21は、搬送されてくる基板11の位置を制御するものであり、図2ではCCDカメラを用いることによって、基板11を配列させる。 Control means 21 is for controlling the position of the incoming substrate 11 is transported, by using a CCD camera 2, it is arranged a substrate 11. また、複数の基板の位置を精確に制御して配列させることにより、複数の基板をつなぎ合わせた表示装置を作製することができる。 Further, by arranging to accurately control the position of a plurality of substrates can be manufactured display device obtained by connecting a plurality of substrates. このとき、制御手段21によって、複数の基板の位置を精確に制御して基板同士を接合する。 At this time, the control unit 21, to bond the substrates to each other by precisely controlling the positions of a plurality of substrates. なお、つなぎ合わせた境目が画素部に形成される場合には、境目が目立たないようにする必要がある。 In the case where boundary obtained by connecting is formed in the pixel portion, it is necessary to boundary inconspicuous. 本実施の形態では、制御手段21において精確に複数の基板を並べてつなぎ合わせ、且つ加工手段24において、つなぎ合わせた後に配線、電極または発光層を形成することができるため、境目をより目立たなくすることが可能となる。 In this embodiment, accurately joined together side by side a plurality of substrates in the control unit 21, and the processing means 24, the wiring after the joining, it is possible to form the electrode or the light emitting layer is less noticeable the border it becomes possible. なお、基板を精確に配列させる必要がない場合には、制御手段21は設けなくともよい。 If there is no need to accurately arrange the substrate, the control means 21 may not be provided.

第1の剥離手段22は、少なくともローラー26を備え、素子形成部12の一方の面を、第1のシート材13の一方の面に接着させて、基板11から素子形成部12を剥離する。 First release means 22 includes at least the rollers 26, the one surface of the element formation part 12, is adhered to one surface of the first sheet material 13 is peeled off element forming part 12 of the substrate 11. ローラー26が回転することによって、素子形成部12が第1のシート材13に接着し、基板11から素子形成部12が剥離される。 By roller 26 rotates, the element formation part 12 is bonded to the first sheet material 13, the element formation part 12 of the substrate 11 is peeled off. 従って、ローラー26は、素子形成部12が設けられた側の基板11と対向するように設けられる。 Thus, the roller 26 is provided so as to face the substrate 11 on the side from which the element formation part 12 is provided. また、ローラー26は円柱状であり、樹脂材料、金属材料またはゴム材料等からなり、好ましくは柔らかい材料からなる。 Further, the roller 26 has a cylindrical shape, a resin material, a metal material or a rubber material or the like, consisting of preferably a soft material.

第2の剥離手段23は、少なくとも対向するローラー27、28を備え、第1のシート材13に接着した素子形成部12を、第2のシート材16の一方の面に接着させて、第1のシート材13から素子形成部12を剥離する。 Second peeling means 23 includes a roller 27, 28 at least opposing, the element formation part 12 which is bonded to the first sheet member 13, is adhered to one surface of the second sheet material 16, the first from the sheet material 13 peeling the element formation part 12. このとき、第2の供給用ロール17からローラー28に向かって流れる第2のシート材16に、素子形成部を接着させると共に、ローラー27とローラー28の間を通過する際に、ローラー27とローラー28の一方または両方を用いて、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行う。 At this time, the second sheet material 16 from the second supply roll 17 flows toward the roller 28, the bonding the element forming portion, when passing between the rollers 27 and the roller 28, roller 27 and roller 28 using one or both, performing one or both of pressure treatment and heat treatment.

この処理を行うことによって、第1のシート材13に接着された素子形成部12が第2のシート材16に接着する。 By performing this process, the element formation part 12 which is bonded to the first sheet material 13 is adhered to the second sheet material 16. 加熱処理の方法としては、熱エネルギーを加えることができればどのような方法でもよく、例えばオーブン、電熱線のヒータ、オイル等の温度媒体、ホットスタンプ、サーマルヘッド、レーザー光、赤外線フラッシュ、熱ペン等を適宜選択して用いることができる。 As a method for heat treatment, if the application of heat energy may be by any method, for example an oven, heating wire of the heater, the temperature medium such as oil, hot stamp, thermal head, laser light, infrared flash, thermal pen it can be appropriately selected and the. また、ローラー27とローラー28は円柱状であり、樹脂材料、金属材料またはゴム材料等からなり、好ましくは柔らかい材料からなる。 Further, the rollers 27 and the roller 28 has a cylindrical shape, a resin material, a metal material or a rubber material or the like, consisting of preferably a soft material.

加工手段24は、第2のシート材16に接着した素子形成部12の表面に画素部を形成する。 Processing means 24, a pixel portion adhered to the surface of the element forming unit 12 to the second sheet material 16. 具体的には、配線、電極等の導電膜、絶縁膜、発光層、液晶等の表示装置の画素を完成させるために必要なものを形成する。 Specifically, the wiring, a conductive film such as an electrode, an insulating film, the light-emitting layer, to form what needed to complete the pixel of the display device such as a liquid crystal. 加工手段としては、導電体や絶縁体等を含んだ組成物を吐出(噴射)してパターンを直接形成する液滴吐出法や、原版に材料を載せてパターンを転写するスクリーン印刷やグラビア印刷法等の印刷法を用いることができる。 As a processing means, discharging the conductor and including an insulator such as composition (injection) to a droplet discharge method to form a pattern directly and, screen printing or gravure printing to transfer a pattern by placing the material in the original printing method etc. may be used. 本実施の形態では、液滴吐出法を用いる場合を示している。 In the present embodiment shows a case of using a droplet discharge method. 例えば、あらかじめ基板11に半導体膜、ゲート電極、配線および画素電極等を形成した場合には、加工手段24を用いて液滴を選択的に吐出して発光層や対向電極等を形成する。 For example, the semiconductor film in advance substrate 11, a gate electrode, in the case of forming the wiring and the pixel electrode or the like, the droplets selectively discharging to form a light-emitting layer and the counter electrode or the like using the processing means 24. また、他にも基板11に半導体層のみを形成し、その後加工手段24を用いてゲート電極、配線、画素電極、発光層または対向電極等を形成してもよく、実施者が適宜選択して行うことができる。 Further, only the semiconductor layer is formed on the substrate 11 to other, then the processing unit gate electrode with 24, the wiring, the pixel electrode may form a light emitting layer or the counter electrode or the like, a practitioner appropriately selected It can be carried out.

また、本実施の形態では、基板11から第1の剥離手段22により剥離した素子形成部12をさらに第2の剥離手段により剥離を行っているため、加工手段24に流れてくる素子形成部の表面は、基板11上に形成された素子形成部の表面と同じとなる。 Further, in the present embodiment, because a peeling by further second peeling means the element formation part 12 which is peeled off by the first peeling means 22 from the substrate 11, the element forming portion flowing to the processing means 24 surface is the same and the formed element forming part of the surface on the substrate 11. このように、剥離を2回行うことによって加工手段24によって素子形成部に発光層等を形成する際に効率よく行うことができる。 Thus, it is possible to efficiently perform in forming the luminescent layer or the like in the element forming unit by the processing unit 24 by performing peeling twice.

封止手段25は、加工手段24によって加工された素子形成部が流れてくると、当該素子形成部の表面に第3のシート材18を接着させると共に、素子形成部を第2のシート材16と第3のシート材18により封止する。 Sealing means 25, when coming element forming portion that has been processed to flow by the processing unit 24, along with adhering the third sheet material 18 to the surface of the element forming unit, an element formation portion the second sheet material 16 When sealing the third sheet member 18. また、封止手段25は、互いに対向して設けられたローラー29とローラー30を有する。 The sealing means 25 comprises a roller 29 and the roller 30 disposed opposite to each other. そして、第3の供給ロール19からローラー30に向かって流れる第3のシート材18に、素子形成部の他方の面を接着させると共に、ローラー29とローラー30の間を通過する際に、ローラー29とローラー30を用いて、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行う。 Then, the third sheet material 18 from the third supply roll 19 flows toward the rollers 30, along with adhering the other surface of the element forming portion, when passing between the rollers 29 and the roller 30, the rollers 29 using a roller 30 and performs one or both of pressure treatment and heat treatment. この処理を行うことによって、素子形成部は、第2のシート材16と第3のシート材18によって封止される。 By performing this process, the element formation part is sealed with the second sheet member 16 by a third sheet material 18.

封止手段25を構成するローラー29、30の一方または両方は、加熱手段を有する。 One or both of the rollers 29 and 30 constituting the sealing means 25 has a heating means. 加熱手段は、例えば、オーブン、電熱線のヒータ、オイル等の温媒、ホットスタンプ、サーマルヘッド、レーザー光、赤外線フラッシュ、熱ペン等を用いることができる。 The heating means is, for example, can be used ovens, heating wire of the heater, such as oil heating medium, hot stamp, thermal head, laser light, infrared flash, a thermal pen. また、ローラー29とローラー30は、ローラー28と第2の供給用ロール17と第3の供給用ロール19の回転する速度に合わせて、所定の速度で回転する。 Further, the rollers 29 and the roller 30, in accordance with the speed of rotation the roller 28 and the second supply roll 17 of the third supply roll 19 rotates at a predetermined speed. また、ローラー29とローラー30は円柱状であり、樹脂材料、金属材料またはゴム材料等からなり、好ましくは柔らかい材料からなる。 Further, the rollers 29 and the roller 30 has a cylindrical shape, a resin material, a metal material or a rubber material or the like, consisting of preferably a soft material.

回収用ロール20は、第2のシート材16と第3のシート材18により封止された素子形成部を巻き取ることで回収するロールである。 Recovery roll 20 is a roll of recovering by winding the element forming portion sealed with the second sheet material 16 third sheet material 18. 回収用ロール20は、ローラー29とローラー30の回転する速度に合わせて、所定の速度で回転する。 Recovery roll 20, to match the speed of rotation of the rollers 29 and the roller 30 is rotated at a predetermined speed. また、回収用ロール20は、円柱状であり、樹脂材料、金属材料またはゴム材料等からなり、好ましくは柔らかい材料からなる。 The recovery roll 20 is a cylindrical resin material, a metal material or a rubber material or the like, consisting of preferably a soft material.

このように、図2に示した装置によると、第1〜第3の供給用ロール14、15、21、ローラー26、31、27、28、29、30および回収用ロール20が回転することで、基板11上に設けられた素子形成部12を連続的に剥離・封止・回収することができる。 Thus, according to the apparatus shown in FIG. 2, by the first to third supply roll 14,15,21, the rollers 26,31,27,28,29,30 and recovery roll 20 rotates , it is possible to continuously peel-seal and recovering device forming part 12 formed on the substrate 11. 従って、図2で示した装置は、量産性が高く、製造効率を向上させることができる。 Accordingly, the apparatus shown in Figure 2, high mass productivity, it is possible to improve the manufacturing efficiency.

次に、上記とは異なるフィルム状表示装置の製造装置の形態について図3を用いて説明する。 Next, will be described with reference to FIG embodiment of an apparatus for manufacturing different film-like display device as described above.

図3に示す装置は、素子形成部12が設けられた基板11を搬送する搬送手段10と、基板11の位置を調整する制御手段21と、第1のシート材13が巻き付けられた第1の供給用ロール14と、基板11から素子形成部12を第1のシート材13に接着させて剥離するローラー26を備えた第1の剥離手段22と、第2のシート材16が巻き付けられた第2の供給用ロール17と、第1のシート材13から素子形成部12を第2のシート材16に接着させて剥離する第2の剥離手段23と、第1のシート材13を回収する回収用ロール15と、素子形成部12に画素部を形成する加工手段24と、第2のシート材16が接着した面と反対側の素子形成部12の面に樹脂55を加熱溶融状態で押し出して、第2のシート材16と樹脂55に Apparatus shown in FIG. 3, and the transfer mechanism 10 for transferring the substrate 11 from which the element formation part 12 is provided, the control means 21 for adjusting the position of the substrate 11, first the first sheet material 13 is wound a supply roll 14, the first peeling means 22 provided with a roller 26 for peeling in the element forming unit 12 from the substrate 11 is attached to a first sheet material 13, the second sheet material 16 wound around and second supply roll 17, the recovery to recover the second release means 23 for the element forming unit 12 from the first sheet material 13 is attached to a second sheet material 16 is peeled off by the first sheet material 13 and use the roll 15, and the processing means 24 for forming a pixel portion in the element forming unit 12, on the opposite side of the element formation part 12 and the surface on which the second sheet material 16 is adhered by extruding a resin 55 in a heated molten state , the second sheet material 16 and the resin 55 り素子形成部を封止する封止手段25と、封止された素子形成部12を巻き取る回収用ロール20とを有する。 Ri has a sealing means 25 for sealing the element forming portion, and a recovery roll 20 for winding up the sealed element forming portion 12. 図3に示す構成は、図2に示す構成に、第3の供給用ロール19と第3のシート材18がダイ54と樹脂55に置き換わった構成となっている。 Configuration shown in Figure 3, to the configuration shown in FIG. 2, the third supply roll 19 of the third sheet material 18 has a configuration replacing a die 54 and resin 55.

図3に示す装置では、基板11上に設けられた素子形成部12を第1のシート材13で剥離し、第1のシート材に接着した素子形成部12を第2のシート材16に接着させ、第2のシート材16に接着した素子形成部12が加工手段24によって加工され、封止手段25に向かって流れるところまでは、図1と同様に行うことができる。 In the apparatus shown in FIG. 3, and peeling the element formation part 12 provided on the substrate 11 in the first sheet material 13, bonding the element formation part 12 which is bonded to the first sheet material to a second sheet material 16 is allowed, the element formation part 12 which is adhered to the second sheet material 16 is processed by the processing means 24, until it flows towards the sealing means 25 can be carried out in the same manner as in FIG. 1. その後、図3では、第2のシート材16に接着した素子形成部の他方の面(第2のシート材が接着した面と反対側の面)にダイ54から加熱溶融状態で押し出された樹脂55が供給される。 Then, in FIG. 3, the other surface of the element formation portion adhered to the second sheet material 16 is extruded in a heated molten state from the die 54 (the second sheet material and adhered to the surface plane of the opposite side) resin 55 is supplied. 続いて、圧着ローラー56と冷却ローラー57との間に導入された第2のシート材16と樹脂55を、圧着ローラー56と冷却ローラー57で加圧しながら冷却することによって、素子形成部の他方の面に樹脂55を接着させると共に、第2のシート材16と樹脂55により素子形成部12を封止する。 Subsequently, the second sheet material 16 and the resin 55 which is introduced between the pressure roller 56 and the cooling roller 57, by cooling under pressure at pressure roller 56 and the cooling roller 57, the other element forming portion together to adhere the resin 55 on the surface, to seal the element formation part 12 by a second sheet material 16 and resin 55. 最後に、封止された素子形成部12は、回収用のロール20の方向に流れていき、回収用ロール20に巻き取られて回収される。 Finally, the element formation part 12 sealed is gradually flows in the direction of the roll 20 for collection, it is collected wound into collection roll 20.

図3に示すラミネート装置の構成において、樹脂55には、熱可塑性樹脂を用いればよい。 In the configuration of the laminating apparatus shown in FIG. 3, the resin 55 may be used a thermoplastic resin. 樹脂55に用いる熱可塑性樹脂は、軟化点の低いものが好ましい。 The thermoplastic resin used for the resin 55, having a low softening point is preferred. 例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール等のビニル系共重合体、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、エチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体等のスチレン系樹脂等が挙げられる。 For example, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene and the like polyolefin resins, vinyl chloride, vinyl acetate, vinyl chloride - vinyl acetate copolymer, ethylene - vinyl acetate copolymer, vinylidene chloride, polyvinyl butyral, vinyl such as polyvinyl alcohol copolymers, acrylic resins, polyester resins, urethane resins, cellulose, cellulose acetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate, cellulose resins such as ethyl cellulose, polystyrene, acrylonitrile - styrene such as styrene copolymer system resins. なお、樹脂55は、ダイ54からの単層で押し出したものでもよいし、2層以上を共押し出ししたものでもよい。 The resin 55 may be one that was extruded in a single layer from the die 54, it may be obtained by coextruding two or more layers. なお、第1のシート材13または第2のシート材16は、上記で示したいずれかの材料を用いることができる。 The first sheet member 13 or the second sheet member 16 may use any of the materials given above.

このように、図3に示した装置によると、搬送手段10、第1、第2の供給用ロール14、17、ローラー26、ローラー27、28、圧着ローラー56、冷却ローラー57および回収用ロール20が回転することで、基板11上に設けられた素子形成部12を連続的に剥離・封止・回収することができる。 Thus, according to the apparatus shown in FIG. 3, the conveyance unit 10, first, second supply roll 14 and 17, roller 26, rollers 27 and 28, pressure roller 56, the cooling roller 57 and the recovery roll 20 There by rotating, it is possible to continuously peel-seal and recovering device forming part 12 formed on the substrate 11. 従って、図3で示した装置は、量産性が高く、製造効率を向上させることができる。 Accordingly, the apparatus shown in FIG. 3 has a high mass productivity, it is possible to improve the manufacturing efficiency.

