JP2003142666A - Transfer method for element, method for manufacturing element, integrated circuit, circuit board, electrooptic device, ic card and electronic apparatus - Google Patents

Transfer method for element, method for manufacturing element, integrated circuit, circuit board, electrooptic device, ic card and electronic apparatus

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JP2003142666A JP2002214283A JP2002214283A JP2003142666A JP 2003142666 A JP2003142666 A JP 2003142666A JP 2002214283 A JP2002214283 A JP 2002214283A JP 2002214283 A JP2002214283 A JP 2002214283A JP 2003142666 A JP2003142666 A JP 2003142666A
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Sumio Utsunomiya
純夫 宇都宮
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein a substrate excellent in flexibility and resistance to shock can be formed on a semiconductor element directly by using exfoliating transfer technique, and a semiconductor device wherein an adhering layer is not contained in a semiconductor device to be manufactured.
SOLUTION: An isolation layer (2) is formed on an element forming substrate (1), an element forming layer (3) containing an electric element is formed on the isolation layer, the element forming layer is bonded to a temporary transfer substrate (5) via a dissoluble bonding layer (4), and the element forming layer is isolated from the element forming substrate by weakening bonding force of the isolation layer. The element forming layer is moved to a temporary transfer substrate (5) side, hardening resin (6) is spread on the element forming layer (3) moved to the temporary transfer substrate (5) side, a transfer substrate (6) is formed by curing the curing resin, and the temporary transfer substrate (5) is isolated from the transfer substrate (6) by dissolving the bonding layer (4). As a result, a structure wherein the transfer substrate is formed directly on the element forming layer (3) is obtained.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、薄膜素子の基板間転写技術を使用した半導体装置の製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device using the inter-substrate transfer technique of a thin film element. 【0002】 【従来の技術】液晶表示器(LCD)パネル、エレクトロルミネッセンス(EL)表示器のような半導体応用装置では、変形や落下による壊れ防止、コスト引き下げ等の理由などにより下地基板にプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。 [0002] liquid crystal display (LCD) panels, in semiconductor applications devices such as electroluminescent (EL) display device is a plastic substrate to the base substrate prevented broken by deformation or dropping, due reasons of cost reductions, etc. it may be desirable to use. 【0003】しかし、パネル型の表示器に使用される薄膜トランジスタの製造では高温プロセスを使用するが、 However, in the production of a thin film transistor used in the panel-type display is to use a high temperature process,
プラスチック基板や、EL素子等の回路素子には高温に耐えられないものがある。 Plastic substrates and, to circuit elements such as EL elements are those not withstand high temperatures. 【0004】そこで、出願人は高温プロセスを含む従来の半導体製造技術によって半導体装置を耐熱の基礎基板上に製造した後、該基板から半導体装置が形成されている素子形成膜(層)を剥離し、これをプラスチック基板に貼り付けることによって半導体応用装置を製造する転写技術を提案している。 [0004] Therefore, the applicant of the semiconductor device after the production the basis on a substrate of heat resistant, peeling the element formation layer in which the semiconductor device is formed (layer) from the substrate by conventional semiconductor fabrication techniques, including high temperature processes , which proposes a transfer technique of manufacturing a semiconductor application device by attaching a plastic substrate. 例えば、特開平10−1259 For example, JP-A-10-1259
29号、特開平10−125930号、特開平10−1 No. 29, JP-A-10-125930, JP-A-10-1
25931号に「剥離方法」等として詳細に説明されている。 It is described in detail as the "peeling method" or the like in EP 25,931. 【0005】 【発明が解決しようとする課題】上記剥離技術を使用して製造した半導体装置は、薄膜トランジスタ等の素子形成層、接着剤が塗布された接着層、プラスチック基板という構成を含むが、上記接着剤の膜厚が10〜100μ [0005] [0005] semiconductor device manufactured using the release technology, the element formation layer such as a thin film transistor, the adhesive layer to which the adhesive is applied, including the construction of a plastic substrate, the the film thickness of the adhesive is 10~100μ
m、基板の厚さが50〜500μm程度にもなり、半導体装置全体の厚みが比較的に大となる。 m, the thickness of the substrate becomes about 50 to 500 [mu] m, the thickness of the entire semiconductor device is large relatively. また、上記接着剤は、素子形成層と基板の両方を良好に接着(あるいは接合)できるものでなければならない。 Further, the adhesive shall be both the element formation layer and the substrate can be good adhesion (or bonding). また、上記接着剤を含む各層間の熱膨張率に相違があると、反りやクラックの原因となって半導体応用装置の耐熱性(信頼性) Further, if there is a difference in thermal expansion coefficient between the layers comprising the adhesive, the heat resistance of the semiconductor application device causing warpage or crack (reliability)
を低下させることが考えられる。 It is conceivable to reduce the. 【0006】よって、本発明は、耐熱基板から電気素子の形成層を剥離して他の基板に転写する技術を用いて製造される半導体装置に、接着層を含まないようにした半導体装置を提供することを目的とする。 [0006] Accordingly, the present invention is to peel the layer of the electric element from the heat the substrate to a semiconductor device manufactured by using the technique of transferring to another substrate, a semiconductor apparatus that does not include the adhesive layer an object of the present invention is to. 【0007】また、本発明は、剥離転写技術を使用する製造プロセスによって製造される半導体装置をより薄い半導体装置とすることを目的とする。 [0007] The present invention also aims to a semiconductor device manufactured by the manufacturing process using a peeling transfer technology and thinner semiconductor device. 【0008】また、本発明は、剥離転写技術を使用する製造プロセスによって製造される半導体装置を、より耐熱性の高い半導体装置とすることを目的とする。 Further, the present invention is a semiconductor device manufactured by the manufacturing process using a peeling transfer technology, and an object thereof to higher heat resistance semiconductor device. 【0009】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため本発明の素子の第1の転写方法は、素子を形成するための素子形成基板上に、一定条件を付与されると結合力が弱まる分離層を形成する工程と、上記分離層上に素子を含む素子形成層を形成する工程と、上記素子形成層を溶解可能な接合層を介して仮転写基板に接合する工程と、 A first method of transferring the elements of the present invention for achieving the above object, according to an aspect of the binding and on the element forming substrate for forming an element, is granted certain conditions forming an isolation layer a force is weakened, forming an element formation layer including an element in the separation layer, and bonding the temporary transfer substrate via a bonding layer capable of dissolving the element formation layer,
上記分離層の結合力を弱めて上記素子形成基板から上記素子形成層を分離し、これを上記仮転写基板側に移動する工程と、上記仮転写基板に移動された上記素子形成層上に樹脂を塗布し、これを硬化して転写基板を形成する工程と、上記接合層を溶解して上記転写基板から上記仮転写基板を分離する工程と、を含む。 Weakens the binding force of the separation layer to separate the element forming layer of the element forming substrate, and a step of moving it to the temporary transfer substrate side, a resin to the temporary transfer is transferred to the substrate was the element forming layer It was applied, and forming a transfer substrate and curing it, and separating the temporary transfer substrate from the transfer substrate to dissolve the bonding layer. 【0010】かかる構成とすることによって、転写基板と素子形成基板とが接合し、両者間に接着層を含まないので、半導体装置の厚さを薄く形成することが可能となる。 [0010] According to the foregoing structure, the transfer substrate and the element forming substrate is bonded, does not include an adhesive layer therebetween, it is possible to thin the thickness of the semiconductor device. また、従来の素子形成層(薄膜トランジスタ等)、 Further, the conventional device formation layer (thin film transistor or the like),
接着層(接着剤)、転写基板(プラスチック基板)という三層構造が二層構造(素子形成層、転写基板)となるので、各層の熱膨張率を合わせ易く、反りやクラックを減らすことが可能となる。 Adhesive layer (adhesive), transfer substrate three-layer structure of (a plastic substrate) a two-layer structure (element formation layer, the transfer substrate) so the liable combined thermal expansion coefficient of each layer, can reduce warpage or cracks to become. 【0011】また、本発明の素子の第2の転写方法は、 [0011] The second method of transfer elements of the present invention,
素子を形成するための素子形成基板上に、一定条件を付与されると結合力が弱まる分離層を形成する工程と、上記分離層上に素子を含む素子形成層を形成する工程と、 Forming on the element forming substrate for forming an element, a step of forming a separation layer bonding force is weakened to be granted a certain condition, the element formation layer including an element in the separation layer,
上記素子形成層上に樹脂を塗布し、これを硬化して転写基板を形成する工程と、上記分離層の結合力を弱めて上記素子形成層から上記素子形成基板を剥離し、上記素子形成層を上記転写基板側に移動する工程と、を含む。 The resin is applied to the element formation layer, forming a transfer substrate and curing it, weaken the binding force of the separation layer is peeled off the element formation substrate from the element forming layer, the element formation layer the and a step of moving to the transfer substrate side. 【0012】かかる構成とすることによっても、転写基板と素子形成基板とが接合し、両者間に接着層を含まないので、半導体装置の厚さを薄く形成することが可能となる。 [0012] Also by such a configuration, the transfer substrate and the element forming substrate is bonded, does not include an adhesive layer therebetween, I am possible to thin the thickness of the semiconductor device. この場合、より少ない工程で素子形成層を転写することが可能となる。 In this case, it is possible to transfer the device forming layer with fewer steps. 【0013】本発明では、更に、上記素子形成層にコンタクトホールを開口して配線層または電極層を形成する工程と、を含むことにより、反転された素子形成層に素子及び配線・電極などを含めることが可能である。 In the present invention, further, by including a step of forming a wiring layer or an electrode layer and a contact hole in the element forming layer, the element in the element formation layer which has been inverted and the wiring electrode or the like it is possible to include. 【0014】なお、本発明において、「素子」とは、T [0014] In the present invention, an "element" is, T
FT、ダイオード、抵抗、インダクタ、キャパシタ、その他能動素子・受動素子を問わない単体の素子を含み、 Wherein FT, diodes, resistors, inductors, capacitors, a single element agnostic other active elements, passive elements,
その構成や、形状、大きさに限定はない。 Its structure and shape, limited to a size no. 【0015】また本発明において「分離層」とは、好ましくは、上記分離層は、レーザ光線などの光の照射によって原子間または分子間の結合力が消失または減少し、 [0015] a "separation layer" in the present invention, preferably, the separation layer, bonding force between atoms or molecules by the irradiation of light is lost or reduced, such as a laser beam,