次に、上記とは異なるフィルム状表示装置の製造装置の形態について図4を用いて説明する。 It will now be described with reference to FIG. 4 embodiment of an apparatus for manufacturing different film-like display device as described above.

カセット41は、基板供給用のカセットであり、素子形成部12が複数設けられた基板11がセットされる。 Cassette 41 is a cassette for feeding the substrate, the substrate 11 of element forming portion 12 is provided with a plurality is set. カセット42は、基板回収用のカセットであり、素子形成部12が剥離された後の基板11が回収される。 Cassette 42 is a cassette for collecting the substrate, the substrate 11 after the element forming unit 12 has been peeled off is recovered. カセット41とカセット42の間には、搬送手段として複数のローラー43〜45が設けられており、当該ローラー43〜45が回転することで、基板11が搬送される。 Between the cassette 41 and the cassette 42, a plurality of rollers 43 to 45 is provided as a conveying means, by which the rollers 43 to 45 are rotated, the substrate 11 is conveyed.

その後、上述したように、素子形成部12の剥離と封止が行われ、続いて、封止された素子形成部12は、切断手段46により切断される。 Thereafter, as described above, is performed peeling the sealing element forming portion 12, followed by the element forming unit 12 that is sealed is cut by the cutting means 46. 切断手段46は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザー照射装置(CO 2レーザー照射装置等)等を用いたものである。 Cutting means 46, a dicing device, a scribing apparatus, in which a laser irradiation device (CO 2 laser irradiation device, etc.) and the like. 上記の工程を経て、封止された素子形成部12が完成する。 Through the above steps, sealed element forming portion 12 is completed.

本実施の形態において、剥離された基板11は再利用することができる。 In this embodiment, substrate 11 is peeled off can be reused. そのため、ガラス基板より原価の高い石英基板を用いた場合でも低コスト化を達成することができる。 Therefore, it is possible to achieve low cost even in the case of using a high quartz substrate at cost than a glass substrate. 石英基板を用いた場合は、基板に伴う作製工程の条件がガラス基板に比べて緩和されるため、より特性の高い表示装置を形成することができる。 In the case of using a quartz substrate, since the condition of manufacturing process due to the substrate is reduced as compared with a glass substrate, it is possible to form a more characteristic high display device. なお、基板を再利用する場合、剥離の工程において基板に傷が生成されないように制御するのが望ましい。 In the case of reusing the substrate, it is preferably controlled so as not generated damage the substrate in the peeling step. しかし、傷が生成された場合であっても、有機樹脂や無機樹脂膜を塗布法や液滴吐出法によって形成したり、研削、研磨したりすることによって平坦化処理を行えばよい。 However, even if the flaw is generated, or an organic resin or an inorganic resin film by a coating method or a droplet discharge method, the grinding may be performed flattening process by or polished.

以上のように、本実施の形態で示した装置を用いることによって、効率良く可撓性を有する表示装置を製造することができる。 As described above, by using the device described in this embodiment, it is possible to manufacture a display device having a high efficiency flexible.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
次に、表示装置の作製方法の具体例に関して図面を用いて説明を行う。 Next, a description with reference to drawings specific example of a method for manufacturing a display device.

本実施の形態では、ガラス等の耐熱性を有する基板上にあらかじめ表示装置の一部を形成し、その後基板上に形成された表示装置の一部を剥離して可撓性を有する基板上に設け、表示装置の残りの部分を形成する場合に関して示す。 In this embodiment, a portion of the pre-display device on a substrate having heat resistance such as glass to form, subsequently on a substrate having a release to the flexible part of the formed display device on the substrate provided, shown for the case of forming the remaining part of the display device.

一般的に、表示装置の概略図は図5(A)に示すように、ガラス基板等の基板200上に複数の画素部からなる画素領域402と、画素部を駆動するための駆動回路403、404が設けられている。 Generally, schematic view of a display device as shown in FIG. 5 (A), a pixel region 402 including a plurality of pixel portions on a substrate 200 such as a glass substrate, a driving circuit 403 for driving the pixel portion, 404 is provided. また、この他にも画素部を制御する回路が基板200上または電気的に接続されて外部に設けられている。 The circuit for controlling the pixel unit in addition to this is provided outside is connected on or electrically substrate 200.

本実施の形態では、基板200上に表示装置を完成させるのではなく、基板200上に表示装置の構成の一部を形成した後に、一旦、形成した表示装置の構成の一部を可撓性を有する基板上に設ける。 In this embodiment, rather than to complete the display on the substrate 200, after forming part of the structure of a display device on the substrate 200, once the flexible part of the configuration of the formed display device provided on a substrate having an. そして、続けて残りの表示装置を構成する部分を改めて形成する。 Then, again forming a portion constituting the remainder of the display device to continue. 具体的な作製工程について、図6、図7を用いて以下に説明する。 Specific manufacturing process, FIG. 6, will be described below with reference to FIG.

まず、図6(A)に示すように基板200上に、剥離層201、第1の絶縁膜202、第2の絶縁膜203、半導体膜204、ゲート絶縁膜205、ゲート電極206、層間絶縁膜207、ソースまたはドレイン電極208、209、画素電極210、配線211、隔壁212を設ける。 First, on a substrate 200 as shown in FIG. 6 (A), the separation layer 201, the first insulating film 202, the second insulating film 203, the semiconductor film 204, the gate insulating film 205, gate electrode 206, an interlayer insulating film 207, a source or drain electrode 208 and 209, pixel electrodes 210, the wiring 211, providing the partition 212. なお、図6に示す断面図は、図5(B)のA−B間の断面に対応している。 The sectional view shown in FIG. 6 corresponds to the cross section along A-B in FIG. 5 (B). 以下に、図6(A)の構造に関して詳しく説明を行う。 Hereinafter, perform detail description with respect to the structure of FIG. 6 (A).

基板200としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。 As the substrate 200, for example, barium borosilicate glass, a glass substrate such as alumino borosilicate glass, a quartz substrate, a ceramic substrate, or the like. また、ステンレスを含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。 Also, a metal substrate containing stainless steel or a semiconductor substrate may be used which has an insulating film. 基板200の表面を、CMP法などの研磨により平坦化しておいても良い。 The surface of the substrate 200 may be planarized by polishing such as a CMP method.

基板200上に設ける剥離層201としては、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)またはチタン(Ti)等を含んだ金属膜やシリコン(Si)等の半導体膜で形成する。 The release layer 201 is provided over the substrate 200, tungsten (W), is formed of molybdenum (Mo), a semiconductor film such as niobium (Nb), or titanium (Ti) containing such a metal film or a silicon (Si). 本実施の形態では、剥離層201としてWを含んだ金属膜を用いる。 In this embodiment, a metal film containing W as the release layer 201. なお、Wの形成方法はCVD法、スパッタ法または電子ビーム等によって形成することができ、ここではスパッタ法を用いて形成する。 In addition, the method of forming the W can be formed by CVD, sputtering or electron beam or the like, here formed by a sputtering method. また、剥離層201として金属膜(例えばW)上に金属酸化物(例えばWO x )を形成した膜を用いてもよい。 The metal film (e.g., W) metal oxide on the film formed (e.g. WO x) may be used as the release layer 201. 他にも金属膜と金属酸化膜の組み合わせとして、MoとMoOx、NbとNbOxまたはTiとTiOx(X=2〜3)等を用いることができる。 As a combination of a metal film and a metal oxide film to the other, Mo and MoOx, Nb and NbOx or Ti and TiOx (X = 2~3) and the like can be used.

なお、図6では、基板200上に直に剥離層201を形成しているが、基板200と剥離層201の間に下地膜を形成してもよい。 In FIG. 6, to form a direct peeling layer 201 on the substrate 200, the underlying film may be formed between the substrate 200 and the peeling layer 201. 下地膜は、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、酸化窒化珪素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化珪素(SiNxOy)(x>y)等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。 Base film, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy) (x> y), silicon nitride oxide (SiNxOy) (x> y) single insulating film containing carbon such it can be a layer structure or a laminated structure thereof. 特に、基板からの汚染が懸念される場合には、基板200と剥離層201間に下地膜を形成するのが好ましい。 In particular, if the contamination from the substrate may occur, it is preferable to form the base film between the substrate 200 release layer 201.

基板200上に剥離層201を形成した後に、剥離層201上に絶縁膜を形成する。 After forming the peeling layer 201 on the substrate 200, an insulating film is formed over the separation layer 201. 絶縁膜は、単層構造または積層構造で形成することができ、図6では、第1の絶縁膜202、第2の絶縁膜203からなる積層構造で形成する。 Insulating film may be a single-layer structure or a stacked structure, in FIG. 6, a stacked structure of a first insulating film 202, the second insulating film 203. 絶縁膜としては、例えば第1の絶縁膜202として酸化珪素膜、第2の絶縁膜203として酸化窒化珪素膜を用いる。 As the insulating film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film as the second insulating film 203 is used for example as the first insulating film 202. また、他にも第1の絶縁膜として酸化珪素、第2の絶縁膜として窒化酸化珪素膜、第3の絶縁膜として酸化窒化珪素膜からなる3層の積層構造で形成してもよい。 Further, Additional silicon oxide as the first insulating film, a silicon nitride oxide film as the second insulating film may be formed by a stacked structure of the third 3 layers of silicon oxynitride film as an insulating film.

次に、第2の絶縁膜203上に薄膜トランジスタを形成する。 Next, a thin film transistor on the second insulating film 203. 薄膜トランジスタは、少なくとも所望の形状にパターニングされた半導体膜204、ゲート絶縁膜205を介して形成されたゲート電極206、層間絶縁膜207、半導体膜204と電気的に接続したソースまたはドレイン電極208、209から構成されている。 Thin film transistors, the semiconductor film 204 is patterned on at least a desired shape, the gate electrode 206 is formed via a gate insulating film 205, an interlayer insulating film 207, the semiconductor film 204 and the source or drain electrode is electrically connected to 208 and 209 It is constructed from.

半導体膜204は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したSAS、非晶質半導体中に0.5nm〜20nmの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの状態を有してもよい。 The semiconductor film 204, an amorphous semiconductor, SAS which an amorphous state and a crystalline state are mixed, a microcrystalline semiconductor can be observed grain 0.5nm~20nm in the amorphous semiconductor, and a crystalline it may have any state selected from the semiconductor. また成膜処理温度に耐えうる基板、例えば石英基板を使用するならば、当該基板へCVD法等により結晶性半導体膜を形成してもよい。 Further if used substrates that can withstand the deposition process temperature, for example, a quartz substrate, by a CVD method or the like to the substrate may be formed crystalline semiconductor film.

本実施の形態では、非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成する。 In this embodiment, an amorphous semiconductor film, to form a crystallized crystalline semiconductor film by heat treatment. 加熱処理とは、加熱炉、レーザー照射、もしくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射(ランプアニール)、またはそれらを組み合わせて用いることができる。 And heat treatment can be used heating furnace, laser irradiation, irradiation of light emitted from a lamp instead of laser light (lamp annealing), or a combination thereof.

また、ゲート絶縁膜205は、半導体膜204を覆うように形成されている。 Further, the gate insulating film 205 is formed so as to cover the semiconductor film 204. ゲート絶縁膜205には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用いて単層または複数の膜を積層させて形成することができる。 The gate insulating film 205, for example silicon oxide, may be a laminate of single layer or a plurality of films formed by using the silicon nitride or silicon nitride oxide or the like. また成膜方法は、プラズマCVD法、スパッタ法などを用いることができる。 The film forming method may be used plasma CVD method, a sputtering method, or the like.

ゲート電極206は、ゲート絶縁膜205上に形成する。 The gate electrode 206 is formed on the gate insulating film 205. ゲート電極206としては、例えば、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。 The gate electrode 206, for example, can be formed Ta, W, Ti, Mo, Al, Cu, Cr, an element selected from Nd or the alloy material or a compound material mainly. また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。 It is also possible to use a semiconductor film typified by a polycrystalline silicon film doped with an impurity element such as phosphorus. また、AgPdCu合金を用いてもよい。 Further, an AgPdCu alloy may be used. さらに、その組み合わせも適宜選択すればよい。 Further, it may be appropriately selected also combinations thereof. またゲート電極206は単層構造としてもよいし複数の層からなる積層構造としてもよい。 Further to the gate electrode 206 may have a single-layer structure or a stacked structure of a plurality of layers.

次に、ゲート電極またはレジストを形成しパターニングしたものをマスクとして用い、半導体膜204にn型またはp型の導電性を付与する不純物を選択的に添加する。 Then, using those patterned to form a gate electrode or a resist as a mask, selectively adding an impurity imparting n-type or p-type conductivity to the semiconductor film 204. 半導体膜204は、チャネル形成領域および不純物領域(ソース領域、ドレイン領域、GOLD領域、LDD領域を含む)を有し、添加される不純物元素の導電型によりnチャネル型TFT、またはpチャネル型TFTを選択的に形成することができる。 The semiconductor film 204, a channel formation region and an impurity region having a (source region, drain region, GOLD region, and an LDD region), n-channel type TFT of a conductive type of the impurity element added or a p-channel type TFT, it can be selectively formed. また、ゲート電極206の側壁にサイドウォールを形成してもよい。 It is also possible to form a sidewall on the sidewall of the gate electrode 206.

次に、層間絶縁膜207を形成する。 Next, an interlayer insulating film 207. 層間絶縁膜207としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。 The interlayer insulating film 207 may be an inorganic insulating film or an organic insulating film. 無機絶縁膜としては、CVD法により形成された酸化シリコン膜や酸化窒化珪素、またはSOG(Spin On Glass)法により塗布された酸化シリコン膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。 The inorganic insulating film, a silicon oxide film or a silicon oxynitride formed by a CVD method or SOG (Spin On Glass), etc. coated silicon oxide film can be used by a method, polyimide as the organic insulating film, a polyamide , BCB (benzocyclobutene), acrylic, a positive photosensitive organic resin, can be used film such as a negative photosensitive organic resin. また、アクリル膜と酸化窒化シリコン膜の積層構造を用いても良い。 It is also possible to use a laminate structure of an acrylic film and a silicon nitride film.

また、層間絶縁膜として、シロキサン樹脂を用いることができる。 Further, as an interlayer insulating film, it is possible to use a siloxane resin. シロキサン樹脂とは、Si−O−Si結合を含む樹脂に相当する。 The siloxane resin corresponds to a resin including a Si-O-Si bond. シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される。 Siloxane has a skeleton structure of a bond of silicon (Si) and oxygen (O). 置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、芳香族炭化水素)が用いられる。 As a substituent, at least an organic group (for example, an alkyl group or aromatic hydrocarbon) containing hydrogen is used. 置換基として、フルオロ基を用いてもよい。 As the substituent, a fluoro group may be used. または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。 Or it may be used as the substituent, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group.

シロキサン樹脂は、その構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。 Siloxane resins, by their structure, for example, silica glass, alkyl siloxane polymer, alkyl silsesquioxane polymer, hydrogenated silsesquioxane polymers can be classified into hydrogenated alkyl silsesquioxane polymer. また、Si−N結合を有するポリマー(ポリシラザン)を含む材料で層間絶縁膜を形成してもよい。 It is also possible to form an interlayer insulating film of a material containing a polymer (polysilazane) having a Si-N bond.

上記の材料を用いることで、膜厚を薄くしても十分な絶縁性および平坦性を有する層間絶縁膜を得ることができる。 By using the above materials, it is possible to obtain an interlayer insulating film even when a small thickness having sufficient insulation and flatness. また、上記の材料は耐熱性が高いため、多層配線におけるリフロー処理にも耐えうる層間絶縁膜を得ることができる。 The above-mentioned material have high heat resistance, it is possible to obtain an interlayer insulating film can withstand the reflow process in a multilayer wiring. さらに、吸湿性が低いため、脱水量の少ない層間絶縁膜を形成することができる。 Furthermore, because of its low hygroscopicity, it is possible to form a small interlayer insulating film amount of dehydration.

次いで、層間絶縁膜207をエッチングし、半導体膜204のソースおよびドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する。 Then, an interlayer insulating film 207 is etched to form contact holes reaching the source and drain regions of the semiconductor film 204. 続いて、各ソースおよびドレイン領域とそれぞれ電気的に接続するソースまたはドレイン電極208、209および配線211を形成する。 Subsequently, a source or drain electrode 208 and 209 and the wiring 211 for connecting the source and drain regions respectively electrically. ソースまたはドレイン電極208、209、配線211としては、Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mnから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。 Source or drain electrode 208 and 209, the wiring 211, made of Al, Ni, C, W, Mo, Ti, Pt, Cu, Ta, Au, containing a plurality of elements or said element of one selected from Mn alloy single layer or a lamination structure may be used. 例えば、Ti膜とAlとTiを含む合金膜との積層膜をパターニングして形成することができる。 For example, it can be formed by patterning a lamination film of an alloy film including a Ti film, Al and Ti. もちろん、2層構造に限らず、単層構造でも良いし、3層以上の積層構造にしても良い。 Of course, not limited to the two-layer structure, may be a single-layer structure, it may be a stacked structure of three or more layers.

次に、層間絶縁膜207上に画素電極210を形成する。 Next, a pixel electrode 210 on the interlayer insulating film 207. 画素電極210はソースまたはドレイン電極208と電気的に接続するように形成する。 Pixel electrode 210 is formed so as to be electrically connected to the source or drain electrode 208. なお、図6では、ソースまたはドレイン電極208を形成した後に画素電極210を形成しているが、画素電極210を先に形成した後にソースまたはドレイン電極208を形成してもよい。 In FIG. 6, to form the pixel electrode 210 after forming the source or drain electrode 208 may be formed the source or drain electrode 208 after forming previously a pixel electrode 210.

画素電極210を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい材料を用いることが好ましい。 In the case of using the pixel electrode 210 as an anode, it is preferable to use a material having a high work function. 例えば、ITO(インジウムスズ酸化物)膜、IZO(インジウム亜鉛酸化物)膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜等の単層の膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。 For example, ITO (indium tin oxide) film, IZO (indium zinc oxide) film, a titanium nitride film, a chromium film, a tungsten film, Zn film, other film of a single layer of Pt film or the like, a titanium film, an aluminum nitride a stack of a film mainly, can be a three-layer structure of the film and a titanium nitride film composed mainly of titanium film and aluminum nitride. なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。 When a laminated structure, resistance as a wiring is low, favorable ohmic contact, and can serve as an anode.

一方、画素電極210を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい材料を用いることが好ましい。 On the other hand, when a pixel electrode 210 as a cathode, it is preferable to use a material having a small work function. 例えばAl、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、Al−Li、CaF 2 、またはCaNを用いることができる。 For example, Al, Ag, Li, Ca, or an alloy MgAg,, MgIn, Al-Li , be used CaF 2, or CaN,. なお、画素電極210に光を透過させたい場合には、画素電極210として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜(ITO(インジウム錫酸化物)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In 23 ―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層を用いるのがよい。 Incidentally, when it is desired to transmit light to the pixel electrode 210, the pixel electrode 210, a metal thin film and a transparent conductive film (ITO (indium tin oxide), indium oxide-zinc oxide alloy (In 2 O 3 -ZnO), it is preferable to use a zinc oxide (ZnO), etc.).

次に、ソースまたはドレイン電極208、209、配線211および画素電極210の端部を覆うように絶縁膜を選択的に形成し隔壁212(以下、絶縁膜212とも記す)を設ける。 Next, the source and drain electrodes 208 and 209, the wiring 211 and the insulating film to cover an end portion of the pixel electrode 210 is selectively formed partition wall 212 (hereinafter, also referred to as an insulating film 212) provided. 隔壁212としては、アクリル、ポリイミド等の有機材料、酸化珪素、酸窒化珪素、シロキサン樹脂等の材料等を用いることができる。 The partition wall 212 can be used acrylic, and polyimide, silicon oxide, silicon oxynitride, a material such as a siloxane resin. 好ましくは、後に画素電極210を覆って形成する発光層が段切れしないように、曲率半径が連続的に変化する形状に形成するとよい。 Preferably, after the so-emitting layer is not disconnection is formed to cover the pixel electrode 210, may curvature radius formed in a shape varying continuously.

以上の工程により、図6(A)に示す構成を形成することができる。 Through the above steps, it is possible to form the structure shown in FIG. 6 (A).

次に、薄膜トランジスタや配線の形成部を避けて、エッチング剤を導入する開口部213を選択的に形成する(図6(B))。 Then, to avoid the formation of a thin film transistor and wiring, selectively forming an opening 213 for introducing the etchant (FIG. 6 (B)). 開口部213は絶縁膜212、層間絶縁膜207、ゲート絶縁膜205、第1の絶縁膜202、第2の絶縁膜203を除去して剥離層201が露出するように形成する。 Opening 213 is formed to the insulating film 212, an interlayer insulating film 207, the gate insulating film 205, the first insulating film 202, the separation layer 201 by removing the second insulating film 203 is exposed.

続いて、開口部213へエッチング剤を導入し、剥離層201を除去する。 Then, an etchant is introduced into the opening 213 to remove the peeling layer 201. 本実施の形態では、剥離層とエッチング剤を化学的に反応させて、剥離層201の除去を行う。 In this embodiment, by chemical reaction of the release layer and the etchant, to remove the peeling layer 201. 剥離層201は完全に除去してもよいが、ここでは、剥離層201を完全には除去せずに、画素電極210の下方に位置する剥離層を少なくとも一部分残す(図6(C))。 Peeling layer 201 may be completely removed, but here, the complete separation layer 201 without removing, leaving at least a portion a release layer located below the pixel electrode 210 (FIG. 6 (C)). 剥離層をどのくらい残すかは、剥離層とエッチング剤の反応を考慮して、エッチング流量と反応時間を設定することによって制御することができる。 How much leaves the release layer, taking into account the reaction of the release layer and the etching agent can be controlled by setting the etching rate and reaction time. 剥離層201を残すことによって、剥離層201を除去した後も基板200から表示装置を構成する素子形成部215(以下素子形成部215と記す)が完全には離れずばらばらになるのを防止することができる。 By leaving the release layer 201, (hereinafter referred to as device forming part 215) element forming portion 215 constituting the display device from the substrate 200 after removing the peeling layer 201 is prevented from coming apart without leaving completely be able to.

エッチング剤としては、剥離層と反応しやすいフッ化ハロゲン(ハロゲン間化合物)を含む気体または液体を使用することができる。 As the etching agent, it is possible to use a gas or a liquid containing reaction tends halogen fluoride and the release layer (interhalogen compound). 例えば、剥離層201としてW膜を用いた場合には、Wとよく反応する三フッ化塩素ガス(ClF 3 )を用いることが好ましい。 For example, in the case of using the W film as the peeling layer 201, it is preferable to use the chlorine trifluoride gas (ClF 3), which reacts well with W. また、エッチング剤としては、この他にもCF 4 、SF 6 、NF 3 、F 2等を用いてもよく、実施者が適宜選択すればよい。 Further, as the etching agent may be also used CF 4, SF 6, NF 3 , F 2 , etc. In addition, a practitioner may be appropriately selected.

また、開口部213の形成はレーザー光を照射することによって行うことができる。 The formation of the opening 213 can be performed by irradiating a laser beam. また、レーザー光を照射して開口部を形成した後に、エッチング剤を用いて剥離層を除去せず、剥離することも可能である。 Further, after forming the opening portion by irradiating a laser beam, without removing the release layer using an etching agent, it is also possible to peel. これは、レーザー光の照射によって剥離層が部分的に除去されているためである。 This is because the peeling layer is partially removed by laser irradiation.

次に、基板200の反対側から第1のシート材214を絶縁膜212に接着させて、基板200から剥離層201を介して基板200上に設けられた素子形成部215を剥離する(図6(D))。 Then, from the opposite side of the substrate 200 by the first sheet material 214 adhered to the insulating film 212 is peeled off element forming part 215 provided on the substrate 200 from the substrate 200 through the peeling layer 201 (FIG. 6 (D)). 第1のシート材214は、可撓性のフィルムからなっており、少なくとも素子形成部215と接する面に粘着剤が設けてある。 The first sheet material 214 is formed of a flexible film, the pressure-sensitive adhesive to a surface in contact with at least the element formation part 215 is provided. 例えば、ポリエステル等からなるベースフィルム上にアクリル樹脂等を含んだ粘着力が弱い粘着剤が設けてあるフィルムを用いることができる。 For example, it is possible to use a film with low viscosity adhesive containing an acrylic resin or the like on a base film made of polyester or the like is provided.

次に、素子形成部215の第1のシート材214が接着している面と反対側の面を第2のシート材216に接着させて、第1のシート材214から素子形成部215を剥離する(図7(A))。 Then, peeling the first sheet material 214 is adhered to the surface opposite to the surface adhering to the second sheet material 216, the element forming portion 215 from the first sheet material 214 of the element formation portion 215 to (Fig. 7 (A)).

続いて、画素電極210上に発光層217を選択的に形成する(図7(B))。 Subsequently, to selectively form a light emitting layer 217 on the pixel electrode 210 (FIG. 7 (B)). 発光層217は、液滴吐出法を用いて選択的に形成してもよいし、スクリーン印刷やグラビア印刷法を用いて形成してもよい。 Emitting layer 217 may be selectively formed by a droplet discharge method, it may be formed using a screen printing or gravure printing. 本実施の形態では、液滴吐出法を用いることによって選択的に発光層217を形成する。 In this embodiment, selectively forming the light emitting layer 217 by a droplet discharging method is used. また、カラー表示可能な表示装置を形成する場合には、R、G、Bの3色を発光する発光層をそれぞれ選択的に形成する。 In the case of forming a color display can display, R, G, emitting layers are selectively formed for emitting three colors of B. このように、液滴吐出法や印刷法を用いて発光層を形成することによって、無駄な材料を減らすことができるためコストを削減することが可能となる。 Thus, by forming the light-emitting layer by a droplet discharge method, a printing method, it is possible to reduce the cost since it is possible to reduce the waste material.

また、強度等で問題がある場合には、発光層217を形成する前に開口部213に絶縁膜等を形成してもよい。 Also, if there is a problem in strength, etc., in the opening 213 before forming the light emitting layer 217 may be an insulating film or the like. この場合も、液滴吐出法を用いて選択的に絶縁膜を形成することができる。 Again, it is possible to selectively form the insulating film by a droplet discharge method.

また、発光素子から発せられる光は、基板側に光が出射する上面出射と、その反対に光が出射する下面出射、一対の電極を透明材料、又は光を透過できる厚さで形成することで基板側とその反対の両方に光が出射する両面出射とがあり、いずれを適用してもよい。 Further, light emitted from the light-emitting element has a top emission in which light is emitted to the substrate side, bottom emission in which light is emitted to the opposite, by a thickness capable of transmitting transparent material a pair of electrodes, or light There is a dual emission light to the substrate side on both the opposite is emitted, it may be applied either. また、発光層217は、単層型、積層型、また層の界面がない混合型のいずれでもよい。 The light emitting layer 217 is a single layer type, laminated type, also may be either a mixed type no interface layer. さらに、発光層217は、シングレット材料、トリプレット材料、又はそれらを組み合わせた材料のいずれを用いてもよい。 Furthermore, the light-emitting layer 217, a singlet material, a triplet material, or any of the may be used in a combination of these materials. また、低分子材料、高分子材料及び中分子材料を含む有機材料、電子注入性に優れる酸化モリブデン等に代表される無機材料、有機材料と無機材料の複合材料のいずれを用いてもよい。 Further, the low molecular material, an organic material including a polymeric material and a medium molecular material, an inorganic material typified by molybdenum oxide or the like having excellent electron injection property may be either of a composite material of an organic material and an inorganic material.

その後、対向電極218を形成する(図7(B))。 Then, a counter electrode 218 (FIG. 7 (B)). 対向電極218も液滴吐出法を用いて導電体を含む組成物を吐出して選択的に形成することができる。 Counter electrode 218 can be selectively formed by discharging a composition including a conductor using a droplet discharge method. また、対向電極218の材料としては、陽極として用いるか陰極として用いるかによって上記画素電極210の材料で示した材料のいずれかを用いることができる。 The material of the counter electrode 218, it is possible to use any of the materials described in the material of the pixel electrode 210 depending used as the cathode or used as an anode. また、対向電極218は全面に形成してもよく、この場合は、開口部213により対向電極に段切れ等が生じないようにあらかじめ開口部213に絶縁膜を充填しておくことが好ましい。 The counter electrode 218 may be formed on the entire surface, in this case, it is preferable that the disconnection or the like in the counter electrode by the opening 213 is kept filled with the insulating film in advance to the opening 213 so as not to cause. 絶縁膜としては、ポリイミド、ポリアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)、アクリル、フェノール等の樹脂材料を用いることができる。 As the insulating film, polyimide, polyamide, BCB (benzocyclobutene), acryl, a resin material such as phenol.

続いて、第2のシート材216に接着している面とは反対側の素子形成部215の面に第3のシート材220を接着させると共に、素子形成部215を第2のシート材216と第3のシート材220により封止する(図7(C))。 Subsequently, the surface that is bonded to the second sheet material 216 with bonding the third sheet material 220 on the opposite side of the element forming portion 215, and the element forming portion 215 second sheet material 216 sealing the third sheet material 220 (FIG. 7 (C)). そうすると、素子形成部215は第2のシート材216と第3のシート材220により封止された状態となる。 Then, a state where the element formation part 215 is sealed by a second sheet material 216 third sheet material 220. なお、発光層の耐水性等が懸念される場合には、封止を行う前に保護膜219を形成しておいてもよい。 In the case where water resistance and the like of the light emitting layer is concerned, it may be formed a protective film 219 before performing the sealing. 保護膜219は、発光層を外部の空気や水分と接触させないために形成する。 Protective film 219 is formed in order to prevent the light-emitting layer is in contact with the outside air and moisture. そのため、保護膜219としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料や撥液性の材料としてフッ素原子が含まれた樹脂や炭化水素のみで構成された樹脂等を用いることができる。 Therefore, as the protective film 219, epoxy resin, acrylic resin, phenol resin, novolac resin, an acrylic resin, a melamine resin, a resin or hydrocarbon resin material or liquid-repellent material containing the fluorine atom and urethane resin only in may be used configured resin. より詳しくは、分子内にフッ素原子を含有するモノマーを含む樹脂、或いは全て炭素と水素原子のみから構成されるモノマーを含む樹脂が挙げられる。 More specifically, a resin containing a monomer containing a fluorine atom in the molecule, or all include resins containing a monomer composed only of carbon and hydrogen atoms. 他にも、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン樹脂等の重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物等を用いることができる。 Additional benzocyclobutene, parylene, flare, using an organic material such as polyimide having transparency, a compound material formed by polymerization such as a siloxane resin, a composition or the like containing a water-soluble homopolymer and a water-soluble copolymer be able to. 他にも、無機材料で形成してもよい。 Besides, it may be formed of an inorganic material.

また、第2のシート材216と第3のシート材220は、可撓性のフィルムからなっており、例えばラミネートフィルムで形成することができる。 Further, the second sheet material 216 third sheet material 220 is formed of a flexible film, it can be formed, for example, a laminated film. 具体的に、ここではポリエステル等のベースフィルム上にホットメルトフィルムが形成されたものを利用することができる。 Specifically, where it is possible to utilize what hot-melt film is formed on a base film such as polyester. 第2のシート材216と第3のシート材220を素子形成部215に接着するときに、加圧処理または加熱処理の一方または両方を行うことによって、短時間で接着することができる。 When bonding the second sheet material 216 the third sheet material 220 in the element forming unit 215, by performing one or both of pressure treatment or heat treatment, it can be bonded in a short time. また、第3のシート材の表面に対向電極を設けておくことによって、素子形成部215を封止する際に対向電極を併せて形成することができる。 Further, it is possible by keeping the counter electrode provided on a surface of the third sheet material, to form together a counter electrode in sealing the element forming portion 215.

なお、本実施の形態において、剥離された基板200は再利用することができる。 In this embodiment, substrate 200 is peeled off can be reused. その結果、基板を用いた表示装置の作製において、同じ基板を繰り返して用いることが可能となるため、ガラス基板より原価の高い石英基板を用いた場合でも低コスト化を達成することができる。 As a result, in manufacturing a display device using the substrate, it becomes possible to use repeatedly the same substrate, it is possible to achieve cost reduction even when a high quartz substrate at cost than a glass substrate. なお、基板を再利用する場合、剥離の工程において基板に傷が生成されないように制御するのが望ましい。 In the case of reusing the substrate, it is preferably controlled so as not generated damage the substrate in the peeling step. しかし、傷が生成された場合であっても、有機樹脂や無機樹脂膜を塗布法や液滴吐出法によって形成したり、研削、研磨したりすることによって平坦化処理を行えばよい。 However, even if the flaw is generated, or an organic resin or an inorganic resin film by a coating method or a droplet discharge method, the grinding may be performed flattening process by or polished.