剥離(アブレーション)を生ずる剥離層であり、このような剥離を生ずる材料で構成されている。 Peeling a release layer produces (ablation), and a material which produces such a peeling. 【0016】好ましくは、上記分離層はアモルファスシリコン、窒化シリコン、及び金属からなる群から選ばれる1以上の材料であって、これらの組み合わせである多層膜であってもよい。 [0016] Preferably, the separating layer is amorphous silicon, be one or more materials selected from the group consisting of silicon nitride, and metal, may be a multi-layer film combinations thereof. それにより、分離層内での剥離、 Thereby, peeling at the separation layer,
分離層と隣接する層との境界での剥離を生じやすくする。 To facilitating separation at the boundary between the layer adjacent to the separating layer. 例えば、窒化シリコンは窒素を含み、光線が照射されると窒素が分離して分子同士の結合力が弱くなる。 For example, silicon nitride comprises nitrogen, bonding force between molecules is weakened by the light is irradiated nitrogen separated. 【0017】好ましくは、上記分離層はまたは水素を含む。 [0017] Preferably, the separating layer or a hydrogen. それにより、光線が照射されると水素が分離(ガス化)して、分子同士の結合力が弱くなる。 Thus, when light is irradiated hydrogen separation (gasification), bonding force between molecules is weakened. 【0018】好ましくは、上記接合層は液体溶解接着剤、例えば、水溶性接着剤であり、水洗によって溶出する。 [0018] Preferably, the adhesive layer is a liquid soluble adhesive, for example, a water-soluble adhesive is eluted by washing with water. 【0019】本発明は、前記素子の転写方法の各工程を含んでいる素子の製造方法でもある。 [0019] The present invention is also a method of manufacturing a device comprising the steps of transfer method of the element. さらに当該転写方法によって製造される集積回路でもある。 Furthermore there is also an integrated circuit produced by the transfer method. 【0020】ここで、本発明において「集積回路」とは、一定の機能を奏するように素子その他の配線が集積された回路をいう。 [0020] Here, the term "integrated circuit" in the present invention refers to a circuit element other wiring are integrated to achieve certain functions. 「集積回路」は、例えばイオン打ち込みや拡散、フォトエッチング等の化学的手法により複数の能動素子(薄膜トランジスタ等)や受動素子(抵抗、キャパシタ等)を同一の基板(本発明では最終的に転写基板となる)に形成した回路をいい、集積度によって小規模集積回路(NANDO回路やNOR回路等)、 "Integrated circuit" is, for example ion implantation or diffusion, chemical plurality of active elements by a method (such as a thin film transistor) or a passive element (resistor, capacitor, etc.), such as photoetching eventually transferred substrate with the same substrate (Invention refers to a circuit which is formed to become), small-scale integrated circuit by the degree of integration (NANDO circuit or a NOR circuit, and the like),
中規模集積回路(カウンタやレジスタ回路等)、大規模集積回路(メモリ、マイクロプロセッサ、DSP等)に分類できるものである。 Medium-scale integrated circuit (counter or a register circuit, etc.), those that can be classified as large-scale integrated circuit (memory, a microprocessor, DSP, etc.). 【0021】また本発明は、前記素子の転写方法によって製造される回路基板でもある。 [0021] The present invention is also a circuit board is manufactured by the transfer method of the element. 例えば、前記転写方法によって製造される、素子を二次元に配置された複数の画素電極に配置して構成される回路基板、例えばアクティブマトリクス基板でもある。 For example, the produced by transfer method, there circuit board constructed by arranging a plurality of pixel electrodes arranged elements in a two-dimensional, for example, even an active matrix substrate. 【0022】また本発明は、前記回路基板を備える電気光学装置でもある。 [0022] The present invention is also in the electro-optical device comprising the circuit board. 【0023】ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。 [0023] Here, the term "electro-optical device", of the light from the emitted or outside by electric action state refers to devices in general which includes an electro-optical element for changing the, from the outside as it emits light by itself It includes both controls the passage of light. 例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動素子、EL(エレクトロルミネッセンス)素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置等をいう。 For example, as an electro-optical device, a liquid crystal element, an electrophoretic element, EL (electroluminescence) device, an active matrix display device such as electrons generated by the application of an electric field having an electron-emitting device to emit light against the light emitting plate Say. もっとも、これ等の装置に限定されるものではない。 However, the invention is not limited to the apparatus of this like. 【0024】また本発明は、前記素子の転写方法によって製造される電子機器でもある。 [0024] The present invention is also an electronic device produced by the transfer method of the element. 【0025】ここで、「電子機器」とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。 [0025] Here, the term "electronic device" refers to devices generally exert a certain function by a combination of a plurality of elements or circuits, for example configured with an electro-optical device and a memory. その構成に特に限定が無いが、例えば、ICカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、DS Particularly there is no limitation to the configuration, for example, IC cards, mobile phones, video cameras, personal computers, head mounted display, a rear type or a front type projector, a facsimile machine having a display function, a digital camera finder, a portable TV , DS
P装置、PDA、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。 P devices, PDA, an electronic organizer, electronic bulletin board, includes an advertising display or the like. 【0026】 【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。 [0026] BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained with reference to the accompanying drawings preferred embodiments of the present invention. (第1の実施の形態)本発明の第1の実施の形態は、素子形成層を溶解可能な接合層を介して仮転写基板に接合し、仮転写基板に移動された素子形成層に樹脂を塗布して転写基板を形成し、接合した接合層を溶解して転写基板から仮転写基板を分離する、第1の素子の転写方法に関する。 First Embodiment (First Embodiment) The present invention, through a bonding layer capable of dissolving an element forming layer bonded to the temporary transfer substrate, a resin the moved element formation layer to the temporary transfer substrate was the transfer substrate is formed by coating, to dissolve the bonded bonding layer separating the temporary transfer substrate from the transfer substrate, a method for transferring the first element. すなわち、転写後に最終基板となる転写基板を形成してから一次的に転写していた基板等を除去する方法に関するものである。 That is, to a method of removing the substrate or the like which has been transferred temporarily from forming a transfer substrate as a final substrate after transfer. 【0027】図1(a)乃至同図(e)は、本発明の第1の実施の形態に係る素子の製造過程(工程)を示している。 [0027] FIGS. 1 (a) to FIG. (E) shows a process of manufacturing devices according to the first embodiment of the present invention (step). 【0028】まず、図1(a)に示すように、例えば、 First, as shown in FIG. 1 (a), for example,
1000℃程度に耐える石英ガラスなどの透光性耐熱基板1を素子形成基板とする。 Translucent heat the substrate 1 such as quartz glass to withstand about 1000 ° C. and the element formation substrate. 【0029】ここで素子形成基板1は、光が透過し得る透光性を有するものであるのが好ましい。 [0029] Here, the element forming substrate 1 is preferably one having translucency which light can transmit. これにより当該基板を介して剥離層に光を照射することができ、剥離層を光照射によって迅速かつ正確に剥離させることができる。 Thus it is possible to irradiate light to the peeling layer through the substrate, it is possible to quickly and accurately releasing the release layer by light irradiation. この場合、光の透過率は10%以上であるのが好ましく、50%以上であるのがより好ましい。 In this case, it is preferable transmittance of light is 10% or more, more preferably 50% or more. この透過率が高い程光の減衰(ロス)がより少なくなり、剥離層2を剥離するのにより小さな光量で済むからである。 Light attenuation as the transmittance is high (loss) is less, it is dealt with in a small amount by peeling off the release layer 2. 【0030】また、当該基板1は、信頼性の高い材料で構成されているのが好ましく、特に、耐熱性に優れた材料で構成されているのが好ましい。 Further, the substrate 1 is preferably is composed of a highly reliable material, particularly preferably composed of a material excellent in heat resistance. その理由は、例えば後述する素子形成層や中間層を形成する際に、その種類や形成方法によってはプロセス温度が高くなる(例えば350〜1000℃程度)ことがあるが、その場合でも、素子形成基板1が耐熱性に優れていれば、当該基板1上への素子形成層等の形成に際し、その温度条件等の成膜条件の設定の幅が広がるからである。 The reason is, for example, when forming the element forming layer and the intermediate layer described later, the type and process temperature by the forming method is high (for example, about 350 to 1000 ° C.) it is, but even then, the element formation if the substrate 1 is long as excellent heat resistance, upon formation of the element forming layer and the like to the substrate 1, because the width of the setting of the film formation conditions such as the temperature is increased. これにより素子形成基板上に多数の素子や回路を製造する際、所望の高温処理が可能となり、信頼性が高く高性能の素子や回路を製造することができる。 Thus when manufacturing a large number of elements and circuits in an element forming substrate, it is possible to a desired high temperature treatment, it is possible to reliable high manufacturing a high-performance elements and circuits. 【0031】従って、素子形成基板1は、素子形成層2 [0031] Thus, the element forming substrate 1, the element formation layer 2
の形成の際の最高温度をTmaxとしたとき、歪点がTmax The maximum temperature when the Tmax during the formation, the strain point is Tmax
以上の材料で構成されているものが好ましい。 Preferably those which are composed of more than one material. 具体的には、素子形成基板1の構成材料は、歪点が350℃以上のものが好ましく、500℃以上のものがより好ましい。 Specifically, the material of the element forming substrate 1 is preferably not less than 350 ° C. strain point, more preferably not less than 500 ° C.. このようなものとしては、例えば、石英ガラス、コーニング7059、日本電気ガラスOA−2等の耐熱性ガラスが挙げられる。 These include, for example, quartz glass, Corning 7059, and a heat-resistant glass NEC such as glass OA-2. 【0032】また、素子形成基板1の厚さは、特に限定されないが、通常は、0.1〜5.0mm程度であるのが好ましく、0.5〜1.5mm程度であるのがより好ましい。 Further, the thickness of the element forming substrate 1 is not particularly limited, usually, it is preferably about 0.1 to 5.0 mm, more preferably about 0.5~1.5mm . 当該基板1の厚さがより厚ければより強度が上昇し、より薄ければ当該基板1の透過率が低い場合に、 If the thickness of the substrate 1 is more thicker stronger rises, if the transmittance of the substrate 1 is low if more thin,
光の減衰をより生じにくくなるからである。 This is because less likely to occur attenuation of light. なお、素子形成基板1の光の透過率が高い場合には、その厚さは、 Note that when the light transmittance of the element forming substrate 1 is high, the thickness thereof,