以上の工程により、フィルム状表示装置が完成する。 Through the above process, the film-like display device is completed. なお、本実施の形態では、電解発光層を用いた有機EL表示装置に関して例を示したが、これに限られず液晶表示装置や他の発光素子を用いる表示装置にも同じように適用することができる。 In the present embodiment, although an example with respect to the organic EL display device using an electrolytic emission layer, can be applied equally to a display device using a limited without the liquid crystal display device and other light-emitting element in this it can. 液晶表示装置に上記工程を適用した場合について、図22に示す。 The case of applying the above steps to the liquid crystal display device, shown in FIG. 22. まず、上述したように、剛性を有する基板上に液晶表示装置の一部を構成する素子形成部230を形成し、その後素子形成部230の一方の面に第1のシート材214を接着させて素子形成部230を基板から剥離する。 First, as described above, to form an element formation part 230 constituting a part of the liquid crystal display device on a substrate having a rigidity and the one surface of the subsequent element forming portion 230 to adhere the first sheet material 214 peeling the element forming portion 230 from the substrate. なお、ここでは、基板上に素子形成部を形成する際に画素電極を覆うように配向膜271を形成しておく。 Here, advance to form an alignment film 271 so as to cover the pixel electrode when forming the element forming portion on the substrate. 次に、素子形成部230の他方の面に第2のシート材216を接着させて素子形成部230を第1のシート材214から剥離する(図22(A))。 Then, to adhere the second sheet material 216 on the other surface of the element formation portion 230 for separating the element formation portion 230 from the first sheet material 214 (FIG. 22 (A)). その後、加工手段によって、素子形成部230に液晶層および対向電極を形成する(図22(B))。 Thereafter, the processing means, to form a liquid crystal layer and the counter electrode in the element forming portion 230 (FIG. 22 (B)). なお、液晶層は、公知の方法を用いて形成すればよく、例えば滴下注入法等によって形成する。 The liquid crystal layer may be formed using a known method, for example, it is formed by a dropping injection method or the like. 続いて、素子形成部230上に形成された液晶層219および対向電極229上に第3のシート材220を接着させて、第2のシート材216と第3のシート材220で封止することによって、液晶表示装置を形成することができる(図22(C))。 Then, by bonding the third sheet material 220 on the liquid crystal layer 219 and the counter electrode 229 formed on the element formation part 230, sealed with the second sheet material 216 third sheet material 220 that Accordingly, it is possible to form the liquid crystal display device (FIG. 22 (C)). 液晶表示装置は、配向膜271、272の間に形成されており、液晶表示装置の上下に偏光板を設けることによって表示することができる。 The liquid crystal display device is formed between the alignment films 271 and 272, may be displayed by providing a polarizing plate above and below the liquid crystal display device.

また、本実施の形態を用いて作製したフィルム状表示装置は画素と画素の間に開口部213が形成されているため、完成したフィルム状表示装置を折り曲げ安くなっている。 The film-like display device manufactured using the present embodiment because it is the opening 213 is formed between pixels, and cheaper bending a finished film-like display device. つまり、開口部213を設けることによって、折り曲げた際に画素にかかる圧力が減少するという利点を有している。 That has the advantage that by providing the opening 213, the pressure applied to the pixel is reduced when folded. なお、開口部213に曲がりやすい物質を充填することによっても同様の効果が得られる。 Incidentally, the same effect can be obtained by filling a pliable material in the opening 213. 曲がりやすい物質としては、ポリエチレン、酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、ポリエステル、ポリアミドまたはポリイミド等の有機材料を用いることができる。 The pliable material can polyethylene, vinyl acetate, ethylene vinyl acetate, polystyrene, polyurethane, polypropylene, polyvinyl fluoride, vinyl chloride, polyester, the use of polyamide or organic material such as polyimide.

なお、本実施の形態では、トップゲートの薄膜トランジスタに関して具体例を挙げて説明を行ったが、ボトムゲートの薄膜トランジスタを用いてもよい。 In the present embodiment has been described using a specific example with respect to the thin film transistor of a top gate may be used a thin film transistor of the bottom gate. また、アクティブマトリクス型に関して例を示したが、パッシブマトリクス型の構成を用いてもよい。 Also, although an example with respect to an active matrix type may be used a structure of a passive matrix type. また、画素領域に関して説明を行ったが、画素部を駆動するための駆動回路も同様に基板に形成し、画素領域と同時に剥離を行って可撓性基板上に設けてもよい。 Also has been described with respect to a pixel region, a driving circuit for driving the pixel portion is also formed on the substrate in the same manner, may be provided on a flexible substrate simultaneously performed peeling a pixel region. 画素領域と駆動回路を接続するための配線は剥離前に形成しておいてもよいし、剥離後に可撓性基板に設けた後に加工手段を用いて形成してもよい。 It wiring for connecting the driving circuit to the pixel region may be formed before the peeling may be formed using the processing means after providing the flexible substrate after peeling. 他にも駆動回路や画素領域を制御する回路等を別の基板に形成し、基板から剥離して可撓性基板にそれぞれ設けた後に、これらを電気的に接続する配線を形成してもよい。 Also form a circuit for controlling the driving circuit and the pixel region to another substrate in another, after providing each peeled to the flexible substrate from the substrate, wirings may be formed of these electrically connecting . この場合、基板ごとによって、それぞれの構成を作り分けることができるため、効率的に表示装置を形成することができる。 In this case, by each substrate, it is possible to separately form the respective configurations, it is possible to form efficiently display device.

なお、本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。 Note that this embodiment can be freely combined with the above embodiment.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
本実施の形態では、実施の形態2に示した表示装置の作製方法とは異なる形態に関して図面を用いて説明する。 In the present embodiment, it is described with reference to drawings different forms and method for manufacturing a display device shown in the second embodiment. 具体的には、実施の形態2とは異なる2通りの作製方法に関してそれぞれ図8、9と図10、11を用いて説明する。 Specifically, a description using the respective view 8,9 and 10 and 11 for manufacturing two different ways in the second embodiment. なお、上記実施の形態で示した図面と同じものを表す箇所は同様の符号を用いて示す。 Incidentally, it points representing the same as the drawings shown in the above embodiment are denoted by the same reference numerals.

図8、図9に示す例では、はじめに基板200上に、剥離層201、第1の絶縁膜202、第2の絶縁膜203、半導体膜204、ゲート絶縁膜205等の表示装置を構成する一部を設けて基板200から剥離を行う。 In the example shown in FIG. 8, 9, constituting on the substrate 200 at the beginning, the peeling layer 201, a first insulating film 202, the second insulating film 203, the semiconductor film 204, a display device such as a gate insulating film 205 one performing peeling from the substrate 200 provided with a part. その後剥離したものを可撓性基板に移し替え、ゲート電極、層間絶縁膜、ソースまたはドレイン電極、配線、画素電極、発光層、対向電極等の表示装置を構成する残りの部分を形成する。 Changing those and then peeled off was transferred to a flexible substrate, a gate electrode, an interlayer insulating film, source and drain electrodes, wirings, the pixel electrode, light emitting layer, to form a remaining portion constituting a display device such as a counter electrode. 以下に具体的な作製方法に関して説明する。 Be described with respect to specific manufacturing method is described below. なお、本実施の形態において特に示さない限り、用いる材料については上記実施の形態2で示したものと同じ材料を用いるものとする。 Incidentally, unless otherwise indicated in the present embodiment, the material used shall be of the same material as that shown in the second embodiment.

まず、基板200上に剥離層201、第1の絶縁膜202、第2の絶縁膜203、半導体膜204およびゲート絶縁膜205を形成し、その後にエッチング剤を導入する開口部231を形成する(図8(A))。 First, the peeling layer 201 on the substrate 200, the first insulating film 202, the second insulating film 203 to form a semiconductor film 204 and the gate insulating film 205, then to form an opening 231 for introducing the etchant ( Figure 8 (A)). 開口部231は、半導体膜や後に形成される配線や電極を避け、後に形成される画素部と画素部の間に形成する。 Opening 231, avoiding wiring and electrodes formed on the semiconductor film or after, it is formed between the pixel portion and the pixel portion to be formed later.

続いて、エッチング剤を導入して剥離層201を除去する。 Subsequently, to remove the peeling layer 201 by introducing the etchant. 剥離層201を完全に除去してもよいが、ここでは基板200から表示装置を構成する素子形成部232(以下素子形成部232と記す)が剥がれてしまわないように、剥離層201を完全には除去せずに一部を残しておく(図8(B))。 The peeling layer 201 may be completely removed, but here as the (hereinafter referred to as device forming part 232) element forming unit 232 constituting the display device from the substrate 200 is not Shimawa peeled off completely the release layer 201 leaving a portion without removed (FIG. 8 (B)).

次に、第1のシート材214を素子形成部232の表面のゲート絶縁膜205に接着させて、基板200上に一部の剥離層を介して接続されている素子形成部232を基板200から剥離する(図8(C))。 Then, by bonding the element forming portion 232 which is connected through a portion of the release layer on the substrate 200 from the substrate 200 to the gate insulating film 205 on the surface of the first sheet material 214 the element forming portion 232 peeling is (FIG. 8 (C)).

続いて、第2のシート材216を素子形成部232の第1のシート材214が接着している面と反対側の面に接着させて、薄膜である素子形成部232を第1のシート材214から剥離する(図8(D))。 Subsequently, the first sheet material 214 of the second sheet material 216 the element forming portion 232 is attached to a surface opposite to the surface that bonds the element forming portion 232 is a thin film first sheet material separated from the 214 (FIG. 8 (D)). このように、2回の剥離を行うことによって、基板200を可撓性を有する基板に置き換えることができる。 Thus, by performing two times of peeling, it is possible to replace the substrate 200 on a flexible substrate. なお、2回の剥離のうち、1回目の剥離に用いる第1のシート材は素子形成部232に接着した後に再度剥がすため、粘着力が弱いものを用いるのが好ましい。 Of the two stripping, a first sheet material used for the first stripping for peeling again after bonding the element forming unit 232, it is preferred to use a weak adhesion.

その後、第2のシート材216上に設けられた素子形成部232に、ゲート電極233、層間絶縁膜234、ソースまたはドレイン電極235、236、配線237、画素電極238、発光層217、対向電極218を形成していく(図9(A)〜(D))。 Then, the element formation part 232 provided on the second sheet material 216, the gate electrode 233, interlayer insulating film 234, the source or drain electrode 235 and 236, the wiring 237, the pixel electrode 238, light emitting layer 217, counter electrode 218 continue to form (FIG. 9 (a) ~ (D)).

図9(A)では、液滴吐出法によって選択的にゲート電極233を形成する。 In FIG. 9 (A), selectively forming the gate electrode 233 by a droplet discharge method. ゲート電極としては、Ag、Au、Cu、Pd等の金属、金属化合物を1つまたは複数有する導電性材料を用いる。 The gate electrode, Ag, Au, Cu, and Pd, etc., one or more having a conductive material a metal compound is used. なお、分散剤により凝集を抑え、溶液に分散させることができるならば、Cr、Mo、Ti、Ta、W、Al等の金属、金属化合物を1つまたは複数有する導電材料を用いることも可能である。 Incidentally, suppressing the aggregation by the dispersant, if can be dispersed in the solution, it is also possible to use Cr, Mo, Ti, Ta, W, metal such as Al, one or more having a conductive material a metal compound is there. また、液滴吐出法による導電材料の吐出を複数回行うことで、複数の導電膜が積層されたゲート電極を形成することも可能である。 By performing several times the discharge of the conductive material by a droplet discharge method, it is also possible for a plurality of conductive films to form a gate electrode are stacked. 但し、ノズル孔吐出する組成物は、比抵抗値を考慮して、Au、Ag、Cuのいずれかの材料を溶媒に溶解または分散させたものを用いることが好適であり、より好適には低抵抗なAg、Cuを用いるとよい。 However, the composition of the nozzle holes ejecting, considering the specific resistance value, Au, Ag, it is preferable to use those which any of the materials of Cu is dissolved or dispersed in a solvent, more preferably lower resistance Ag, may be used to Cu. 但し、Ag、Cuを用いる場合には、不純物対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。 However, Ag, when Cu is used, because of impurities measures, a barrier film may be additionally provided. バリア膜としては、窒化珪素膜やニッケルボロン(NiB)を用いることができる。 As the barrier film, it is possible to use a silicon nitride film or nickel boron (NiB).

次に、ゲート電極233を覆って層間絶縁膜234を形成する(図9(B))。 Next, cover the gate electrode 233 to form an interlayer insulating film 234 (FIG. 9 (B)). ここでは、液滴吐出法を用いて絶縁体を溶媒に溶解または分散させたものを吐出して選択的に層間絶縁膜234を形成する。 Here, selectively forming an interlayer insulating film 234 and the insulator by ejecting which is dissolved or dispersed in a solvent by using a droplet discharge method. そして、選択的に形成した層間絶縁膜234をマスクとして用いることによってゲート絶縁膜205をエッチングして、半導体膜204に形成されたソースまたはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する。 Then, by etching the gate insulating film 205 by using the interlayer insulating film 234 is selectively formed as a mask to form contact holes reaching the source or drain region formed in the semiconductor film 204.

吐出する絶縁体としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いることができる。 The discharge insulators, epoxy resin, an acrylic resin, a phenol resin, a novolac resin, an acrylic resin, a melamine resin, resin material such as urethane resin. なお、これらの樹脂材料を用いる場合、その粘度は、溶媒を用いて溶解又は分散することで調整するとよい。 In the case of using these resin materials, the viscosity, adjusting by dissolving or dispersing with a solvent may. また、撥液性の材料としてフッ素原子が含まれた樹脂や炭化水素のみで構成された樹脂等を用いることができる。 Further, it is possible to use a resin which is composed of only a resin and a hydrocarbon that contains fluorine atoms as liquid-repellent material. より詳しくは、分子内にフッ素原子を含有するモノマーを含む樹脂、或いは全て炭素と水素原子のみから構成されるモノマーを含む樹脂が挙げられる。 More specifically, a resin containing a monomer containing a fluorine atom in the molecule, or all include resins containing a monomer composed only of carbon and hydrogen atoms. 他にも、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン樹脂等の重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物等を用いることができる。 Additional benzocyclobutene, parylene, flare, using an organic material such as polyimide having transparency, a compound material formed by polymerization such as a siloxane resin, a composition or the like containing a water-soluble homopolymer and a water-soluble copolymer be able to. 有機材料を用いると、その平坦性が優れているため、後に導電体を成膜した際にも、段差部で膜厚が極端に薄くなったり、断線が起こったりすることがなく、好適である。 When using an organic material, therefore the flatness is excellent, even when depositing the conductor after, or film thickness becomes extremely thin at the step portion, without or occurred disconnected, it is preferable . 但し、有機材料は、脱ガス発生の防止のため、下層と上層に珪素を含む無機材料で薄膜を形成するとよい。 However, organic materials, to prevent the de-gassing, it is preferable to form a thin film of an inorganic material containing silicon on the lower layer and the upper layer.

次に、半導体膜204のソースまたはドレイン領域と電気的に接続されるソースまたはドレイン電極235、346、配線237、画素電極238を形成する(図9(C))。 Then, the source or drain region electrically connected to the source or drain electrode 235,346 are of the semiconductor film 204, the wiring 237, to form a pixel electrode 238 (FIG. 9 (C)). ここでは、これらの電極または配線を液滴吐出法によって選択的に形成する。 Here, these electrodes or wiring is selectively formed by a droplet discharge method. ソースまたはドレイン電極235、236や配線237としては、上記ゲート電極233で示した材料のいずれかを用いて形成することができる。 The source or drain electrode 235, 236 and the wiring 237 can be formed using any of the materials described in the gate electrode 233.

その後、隔壁(土手)として機能する絶縁膜239を形成し、発光層217、対向電極218を形成して(図9(D))、その後、図7(C)のように第2のシート材と第3のシート材で封止する。 Thereafter, an insulating film 239 which functions as a partition wall (bank), the light-emitting layer 217, to form a counter electrode 218 (FIG. 9 (D)), then, the second sheet material as shown in FIG. 7 (C) When sealing the third sheet member. 絶縁膜239も液滴吐出法を用いることによって選択的に形成することができる。 Can be selectively formed by using the insulating film 239 is also a droplet discharge method. また絶縁膜239の材料は、上記絶縁膜234で示した材料のいずれかを用いることができる。 The material of the insulating film 239, it is possible to use any of the materials described in the insulating film 234. また、対向電極218は全面に形成してもよい。 The counter electrode 218 may be formed on the entire surface.

このように、液滴吐出法を用いて電極や配線や絶縁膜を形成することによって、材料の利用効率を向上させ、低コストで作製することが可能となる。 Thus, by forming an electrode and a wiring or an insulating film by a droplet discharge method, to improve the use efficiency of materials, it is possible to manufacture at low cost. なお、ここでは、ゲート電極、絶縁膜、配線、画素電極等を液滴吐出法で形成したが、他にもスクリーン印刷法やグラビア印刷法等の各種印刷法や大気圧プラズマ装置を用いることによって形成してもよい。 Here, the gate electrode, insulating film, wiring, and the pixel electrodes were formed by a droplet discharge method, by using a variety of printing methods or atmospheric pressure plasma device screen printing method or a gravure printing method to other it may be formed.

次に、図8、9で示した具体例とは異なる作製方法に関して図10、11を用いて説明する。 Will now be described with reference to FIGS. 10 and 11 with respect to a manufacturing method different from the specific example shown in FIGS. 8 and 9.

図10に示す例では、はじめに基板200上に、剥離層201、第1の絶縁膜202、第2の絶縁膜203、半導体膜204、ゲート絶縁膜205、ゲート電極206、層間絶縁膜207等を設けて基板200から剥離を行う。 In the example shown in FIG. 10, Introduction substrate 200, the peeling layer 201, a first insulating film 202, the second insulating film 203, the semiconductor film 204, the gate insulating film 205, gate electrode 206, an interlayer insulating film 207, etc. performing peeling from the substrate 200 is provided. その後剥離したものを可撓性基板に移し替え、ソースまたはドレイン電極、配線、画素電極、発光層、対向電極等を形成する。 Changing those and then peeled off was transferred to a flexible substrate, the source and drain electrodes, wirings, the pixel electrode, light emitting layer, forming the counter electrode or the like. 以下に具体的な作製方法に関して説明する。 Be described with respect to specific manufacturing method is described below.

まず、基板200上に、剥離層201、第1の絶縁膜202、第2の絶縁膜203、半導体膜204およびゲート絶縁膜205、ゲート電極206、層間絶縁膜207を形成する(図10(A))。 First, on the substrate 200, the separation layer 201, the first insulating film 202, the second insulating film 203, the semiconductor film 204 and the gate insulating film 205, gate electrode 206, an interlayer insulating film 207 (FIG. 10 (A )).

その後、エッチング剤を導入する開口部241および半導体層204のソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホール242を同時に形成する。 Thereafter, a contact hole 242 reaching the source region or the drain region of the opening 241 and the semiconductor layer 204 to introduce the etchant simultaneously. 開口部241は、半導体膜や後に形成される配線や電極を避けた部分に形成するのが好ましい。 Opening 241 is preferably formed in a portion avoiding the wiring and electrodes formed on the semiconductor film or after.

続いて、エッチング剤を導入して剥離層201を除去する。 Subsequently, to remove the peeling layer 201 by introducing the etchant. 剥離層201を完全に除去してもよいが、ここでは基板200から表示装置を構成する素子形成部243(以下素子形成部243と記す)が剥がれてしまわないように、剥離層201を完全には除去せずに一部を残しておく(図10(B))。 The peeling layer 201 may be completely removed, but here as the (hereinafter referred to as device forming part 243) element forming unit 243 constituting the display device from the substrate 200 is not Shimawa peeled off completely the release layer 201 leaving a portion without removed (FIG. 10 (B)).

次に、第1のシート材214を素子形成部243の一方の面(層間絶縁膜207表面)に接着させて、素子形成部243を基板200から剥離する(図10(C))。 Next, the first sheet material 214 is adhered to one surface of the element formation portion 243 (interlayer insulating film 207 surface), peeling the element formation portion 243 from the substrate 200 (FIG. 10 (C)).

続いて、第2のシート材216を素子形成部243の第1のシート材214が接着している面と反対側の面に接着させて、薄膜素子形成部243を第1のシート材214から剥離する(図10(D))。 From then, the first sheet material 214 is adhered on the surface opposite to the surface adhering a thin film device forming portion 243 first sheet material 214 of the second sheet material 216 the element forming portion 243 peeling is (FIG. 10 (D)). このように、2回の剥離を行うことによって、基板200を可撓性を有する基板に置き換えることができる。 Thus, by performing two times of peeling, it is possible to replace the substrate 200 on a flexible substrate. なお、2回の剥離のうち、1回目の剥離に用いる第1のシート材は素子形成部232に接着した後に再度剥がすため、粘着力が弱いものを用いるのが好ましい。 Of the two stripping, a first sheet material used for the first stripping for peeling again after bonding the element forming unit 232, it is preferred to use a weak adhesion.

その後、図11(A)〜(C)に示すように、ソースまたはドレイン電極235、236、配線237、画素電極238、発光層217、対向電極218を形成し、その後、第2のシート材216と第3のシート材220とで封止することによってフィルム状の表示装置を完成することができる。 Thereafter, as shown in FIG. 11 (A) ~ (C), the source or drain electrode 235 and 236, the wiring 237, the pixel electrode 238, light emitting layer 217, to form a counter electrode 218, then, the second sheet material 216 If it is possible to complete the film-like display device by sealing in a third sheet material 220. なお、発光層217を形成する前に、開口部241に絶縁膜等を形成し、画素領域の全面に発光層を形成してもよい。 Before forming the light-emitting layer 217, an insulating film or the like is formed in the opening 241 may be formed a light emitting layer on the entire surface of the pixel region.

以上のように、剥離を行う前に基板上に表示装置の一部を形成する際にどの部分の構成を作製するかに関して2つの具体例を挙げて説明を行ったが、これに限られず剥離する前にどのような構成を設けもよい。 As described above, has been described by way of two examples as to whether to produce the structure of which part in forming a part of a display device on the substrate before performing the delamination is not limited to this peeling what structure provided may before.

なお、本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。 Note that this embodiment can be freely combined with the above embodiment.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
本実施の形態では、別の基板にそれぞれ設けた表示装置をつなぎ合わせて一つの表示装置を形成する場合について説明する。 In this embodiment, the case of forming a single display device by connecting a display device provided respectively on different substrates. 具体的には、複数の基板にそれぞれ表示装置を構成する一部を設けた後に基板を配置して、その後複数の基板に設けられた表示装置を構成する一部を基板から剥離して残りの表示装置の部分を形成することによって一つの表示装置を作製する。 Specifically, by placing the substrate after providing the part constituting each display device into a plurality of substrates, the remaining part constituting peeled from the substrate subsequent display device provided in a plurality of substrates making one of the display device by forming a portion of the display device. 以下に図面を用いて説明する。 It will be described with reference to the drawings. なお、上記実施の形態で示した図面と同じものを表す箇所は同様の符号を用いて示す。 Incidentally, it points representing the same as the drawings shown in the above embodiment are denoted by the same reference numerals.

はじめに、図12(A)に示すように、2つの異なる基板300a、300bにそれぞれ設けられた画素領域351a、351bをつなぎ合わせる場合の画素領域の構成について、図13、図14に示す。 First, as shown in FIG. 12 (A), 2 different substrates 300a, respectively provided with a pixel region 351a in 300b, the configuration of the pixel region when joining the 351b, FIG. 13, FIG. 14.

まず、上記実施の形態で示したように、図6(C)と同様の構成をそれぞれ基板300a、300b上に設ける(図13(A))。 First, as shown in the above embodiment, FIG. 6 (C) the same respective substrate 300a configuration, provided on 300b (FIG. 13 (A)). なお、図12(B)のA−B間の断面図が図13(A)のA−B間に対応している。 The cross-sectional view between A-B shown in FIG. 12 (B) corresponds to between A-B in FIG. 13 (A).

続いて、CCDカメラ等の制御手段を用いて、基板300aと基板300bを配置させて、基板300aと基板300bを接着剤356でつなぎ合わせる(図13(B))。 Subsequently, using a control means such as a CCD camera, by placing a substrate 300a and a substrate 300b, joining the substrate 300a and the substrate 300b by the adhesive 356 (FIG. 13 (B)). ここで接着剤356は基板300a、300bにのみ接着し、基板300a、300bに設けられた表示装置を構成する素子形成部215a、215b(以下素子形成部215a、215bと記す)には接着しないようにする。 Here the adhesive 356 adheres only to the substrate 300a, 300b, the substrate 300a, element forming portion to form a display device provided in 300b 215a, 215b (hereinafter element forming portion 215a, denoted as 215b) so as not to adhere to to. この時、基板300aと基板300bとの間に間隔(以下接続間隔355と記す)が生じる。 At this time, (referred to as connection interval 355 or less) gap between the substrate 300a and the substrate 300b occurs. 接続間隔355が後に形成される表示装置の画素と画素の間に位置するように基板300a上と基板300b上に形成する素子形成部の位置を調整する。 Adjusting the position of the element forming portion formed on the substrate 300a and the substrate 300b so as to be located between pixels of the display device connection interval 355 is to be formed later. なお、基板300a、300bが固定されてずれる恐れがない場合には、接着剤を用いずに配置させてもよい。 Note that when the substrate 300a, 300b is no risk of shift is fixed, it may be arranged without using an adhesive. また、基板の端部を削ってつなぎ合わせてもよい。 It may also be joined together by cutting the edge of the substrate. 基板300aと基板300bの接続の関係上、接続間隔355は、基板300aにおける画素電極間または基板300bにおける画素電極間より大きくなるように設けてもよいが、なるべく基板300aにおける画素電極間または基板300bにおける画素電極間と同じくなるように設けることが好ましい。 Substrate 300a and the relation of the connection of substrate 300b, connection interval 355 may be provided to be larger than the inter-pixel electrodes in the pixel electrode or between the substrate 300b on the substrate 300a, but the pixel electrode or between the substrate 300b on possible substrate 300a it is preferably provided as well a between the pixel electrodes in.

その後、基板300aおよび基板300b上に設けられた素子形成部215a、215bの表面に第1のシート材214を接着させて、素子形成部215a、215bを基板300a、300bから剥離する(図13(C))。 Thereafter, the substrate 300a and the substrate 300b element forming portion provided on 215a, is adhered to the first sheet material 214 on the surface of the 215b, peeling element forming portion 215a, the 215b substrates 300a, from 300b (FIG. 13 ( C)).

続いて、素子形成部215a、215bの第1のシート材214に接着した面と反対側の面に、第2のシート材216を接着させて、第1のシート材214に接着した素子形成部215a、215bを剥離する(図13(D))。 Then, the element formation portion 215a, the surface opposite to the first sheet material 214 adhered to the surface to the 215b, by bonding the second sheet material 216, the element formation part adhered to the first sheet material 214 215a, is peeled off 215b (FIG. 13 (D)).

その後、上記実施の形態で示したように、発光層217および対向電極218を形成する(図14(A))。 Thereafter, as shown in the above embodiment, to form the light-emitting layer 217 and the counter electrode 218 (FIG. 14 (A)). また、この時、開口部213および接続間隔355に絶縁膜等を選択的に形成してもよい。 At this time, it may be selectively forming an insulating film or the like in the opening 213 and the connection interval 355. このように、開口部213および接続間隔355に同じ物質を充填することによって、異なる基板を接続した際に生じる境目を目立たなくすることができる。 Thus, by filling the same material in the opening 213 and the connection interval 355 can be made inconspicuous boundary that occurs when connecting the different substrates.

次に、発光層217および対向電極218を形成した素子形成部を第2のシート材216と第3のシート材220を用いて封止することによって、フィルム状表示装置が完成する(図14(B))。 Then, by sealing with the element forming portion to form a light-emitting layer 217 and the counter electrode 218 and the second sheet material 216 the third sheet material 220, a film-like display device is completed (FIG. 14 ( B)). なお、上述したように、第3のシート材を接着させる前に、対向電極218上に保護膜219を形成することが好ましい。 As described above, prior to bonding the third sheet material, it is preferable to form a protective film 219 on the counter electrode 218. この際開口部213と接続間隔355に何も形成されていない場合には、開口部213と接続間隔355に保護膜を充填するように形成する。 At this time what the opening 213 and the connection interval 355 even if they are not formed is formed to fill a protective film connection interval 355 to the opening 213.

一般的に、複数の表示装置をつなげ合わせることによって一つの表示装置を形成する場合には、つなげ合わせる基板間に間隔(境目)が生じるため画像を表示する際にその境目が欠陥として目立つという問題がある。 Generally, when forming a single display device by combining connecting a plurality of display devices, a problem that the boundary when displaying an image for distance between the substrates to align linked (boundary) occurs it is conspicuous as a defect there is. しかし、本実施の形態においては、接続間隔355を画素と画素の間(ここでは開口部213)と同じ幅になるように制御してつなぎ合わせることによって境目を目立たなくすることができる。 However, in this embodiment, it can be made inconspicuous boundary by joining the connection interval 355 is controlled to be the same width as the (opening 213 in this case) between pixels. さらに、異なる2つの基板300a、300bを貼り合わせた後に、基板から基板上に形成された表示装置の一部を剥離し、新たに可撓性基板上に設け、当該可撓性基板を共通の基板として設けるため、より境目を目立たなくすることが可能となる。 Furthermore, two different substrates 300a, after bonding the 300b, and peeling a portion of a display device formed from a substrate on a substrate, newly provided on a flexible substrate, the flexible substrate of the common to provide a substrate, it is possible to obscure more boundary.

このように、2つの基板に別途設けた表示装置をつなげ合わせて1つの表示装置を形成することによって、大型のフィルム状表示装置を形成することが可能となる。 Thus, by forming a single display device combined connecting the separately provided display device into two substrates, it is possible to form a large-sized film-like display device.

なお、ここでは、基板上に隔壁まで形成した後に剥離する例(図6、7に対応)を示したが、図8〜図11に示した構成にも同じように適用することが可能である。 Here, although an example of peeling after forming to bulkhead on the substrate (corresponding to FIG. 6 and 7), it can also be applied equally to the configuration shown in FIGS. 8 to 11 .

次に、図15に示すように別の基板450a〜450dにそれぞれ設けられた画素領域451a〜451dをつなぎ合わせる場合の画素領域の構成について、図16、図17に示す。 Next, the configuration of the pixel region when joining a pixel region 451a~451d respectively provided another substrate 450a~450d as shown in FIG. 15, FIG. 16, FIG. 17. なお、ここでは、画素領域451bと画素領域451dの接続部分に関して具体的に説明する。 Here, it will be described specifically connecting portion of the pixel region 451b and the pixel region 451d.

まず、上記実施の形態で示したように、図10(B)と同様の構成を基板450a〜450b上に設ける(図16(A))。 First, as shown in the above embodiment, it provided the same configuration as FIG. 10 (B) on the substrate 450A~450b (FIG 16 (A)). その後、CCDカメラ等の制御手段を用いて、基板450a〜450dを精確に配置させ、それぞれ隣り合った基板を接着剤456でつなぎ合わせる(図16(B))。 Then, using a control means such as a CCD camera, the substrate 450a~450d is accurately positioned, joined together substrate adjacent each with an adhesive 456 (FIG. 16 (B)). ここで接着剤456は基板450a〜450dにのみ接着し、基板450a〜450b上に設けられた表示装置を構成する素子形成部243a〜243dには接着しないようにする。 Here the adhesive 456 adheres only to the substrate 450A~450d, the element formation part 243a~243d included in the display device provided on the substrate 450a~450b to prevent adhesion.

次に、基板450a〜450d上に設けられた素子形成部243a〜243dの表面に第1のシート材214を接着させて、素子形成部243a〜243dを基板450a〜450dから剥離する(図16(C))。 Next, the first sheet material 214 is adhered to the surface of the element formation portion 243a~243d provided on the substrate 450A~450d, peeling the element formation part 243a~243d from the substrate 450A~450d (FIG. 16 ( C)).

続いて、素子形成部243a〜243dの第1のシート材214に接着した面と反対側の面に、第2のシート材216を接着させて、第1のシート材214に接着した素子形成部243a〜243dを剥離する(図16(D))。 Subsequently, on a surface opposite to the first sheet material 214 adhered to the surface in the element forming portion 243A~243d, by bonding the second sheet material 216, the element formation part adhered to the first sheet material 214 peeling the 243A~243d (Fig 16 (D)).

次に、第2のシート材216上に設けられた素子形成部243a〜243dに、加工手段を用いてソースまたはドレイン電極、配線、画素電極、発光層、対向電極等を形成していく。 Next, the second element forming portion 243a~243d provided on the sheet material 216, the source or drain electrode using the processing means, the wiring, the pixel electrode, light emitting layer, it will form a counter electrode or the like.

まず、それぞれの基板をつなげ合わせた際に隣り合う素子形成部243a〜243d間に形成された接続間隔455に絶縁物を形成する(図17(A))。 First, the connection interval 455 formed between the element forming portion 243a~243d adjacent when combined connecting each substrate to form an insulator (FIG. 17 (A)). ここでは、液滴吐出法を用いて接続間隔455に選択的に絶縁体を含む組成物を吐出して絶縁膜457を形成する。 Here, by discharging a composition including a selective insulator connection interval 455 to form the insulating film 457 by a droplet discharge method. 吐出する絶縁体としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いることができる。 The discharge insulators, epoxy resin, an acrylic resin, a phenol resin, a novolac resin, an acrylic resin, a melamine resin, resin material such as urethane resin. なお、これらの樹脂材料を用いる場合、その粘度は、溶媒を用いて溶解又は分散することで調整するとよい。 In the case of using these resin materials, the viscosity, adjusting by dissolving or dispersing with a solvent may. また、撥液性の材料としてフッ素原子が含まれた樹脂や炭化水素のみで構成された樹脂等を用いることができる。 Further, it is possible to use a resin which is composed of only a resin and a hydrocarbon that contains fluorine atoms as liquid-repellent material. より詳しくは、分子内にフッ素原子を含有するモノマーを含む樹脂、或いは全て炭素と水素原子のみから構成されるモノマーを含む樹脂が挙げられる。 More specifically, a resin containing a monomer containing a fluorine atom in the molecule, or all include resins containing a monomer composed only of carbon and hydrogen atoms. 他にも、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン樹脂等の重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物等を用いることができる。 Additional benzocyclobutene, parylene, flare, using an organic material such as polyimide having transparency, a compound material formed by polymerization such as a siloxane resin, a composition or the like containing a water-soluble homopolymer and a water-soluble copolymer be able to. 有機材料を用いると、その平坦性が優れているため、後に導電体を成膜した際にも、段差部で膜厚が極端に薄くなったり、断線が起こったりすることがなく、好適である。 When using an organic material, therefore the flatness is excellent, even when depositing the conductor after, or film thickness becomes extremely thin at the step portion, without or occurred disconnected, it is preferable .