前記上限値を超えるものであってもよい。 Or it may be greater than the upper limit. 【0033】なお、光を均一に照射できるように、素子形成基板1の厚さは、均一であるのが好ましい。 [0033] As the light can be uniformly irradiated, the thickness of the element forming substrate 1 is preferably uniform. 【0034】このように素子形成基板には数々の条件があるが、繰り返し利用することが可能であるため、比較的高価な材料を用いても繰り返し使用によって製造コストの上昇を少なくすることが可能である。 [0034] This way the element formation substrate has a number of conditions, since it is possible to repeatedly use, can be reduced to increase the production cost by also repeated use with relatively expensive material it is. 【0035】すなわち、素子形成基板は最終製品の一部となるものではないため、最終製品における強度や厚み、重量、コストの制限を受けることなく、素子形成に適したものを選択することができるのである。 [0035] That is, since the element forming substrate does not become part of the final product, the strength and thickness in the final product, by weight, without being cost limitations, it is possible to select those suitable for device formation than is. 【0036】剥離層2は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離(「層内剥離」または「界面剥離」ともいう)を生ずるような材料を選択する。 The release layer 2, to select a material that produces a peeling in the layer or surface by irradiation light such as a laser beam (also referred to as "intralayer delamination" or "interfacial separation"). すなわち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子または分子における原子間または分子間の結合力が消失しまたは減少し、アブレーション(ablat That is, by irradiating light of constant intensity, bonding force between atoms or molecules in the atoms or molecules constituting the constituents is or reduced loss, ablation (Ablat
ion)等を生じ、剥離を起こすものである。 Cause ion), etc., it is intended to cause peeling. また、照射光の照射により、剥離層2から気体が放出され、分離に至る場合もある。 Moreover, by the irradiation of the irradiation light, gas is released from the release layer 2, in some cases leading to separation. 剥離層2に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層2が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。 And if the components contained in the release layer 2 reaches the separation is released as a gas, it becomes the gas separation layer 2 absorbs the light, and a case where the vapor reaches the separation is released. 【0037】このような剥離層2の組成としては、例えば、次のA〜Eに記載されるものが挙げられる。 [0037] The composition of such a release layer 2, for example, those described in the following A-E. A. A. アモルファスシリコン(a−Si) このアモルファスシリコン中には、水素(H)が含有されていてもよい。 The amorphous silicon (a-Si) This amorphous silicon, hydrogen (H) may be contained. この場合、Hの含有量は、2原子%以上程度であるのが好ましく、2〜20原子%程度であるのがより好ましい。 In this case, the content of H is preferably of the order 2 atomic% or more, more preferably about 2 to 20 atomic%. このように、水素(H)が所定量含有されていると、光の照射によって水素が放出され、剥離層2に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。 Thus, the hydrogen (H) are predetermined amount of hydrogen is released by light irradiation, peeling layer 2 internal pressure is generated, the it to peel off the top and bottom of the thin film force. アモルファスシリコン中の水素(H)の含有量は、成膜条件、例えばCVDにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、投入パワー等の条件を適宜設定することにより調整することができる。 The content of hydrogen in amorphous silicon (H) is adjusted deposition conditions, for example, the gas composition in CVD, gas pressure, gas atmosphere, gas flow rate, temperature, substrate temperature, by appropriately setting the conditions such as input power be able to. アモルファスシリコンは光吸収性がよく、また、 Amorphous silicon light absorption is good, also,
成膜も容易であり実用性が高い。 Deposition even higher easy and practical. したがって、剥離層をアモルファスシリコンで構成することによって、光照射により正確に剥離を生じる剥離層を安価に形成することができる。 Thus, the release layer by forming an amorphous silicon, can be formed inexpensively peeling layer that causes accurately peeled by light irradiation. B. B. 酸化ケイ素またはケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物、酸化ジルコニウムまたはジルコン酸化合物、酸化ランタンまたはランタン酸化化合物等の各種酸化物セラミックス、透電体(強誘電体)あるいは半導体酸化ケイ素としては、SiO、SiO 、Si 3が挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えばK Si Silicon oxide or silicate compounds, titanium oxide or titanate compound, zirconium oxide or zirconate compound, various oxide ceramics such as lanthanum oxide or lanthanum oxide compound, Torudentai (ferroelectric) or as a semiconductor silicon oxide, SiO , SiO 2, Si 3 O 2, and examples of silicate compounds, e.g., K 2 Si
3 、Li SiO 3 、CaSiO 3 、ZrSiO 4 、Na O 3, Li 2 SiO 3, CaSiO 3, ZrSiO 4, Na
SiO 3が挙げられる。 2 SiO 3, and the like. 【0038】酸化チタンとしては、TiO、Ti [0038] Examples of the titanium oxide, TiO, Ti
3 、TiO が挙げられ、チタン酸化合物としては、例えば、BaTiO 4 、BaTiO 3 、Ba Ti 9 2 O 3, TiO 2, and examples of titanate compounds, for example, BaTiO 4, BaTiO 3, Ba 2 Ti 9
20 、BaTi 5 、CaTiO 3 、SrTiO 3 、P O 20, BaTi 5 O 2, CaTiO 3, SrTiO 3, P
bTiO 3 、MgTiO 3 、ZrTiO bTiO 3, MgTiO 3, ZrTiO 、SnTi 2, SnTi
4 、Al TiO 5 、FeTiO 3が挙げられる。 O 4, Al is 2 TiO 5, FeTiO 3 and the like. 【0039】酸化ジルコニウムとしては、ZrO が挙げられ、ジルコン酸化合物としては、例えばBaZrO Examples of the zirconium oxide, ZrO 2, and examples of zirconate compound, such as BaZrO
3 、ZrSiO 4 、PbZrO 3 、MgZrO 3 、K Zr 3, ZrSiO 4, PbZrO 3, MgZrO 3, K 2 Zr
3が挙げられる。 O 3, and the like. 【0040】また窒素を含有するシリコンで構成することは好ましい。 [0040] Also be composed of a silicon containing nitrogen is preferred. 剥離層に窒素含有シリコンを用いた場合、光の照射に伴い窒素が放出され、これによって剥離層における剥離が促進されるからである。 When using a nitrogen-containing silicon separation layer, nitrogen with the irradiation of light is emitted, whereby because peeling is promoted in the release layer. C. C. PZT、PLZT、PLLZT、PBZT等のセラミックスあるいは誘電体(強誘電体) D. PZT, PLZT, PLLZT, ceramic or dielectric material such as PBZT (ferroelectric) D. 窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックスE. Silicon nitride, aluminum nitride, nitrides such as titanium nitride ceramics E. 有機高分子材料有機高分子材料としては、−CH As the organic polymer material organic polymeric materials, -CH
−、−CO−(ケトン)、−CONH−(アミド)、− -, - CO- (ketone), - CONH- (amide), -
NH−(イミド)、−COO−(エステル)、−N=N NH- (imide), - COO- (ester), - N = N
−(アゾ)、−CH=N−(シフ)等の結合(光の照射によりこれらの結合が切断される)を有するもの、特に、これらの結合を多く有するものであればいかなるものでもよい。 - (azo), - CH = N-having a (shift) bond such as (these bonds are cleaved by irradiation of light), in particular, may be any as long as it has many of these bonds. また、有機高分子材料は、構成式中に芳香族炭化水素(1または2以上のベンゼン環またはその縮合環)を有するものであってもよい。 The organic polymeric material may have aromatic hydrocarbon (one or more benzene rings or condensed rings) during configuration type. 【0041】このような有機高分子材料の具体例としては、ポリエチレン,ポリプロピレンのようなポリオレフィン,ポリイミド,ポリアミド,ポリエステル,ポリメチルメタクリレート(PMMA),ポリフェニレンサルファイド(PPS),ポリエーテルスルホン(PE [0041] Specific examples of such organic polymeric materials include polyethylene, polyolefin such as polypropylene, polyimide, polyamide, polyester, polymethylmethacrylate (PMMA), polyphenylene sulfide (PPS), polyether sulfone (PE
S),エポキシ樹脂等が挙げられる。 S), and epoxy resins. F. F. 金属金属としては、例えば、Al,Li,Ti,Mn,I The metal metal, for example, Al, Li, Ti, Mn, I
n,Sn,Y,La,Ce,Nd,Pr,Gd,Smまたはこれらのうちの少なくとも1種を含む合金が挙げられる。 n, Sn, Y, La, Ce, Nd, Pr, Gd, include alloys containing Sm or at least one of these. 【0042】その他、剥離層を水素含有合金で構成することもできる。 [0042] Other, it is also possible to configure the release layer with a hydrogen-containing alloy. 剥離層に水素含有合金を用いた場合、光の照射に伴い水素が放出され、これによって剥離層における剥離が促進されるからである。 When using a hydrogen-containing alloy in the release layer, the hydrogen with the irradiation of light is emitted, whereby because peeling is promoted in the release layer. 【0043】また、剥離層を窒素含有合金で構成することもできる。 [0043] It is also possible to configure the release layer in a nitrogen-containing alloy. 剥離層に窒素含有合金を用いた場合、光の照射に伴い窒素が放出され、これによって剥離層における剥離が促進されるからである。 When using a nitrogen-containing alloy in the release layer, nitrogen with the irradiation of light is emitted, whereby because peeling is promoted in the release layer. 【0044】さらに、剥離層を多層膜からなるものとすることもできる。 [0044] Further, it is also possible to made a release layer of a multilayer film. 多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成された金属膜とからなるものとすることができる。 Multilayer film may be, for example, those made of amorphous silicon film and a metal film formed thereon. 多層膜の材料として、上記したセラミックス,金属,有機高分子材料の少なくとも一種から構成することもできる。 As the material of the multilayer film may be composed of at least one of the above-mentioned ceramics, metals, organic polymeric materials. このように剥離層を多層膜または異種材料の組み合わせによる膜として構成すれば、アモルファスシリコンの場合と同様に、光の照射に伴う水素ガスや窒素ガスの放出によって、分離層における剥離が促進される。 By configuring in this way a release layer as a film by a combination of the multilayer film or dissimilar materials, as in the case of amorphous silicon, by the release of hydrogen gas or nitrogen gas due to irradiation with light, exfoliation in the separation layer is promoted . 【0045】剥離層2の厚さは、剥離目的や剥離層2の組成、層構成、形成方法等の諸条件により異なるが、通常は、1nm〜20μm程度であるのが好ましく、10 The thickness of the release layer 2, the composition of the release object and release layer 2, the layer configuration may vary depending on various conditions such as forming method, usually, is preferably about 1Nm~20myuemu, 10
nm〜2μm程度であるのがより好ましく、40nm〜 More preferably in the range of about nm~2μm, 40nm~
1μm程度であるのがさらに好ましい。 More preferably in the range of about 1 [mu] m. 剥離層2の膜厚がより大きい程より成膜の均一性を保て剥離にムラを生じにくくなる一方、膜厚がより薄い程剥離層2の良好な剥離性を確保するための光のパワー(光量)が小さくて済むとともに、後に剥離層2を除去する際にその作業にかかる時間がより少なくなるからである。 While the thickness of the release layer 2 is less likely to occur unevenness in exfoliation maintain uniformity of deposition from the extent greater than the power of light to ensure good release properties of the release layer 2 thickness as thinner together requires only a (light amount) is small, the time for the work in removing the separation layer 2 later because fewer. なお、剥離層2の膜厚は、できるだけ均一であるのが好ましい。 The thickness of the peeling layer 2 is preferably as uniform as possible. 【0046】剥離層2の形成方法は、均一な厚みで剥離層2を形成可能な方法であればよく、特に限定されず、 The method of forming the release layer 2 may be any formable way the separation layer 2 with a uniform thickness is not particularly limited,
膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。 It is appropriately selected according to conditions of the film composition and film thickness and the like. たとえば、CVD(MOCVD、低圧CVD、ECR−CV For example, CVD (MOCVD, low pressure CVD, ECR-CV