次に、ソースまたはドレイン電極235、236、配線237および画素電極238を形成する(図17(B))。 Next, the source and drain electrodes 235 and 236, the wiring 237 and the pixel electrode 238 (FIG. 17 (B)). この場合、ソースまたはドレイン電極235、236、配線237および画素電極238は絶縁膜457上に形成される。 In this case, the source or drain electrode 235 and 236, the wiring 237 and the pixel electrode 238 is formed on the insulating film 457. そのため、層間絶縁膜207と絶縁膜457にわずかな凹凸の段差がある場合には、絶縁膜457上に形成されるソースまたはドレイン電極235、236、配線237および画素電極238も同様に凹部または凸部の段差を有する。 Therefore, if there is a step of slight irregularities in the interlayer insulating film 207 and the insulating film 457, the source or drain electrode 235 and 236 is formed on the insulating film 457, similarly concave or convex well wirings 237 and the pixel electrode 238 It has a step parts.

図16、17では、異なる基板の端部にそれぞれ形成された素子形成部に共通して画素電極が形成される。 In Figure 16 and 17, the pixel electrode is formed in common to the element forming portions formed respectively on the end portions of the different substrates. そのため、複数の表示装置をつなげ合わせた場合であっても、境目を目立たなくすることができる。 Therefore, even when the combined connecting a plurality of display devices, can be made inconspicuous boundary.

その後、上記実施の形態で示したように、隔壁(土手)239、発光層217および対向電極218を形成し(図17(C))、第2のシート材216と第3のシート材220で封止することによって、フィルム状表示装置が完成する(図17(D))。 Thereafter, as shown in the above embodiment, the partition wall (bank) 239, to form a light emitting layer 217 and the counter electrode 218 (FIG. 17 (C)), and the second sheet material 216 in the third sheet material 220 by sealing, film-like display device is completed (FIG. 17 (D)).

また、画素部451aと451bまたは451cと451dの接続部に関しては、上述した方法を用いて接続することができる。 Regarding the connection portion of the pixel portion 451a and 451b or 451c and 451d, can be connected using the methods described above.

なお、本実施の形態では、画素領域を貼り合わせて作製する方法について示したが、画素領域を貼り合わせる場合に限定されず、画素領域と駆動回路または画素領域を制御する回路(制御回路)を形成する場合にも適用することができる。 In the present embodiment shows a method for making bonded pixel region is not limited to the case of bonding the pixel region, the circuit for controlling the driving circuit or the pixel region and the pixel region (control circuit) even in the case of forming it may be applied. つまり、画素領域と駆動回路または制御回路を別々の基板にあらかじめ形成しておき、それぞれ基板から剥離して共通の可撓性を有する基板上に形成することができる。 That can be formed on a substrate having a preformed advance, common flexible peeled from the substrate respectively drive circuit or control circuit and the pixel region on a separate substrate. この場合、画素領域と駆動回路または制御回路とを接続する配線も可撓性を有する基板上に設けた後に形成することができる。 In this case, it is also possible wiring connecting the driving circuit or the control circuit and the pixel region is formed after providing over a flexible substrate.

以上のように、本実施の形態を用いることによって、複数の基板をつなげ合わせることが可能となり、大型のフィルム状表示装置が作製できる。 As described above, by using this embodiment, it is possible to align connecting a plurality of substrates, large film-like display device can be manufactured.

なお、本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。 Note that this embodiment can be freely combined with the above embodiment.

(実施の形態5) (Embodiment 5)
本実施の形態では、発光素子の構成について図18を用いて説明する。 In this embodiment, it will be described with reference to FIG. 18 a structure of a light-emitting element.

図18に示す発光素子は、基板500上に形成された第1の電極501と、第1の電極501上に形成された電界発光層502と、電界発光層502上に形成された第2の電極503とを有する。 The light-emitting element shown in FIG. 18, a first electrode 501 formed on the substrate 500, the electroluminescent layer 502 formed on the first electrode 501, a second formed over the electroluminescent layer 502 and an electrode 503. なお実際には、基板500と第1の電極501の間には、各種の層または半導体素子などが設けられている。 Note that in practice, between the substrate 500 of the first electrode 501, various layers or the semiconductor element is provided.

本実施の形態では、第1の電極501が陽極、第2の電極が陰極の場合について説明するが、第1の電極501が陰極、第2の電極が陽極であっても良い。 In this embodiment, the first electrode 501 is an anode while the second electrode is described for the case of the cathode, the first electrode 501 is a cathode, the second electrode may be an anode.

電界発光層502は単数または複数の層で構成されている。 The electroluminescent layer 502 is a single layer or a plurality of layers. 複数の層で構成されている場合、これらの層は、キャリア輸送特性の観点から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などに分類することができる。 If a plurality of layers, these layers are a hole injection layer from the viewpoint of carrier transport properties, the hole transport layer, light emitting layer, an electron transport layer can be divided into an electron injection layer. なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。 Note boundary of each layer is not necessarily clear, partially mixed materials that constitute the layer of one another, in some cases the interface is unclear. 各層には、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。 Each layer can be formed using an organic material or an inorganic material. 有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。 As the organic material, a polymer based, medium molecular weight, it is possible to any material of low molecular weight also used. なお中分子系の材料とは、構造単位の繰返しの数(重合度)が2から20程度の低重合体に相当する。 Medium The molecular weight of the materials should be noted that the number of repeated structural units (polymerization degree) is equivalent to 2 to a low polymer of about 20.

正孔注入層と正孔輸送層との区別は必ずしも厳密なものではなく、これらは正孔輸送性(正孔移動度)が特に重要な特性である意味において同じである。 Distinguish between the hole injection layer and the hole transport layer is not necessarily exact, these hole-transporting property (hole mobility) is the same in meaning is a particularly important property. 便宜上正孔注入層は陽極に接する側の層であり、正孔注入層に接する層を正孔輸送層と呼んで区別する。 For convenience the hole injection layer is in contact with the anode, distinguish the layer in contact with the hole injection layer is called the hole transport layer. 電子輸送層、電子注入層についても同様であり、陰極に接する層を電子注入層と呼び、電子注入層に接する層を電子輸送層と呼んでいる。 Electron-transporting layer, The same applies to the electron injecting layer, a layer in contact with the cathode is called an electron injection layer, it is referred to as an electron-transporting layer a layer in contact with the electron injection layer. 発光層は電子輸送層を兼ねる場合もあり、発光性電子輸送層とも呼ばれる。 The light emitting layer may also serve as the electron-transporting layer, also called a light emitting electron transporting layer. 図18では、第1〜第5の層504〜508を電界発光層502が有している場合を例示している。 In Figure 18, the first to fifth layers 504-508 shows the case where the electroluminescent layer 502 has. 第1〜第5の層504〜508は、第1の電極501から第2の電極503に向かって順に積層されている。 First to fifth layers 504 to 508 are sequentially stacked from the first electrode 501 toward the second electrode 503.

第1の層504は、正孔注入層として機能するため、正孔輸送性を有し、なおかつイオン化ポテンシャルが比較的小さく、正孔注入性が高い材料を用いるのが望ましい。 The first layer 504 to function as a hole injection layer, a hole-transporting, yet the ionization potential is relatively small, it is preferable to use a hole-injection property is high material. 大別すると金属酸化物、低分子系有機化合物、および高分子系有機化合物に分けられる。 Metal oxides roughly divided into divided into low molecular weight organic compounds, and high molecular weight organic compound. 金属酸化物であれば、例えば、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなど用いることができる。 If metal oxide, for example, vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, can be used such as aluminum oxide. 低分子系有機化合物あれば、例えば、m−MTDATAに代表されるスターバースト型アミン、銅フタロシアニン(略称:Cu−Pc)に代表される金属フタロシアニン、フタロシアニン(略称:H 2 −Pc)、2,3−ジオキシエチレンチオフェン誘導体などを用いることができる。 If low molecular weight organic compound, for example, starburst amine typified by m-MTDATA, copper phthalocyanine (abbreviation: Cu-Pc) in the metal phthalocyanine represented, phthalocyanine (abbreviation: H 2 -Pc), 2, or the like can be used 3-dioxyethylenethiophene derivatives. 低分子系有機化合物と上記金属酸化物とを共蒸着させた膜であっても良い。 A low molecular weight organic compound and the metal oxide may be a film formed by co-evaporation. 高分子系有機化合物であれば、例えば、ポリアニリン(略称:PAni)、ポリビニルカルバゾール(略称:PVK)、ポリチオフェン誘導体などの高分子を用いることができる。 If high molecular weight organic compound, for example, polyaniline (abbreviation: PAni), polyvinyl carbazole (abbreviation: PVK), can be used polymers such as polythiophene derivatives. ポリチオフェン誘導体の一つであるポリエチレンジオキシチオフェン(略称:PEDOT)にポリスチレンスルホン酸(略称:PSS)をドープしたものを用いても良い。 Polyethylenedioxythiophene is one of polythiophene derivative (abbreviation: PEDOT) polystyrene sulfonic acid (abbreviated: PSS) may be used doped with. また、ベンゾオキサゾール誘導体と、TCQn、FeCl 3 、C 60またはF 4 TCNQのいずれか一または複数の材料とを併せて用いても良い。 Further, a benzoxazole derivative, TCQn, may be used together with any one or more materials of FeCl 3, C 60 or F 4 TCNQ.

第2の層505は、正孔輸送層として機能するため、正孔輸送性が高く、結晶性の低い公知の材料を用いることが望ましい。 The second layer 505 to function as a hole transport layer, a hole-transporting property is high, it is desirable to use a known material having low crystallinity. 具体的には芳香族アミン系(すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの)の化合物が好適であり、例えば、4,4−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(TPD)や、その誘導体である4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)などがある。 Specifically, the aromatic amine-based (that is, benzene rings - one having a nitrogen bond) is preferable compounds of, for example, 4,4-bis [N-(3- methylphenyl) -N- phenylamino] biphenyl (TPD) or, a derivative thereof such as 4,4'-bis -, and the like [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl (α-NPD). 4,4',4''−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)や、MTDATAなどのスターバースト型芳香族アミン化合物も用いることができる。 4,4 ', 4' '- tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (TDATA) and may also be used starburst aromatic amine compounds such as MTDATA. また4,4',4''−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)を用いても良い。 The 4,4 ', 4' '- tris (N- carbazolyl) triphenylamine (abbreviation: TCTA) may be used. また高分子材料としては、良好な正孔輸送性を示すポリ(ビニルカルバゾール)(略称:PVK)などを用いることができる。 Examples of polymeric materials include poly showing a good hole transporting (vinylcarbazole) (abbreviation: PVK) can be used.

第3の層506は発光層として機能するため、イオン化ポテンシャルが大きく、かつバンドギャップの大きな材料を用いるのが望ましい。 Since the third layer 506 serves as a light-emitting layer, a large ionization potential, and to use a material having a large band gap is desired. 具体的には、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq 3 )、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(Almq 3 )、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[η]−キノリナト)ベリリウム(BeBq 2 )、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−(4−ヒドロキシ−ビフェニリル)−アルミニウム(BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(Zn(BOX) 2 )、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ) 2 )などの金属錯体を用いることができる。 Specifically, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (Almq 3), bis (10-hydroxybenzo [eta] - quinolinato) beryllium (BeBq 2), bis (2-methyl-8-quinolinolato) - (4-hydroxy - biphenylyl) - aluminum (BAlq), bis [2- (2-hydroxyphenyl) - benzoxazolato] zinc (Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) - benzothiazolato] zinc (Zn (BTZ) 2) may be a metal complex such as. また、各種蛍光色素(クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン、ジシアノメチレン誘導体、1−ピロン誘導体、スチルベン誘導体、各種縮合芳香族化合物など)も用いることができる。 Further, various fluorescent dyes (coumarin derivatives, quinacridone derivatives, rubrene, dicyano methylene derivative, 1-pyrone derivatives, stilbene derivatives, various condensed aromatic compounds, etc.) can be used. 白金オクタエチルポルフィリン錯体、トリス(フェニルピリジン)イリジウム錯体、トリス(ベンジリデンアセトナート)フェナントレンユーロピウム錯体などの燐光材料も用いることができる。 Phosphorescent material such as platinum octaethylporphyrin complex, tris (phenylpyridine) iridium complex, tris (benzylidene acetonate) phenanthrene europium complex can also be used.

また、第3の層506に用いるホスト材料としては、上述した例に代表されるホール輸送材料や電子輸送材料を用いることができる。 As the host material for use in the third layer 506, it is possible to use the hole-transporting material and an electron-transporting material typified by the examples described above. また、4,4'−N,N'−ジカルバゾリルビフェニル(略称:CBP)などのバイポーラ性の材料も用いることができる。 Further, 4,4'-N, N'- di-carbazolyl biphenyl (abbreviation: CBP) can be used bipolar material such as.

第4の層507は電子輸送層として機能するため、電子輸送性の高い材料を用いることが望ましい。 Since the fourth layer 507 serves as an electron transporting layer, it is desirable to use a high electron-transporting material. 具体的には、Alq 3に代表されるような、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体やその混合配位子錯体などを用いることができる。 Specifically, as typified by Alq 3, a metal complex or their mixed ligand complex having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton can be used. 具体的には、Alq 3 、Almq 3 、BeBq 2 、BAlq、Zn(BOX) 2 、Zn(BTZ) 2などの金属錯体が挙げられる。 Specifically, Alq 3, Almq 3, BeBq 2, BAlq, Zn (BOX) 2, metal complexes such as Zn (BTZ) 2 and the like. さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(OXD−7)などのオキサジアゾール誘導体、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(p−EtTAZ)などのトリアゾール誘導体、TPBIのようなイミダゾール誘導体、バソフェナントロリン(BPhen)、バソキュプロイン(BCP)などのフェナントロリ Besides the metal complexes, 2- (4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD), 1,3-bis [5-(p oxadiazole derivatives such as -tert- butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (OXD-7), 3- (4-tert- butylphenyl) -4-phenyl -5 - (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (TAZ), 3- (4-tert-butylphenyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- (4-biphenylyl) -1,2, triazole derivatives such as 4-triazole (p-EtTAZ), imidazole derivatives such as TPBI, bathophenanthroline (BPhen), Fenantorori such bathocuproine (BCP) 誘導体を用いることができる。 It can be used derivatives.

第5の層508は電子注入層として機能するため、電子注入性の高い材料を用いるのが望ましい。 Since the fifth layer 508 serves as an electron injection layer, it is desirable to use a high electron injecting material. 具体的には、LiF、CsFなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、CaF 2のようなアルカリ土類ハロゲン化物、Li 2 Oなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。 Specifically, LiF, and alkali metal halides such as CsF, alkaline earth halide such as CaF 2, ultra-thin film of an insulating material as an alkali metal oxide such as Li 2 O is often used. また、リチウムアセチルアセトネート(略称:Li(acac)や8−キノリノラト−リチウム(略称:Liq)などのアルカリ金属錯体も有効である。また、モリブデン酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)等(x>0)の金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含むようにしても良い。また酸化チタンを用いていても良い。 Further, lithium acetylacetonate (abbreviation:. Li (acac) and 8-quinolinolato - lithium (abbreviation: Liq) alkali metal complexes, such as is also effective Molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), and a metal oxide or benzoxazole derivatives of tungsten oxide (WOx), etc. (x> 0), an alkali metal, and any one or more materials of alkaline earth metals or transition metals, may include. the may be used titanium oxide.

上記構成を有する発光素子において、第1の電極501と第2の電極503の間に電圧を印加し、電界発光層502に順方向バイアスの電流を供給することで、第3の層506から光を発生させ、該光を第1の電極501側から、または第2の電極503側から取り出すことができる。 In the light-emitting element having the above structure, since the first electrode 501 a voltage is applied between the second electrode 503, supplying a current of a forward bias to the electroluminescent layer 502, the light from the third layer 506 is generated, it is possible to take out the light from the first electrode 501 side, or from the second electrode 503 side. なお、電界発光層502は、必ずしもこれら第1〜第5の層を全て有している必要はない。 Incidentally, the electroluminescent layer 502 is not necessarily required to have all of these first to fifth layers. 本発明では、少なくとも発光層として機能する第3の層506を有していれば良い。 In the present invention, it may have a third layer 506 that functions as at least a light emitting layer. また必ずしも第3の層506からのみ発光が得られるわけではなく、第1〜第5の層に用いられる材料の組み合わせによっては、第3の層506以外の層から発光が得られる場合もある。 Also not necessarily emit light only from the third layer 506 can be obtained, depending on the combination of materials used in the first to fifth layer, in some cases light emission is obtained from the layer other than the third layer 506. また、第3の層506と第4の層507の間に正孔ブロック層を設けても良い。 It is also possible to provide a hole blocking layer between the third layer 506 and fourth layer 507.