Dを含む)、蒸着、分子線蒸着(MB)、スパッタリング、イオンプレーティング、PVD等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ(ディッピング)、無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット(LB)法、スピンコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの2以上を組み合わせて形成することもできる。 Including D), vapor deposition, molecular beam deposition (MB), sputtering, ion plating, various vapor phase film forming method such as PVD, electroplating, immersion plating (dipping), various plating methods such as electroless plating, Langmuir Blodgett (LB) method, spin coating, spray coating, a coating method such as roll coating, various printing methods, transfer methods, inkjet coating, powder jet method, etc., to form a combination of two or more of these it is also possible. 【0047】例えば、剥離層2の組成がアモルファスシリコン(a−Si)の場合には、CVD、特に低圧CV [0047] For example, when the composition of the release layer 2 is amorphous silicon (a-Si), CVD, particularly low pressure CV
DやプラズマCVDにより成膜するのが好ましい。 Preferably formed by a D or plasma CVD. 【0048】また、剥離層2をゾル−ゲル法によるセラミックスで構成する場合や、有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特に、スピンコートにより成膜するのが好ましい。 [0048] Further, a peeling layer 2 sol - and if composed of ceramics by gel method, when composed of an organic polymeric material, a coating method, in particular, preferably formed by spin coating. 【0049】なお、図1(a)には示されないが、素子形成基板1と剥離層2の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板1と剥離層2の間に設けても良い。 [0049] Although not shown in FIG. 1 (a), depending on the nature of the element forming substrate 1 and the release layer 2, an intermediate layer for the purpose of improvement of both adhesion to the substrate 1 peeling layer 2 it may be provided between the. この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行(マイグレーション)を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。 The intermediate layer may, for example during manufacture or physically transferred layer at the time of use or chemically protective layer for protecting the insulating layer and prevents migration of components from or the transfer layer to the transfer layer (migration) barrier layer is intended to exert at least one of the functions as a reflecting layer. 【0050】この中間層の組成は、その目的に応じて適宜選択されえる。 The composition of the intermediate layer may be appropriately selected depending on the purpose. 例えば、非晶質シリコンで構成された剥離層と被転写層との間に形成される中間層の場合には、SiO2等の酸化珪素が挙げられる。 For example, in the case of an intermediate layer formed between the release layer and the transfer layer composed of amorphous silicon include silicon oxide such as SiO2. また、他の中間層の組成としては、例えば、Pt、Au、W,Ta, As the composition of other intermediate layers, for example, Pt, Au, W, Ta,
Mo,Al,Cr,Tiまたはこれらを主成分とする合金のような金属が挙げられる。 Mo, Al, Cr, and metal such as the Ti or them as a main component alloy. 【0051】中間層の厚みは、その形成目的に応じて適宜決定される。 The intermediate layer thickness is appropriately determined according to the formation purposes. 通常は、10nm〜5μm程度であるのが好ましく、40nm〜1μm程度であるのがより好ましい。 Normally, is preferably about 10 nm to 5 [mu] m, more preferably about 40Nm~1myuemu. 中間層の膜厚がより大きい程より成膜の均一性を保て密着性にムラを生じにくくなる一方、膜厚がより薄い程剥離層にまで透過すべき光の減衰がより少なくなるからである。 By While the thickness of the intermediate layer is less likely to occur unevenness in adhesion maintain the uniformity of deposition from the degree larger, since light attenuation to be permeated up to the release layer thickness is more thinner it becomes less is there. 【0052】中間層の形成方法としては、剥離層2で説明した各種の方法が適用可能である。 [0052] As a method for forming the intermediate layer, various methods described in the release layer 2 can be applied. 中間層は、一層で形成する他、同一または異なる組成を有する複数の材料を用いて二層以上形成することもできる。 Intermediate layer may be not formed even in, it can be formed two or more layers using a plurality of materials having the same or different composition. 【0053】次に、この剥離層2の上に、素子を含む素子形成層3を形成する。 Next, on this peeling layer 2, an element forming layer 3 including the element. 素子形成層3には、TFTその他の能動素子や受動素子、またはそれらの組み合わせからなる回路が含まれる。 The element formation layer 3 includes circuit comprising a TFT other active elements and passive elements or combinations thereof. すなわち素子形成層3に形成されるものは、個々の素子であったり集積回路等の独立した機能を有するチップであったり、さらに両者の中間の独立した機能は奏しないが他の素子や回路と組み合わせることにより独立して機能する回路の部分であったりする。 That those formed in the element forming layer 3, and the or a chip with independent functions such as an integrated circuit or a particular element, but more intermediate independent functions of both otherwise the other elements and circuits or a part of the circuit which functions independently by combining. したがってその構造やサイズに限定はない。 Therefore limited to the structure and size is not. 【0054】特に、本発明においては、素子形成層3に複数の薄膜素子で構成される集積回路を形成することは好ましい。 [0054] Particularly, in the present invention, it is preferable to form a formed integrated circuit element forming layer 3 of a plurality of thin film elements. 薄膜素子の製造にはある程度の高温プロセスが要求され、薄膜素子を形成する基材は素子形成基板1 The production of thin film devices is required a certain high temperature processes, the substrate for forming a thin film element is the element forming substrate 1
のように種々の条件を満たす必要がある。 It needs various satisfy as. 一方で製品化する最終的な転写基板は例えば可撓性を有するフレキシブル基板であることが考えられる。 On the other hand the final transfer substrate to commercialize the considered to be a flexible substrate having, for example flexibility. このように薄膜素子の製造では、最終基板に求められる要件と薄膜素子を製造する基板に求められる条件が相反する可能性があるが、本発明の素子の転写方法を適用すれば、製造条件を満たす基板で薄膜素子を製造してから、この製造条件を満たさない転写基板に薄膜素子を転写することが可能である。 In the production of such a thin film device, but the conditions required for the substrate to produce a requirements and thin film elements required for the final substrate might conflict, by applying the transfer method of the element of the present invention, the manufacturing conditions after producing a thin film element in the substrate to meet, it is possible to transfer the thin film device to the transfer substrate that does not meet this manufacturing conditions. 【0055】このような薄膜素子の例として、TFTの他に、例えば、薄膜ダイオードや、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子(光センサ、太陽電池)やシリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極(例:ITO、メサ膜のような透明電極)、スイッチング素子、メモリ、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー(ピエゾ薄膜セラミックス)、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、抵抗、キャパシタ、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等がある。 [0055] Examples of such thin-film devices, in addition to the TFT, for example, a thin film diode or a photoelectric conversion element comprising a PIN junction of silicon (photosensors, solar cells), silicon resistor element, other thin film semiconductor devices, electrodes (eg: ITO, transparent electrodes such as mesa films), switching element, memory, actuators such as a piezoelectric element, a micro mirror (piezo thin film ceramics), magnetic recording thin film head, coils, inductors, resistors, capacitors, thin film high磁材 fees and micro magnetic devices a combination thereof, filter, reflection films, a dichroic mirror or the like. 【0056】さて本実施の形態では、素子形成層3に薄膜トランジスタを含めて形成するものとする。 [0056] Now the present embodiment, it is assumed to form, including a thin film transistor in the element formation layer 3. すなわち、素子形成層3は、図1(a)に示すように、シリコン酸化膜等の絶縁層31、不純物がドープされたソース・ドレイン領域を含むシリコン層32、ゲート絶縁膜3 That is, the element forming layer 3, Figure 1 (a), the insulating layer 31 such as a silicon oxide film, a silicon layer 32 including source and drain regions doped with impurities, a gate insulating film 3
3、ゲート配線膜34、層間絶縁膜35、ソース・ドレインの配線膜36等によって構成される薄膜トランジスタTを備えている。 3, the gate wiring film 34, the interlayer insulating film 35, a thin film transistor T constituted by a wiring layer 36 such as the source and drain. 【0057】図3に、素子形成層3の製造方法として、 [0057] Figure 3, as a manufacturing method of the element formation layer 3,
当該薄膜トランジスタTの製造方法を例示する。 Illustrating a method for manufacturing the thin film transistor T. 【0058】まず、図3(a)に示すように、素子形成基板1上にSiO 膜を堆積させて下地層である絶縁層31を形成する。 [0058] First, as shown in FIG. 3 (a), an insulating layer 31 as an underlying layer by depositing a SiO 2 film on the element forming substrate 1. SiO 膜の形成方法としては、公知の方法、例えば、プラズマ化学気相堆積法(PECVD As a method for forming the SiO 2 film, a known method, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD
法)や低圧化学気相堆積法(LPCVD法)、スパッタリング法等の気相堆積法が挙げられる。 Law) and low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method, vapor deposition method and the like of the sputtering method or the like. 例えば、PEC For example, PEC
VD法を利用することにより厚さ1μmの絶縁層31を形成する。 Forming an insulating layer 31 having a thickness of 1μm by using the VD method. 次いで公知の方法、例えばLPCVD法を適用してシリコン層32を形成する。 Known method and then, for example, by applying the LPCVD method to form a silicon layer 32. このシリコン層32 The silicon layer 32
をパターニングして、薄膜トランジスタの半導体領域の形状に形成する。 It is patterned to form the shape of the semiconductor region of the thin film transistor. 【0059】次に、図3(b)に示すように、SiO Next, as shown in FIG. 3 (b), SiO 2
等のゲート絶縁膜33を所定の製造方法、例えば電子サイクロトロン共鳴PECVD法(ECR−CVD法)、 Predetermined method for producing a gate insulating film 33 and the like, such as electron cyclotron resonance PECVD method (ECR-CVD method),
平行平板PECVD法、またはLPCVD法にて形成する。 It is formed by a parallel plate PECVD method, or an LPCVD method. 【0060】次に、図3(c)に示すように、所定のゲート用金属、例えばタンタルまたはアルミニウムの金属薄膜をスパッタリング法により形成した後、パターニングすることによって、ゲート配線膜34を形成する。 Next, as shown in FIG. 3 (c), it was formed by sputtering a metal for a given gate, for example, a metal thin film of tantalum or aluminum, by patterning, to form the gate wiring film 34. そしてこのゲート配線膜34をマスクとして、ドナーまたはアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、パターニングされたシリコン層32にソース/ドレイン領域とチャネル領域を、ゲート配線膜34に対して自己整合的に作製する。 And the gate wiring film 34 as a mask, implanting impurity ions of a donor or acceptor, a patterned source / drain region and the channel region in the silicon layer 32 was, to produce a self-aligned manner with respect to the gate wiring film 34. 例えば、NMOSトランジスタを作製するためには、不純物元素としてリン(P)を所定の濃度、 For example, to make the NMOS transistors, a predetermined concentration of phosphorus (P) as the impurity element,
例えば1×10 For example, 1 × 10 16 cm −2の濃度でソース/ドレイン領域に打ち込む。 Implanting the source / drain regions at a concentration of 16 cm -2. その後、適当なエネルギーの印加、例えばXeClエキシマレーザを照射エネルギー密度20 Thereafter, the application of suitable energy, for example, irradiating a XeCl excimer laser energy density 20
0から400mJ/cm 程度で照射するか、250℃ 0 or irradiated with 400 mJ / cm 2 about, 250 ° C.
から450℃程度の温度で熱処理することにより、不純物元素の活性化を行う。 By heat treatment at a temperature of about 450 ° C. from to activate the impurity elements. 【0061】次に、図3(d)に示すように、ゲート絶縁膜33およびゲート配線膜34の上面に、所定の方法、例えばPECVD法により約500nmのSiO Next, FIG. 3 (d), the gate insulating film 33 and the upper surface of the gate wiring film 34, a predetermined method, for example, SiO 2 of about 500nm by PECVD
等で層間絶縁膜35を形成する。 Forming an interlayer insulating film 35 in such. 次に、ソース/ドレイン領域に至るコンタクトホールを絶縁膜33および35 Next, the insulating contact holes reaching the source / drain region film 33 and 35
に設けて、これらコンタクトホールおよびコンタクトホールの周縁部に、所定の方法、例えばスパッタリング法でアルミニウム等を堆積して配線膜36を形成してパターニングする。 To be provided, on the periphery of the contact hole and the contact hole, a predetermined method, by depositing aluminum or the like is patterned to form a wiring film 36 by sputtering, for example. 【0062】以上の工程で素子形成層3に薄膜トランジスタTを形成可能であるが、このような素子の形成方法は、公知の技術を適用して種々に適応可能である。 [0062] The above is susceptible thin film transistor T in the element forming layer 3 in the process, such a method of forming element is adaptable to a variety by applying known techniques. 【0063】なお、剥離層2に接して設けられる下地層である絶縁層31として、SiO 膜を使用しているが、Si 34などのその他の絶縁膜を使用することもできる。 [0063] Incidentally, as the insulating layer 31 as an underlying layer provided in contact with the release layer 2, the use of the SiO 2 film, it is also possible to use other insulating film such as Si 3 N 4. この絶縁層31の厚みは、その形成目的や発揮し得る機能の程度に応じて適宜決定されるが、通常は、1 The thickness of the insulating layer 31 is appropriately determined in accordance with the degree of its formation purpose and exhibit and can function normally, 1
0nm〜5μm程度であるのが好ましく、40nm〜1 But it is preferably in the range of about 0nm~5μm, 40nm~1
μm程度であるのがより好ましい。 More preferably in the range of about μm. この絶縁層31は、 The insulating layer 31 is,
種々の目的で形成され、例えば、前記中間層としての役割を果たすようにして形成することもできる。 Is formed for various purposes, for example, it may be formed by to serve as the intermediate layer. すなわち、素子形成層3に形成される素子を物理的または化学的に保護する保護層,絶縁層,導電層,レーザ光の遮光層,マイグレーション防止用のバリア層,反射層としての機能の内の少なくとも1つの機能を発揮するように、 That is, the protective layer for protecting the device formed in the element forming layer 3 physically or chemically, insulating layer, conductive layer, the light-shielding layer of the laser light, a barrier layer for preventing migration, of the function of the reflective layer to exert at least one function,
絶縁層を形成することもできる。 It is also possible to form an insulating layer. 【0064】なお、剥離層を分離した後でも素子形成層が分解したり性能が落ちたりするような悪影響が内場合には、このような絶縁層31を形成せず、剥離層2上に直接素子を形成してもよい。 [0064] When the inner adverse effects, such as any element forming layer after separation of the release layer or fallen disassemble performance does not form such an insulating layer 31, directly on the release layer 2 it may be formed in the element. 【0065】次に、図1(b)に示すように、素子形成層3の上に溶解性接着剤、例えば、水溶性の接着剤を塗布し、接着膜4を形成する。 Next, as shown in FIG. 1 (b), soluble adhesive on the element forming layer 3, for example, by applying a water-soluble adhesive to form the adhesive layer 4. 【0066】接着膜4の接着剤としては、液体溶解性接着剤が挙げられ、特に水溶性接着剤が好適である。 [0066] As the adhesive of the adhesive layer 4, it includes liquid melt adhesives, in particular water-soluble adhesive is preferred. このような接着剤の好適な例としては、水、アルコール、アセトン、酢酸エチル、トルエン等のいずれかの溶剤で比較的容易に溶解され、接着物を剥離できるような接着剤から適宜選択して使用することができ、例えばポリビニルアルコール系、水性ビニルウレタン系、アクリル系、 Suitable examples of such adhesives, water, alcohols, acetone, ethyl acetate, are relatively easily dissolved in either a solvent such as toluene, suitably selected and the bond substance from the adhesive such as can be peeled can be used, for example, polyvinyl alcohol, an aqueous vinyl urethane, acrylic,
ポリビニルピロリドン、アルファオレフィン、マレイン酸系、光硬化型接着剤等の水溶性接着剤、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤等の多くの有機溶媒可溶性接着剤を挙げることができる。 Polyvinylpyrrolidone, alpha-olefin, maleic acid, a water-soluble adhesive such as photo-curing adhesive, an acrylic adhesive, an epoxy adhesive, may include many of the organic solvent-soluble adhesive such as silicone adhesive . 【0067】本実施の形態において、接着膜4を形成するための接着剤は、素子形成層3にのみ、仮転写基板5 [0067] In this embodiment, the adhesive for forming the adhesive layer 4, only the element forming layer 3, the temporary transfer substrate 5
にのみ、またはこれら双方に塗布される。 Only, or applied to both. 【0068】この接着膜の生成方法としては、スピンコート法、後述するインクジェット方式の薄膜形成装置を用いたインクジェットコーティング法、印刷法等の方法を用いて行うことができる。 [0068] As a method of generating of the adhesive film, spin coating may be performed using an inkjet coating method using a thin film forming apparatus of an ink jet type to be described later, a method of printing method. 【0069】次に、この上に、仮転写用基板5を載置し、素子形成基板1(の素子形成層3)と仮転写基板5 Next, on this, by placing the temporary transfer substrate 5, the element forming substrate 1 (element formation layer 3) and the temporary transfer substrate 5
とを張り合わせる。 Laminating the door. 仮転写基板5としては、例えば、既述したガラス基板を使用することが可能である。 The temporary transfer substrate 5, for example, it is possible to use a glass substrate already described. 【0070】次に、図1(c)に示すように、第1の基板側1から、例えば、レーザ光を全面に照射する。 Next, as shown in FIG. 1 (c), from the first substrate side 1, for example, irradiating a laser beam on the entire surface. これにより、剥離層2にアブレーションを生じさせ、また、 Thus, cause ablation in the peeling layer 2, also,
剥離層2に含まれているガスを放出させ、さらには照射直後に溶融、蒸散等の相変化を生じさせ、素子形成基板側1と素子形成層3とを剥離する。 The gas contained in the peeling layer 2 was released, more melt immediately after irradiation causes a phase change of transpiration etc., peeling the element formation substrate 1 and the element formation layer 3. これにより、素子形成層3は仮転写基板5に転写される。 Thus, the element formation layer 3 is transferred to the temporary transfer substrate 5. 【0071】ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料(剥離層2の構成材料)が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層2 [0071] Here, the ablation fixing material which has absorbed the irradiated light (the constituent material of the release layer 2) is photochemically or thermally excited, the binding of the surface or inside of the atoms or molecules are cleaved released It refers to that, mainly, the release layer 2
の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散(気化)等の相変化を生じる現象として現れる。 All or part of the constituent material melting, appears as a phenomenon causing a phase change such as transpiration (vaporization). また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。 Moreover, it is fine foam state by the phase change, sometimes binding force decreases. 【0072】剥離層2が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層2の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の1つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。 [0072] or the separation layer 2 occurs within the stripping layer, or cause interfacial separation, or are either both composition and the release layer 2, depends on various other factors, as one of its factors, type of irradiation light being a wavelength, intensity, and a condition such as penetration depth. 【0073】照射する光としては、剥離層2に層内剥離および/または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、X線、紫外線、可視光、赤外線(熱線)、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線(α線、β線、γ線)等が挙げられる。 [0073] As the irradiation light, if the release layer 2 intended to cause intralayer delamination and / or interfacial separation may be any, for example, X-rays, ultraviolet rays, visible light, infrared rays (heat rays), laser beam , millimeter waves, microwaves, electron beam, radiation (alpha rays, beta rays, gamma rays) and the like. 【0074】そのなかでも、剥離層2の剥離(アブレーション)を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点で、レーザー光が好ましい。 [0074] Of these, easily causing peeling of the release layer 2 (ablation), and in that it is possible to the local irradiation with high accuracy, a laser beam is preferable. レーザー光はコヒーレント光であり、素子形成基板1を介して剥離層に高出力パルス光を照射して高精度で所望部分に剥離を生じさせるのに好適である。 Laser light is coherent light, is suitable to cause the release to a desired part irradiating the high accuracy high output pulsed light peeling layer through the element formation substrate 1. したがって、レーザー光の使用によって、容易にかつ確実に素子形成層3を剥離させることができる。 Therefore, the use of laser light, easily and reliably can be peeled off element forming layer 3. 【0075】このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ(半導体レーザ)等が挙げられるが、エキシマレーザ、Nd−YAGレーザ、Arレーザ、CO レーザ、COレーザ、He−N [0075] The laser device for generating the laser beam, various gas lasers, solid-state laser is (semiconductor laser) and the like, an excimer laser, Nd-YAG laser, Ar laser, CO 2 laser, CO laser, He- N
eレーザ等が好適に用いられる。 e laser or the like is preferably used. 【0076】このレーザー光としては、波長100nm [0076] As the laser light, wavelength 100nm
〜350nmを有するレーザー光が好ましい。 Laser light having a ~350nm are preferred. このように短波長レーザー光を用いることにより、光照射精度が高められるとともに、剥離層2における剥離を効果的に行うことができる。 Thus, by using the short wavelength laser light, with the light irradiation accuracy is improved, separation can be performed in the release layer 2 effectively. 【0077】上述の条件を満たすレーザー光としては、 [0077] As satisfying laser light described above,
例えばエキシマレーザーを挙げることができる。 For example, mention may be made of an excimer laser. エキシマレーザーは、短波長紫外域の高エネルギーのレーザー光出力が可能なガスレーザーであり、レーザー媒質として希ガス(Ar,Kr,Xeなど)とハロゲンガス(F Excimer laser, high-energy laser light output of short wavelength ultraviolet range are possible gas laser, a rare gas as the laser medium (Ar, Kr, Xe, etc.) and halogen gas (F
,HClなど)とを組み合わせたものを用いることにより、代表的な4種類の波長のレーザー光を出力することができる(XeF=351nm,XeCl=308n By using a combination of 2, HCl, etc.) and can output a laser beam of a typical four wavelengths (XeF = 351nm, XeCl = 308n
m,KrF=248nm,ArF=193nm)。 m, KrF = 248nm, ArF = 193nm). エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層2にアブレーションを生じさせることができ、よって隣接する仮転写基板5や素子形成基板1等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、 Excimer lasers, for outputting high energy in the short wavelength region, a very short time in the release layer 2 can be generated ablation, thus almost no temperature rise in the adjacent temporary transfer substrate 5 and the element forming substrate 1 and the like without,
素子等に劣化、損傷を生じさせることなく、素子形成層3を剥離することができる。 Degradation element or the like, without causing damage, it is possible to peel off the element formation layer 3. 【0078】あるいは、剥離層2に、例えばガス放出、 [0078] Alternatively, the release layer 2, for example gas discharge,
気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザー光の波長は、350から120 Vaporization, when giving the separation characteristics to cause a phase change of sublimation, the wavelength of the laser beam irradiated from 350 120
0nm程度が好ましい。 About 0nm is preferable. 【0079】このような波長のレーザー光は、YAG、 [0079] laser light of such wavelength, YAG,
ガスレーザーなどの一般加工分野で広く使用されるレーザー光源や照射装置を用いることができ、光照射を安価にかつ簡単に行うことができる。 Can use a laser light source and irradiation apparatus is widely used in general processing field such as a gas laser, a light irradiation can be performed inexpensively and easily. また、このような可視光領域の波長のレーザー光を用いることによって、素子形成基板1が可視光透光性であればよく、素子形成基板1の選択の自由度を広げることができる。 Further, by using a laser beam having a wavelength of such a visible light range, the element forming substrate 1 may be a visible light translucent, it is possible to increase the degree of freedom of the selection element forming substrate 1. 【0080】また、照射されるレーザ光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザの場合のエネルギー密度は、 [0080] In addition, the energy density of the laser beam irradiated, particularly the energy density in the case of excimer lasers,