なお色によっては、燐光材料の方が蛍光材料よりも、駆動電圧を低くすることができ、信頼性も高い場合がある。 Note the color towards the phosphorescent material than fluorescent materials, the drive voltage can be lowered, it may be reliable. そこで、三原色(R、G、B)の各色に対応する発光素子を用いて、フルカラーの表示を行なう場合は、蛍光材料を用いた発光素子と、燐光材料を用いた発光素子とを組み合わせて、各色の発光素子における劣化の度合いを揃えるようにしても良い。 Therefore, by using the light emitting elements corresponding to each color of three primary colors (R, G, B), the case of performing full-color display by combining a light emitting element using a fluorescent material and a light emitting element using a phosphorescent material, it may be uniform the degree of degradation in each color of light emitting elements.

図18では、第1の電極501が陽極、第2の電極503が陰極である場合について示しているが、第1の電極501が陰極、第2の電極503が陽極である場合、第1〜第5の層504〜508は逆に積層される。 In Figure 18, the first electrode 501 is an anode, when The second electrode 503 is illustrated for the case where the cathode, the first electrode 501 is a cathode, the second electrode 503 is an anode, the first to the fifth layer 504 to 508 is laminated on the reverse. 具体的には、第1の電極501上に第5の層508、第4の層507、第3の層506、第2の層505、第1の層504が順に積層される。 Specifically, the fifth layer 508 over the first electrode 501, the fourth layer 507, third layer 506, second layer 505, first layer 504 are sequentially stacked.

なお電界発光層502のうち、第2の電極503に最も近い層(本実施の形態では第5の層508)に、エッチングされにくい材料を用いることで、電界発光層502上に第2の電極503をスパッタ法で形成する際に、第2の電極503に最も近い層に与えられるスパッタダメージを軽減させることができる。 Note Of the electroluminescent layer 502 (in this embodiment the fifth layer 508) the layer closest to the second electrode 503 in, by using the etched hard material, a second electrode over the electroluminescent layer 502 503 when forming by sputtering, it is possible to reduce the sputter damage given to the layer closest to the second electrode 503. エッチングされにくい材料とは、例えばモリブデン酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)等(x>0)の金属酸化物、またはベンゾオキサゾール誘導体、金属薄膜を用いることができる。 The etched hard material, such as molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), tungsten oxide (WOx) such as metal oxide (x> 0) or benzoxazole derivatives, , it is possible to use a metal thin film. これらは蒸着法によって形成されることが好ましい。 These are preferably formed by a vapor deposition method.

例えば、第1の電極が陰極、第2の電極が陽極の場合、前記電界発光層のうち最も陽極に近い、ホール注入性またはホール輸送性を有する層として、上述したエッチングされにくい材料を用いる。 For example, the first electrode is a cathode, when the second electrode of the anode closest to the anode of the electroluminescent layer, as a layer having a hole injecting property or hole transport property, using hard material is etched as described above. 具体的に、ベンゾオキサゾール誘導体を用いる場合は、当該ベンゾオキサゾール誘導体と、TCQn、FeCl 3 、C 60またはF 4 TCNQのいずれか一または複数の材料とを含む層を、最も陽極に近くなるように形成する。 Specifically, in the case of using a benzoxazole derivative, and the benzoxazole derivative, TCQn, FeCl 3, a layer containing any one or more materials of C 60 or F 4 TCNQ, so most close to the anode Form.

また例えば、第1の電極が陽極、第2の電極が陰極の場合、前記電界発光層のうち最も陰極に近い、電子注入性または電子輸送性を有する層として、上述したエッチングされにくい材料を用いる。 Further, for example, the first electrode is an anode, when the second electrode of the cathode, closest to the cathode of the electroluminescent layer, as a layer having an electron injecting or electron-transporting property, using a material that hardly etched described above . 具体的に、モリブデン酸化物を用いる場合は、当該モリブデン酸化物と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含む層を、最も陰極に近くなるように形成する。 Specifically, in the case of using a molybdenum oxide, and the molybdenum oxide, alkali metal, alkaline earth metal, or a layer containing any one or more materials of the transition metals, as the most close to the cathode Form. またベンゾオキサゾール誘導体を用いる場合は、当該ベンゾオキサゾール誘導体と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含む層を、最も陰極に近くなるように形成する。 In the case of using a benzoxazole derivative, and the benzoxazole derivative, alkali metal, alkaline earth metal, or a layer containing any one or more materials of a transition metal is formed so as to most close to the cathode. なお、金属酸化物とベンゾオキサゾール誘導体を共に用いていても良い。 Incidentally, it may be used together metal oxide and benzoxazole derivatives.

上記構成により、第2の電極として、スパッタ法で形成した透明導電膜、例えばインジウム錫酸化物(ITO)や珪素を含有したインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化インジウムに2〜20atomic%の酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(Indium Zinc Oxide)等を用いても、電界発光層が有する有機物を含む層への、スパッタダメージを抑えることができ、第2の電極を形成するための物質の選択性が広がる。 With the above configuration, the second electrode, a transparent conductive film formed by sputtering, for example, indium tin oxide (ITO) or silicon indium tin oxide containing (ITSO), 2~20atomic% of zinc oxide to indium oxide be used such as IZO mixed with (ZnO) (Indium Zinc Oxide), to the layer containing the organic substance electroluminescent layer has, it is possible to suppress the sputtering damage, selecting the material for forming the second electrode sex is spread.

なお、本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 Note that this embodiment can be freely combined with the above embodiment.

(実施の形態6) (Embodiment 6)
表示機能を有する本発明の表示装置の画素部の回路について、図19を用いて説明する。 The circuit of the pixel portion of the display device of the present invention having a display function will be described with reference to FIG. 19. 図19(A)は、画素の等価回路図を示したものであり、該画素は、信号線6114、電源線6115、6117、走査線6116の各配線で囲まれた領域に、画素6101に対するビデオ信号の入力を制御するTFT6110、発光素子6113の両電極間に流れる電流値を制御するTFT6111、該TFT6111のゲート・ソース間電圧を保持する容量素子6112を有する。 19 (A) is are those showing an equivalent circuit diagram of a pixel, the pixel is a signal line 6114, power supply lines 6115,6117, a region surrounded by the lines of the scanning line 6116, a video to the pixel 6101 controlling the input signal TFT6110, TFT6111 controls the amount of current flowing between both electrodes of the light emitting element 6113, including a capacitor 6112 for holding a gate-source voltage of the TFT 6111. なお、図19(B)では、容量素子6112を図示したが、TFT6111のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。 In FIG. 19 (B), the have been illustrated the capacitive element 6112, if that can be covered by the gate capacitance and other parasitic capacitance of TFT6111 may not be provided.

図19(B)は、図19(A)に示した画素に、TFT6118と走査線6119を新たに設けた構成の画素回路である。 19 (B) is the pixel shown in FIG. 19 (A), a pixel circuit configuration newly provided scanning line 6119 and TFT6118. TFT6118の配置により、強制的に発光素子6113に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時または直後に点灯期間を開始することができる。 The arrangement of TFT6118, it is possible to make a state in which no force the current to the light emitting element 6113 flows without waiting for writing signals to all pixels, start simultaneously with or lighting period immediately after a writing period be able to. 従って、デューティ比が向上して、動画の表示は特に良好に行うことができる。 Therefore, to improve the duty ratio, the display of the moving image can be carried out particularly well.

図19(C)は、図19(B)に示した画素6101のTFT6111を削除して、新たにTFT6125、6126と、配線6127を設けた画素回路である。 Figure 19 (C), remove the TFT6111 pixel 6101 shown in FIG. 19 (B), a pixel circuit provided newly TFT6125,6126, the wiring 6127. 本構成では、TFT6125のゲート電極を一定の電位に保持した配線6127に接続することにより、このゲート電極の電位を固定し、なおかつ飽和領域で動作させる。 In this configuration, by connecting to the wiring 6127 of the gate electrode was held at a constant potential of TFT 6125, the potential of the gate electrode fixed, to operate yet in the saturation region. また、TFT6125と直列に接続させ、線形領域で動作するTFT6126のゲート電極には、TFT6110を介して、画素の点灯または非点灯の情報を伝えるビデオ信号を入力する。 Moreover, to connect to TFT6125 series to the gate electrode of the TFT6126 operating in the linear region, through the TFT6110, inputs a video signal to convey information on or non-lighting of the pixel. 線形領域で動作するTFT6126のソース・ドレイン間電圧の値は小さいため、TFT6126のゲート・ソース間電圧のわずかな変動は、発光素子6113に流れる電流値には影響をおよぼさない。 Since the value of the source-drain voltage of the TFT6126 operating in the linear region is small, slight variations in the gate-source voltage of the TFT6126 does not affect the current flowing through the light emitting element 6113. 従って、発光素子6113に流れる電流値は、飽和領域で動作するTFT6125により決定される。 Therefore, the current value flowing through the light emitting element 6113 is determined by TFT6125 which operates in a saturation region. なお、TFT6125のチャネル長L 1 、チャネル幅W 1 、TFT6126のチャネル長L 2 、チャネル幅W 2は、L 1 /W 1 :L 2 /W 2 =5〜6000:1を満たすように設定するとよい。 The channel length L 1 of the TFT 6125, the channel length L 2 of the channel width W 1, TFT 6126, a channel width W 2 is, L 1 / W 1: L 2 / W 2 = 5~6000: When set to satisfy 1 good. また、両TFTは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。 Further, the on manufacturing process preferably both TFT have the same conductivity type. さらに、TFT6125には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のTFTを用いてもよい。 Furthermore, the TFT6125, instead of an enhancement type, may be used a depletion mode TFT.

表示装置に多階調の画像を表示するときの駆動方法として、アナログのビデオ信号を用いるアナログ駆動とデジタルのビデオ信号を用いるデジタル駆動が挙げられる。 As a driving method when displaying a multi-tone image on the display device, and a digital driving using analog driving and digital video signal using an analog video signal. 両方式の違いは、発光素子の発光、非発光のそれぞれの状態において該発光素子を制御する方法にある。 Expression difference of both, in a method of controlling the light emitting element in each state emission, non-light emission of the light-emitting element. 前者のアナログ駆動は、発光素子に流れる電流を制御して階調を制御する。 The former analog drive controls the gradation by controlling the current flowing through the light emitting element. また後者のデジタル駆動は、発光素子がオン状態(輝度がほぼ100%である状態)と、オフ状態(輝度がほぼ0%である状態)の2つの状態のみによって階調表現する。 The latter digital drive, the light emitting element is turned on (state luminance is substantially 100%), gradation expressed by only two off state (state luminance is substantially 0%). デジタル駆動は、オンとオフの2つの状態だけを用いると、2階調しか表示できないため、別の方式と組み合わせて多階調の画像を表示する駆動方法があり、例えば面積階調方式や時間階調方式が挙げられる。 Digital drive, the use of only two states, on and off, 2 for tone only be displayed, there is a driving method for displaying a multi-gradation image in combination with another method, for example, an area gray scale method and the time gray scale method are exemplified.

但し、デジタルのビデオ信号を用いる場合、そのビデオ信号が電圧を用いているのか、電流を用いているのかで異なる。 However, when using a digital video signal, whether the video signal is using a voltage different in what is used current. つまり、発光素子の発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがある。 In other words, during the light emission of the light emitting element, a video signal input to the pixel, and that of the constant voltage, there is a constant current. ビデオ信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。 Video signal has a constant voltage, the voltage constant is applied to a light emitting element, the current flowing in the light-emitting element is constant. またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。 In the video signal uses the constant current also is which voltage constant is applied to a light emitting element, the current flowing in the light-emitting element is constant. この発光素子に印加される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。 This is a voltage applied to the light emitting element is constant is a constant voltage drive, the current flowing through the light-emitting element is constant is constant current driven. 定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。 Constant current drive, regardless of the change in resistance of the light emitting element, a constant current flows.

本発明の表示装置は、液晶パネル及び発光素子を用いたパネルを問わず、アナログ駆動またはデジタル駆動のいずれを使用してもよく、また、デジタル駆動において面積階調方式や時間階調方式のいずれを適用してもよい。 Display device of the present invention, regardless of the panel using a liquid crystal panel and the light-emitting element may be used either analog drive or digital driving, also, one of the area gray scale method and a time gray scale method in a digital drive it may be applied. 他にも、本実施の形態で挙げなかった他の駆動方法を適用してもよい。 Additional, it may be applied another method for driving that was not mentioned in this embodiment. また、定電圧駆動、定電流駆動のどちらを用いてもよい。 It may also be used either constant voltage driving, the constant current drive.

なお、表示装置はアクティブマトリクス型またはパッシブマトリクス型のどちらを用いても構わない。 The display device may be used either an active matrix or passive matrix. ただし、アクティブマトリクス型を適用した場合には、発光素子は電流駆動型の素子であるため、画素内のトランジスタのバラツキが少ない場合にアナログ駆動を用いることが好適である。 However, in the case of applying an active matrix type, the light emitting device because it is a device of the current driven, it is preferable to use the analog driving when the variation of the transistors in the pixel is small.

なお、本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 Note that this embodiment can be freely combined with the above embodiment.

(実施の形態7) (Embodiment 7)
本実施の形態では、上記実施の形態で示したフィルム状表示装置の用途に関して説明する。 In this embodiment, it will be described for the uses of the film-like display device described in the above embodiment. 本発明の作製方法または製造装置によって作製されたフィルム状表示装置は、様々な電子機器の表示部に用いることができる。 Film-like display device manufactured by the manufacturing method or manufacturing apparatus of the present invention can be used in display portions of various electronic devices. その一例を図20に示す。 An example thereof is shown in FIG. 20.

図20(A)はディスプレイであり、本体4101、支持台4102、表示部4103を含む。 Figure 20 (A) is a display which includes a main body 4101, a support base 4102, a display portion 4103. 表示部4103は可撓性基板を用いて形成されており、軽量で薄型のディスプレイを実現できる。 Display unit 4103 is formed using a flexible substrate can be realized a lightweight and thin display. また、表示部4103を湾曲させることも可能であり、支持台4102から取り外して壁に掛けることも可能である。 It is also possible to bend the display unit 4103, it is also possible to apply to the wall removed from the support base 4102. 上記実施の形態で示した作製方法または製造装置を表示部4103の加工に用いることによって、ディスプレイを作製することができる。 By using the manufacturing method or manufacturing apparatus described in the above embodiment the processing of the display portion 4103 can be manufactured display.

図20(B)は巻き取り可能な大型ディスプレイであり、本体4201、表示部4202を含む。 Figure 20 (B) are large display capable winding including a main body 4201, a display portion 4202. 本体4201および表示部4202は可撓性基板を用いて形成されているため、ディスプレイを折り畳んだり、巻き取ったりして持ち運ぶことが可能である。 Since the main body 4201 and the display portion 4202 is formed using a flexible substrate, folded a display, it can be carried in a bent or wound. 上記実施の形態で示した作製方法または製造装置を表示部4202の加工に用いることによって、軽量、薄型の大型のディスプレイを作製することができる。 By using the manufacturing method or manufacturing apparatus described in the above embodiment the processing of the display portion 4202 can be made lighter, a large display thin.

図20(C)は、シート型のコンピュータであり、本体4401、表示部4402、キーボード4403、タッチパッド4404、外部接続ポート4405、電源プラグ4406等を含んでいる。 FIG. 20 (C) is a sheet-type computer, which includes a main body 4401, a display portion 4402, a keyboard 4403, a touch pad 4404 includes an external connection port 4405, a power plug 4406, and the like. 表示部4402は可撓性基板を用いて形成されており、軽量で薄型のコンピュータを実現できる。 Display unit 4402 is formed using a flexible substrate can be realized a lightweight and thin computer. また、電源プラグ4406の部分に収納スペースを設けることによって表示部2402を巻き取って収納することが可能である。 Further, it is possible to house wound a display portion 2402 by providing a storage space portion of the power plug 4406. 上記実施の形態で示した作製方法または製造装置を表示部4402に用いることによって、コンピュータを作製することができる。 By using the manufacturing method or manufacturing apparatus described in the above embodiment the display unit 4402 can be manufactured computer.

図20(D)は、20〜80インチの大型の表示部を有する表示装置であり、筐体4300、操作部であるキーボード部4301、表示部4302、スピーカー部4303等を含む。 Figure 20 (D) is a display device having a large display portion 20 to 80 inches, which includes a chassis 4300, a keyboard portion 4301 that is an operation portion, a display portion 4302, a speaker portion 4303 or the like. また、表示部4302は可撓性基板を用いて形成されており、キーボード部4301を取り外して筐体4300を折り畳んだり巻き取ったりして持ち運ぶことが可能である。 The display unit 4302 is formed using a flexible substrate, it is possible to remove the keyboard unit 4301 carried in or wound collapsing the housing 4300. 上記実施の形態で示した作製方法または製造装置を表示部4302に用いることによって大型の表示装置を作製することができる。 It can be produced a large display device by using the manufacturing method or manufacturing apparatus described in the above embodiment the display unit 4302.