10〜5000mJ/cm 程度とするのが好ましく、 It is preferable to be 10~5000mJ / cm 2 or so,
100〜500mJ/cm 程度とするのがより好ましい。 It is more preferable to be 100 to 500 mJ / cm 2 or so. また、照射時間は、1〜1000nsec程度とするのが好ましく、10〜100nsec程度とするのがより好ましい。 The irradiation time is preferably about 1~1000Nsec, and more preferably about 10~100Nsec. エネルギー密度がより高くまたは照射時間がより長い程アブレーション等が生じ易く、一方で、 Easily ablation or the like occurs higher or irradiation time energy density is more longer, on the one hand,
エネルギー密度がより低くまたは照射時間がより短い程剥離層2を透過した照射光により素子等に悪影響を及ぼすおそれを低減できるからである。 Energy density or irradiation time lower is because it reduces the adverse effect on device or the like by the irradiation light transmitted through the separation layer 2 as shorter. 【0081】レーザ光に代表される照射光は、その強度が均一となるように照射されるのが好ましい。 [0081] irradiated light typified by laser light is preferably irradiated such that the intensity is uniform. 照射光の照射方向は、剥離層2に対し垂直な方向に限らず、剥離層2に対し所定角度傾斜した方向であってもよい。 Irradiation direction of the irradiation light is not limited to a direction perpendicular to the separation layer 2 may be a direction inclined at a predetermined angle with respect to the release layer 2. 【0082】また、剥離層2の面積が照射光の1回の照射面積より大きい場合には、剥離層2の全領域に対し、 [0082] Also, when the area of ​​the release layer 2 is greater than one irradiation area of ​​the irradiation light, the total area of ​​the release layer 2,
複数回に分けて照射光を照射することもできる。 A plurality of times can be irradiated with the irradiation light. また、 Also,
同一箇所に2回以上照射してもよい。 It may be irradiated two or more times at the same place. また、異なる種類、異なる波長(波長域)の照射光(レーザ光)を同一領域または異なる領域に2回以上照射してもよい。 Also, different types may be irradiated two or more times different irradiation light wavelength (wavelength region) (laser beam) in the same area or different areas. 【0083】なお、剥離層2を透過した照射光が素子にまで達して悪影響を及ぼす場合の対策としては、例えば、剥離層2上にタンタル(Ta)等の前述した中間層を形成する方法がある。 [0083] Incidentally, as a countermeasure when the irradiation light transmitted through the separation layer 2 can adversely affect reach the device, for example, a method of forming the above-mentioned intermediate layer, such as tantalum (Ta) on the release layer 2 is is there. または素子形成層の下地となる絶縁膜31を中間層としての機能を奏するように形成してもよい。 Or it may be an insulating film 31 serving as a base of the element forming layer so as to exhibit the function as an intermediate layer. これにより、剥離層2を透過したレーザー光は、金属膜の界面で完全に反射され、それよりの上の素子に悪影響を与えない。 Thus, the laser light transmitted through the separation layer 2 is completely reflected at the interface between the metal film does not adversely affect the device on the higher. 【0084】なお、剥離した素子形成層3の裏側には、 [0084] Incidentally, the back side of the peeled element forming layer 3,
剥離層2の剥離残分が付着している場合があり、これを完全に取り除くことが望ましい。 May peel residue of the release layer 2 is adhered, it is desirable to remove this completely. 残存している剥離層2 Remaining to have a release layer 2
を除去するための方法は、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法、またはこれらを組み合わせた方法の中から適宜選択して採用することができる。 The method for removing the can such as washing, etching, ashing, a method such as grinding or be adopted appropriately selected from a combination of these methods. さらに、素子形成層3から分離された基板1の表面に付着した剥離層2も、これと同様の方法によって除去することができ、これによって素子形成基板1を再利用(リサイクル)に供することができる。 Further, the release layer attached to the surface of the substrate 1, which is separated from the element forming layer 3 2 also can be removed by the same method as this, thereby be subjected to element formation substrate 1 for reuse (recycle) it can. 【0085】次に、図1(d)に示すように、素子形成層3の下地側の全面に液体の樹脂材料を均一に塗布し、 [0085] Next, as shown in FIG. 1 (d), the resin material of the liquid was uniformly applied to the entire surface of the base side of the element forming layer 3,
樹脂材料に応じた適当な方法、例えば、熱硬化、光硬化、放置などにより硬化させて樹脂基板6を形成する。 Suitable methods in accordance with the resin material, for example, thermal curing, photocuring, cured by such standing to form a resin substrate 6. 【0086】この樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂(ポリエチレン、ポリプロピレン、EVAなど)、 [0086] As the resin material, polyolefin resin (polyethylene, polypropylene, EVA, etc.),
エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、カルボキシル基含有アクリル系樹脂などの熱溶融樹脂ポリエステル系樹脂、アクリレート系樹脂、シリコーン系樹脂等のうちの1種または2種以上を混合して用いることができる。 Epoxy resins, fluorine-based resin, hot melt resin polyester resin such as a carboxyl group-containing acrylic resin, acrylate resin, may be used as a mixture of two or more of such a silicone resin. 樹脂の塗布は、スピンコート法、ロールコート法、スプレー法等の種々のものから適宜に選択される。 Coating of the resin, a spin coating method, a roll coating method is appropriately selected from various ones of the spray method. 【0087】樹脂基板6の材料は、特に限定されないが、前記基板1に比べ、耐熱性、耐食性等の特性が劣るものであってもよい。 [0087] the material of the resin substrate 6 is not particularly limited, as compared to the substrate 1, or may be heat resistance, characteristics such as corrosion resistance inferior. この樹脂基板6は、高熱が要求される素子の形成以後に設けられるため、素子形成層3の形成時の温度条件等に依存しないからである。 The resin substrate 6, because it is provided after the formation of the elements high heat is required, it does not depend on the temperature conditions at the time of forming the element formation layer 3. 【0088】したがって、素子形成層3の形成時の最高温度をTmaxとしたとき、樹脂基板6の構成材料として、相転移点(Tg)または軟化点がTmax以下のものを用いることができる。 [0088] Thus, when the maximum temperature during the formation of the element forming layer 3 was set to Tmax, as the constituent material of the resin substrate 6, a phase transition point (Tg) or softening point can be used are as follows Tmax. 例えば、樹脂基板6として、相転移点(Tg)または軟化点が好ましくは800℃以下、より好ましくは500℃以下、さらに好ましくは3 For example, as the resin substrate 6, a phase transition point (Tg) or softening point less preferably 800 ° C., more preferably 500 ° C. or less, more preferably 3
20℃以下の材料で構成することができる。 It can be composed of 20 ° C. the following materials. 【0089】このように、樹脂基板6には温度による材料の利用制限が無いため、材料選択の幅が広く、例えば素子形成層と樹脂基板との熱膨張性などをあわせやすい。 [0089] Thus, there is no use restriction of the material with temperature in the resin substrate 6, the width of the material selection is wide, for example, tends to move the thermal expansion of the element forming layer and the resin substrate. よって、発熱による反りやクラックが生じにくい構造を形成でき、耐熱性を向上させることができるのである。 Therefore, warping and cracking is less likely structure by heating can be formed, it is possible to improve the heat resistance. 【0090】樹脂基板6の機械的特性としては、ある程度の剛性(強度)を有するように形成されることが好ましいが、ある程度可撓性、弾性を有するものであってもよい。 [0090] The mechanical properties of the resin substrate 6, is preferably formed to have a certain degree of rigidity (strength), may have some degree flexible, elastic. このように可撓性を有する樹脂基板を利用すれば、剛性の高いガラス基板では得られないような優れた特性が実現可能である。 By using the resin substrate having such flexibility, excellent characteristics such as not be obtained by high glass substrate rigidity can be realized. 従って、本発明において、可撓性のある最終基板を用い、例えば電気光学装置を製造することによって、しなやかで、軽くかつ落下の衝撃にも強い電気光学装置を実現することができる。 Accordingly, in the present invention, it is using the final substrate flexible, for example, by producing an electro-optical device, and supple, it is possible to realize a strong electro-optical device to impact gently and fall. 【0091】このような樹脂基板6の形成材料としては、各種合成樹脂が好ましい。 [0091] As the material for forming such a resin substrate 6, various synthetic resins are preferred. 合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルベンテン−1)、 As the synthetic resin, thermoplastic resin may be either a thermosetting resin, such as polyethylene, polypropylene, ethylene - Purepiren copolymer, ethylene - vinyl acetate copolymer (EVA) polyolefin such as, cyclic polyolefin, modified polyolefins, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, polyimide, polyamideimide, polycarbonate, poly - (4-polymethylpentene -1),
アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体(EVO Ionomers, acrylic resins, polymethyl methacrylate, acryl - styrene copolymer (AS resin), butadiene - styrene copolymer, polio copolymers (EVO
H)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプチレンテレフタレート(PBT)、ポリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エボキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、 H), polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), poly terephthalate (PCT) polyesters such as, polyethers, polyether ketone (PEK), polyether ether ketone (PEEK), polyetherimide, polyacetal ( POM), polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polyarylate, aromatic polyester (liquid crystal polymer), polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, other fluorine-based resins, styrene-based, polyolefin, polyvinyl chloride, polyurethane, fluorine rubber, various thermoplastic elastomers such as chlorinated polyethylene, Ebokishi resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, unsaturated polyesters,
シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば2層以上の積層体として)用いることができる。 Silicone resins, polyurethanes or the like, or a copolymer of these main, blends, polymer alloys and the like, used singly or in combination of two or more of these (e.g., a laminate of two or more layers) be able to. 【0092】ガラス材としては、例えば、ケイ酸ガラス(石英ガラス)、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。 [0092] As the glass material, for example, silicate glass (quartz glass), alkali silicate glass, soda lime glass, potash lime glass, lead (alkaline) glass, barium glass, and borosilicate glass, and the like. このうち、ケイ酸ガラス以外のものは、ケイ酸ガラスに比べて融点が低く、また、成形、加工も比較的容易であり、しかも安価であり、好ましい。 Among them, other than silicate glass, low melting point in comparison with silicate glass, also forming, machining is also relatively easy and inexpensive, preferred. 【0093】最終的な基板が樹脂で構成されているので、材料コスト、製造コストも安価であるという種々の利点が享受できる。 [0093] Since the final substrate is made of a resin material costs, you can enjoy the various advantages that the manufacturing cost is inexpensive. したがって、このような合成樹脂の使用は、大型で安価なデバイス(例えば、液晶ディスプレイ)を製造する上で有利である。 Accordingly, the use of such synthetic resins are advantageous in the production of large and inexpensive devices (e.g., liquid crystal display). 【0094】但し、合成樹脂と同様な成型のし易さ、価格メリットがあるものであれば、他の材料も利用することが可能である。 [0094] However, synthetic resin similar molding ease, as long as there is a price advantage, it is also possible to use other materials. 【0095】樹脂基板6の厚みは、樹脂の硬化後の強度や転写する素子形成層3の厚み、面積、強度等の条件に応じた厚みに選択されるが、例えば、50μm〜100 [0095] The thickness of the resin substrate 6, the thickness of the element forming layer 3 that the strength and the transfer of the cured resin, the area, is selected to a thickness corresponding to the conditions such as strength, for example, 50Myuemu~100
0μm程度にすることが好ましく、100μm〜400 Preferably to about 0μm, 100μm~400
μm程度にすることがさらに好ましい。 It is further preferred that approximately [mu] m. 樹脂基板が厚い程、接着層を排除して最終製品全体の厚みを薄くするという本発明の利点の一つが少なくなり、樹脂基板が薄い程、最終製品における強度が担保できなくなるからである。 As the resin substrate is thick, one advantage of the present invention that reducing the thickness of the entire finished product by eliminating the adhesive layer is reduced, as the resin substrate is thin, because the strength in the final product can not be guaranteed. 【0096】なお、樹脂基板6して、樹脂材料が可撓性のフィルム上に適当な形状で連続形成された接着シートを用いることは好ましい。 [0096] Incidentally, in the resin substrate 6, the use of the adhesive sheet the resin material is continuously formed in a suitable shape on the flexible film is preferred. 接着シートは連続供給ができるため、手順が簡単になり、製造上の効率が良いからである。 Since the adhesive sheet which can continuously supply the procedure is simplified, because the efficiency of the production is good. 【0097】次に、図1(e)に示すように、接着膜4 [0097] Next, as shown in FIG. 1 (e), the adhesive film 4
を水洗など、接着剤の性質に応じた溶剤(水や有機溶剤)によって溶解し、仮転写基板5を素子形成層3から分離する。 Such as washed with water, dissolved by a solvent in accordance with the properties of the adhesive (water or organic solvent), to separate the temporary transfer substrate 5 from the element forming layer 3. 【0098】以上の工程により、素子形成層形成3に硬化性樹脂を塗布して転写基板6とし、相対的に耐熱温度の低いプラスチック樹脂基板6に半導体装置を形成することができる。 [0098] Through the above process, may be a transfer substrate 6 is coated with a curable resin in the element formation layer formation 3, the semiconductor device in the lower plastic resin substrate 6 having a relatively heat-resistant temperature. このような半導体装置の製造プロセスは、液晶表示器やELパネルの製造工程に適用する場合に好都合である。 Manufacturing process of the semiconductor device is advantageous when applied to the manufacturing process of the liquid crystal display device or an EL panel. 【0099】すなわち本発明の第1の実施の形態によれば、従来装置のように、転写基板と素子形成層間に接着層を介しないので半導体装置の厚みが減少する。 [0099] That is, according to the first embodiment of the present invention, unlike the conventional device, the thickness of the semiconductor device is reduced because it does not through the adhesive layer to the transfer substrate and the element formation layer. 素子形成層の下地基板となる樹脂基板の材料としては素子形成層との接着性等の良否を考慮して選択すれば良く、材料選択の余地が広がり、熱膨張性などをあわせやすい。 The material of the resin substrate serving as a base substrate of the element formation layer may be selected in consideration of the quality of adhesion or the like between the element forming layer, the spread is room for material selection, easily combined and thermally expandable. 熱膨張率などの条件をマッチングさせた最終製品では、発熱による反りやクラックが生じにくく、耐熱性が向上することになる。 In the final product obtained by matching conditions, such as thermal expansion, warpage and cracks hardly occur due to heat generation, so that heat resistance is improved. 【0100】特に、本第1の実施の形態によれば、最終製品が大型ディスプレー装置であるときのように基板面積を大きくしなければならない場合に本発明を適用すれば、面積が大きいアクティブマトリクス基板の画素回路の製造を比較的厚くて頑丈な素子形成基板上で行いながら、最終製品には薄い樹脂基板を用いる。 [0100] In particular, according to the first embodiment, by applying the present invention when the final product must be increased substrate area as when a large display device, the active area is large matrix while production of a pixel circuit board relatively thick and rugged element forming substrate, use of a thin resin substrate in the final product. つまり、素子形成層にクラックや不良箇所を生じることなく安定した製造を行いながら、最終的に薄型の製品を製造できるというように、製造時と製品上とで相反する要件を共に満たすことができる。 That is, while production was stable without causing cracks and defective portions in the element formation layer, so that eventually can produce a product of thin, it is possible to satisfy both the conflicting requirements and manufacturing time and the product . 【0101】また、従来の転写方法では別途最終基板を接着剤等で貼り合わせていたところ、本第1の実施の形態によれば、樹脂で形成した層を最終的に回路全体を支える基板として利用することにしたので、従来の転写方法により大幅に薄い最終製品を製造することが可能である。 [0102] Further, in the conventional transfer method was not separately bonded to the final substrate by an adhesive or the like, according to the first embodiment, a layer formed of a resin as a substrate for supporting the whole final circuit since it was decided to use, it is possible to produce a significantly thinner final product by conventional transfer methods. 【0102】(第2の実施の形態)本発明の第2の実施の形態によれば、素子形成層上に樹脂を塗布して硬化させて転写基板とし、元の基板を除去するようにした第2 [0102] According to the second embodiment (second embodiment) the present invention, the transfer substrate is cured by applying a resin over the element formation layer, and so as to remove the original substrate the second
の転写方法に関する。 The method of transfer on. 特に転写先の基板を貼り合わせる必要を省略した転写方法である。 Especially transfer method is omitted need of bonding the transfer destination substrate. 【0103】図2(a)乃至同図(e)は、本発明の第2の実施の形態に係る素子および回路基板の製造過程(工程)を示している。 [0103] FIGS. 2 (a) to FIG. (E) shows the process of manufacturing the second element and the circuit board according to an embodiment of the present invention (step). 前記第1の実施の形態と対応する部分には同一符号を付してその説明を省略する。 The parts corresponding to the first embodiment and their description is omitted with the same reference numerals. この第2の実施の形態では、仮転写基板5の使用が省かれており、転写回数は、1回である。 In the second embodiment, have been omitted the use of the temporary transfer substrate 5, the number of transfers is one. 【0104】まず、図2(a)に示すように、石英などの耐熱性の素子形成基板1の上に剥離層2が形成される。 [0104] First, as shown in FIG. 2 (a), the peeling layer 2 is formed on the heat resistance of the element forming substrate 1 such as quartz. 剥離層2は、前述したように、熱や光等の照射を受けると、内部に分離が生じて剥離する性質を持っている。 Release layer 2, as described above, when irradiated, such as heat or light, and has a property of internal separation peeling occurs. 分離膜2としては、前記第1の実施の形態で説明したとおりであり、例えば、水素を含むアモルファスシリコン(a−Si)を使用することが可能である。 The separation membrane 2, the are as described in the first embodiment, for example, it is possible to use an amorphous silicon (a-Si) containing hydrogen. 【0105】この剥離層2の上に、薄膜トランジスタなどの電気素子が形成された素子形成層3が形成されている。 [0105] On the peeling layer 2, the element forming layer 3 that electrical devices are formed, such as thin film transistors are formed. 素子形成層3は、前記第1の実施の形態で説明したとおりであり、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁層3 Element forming layer 3 is as described in the first embodiment, for example, an insulating layer 3 such as a silicon oxide film
1、不純物がドープされたソース・ドレイン領域を含むシリコン層、ゲート絶縁膜33、ゲート配線膜34、層間絶縁膜35、ソース・ドレインの配線膜36等によって構成されている。 1, a silicon layer including source and drain regions doped with impurities, a gate insulating film 33, the gate wiring film 34, the interlayer insulating film 35 is constituted by a wiring layer 36 such as the source and drain. 【0106】次に、図2(b)に示すように、素子形成層3上の全面に液体の熱または光硬化性の樹脂材料を均一に塗布し、樹脂材料に応じた適当な方法により硬化させて、樹脂基板6を形成する。 [0106] Next, as shown in FIG. 2 (b), a heat or light-curable resin material in liquid was uniformly coated on the entire surface of the element forming layer 3, hardened by an appropriate method according to the resin material by, to form a resin substrate 6. この樹脂材料については、前記第1の実施の形態で説明したとおりであり、例えば、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、等の種々の樹脂の使用が可能であり、適宜に選択する。 This For resin materials, are as described in the first embodiment, for example, it can be used acrylic resin, silicone resin, various resins etc., suitably selected to. 樹脂の塗布は、スピンコート法、ロールコート法、スプレー法等の種々のものからに適宜に選択される。 Coating of the resin, a spin coating method, a roll coating method is appropriately selected in from various ones of the spray method. 樹脂の硬化は、光や熱の照射等によって行うことが可能である。 Curing of the resin may be carried out by irradiation of light or the like and heat. 【0107】樹脂基板6の機械的強度や厚みの条件についても、前記第1の実施の形態と同様に考えることができる。 [0107] For even conditions the mechanical strength and thickness of the resin substrate 6, can be considered similar to the first embodiment. 【0108】次に、図2(c)に示すように、素子形成基板側1から、例えば、レーザ光を全面に照射し、剥離層2の水素を分子化して結晶の結合から分離させ、素子形成基板側1と素子形成層3とを剥離する。 [0108] Next, as shown in FIG. 2 (c), the element formation substrate side 1, for example, by irradiating a laser beam on the entire surface, the hydrogen of the release layer 2 and the molecular weight is separated from the binding of the crystal, element peeling and formation substrate side 1 and the element formation layer 3. これにより、素子形成層3は転写基板6に転写される。 Thus, the element formation layer 3 is transferred to the transfer substrate 6. レーザ光の照射については、前記第1の実施の形態で説明したとおりであり、例えばエキシマレーザを用いる。 For irradiation of the laser beam is as described in the first embodiment, for example, an excimer laser. 【0109】次に、図2(d)に示すように、素子形成層3の下地側の絶縁膜31をパターニングして例えば2 [0109] Next, FIG. 2 as shown in (d), by patterning the insulating film 31 underlying side of the element forming layer 3, for example 2
0〜30μm程度の径のコンタクトホールを開口する。 A contact hole having a diameter of about 0~30Myuemu.
パターニングは、フォトリソグラフィやインクジェット法によるエッチング液の滴下、レーザエッチングなどを適用可能である。 Patterning the dripping of the etching solution in accordance with the photolithography, an ink-jet method, a etc. applicable laser etching. 【0110】次に、図2(e)に示すように、素子形成層3の裏側に任意の配線や電極、例えば透明電極のIT [0110] Next, as shown in FIG. 2 (e), any wiring or electrodes on the back side of the element forming layer 3, for example, the transparent electrode IT
O7を積層してパターニングして画素電極や、端子電極などを形成する。 Laminating O7 and pixel electrodes and patterned to form a like terminal electrodes. このような回路基板は、電気光学装置、例えば液晶表示器やEL表示器として使用される。 Such circuit board, electro-optical devices, for example, is used as a liquid crystal display or an EL display. 【0111】このように、第2の実施の形態によれば、 [0111] Thus, according to the second embodiment,
前記第1の実施の形態と同様の効果を奏する他、仮転写基板5を使用する工程を経ることなく、すなわち樹脂基板6に電子回路等の素子形成層3が転写形成される。 Addition to the same effects as the first embodiment, without a step of using a temporary transfer substrate 5, that is, the element formation layer 3 such as an electronic circuit is formed transferred to the resin substrate 6. 【0112】なお、図2(d)および(e)における素子形成層の裏側の配線は必須のものではなく、コンタクトホールや配線が存在していなくてもよい。 [0112] Incidentally, FIG. 2 (d) and the back side of the wiring of the element forming layer in (e) is not essential, may not contact hole and wiring exist. 【0113】特に、本第2の実施の形態によれば、従来の転写方法では接着層でしかなかった層を、最終的に回路全体を支える基板として利用しているので、従来の転写方法により大幅に薄い最終製品を製造することが可能である。 [0113] In particular, according to this second embodiment, the layer was only adhesive layer in the conventional transfer method, since used as a substrate finally supports the entire circuit, the conventional transfer method it is possible to produce a significantly thin the final product. 【0114】(第3の実施の形態)本第3の実施の形態は、前記各実施の形態に係る転写方法によって製造される集積回路であり、回路基板である。 [0114] (Third Embodiment) The third embodiment, the an integrated circuit manufactured by the transfer method according to the embodiments, a circuit board. 【0115】本実施の形態における集積回路は、本発明における素子の転写方法によって形成されるLSIであるスタティックRAMに関する。 [0115] integrated circuit of this embodiment, relates to a static RAM which is an LSI formed by a transfer method of the element of the present invention. 図4(a)に本実施の形態に係る集積回路の平面図を、図4(b)に第1の実施の形態を適用した場合の図4(a)のA−A切断面における一部断面拡大図、(c)に第2の実施の形態を適用した場合の一部断面拡大図を示す。 Figure 4 is a plan view of an integrated circuit according to this embodiment (a), the part of the A-A cutting plane in Figure when applying the first embodiment in FIG. 4 (b) 4 (a) enlarged cross-sectional view, showing a partial cross-sectional enlarged view of the application of the second embodiment in (c). 【0116】図4(a)に示すように、当該集積回路1 [0116] As shown in FIG. 4 (a), the integrated circuit 1
00は、メモリセルアレー101、アドレスバッファ1 00, the memory cell array 101, an address buffer 1