図20(E)は電子ブックであり、本体4501、表示部4502、操作キー4503等を含む。 Figure 20 (E) is an electronic book which includes a main body 4501, a display portion 4502, an operation key 4503, or the like. またモデムが本体4501に内蔵されていても良い。 The modem may be incorporated in the main body 4501. 表示部4502は可撓性基板を用いて形成されており、折り曲げることができる。 Display unit 4502 is formed using a flexible substrate, it can be bent. さらに、表示部4502は文字等の静止画像はもちろん動画も表示することが可能となっている。 Further, the display unit 4502 has a possible moving image as well as a still image such as a character display. 上記実施の形態で示した作製方法または製造装置を表示部4502に用いることによって電子ブックを作製することができる。 It can be manufactured electronic book by using the manufacturing method or manufacturing apparatus described in the above embodiment the display unit 4502.

図20(F)はICカードであり、本体4601、表示部4602、接続端子4603等を含む。 Figure 20 (F) is an IC card, which includes a main body 4601, a display portion 4602, and the like connection terminal 4603. 表示部4602は可撓性基板を用いて軽量、薄型のシート状になっているため、カードの表面に張り付けて形成することができる。 Display unit 4602 and weight by using a flexible substrate, since that is a thin sheet, can be formed by sticking to the surface of the card. また、ICカードを非接触でデータの受信が行える場合に外部から取得した情報を表示部4602に表示することが可能となっている。 Further, it is possible to display the information acquired from the external to the display unit 4602 when the reception of the data can be performed with the IC card in a non-contact manner. 上記実施の形態で示した作製方法または製造装置を表示部4602に用いることによってICカードを作製することができる。 It can be manufactured IC card by using the manufacturing method or manufacturing apparatus described in the above embodiment the display unit 4602.

また、本発明のフィルム状表示装置は、様々な物品に張り付けることによって情報を表示することができる。 Also, film-like display device of the present invention can display the information by pasting a variety of articles. その具体例を図21に示す。 The specific examples shown in FIG. 21.

図21(A)は、カメラ4707、センサ4703、ライト4704、車輪4705及びフロントガラス4706等を含むバスであり、4705は運転手である。 Figure 21 (A), the camera 4707, a sensor 4703, light 4704 is a bus that includes a wheel 4705 and the windshield 4706 or the like, 4705 is a driver. フロントガラス4706に表示部A4700、表示部B4701を有しており、必要な情報を表示している。 Display unit A4700 on the windshield 4706, has a display portion B4701, displaying the required information. また、車体の側面に表示部C4702を有しており、ポスター等として情報を表示することができる。 Also has a display unit C4702 to the side of the vehicle body, it is possible to display information as posters. 表示部A4700、表示部B4701、表示部C4702は可撓性基板を用いて軽量、薄型のシート状になっているため、フロントガラス4706や車体の側面に張り付けることができる。 Display unit 4700, a display portion B4701, a display unit C4702 weight using a flexible substrate, since that is a thin sheet, can be pasted on the windshield 4706 and the vehicle body side. 上記実施の形態で示した作製方法または製造装置を用いて表示部A4700、表示部B4701、表示部C4702を作製することができる。 Display unit A4700 by the manufacturing method or manufacturing apparatus described in the above embodiment, the display unit B4701, can be manufactured display unit C4702.

図21(B)では、表示部を自動車の運転席周辺に搭載した例を示している。 In FIG. 21 (B), the shows an example of mounting the display unit in the driver's seat around the automobile. ダッシュボード4806には音響再生装置、具体的にはカーオーディオや、カーナビゲーションが設けられている。 Sound reproducing apparatus in the dashboard 4806, specifically, a car audio, a car navigation is provided. カーオーディオの本体4804は、表示部A4800、表示部B4801、操作ボタン4805を含む。 Car audio of the body 4804, a display portion A4800, a display unit B4801, including the operation button 4805. またフロントガラス4803にも表示部C4802が設けられている。 The display unit C4802 is also provided on the windshield 4803. 各表示装置は可撓性基板を用いて軽量、薄型のシート状になっているため、各部位に張り付けて情報を表示することができる。 Each display device for using a flexible substrate has light weight, a thin sheet, it is possible to display the information affixed to each site. 上記実施の形態で示した作製方法または製造装置を用いて各表示装置を作製することができる。 It can be manufactured each display device by the manufacturing method or manufacturing apparatus described in the above embodiment.

なお、ここでは乗物の例を示したが、本発明を用いて作製されたフィルム状表示装置は、他にも、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤等の情報を表示する場所であれば至る所に用いることが可能である。 Here, although an example of a vehicle, a film-like display device manufactured using the present invention, other features, such as and an information display board at train stations, airports, information such as an advertisement display board on the street, It can be used everywhere as long as a place to display. 以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器や情報表示手段に用いることが可能である。 As described above, the application range of the present invention can be used in extremely wide, electronic devices and information display means of various fields. なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。 Note that this embodiment mode can be freely combined with the above embodiment.

本発明における表示装置の作製工程を示す図。 It shows a manufacturing process of the display device in the present invention. 本発明における表示装置の製造装置を示す図。 It shows an apparatus for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の製造装置を示す図。 It shows an apparatus for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の製造装置を示す図。 It shows an apparatus for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の画素領域の構成を示す図。 Diagram showing the structure of a pixel region of the display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の画素領域の構成を示す図。 Diagram showing the structure of a pixel region of the display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の画素領域の構成を示す図。 Diagram showing the structure of a pixel region of the display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention. 本発明における発光層の構造を示す図。 It illustrates a structure of a light emitting layer in the present invention. 本発明における表示装置の回路図の一例を示す図。 It illustrates an example of a circuit diagram of a display device in the present invention. 本発明の表示装置を利用した電子機器を示す図。 It shows an electronic apparatus using the display device of the present invention. 本発明の表示装置を利用した電子機器を示す図。 It shows an electronic apparatus using the display device of the present invention. 本発明における表示装置の作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing a display device in the present invention.

Claims (14)

  1. 基板上に剥離層を形成し、 The release layer is formed on a substrate,
    前記剥離層上に下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜上に形成されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体膜と、前記半導体膜の前記チャネル領域の上方にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され且つ前記半導体膜の前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と電気的に接続する画素電極と、前記画素電極の端部を覆って形成された絶縁膜と、を有する素子形成部を形成し、 Formed through said a release layer underlying insulating over layer, the underlying insulating film formed channel region on a semiconductor film containing a source region and a drain region, an upper gate insulating film of the channel region of the semiconductor film It has been a gate electrode, the gate electrode covering the interlayer insulation formed film, the source region or the drain region and electrically source electrode and a drain connected to the interlayer insulating formed on the film and the semiconductor film and the electrode, forming one and the pixel electrode electrically connected to the source electrode or the drain electrode, an insulating film formed to cover end portions of the pixel electrodes, an element forming portion having,
    前記絶縁膜、前記層間絶縁膜、前記ゲート絶縁膜および前記下地絶縁膜に前記剥離層に達する開口部を形成して前記剥離層を露出させ、 The insulating film, the interlayer insulating film, the gate insulating film and the openings are formed reaching the peeling layer on the base insulating film to expose the peeling layer,
    前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、 By introducing an etchant to the opening, removing the peeling layer,
    第1のローラーを用いて、前記素子形成部の一方の面に第1のシート材を接着させ、かつ、前記基板から前記素子形成部を剥離し、 Using the first roller, to adhere the first sheet material to one surface of the element forming portion, and separating the element formation portion of the substrate,
    第2のローラーを用いて、前記素子形成部の他方の面に第2のシート材を接着させ、かつ、前記第1のシート材から前記素子形成部を剥離し、 Using a second roller, to adhere the second sheet material on the other surface of the element forming portion, and separating the element formation portion of the first sheet material,
    前記第1のシート材の剥離後、加工手段を用いて前記画素電極上に発光層および対向電極を形成し、 After separation of the first sheet material, using the processing means to form a light-emitting layer and the counter electrode on the pixel electrode,
    前記対向電極上に保護膜を形成し、 The protective film is formed on the counter electrode,
    第3のローラーを用いて、前記保護膜の表面に第3のシート材を接着させて封止し、 Using a third roller, a third of the sheet material is bonded seal to the surface of the protective film,
    前記第1、第2、及び第3のローラーを回転させることにより、前記第1のローラーを用いた剥離から前記第3のローラーを用いた封止まで連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。 The first, by rotating the second and third rollers, the display is characterized by continuously performing until seal with said third roller from the release with the first roller device a method for manufacturing a.
  2. 基板上に剥離層を形成し、 The release layer is formed on a substrate,
    前記剥離層上に下地絶縁膜を介してチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体膜を形成し、 The channel region via an underlying insulating film on the release layer to form a semiconductor film containing a source region and a drain region,
    前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、 Covering the semiconductor film to form a gate insulating film,
    前記ゲート絶縁膜および前記下地絶縁膜に前記剥離層に達する開口部を形成して、前記剥離層を露出させ、 Forming an opening reaching the peeling layer on the gate insulating film and the underlying insulating layer, to expose the peeling layer,
    前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、 By introducing an etchant to the opening, removing the peeling layer,
    第1のローラーを用いて、前記ゲート絶縁膜に第1のシート材を接着させ、かつ、前記基板から前記下地絶縁膜、前記半導体膜および前記ゲート絶縁膜を剥離し、 Using the first roller, the gate insulating film to adhere the first sheet material and the underlying insulating film from the substrate, and peeling the semiconductor film and the gate insulating film,
    第2のローラーを用いて、前記下地絶縁膜に第2のシート材を接着させ、かつ、前記第1のシート材から前記下地絶縁膜、前記半導体膜および前記ゲート絶縁膜を剥離し、 Using the second roller, the base insulating film to adhere the second sheet material, and the underlying insulating film from the first sheet material, and separating the semiconductor film and the gate insulating film,
    前記第1のシート材の剥離後、加工手段を用いて、前記半導体膜の前記チャネル領域上に配置するように前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、 After separation of the first sheet material, using the processing means, a gate electrode formed on the semiconductor film the channel on the gate insulating film so as to place over the area of ​​the,
    前記ゲート電極を覆って、層間絶縁膜を形成し、 To cover the gate electrode, an interlayer insulating film,
    前記層間絶縁膜上に、前記半導体膜の前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極を形成し、 Wherein on the interlayer insulating film, forming the source region or the drain region and electrically connected to the source electrode or the drain electrode of the semiconductor film,
    前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と電気的に接続する画素電極を形成し、 Form one pixel electrode electrically connected to the source electrode or the drain electrode,
    前記画素電極の端部を覆って絶縁膜を形成し、 To cover an end portion of the pixel electrode to form an insulating film,
    前記画素電極上に発光層および対向電極を形成し、 The light-emitting layer and the counter electrode is formed on the pixel electrode,
    前記対向電極上に保護膜を形成し、 The protective film is formed on the counter electrode,
    第3のローラーを用いて、前記保護膜の表面に第3のシート材を接着させて封止し、 Using a third roller, a third of the sheet material is bonded seal to the surface of the protective film,
    前記第1、第2、及び第3のローラーを回転させることにより、前記第1のローラーを用いた剥離から前記第3のローラーを用いた封止まで連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。 The first, by rotating the second and third rollers, the display is characterized by continuously performing until seal with said third roller from the release with the first roller device a method for manufacturing a.
  3. 基板上に剥離層を形成し、 The release layer is formed on a substrate,
    前記剥離層上に下地絶縁膜を介してチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体膜を形成し、 The channel region via an underlying insulating film on the release layer to form a semiconductor film containing a source region and a drain region,
    前記半導体膜の前記チャネル領域の上方にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、 Forming a gate electrode via a gate insulating film above the channel region of the semiconductor film,
    前記ゲート電極を覆って層間絶縁膜を形成し、 An interlayer insulating film covering the gate electrode,
    前記層間絶縁膜、前記ゲート絶縁膜および前記下地絶縁膜に前記剥離層に達する開口部を形成して前記剥離層を露出させ、 The interlayer insulating film, the gate insulating film and the openings are formed reaching the peeling layer on the base insulating film to expose the peeling layer,
    前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、 By introducing an etchant to the opening, removing the peeling layer,
    前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に前記半導体膜の前記ソース領域または前記ドレイン領域に達する開口部を形成し、 Forming the opening reaching the source region or the drain region of the semiconductor film on the interlayer insulating film and the gate insulating film,
    第1のローラーを用いて、前記層間絶縁膜に第1のシート材を接着させ、かつ、前記基板から前記下地絶縁膜、前記半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極および前記層間絶縁膜を剥離し、 Using the first roller, the interlayer insulating film to adhere the first sheet material and the underlying insulating film from said substrate, said semiconductor film, the gate insulating film, the gate electrode and the interlayer insulating film peeled,
    第2のローラーを用いて、前記下地絶縁膜に第2のシート材を接着させ、かつ、前記第1のシート材から前記下地絶縁膜、前記半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極および前記層間絶縁膜を剥離し、 Using the second roller, the base insulating film to adhere the second sheet material, and the underlying insulating film from the first sheet material, the semiconductor film, the gate insulating film, the gate electrode and the peeling off the interlayer insulating film,
    前記第1のシート材の剥離後、加工手段を用いて、前記層間絶縁膜上に、前記半導体膜の前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続するソース電極またはドレイン電極を形成し、 After separation of the first sheet material, using the processing means, on the interlayer insulating film, forming the source region or the drain region and the source electrode or the drain electrode is electrically connected to said semiconductor film,
    前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と電気的に接続する画素電極を形成し、 Form one pixel electrode electrically connected to the source electrode or the drain electrode,
    前記画素電極の端部を覆って絶縁膜を形成し、 To cover an end portion of the pixel electrode to form an insulating film,
    前記画素電極上に発光層および対向電極を形成し、 The light-emitting layer and the counter electrode is formed on the pixel electrode,
    前記対向電極上に保護膜を形成し、 The protective film is formed on the counter electrode,
    第3のローラーを用いて、前記保護膜の表面に第3のシート材を接着させて封止し、 Using a third roller, a third of the sheet material is bonded seal to the surface of the protective film,
    前記第1、第2、及び第3のローラーを回転させることにより、前記第1のローラーを用いた剥離から前記第3のローラーを用いた封止まで連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。 The first, by rotating the second and third rollers, the display is characterized by continuously performing until seal with said third roller from the release with the first roller device a method for manufacturing a.
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 3,
    前記半導体膜は、非晶質半導体膜、非晶質状態と結晶状態が混在した膜、微結晶半導体膜、又は結晶性半導体膜のいずれかであることを特徴とする表示装置の作製方法。 The semiconductor film, the method for manufacturing a display device, wherein the amorphous semiconductor film, film amorphous state and the crystalline state are mixed, either a microcrystalline semiconductor film, or a crystalline semiconductor film.
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 4,
    前記基板は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、金属基板、又は半導体基板の表面に絶縁膜を形成した基板のいずれかであることを特徴とする表示装置の作製方法。 The substrate, the method for manufacturing a display device, wherein the glass substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, or the surface of the semiconductor substrate is either a substrate formed with the insulating film.
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 5,
    前記加工手段は液滴吐出法またはスクリーン印刷法が用いられることを特徴とする表示装置の作製方法。 The method for manufacturing a display device said processing means, characterized in that the droplet discharge method or a screen printing method is used.
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、 In the claims 1 to any one of claims 6,
    前記第2のシート材にラミネートフィルム又は繊維質な材料からなる紙を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。 The method for manufacturing a display device which is characterized by using a paper made of a laminate film or fibrous material to the second sheet material.
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 7,
    前記第3のシート材にラミネートフィルム又は繊維質な材料からなる紙を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。 The method for manufacturing a display device which is characterized by using a paper made of a laminate film or fibrous material to the third sheet material.
  9. 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 8,
    前記第2のシート材及び前記第3のシート材のいずれか一方又は両方に炭素を主成分とする薄膜又は導電性材料がコーティングされた膜が設けられていることを特徴とする表示装置の作製方法。 For manufacturing a display device, characterized in that said second sheet material and the third one or both films or conductive material containing carbon as a main component was coated on the film of the sheet material is provided Method.
  10. 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、 In the claims 1 to any one of claims 6,
    前記第2のシート材及び前記第3のシート材のいずれか一方又は両方に帯電防止フィルムを用いることを特徴とする表示装置の作製方法。 The method for manufacturing a display device, which comprises using the antistatic film to either one or both of the second sheet material and said third sheet material.
  11. 請求項10において、 According to claim 10,
    前記帯電防止フィルムは、その片面又は両面に帯電防止可能な材料が設けられたフィルムであることを特徴とする表示装置の作製方法。 The antistatic film, a method for manufacturing a display device, characterized in that one side or both sides chargeable prevention material is a film that is provided.
  12. 請求項10において、 According to claim 10,
    前記帯電防止フィルムは、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルムであることを特徴とする表示装置の作製方法。 The antistatic film, a method for manufacturing a display device, characterized in that the antistatic material is a film in which is dispersed in a resin.
  13. 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 12,
    前記第2のローラーを用いて、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。 The method for manufacturing a display device using the second rollers, and performing one or both of pressure treatment and heat treatment.
  14. 請求項1乃至請求項13のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 13,
    前記第3のローラーを用いて、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。 The method for manufacturing a display device characterized by using said third roller performs one or both of pressure treatment and heat treatment.
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