02、行デコーダ103、ワードドライバ104、アドレスバッファ105、列デコーダ106、列選択スイッチ107、入出力回路108、及び制御回路109の各ブロックを備えている。 02, row decoder 103, a word driver 104, an address buffer 105, column decoder 106, column selection switches 107, and each block of the input and output circuit 108, and the control circuit 109. 各ブロックには、薄膜トランジスタを中心とする回路が形成されており、互いのブロック間には金属層をパターニングすることによる配線が形成されている。 Each block circuit around the thin film transistor has been formed, wiring by patterning the metal layer is formed between each other of the block. 【0117】図4(b)は、前記第1の実施の形態を適用して製造して当該集積回路100を製造した場合の断面図であり、p型MOSトランジスタTpとn型MOS [0117] FIG. 4 (b), and prepared by applying the first embodiment is a cross-sectional view of the case of producing the integrated circuit 100, p-type MOS transistor Tp and the n-type MOS
トランジスタTnとが形成されている付近を示している。 It shows a nearby transistor Tn are formed. 当該断面図に示すように、素子形成層3の下側に樹脂基板6が形成されている。 As shown in the sectional view, the resin substrate 6 is formed on the lower side of the element forming layer 3. 素子形成層3は、下地となるシリコン層200、多数の素子や配線の層構造が形成された配線層201、および上面を保護するための保護層202等が形成されている。 Element forming layer 3, the silicon layer 200 serving as a base, a number of elements and wiring layer structure is formed wiring layer 201, and the like protective layer 202 for protecting the upper surface is formed. 【0118】配線層201には、ウェル領域210、不純物が導入され、ソースまたはドレインを形成する半導体領域211、ゲート絶縁膜212、ゲート配線膜21 [0118] The wiring layer 201, well region 210, impurity is introduced, a semiconductor region 211 which forms a source or drain, a gate insulating film 212, the gate wiring film 21
3、層間絶縁膜214、金属配線層215等によって回路が形成されている。 3 are formed circuit with an interlayer insulating film 214, a metal wiring layer 215, and the like. このような層構造は、前記第1の実施の形態における薄膜トランジスタの形成と同様な手順で形成可能である。 Such a layer structure, can be formed by the same procedure as formation of a thin film transistor in the first embodiment. 【0119】保護層202は、配線層201を保護するための膜であり、第1の実施の形態を利用した場合、機械的強度は下層の樹脂基板6によって担保させるため、 [0119] The protective layer 202 is a film for protecting the wiring layer 201, when using the first embodiment, since the mechanical strength is to be secured by the underlying resin substrate 6,
配線層201を保護しうる程度の厚みであれば十分であり、厚く形成する必要がない。 When the thickness of the degree that can protect the wiring layer 201 is sufficient, it is not necessary to increase formation. 【0120】図4(c)は、前記第2の実施の形態を適用して製造して当該集積回路100を製造した場合の断面図であり、シリコン層200及び配線層201については、図4(b)と同様に形成する。 [0120] FIG. 4 (c) is a sectional view when manufactured by applying the second embodiment to produce the integrated circuit 100, the silicon layer 200 and the wiring layer 201, FIG. 4 likewise form and (b). ただし、ここでは配線層201の上面に樹脂基板6を形成しているため、 However, where because of the form of the resin substrate 6 on the upper surface of the wiring layer 201,
この樹脂基板6が同時に配線層201を保護する保護層としての機能も兼用している。 The resin substrate 6 is also used functions as a protective layer for protecting the wiring layer 201 at the same time. すなわち、樹脂基板6 That is, the resin substrate 6
は、保護層としての観点の他に、基板本体としての強度を備えるように、その材料が選択され、厚みが設定される。 , In addition to the aspect of the protective layer, as equipped with a strength of the substrate main body, the material is selected, the thickness is set. 【0121】また前記第2の実施の形態で説明したように、配線層201に設ける金属配線層215の一部または全部を、裏側の金属配線層216を設けることも可能である。 [0121] Also, as described in the second embodiment, some or all of the metal wiring layer 215 provided on the wiring layer 201, it is also possible to provide the rear side of the metal wiring layer 216. 【0122】以上、本第3の実施の形態によれば、前記各実施の形態と同様の効果を奏する。 [0122] As described above, according to the third embodiment achieves the same effect as each embodiment. 特に、従来の集積回路では、シリコンウェハ上に各種の素子を形成していたが、本発明を適用することにより、シリコンウェハよりも薄い構造のシリコン層上に回路を集積することができる。 In particular, in conventional integrated circuits, it has been to form a variety of devices on a silicon wafer, by applying the present invention can be integrated circuits on the silicon layer of thinner structure than the silicon wafer. すなわち、半導体装置として機能しうる程度のシリコン層200を、所定の方法、例えばスパッタ法等で剥離層2上に形成してから配線層201を形成することで、素子形成層3を大幅に薄くすることができる。 That is, the silicon layer 200 to the extent that can function as a semiconductor device, by forming a predetermined method interconnect layer 201 after forming on the peeling layer 2, for example sputtering, significantly thinner the element formation layer 3 can do. 【0123】(第4の実施の形態)本発明の第4の実施の形態は、前記実施の形態に係る素子の転写方法によって製造される素子を、二次元に配置された複数の画素電極に配置して構成されるアクティブマトリクス型回路基板を含む電気光学装置に関する。 [0123] Fourth Embodiment of Fourth Embodiment The present invention is a device manufactured by the method of transferring a device according to the embodiment, a plurality of pixel electrodes arranged in a two-dimensional arrangement and an electro-optical device, comprising an active matrix type circuit board configured. 【0124】図5に、本第4の実施の形態における電気光学(表示)装置40の接続図を示す。 [0124] Figure 5, an electro-optic (display) in the fourth embodiment shows a connection diagram of the device 40. 本実施の形態の表示装置40は、各画素領域Gに電界発光効果により発光可能な発光層OELD、それを駆動するための電流を記憶する保持容量Cを備え、さらに本発明の転写方法によって転写・製造される半導体装置、ここでは薄膜トランジスタT1〜T4を備えて構成されている。 Display device 40 of the present embodiment, capable of emitting light emitting layer OELD by electroluminescent effect in each pixel region G, a holding capacitor C for storing an electric current for driving the further transferred by the transfer method of the present invention and semiconductor device manufactured here is configured with a thin film transistor T1-T4. ドライバ領域41からは、走査線Vsel及び発光制御線Vgpが各画素領域Gに供給されている。 From the driver area 41, the scanning lines Vsel and emission control lines Vgp are supplied to each pixel region G. ドライバ領域42からは、データ線Idataおよび電源線Vddが各画素領域Gに供給されている。 From the driver area 42, the data lines Idata and power supply lines Vdd are supplied to each pixel region G. 走査線Vselとデータ線Idataとを制御することにより、各画素領域Gに対する電流プログラムが行われ、発光部OELDによる発光が制御可能になっている。 By controlling the scanning line Vsel and the data lines Idata, the current program is performed for each pixel region G, light emission by the light emitting portion OELD is made to be controlled. 【0125】なお、上記アクティブマトリクス型回路は、発光要素に電界発光素子を使用する場合の回路の一例であり他の回路構成も可能である。 [0125] Incidentally, the active matrix type circuit, the circuit configurations are also possible and other examples of a circuit for using the electroluminescent device to the light emitting element. また発光要素に液晶表示素子を利用することも回路構成を種々変更することにより可能である。 Also utilizing the liquid crystal display element to the light-emitting element is also possible by variously changing the circuit configuration. 【0126】本実施の形態における電気光学装置の製造は、第1の実施の形態における転写方法、第2の実施の形態における転写の方法のいずれかの方法を適用して行う。 [0126] manufacturing an electro-optical device in this embodiment is performed by applying any of the methods of the method of transfer in a first way transfer in the embodiment, the second embodiment. すなわち、画素領域を含むアクティブマトリクス型の回路を素子形成基板上に形成してから、第1の実施の形態のように樹脂基板を形成して転写に係る基板を除去するか、第2の実施の形態のように素子形成層錠に樹脂層を形成して硬化させてから転写に係る基板を除去する。 That is, after forming a circuit of an active matrix type element forming substrate including a pixel region, or removing the substrate according to the transfer to form a resin substrate as in the first embodiment, the second embodiment cured to form a resin layer in the element forming layer tablet as in the embodiment the substrate is removed in accordance with the transfer from. 【0127】本第4の実施の形態によれば、本発明の転写方法をこのようなアクティブマトリクス型回路基板および電気光学装置の製造に適用したものであるため、上記第1または第2の実施の形態における効果と同様の効果を奏する。 [0127] According to the fourth embodiment, since the transfer method of the present invention is applied to the production of such an active matrix type circuit board and an electro-optical device, the first or second embodiment effects similar in form. 【0128】特に、本第4の実施の形態によれば、大型ディスプレー装置のような大面積のアクティブマトリクス型回路基板やそれを利用した電気光学装置である場合に、面積が大きい回路基板の製造を比較的厚くて頑丈な素子形成基板上で行いながら、最終製品には薄い樹脂基板に回路構造を設けることができる。 [0128] In particular, according to the fourth embodiment, when an electro-optical device using an active matrix type circuit board or that of a large area, production area of ​​a large circuit board, such as a large display device while relatively thick and robust element forming substrate, it is possible to provide a circuit structure on a thin resin substrate in the final product. そのため、画素領域にクラックや不良箇所を生じることなく安定した製造を行いながら、最終的に薄型の製品を製造できるというように、製造時と製品上とで相反する要件を共に満たすことができる。 Therefore, while manufacturing the stable without causing cracks and defective portion in the pixel region, so that eventually can produce a product of thin, it is possible to satisfy both the conflicting requirements and manufacturing time and the product. 【0129】また、本第4の実施の形態によれば、最終製品において、薄い樹脂で形成された基板や層を構造体とする回路基板を用いることができるので、従来の回路基板や電気光学装置に比べ大幅に薄い最終製品を製造することが可能である。 [0129] Further, according to the fourth embodiment, in the final product, since the substrate and a layer formed of a thin resin can be a circuit board according to the structure, a conventional circuit board and an electro-optical it is possible to produce a significantly thinner end product compared with the device. 【0130】(第5の実施の形態)本第5の実施の形態は、前記各実施の形態に係る転写方法によって製造される電子機器に関する。 [0130] (Fifth Embodiment) The fifth embodiment relates to an electronic apparatus manufactured by the transfer method according to the each embodiment. 【0131】本実施の形態における電子機器は、本発明における素子の転写方法によって形成された回路基板を少なくとも一部に備えて構成されている。 [0131] Electronic equipment of the present embodiment is configured with at least a portion of the circuit board formed by the transfer method of the element of the present invention. 【0132】図6(a)〜図6(f)に、本実施の形態における電子機器の例を挙げる。 [0132] FIG. 6 (a) ~ FIG 6 (f), examples of the electronic apparatus in this embodiment. 【0133】図6(a)は本発明の転写方法によって製造される携帯電話の例であり、当該携帯電話110は、 [0133] FIGS. 6 (a) is an example of a cellular phone manufactured by the transfer method of the present invention, the cellular phone 110,
電気光学装置(表示パネル)111、音声出力部11 Electro-optical device (display panel) 111, an audio output unit 11
2、音声入力部113、操作部114、およびアンテナ部115を備えている。 2, an audio input portion 113, an operation unit 114 and the antenna unit 115. 本発明の転写方法は、例えば表示パネル111や内蔵される回路基板に適用される。 Transfer method of the present invention is applied to a circuit board and the display panel 111 therein. 【0134】図6(b)は本発明の転写方法によって製造されるビデオカメラの例であり、当該ビデオカメラ1 [0134] FIG. 6 (b) is an example of a video camera manufactured by a transfer method of the present invention, the video camera 1
20は、電気光学装置(表示パネル)121、操作部1 20, the electro-optical device (display panel) 121, the operation unit 1
22、音声入力部123、および受像部124を備えている。 22, a voice input unit 123, and an image receiving portion 124. 本発明の転写方法は、例えば表示パネル121や内蔵される回路基板に適用される。 Transfer method of the present invention is applied to a circuit board and the display panel 121 therein. 【0135】図6(c)は本発明の転写方法によって製造される携帯型パーソナルコンピュータの例であり、当該コンピュータ50は、電気光学装置(表示パネル)1 [0135] FIG. 6 (c) is an example of a portable personal computer manufactured by a transfer method of the present invention, the computer 50 is an electro-optical device (display panel) 1
31、操作部132、およびカメラ部133を備えている。 31, an operation unit 132 and the camera unit 133. 本発明の転写方法は、例えば表示パネル131や内蔵される回路基板に適用される。 Transfer method of the present invention is applied to a circuit board and the display panel 131 therein. 【0136】図6(d)はヘッドマウントディスプレイの例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ140 [0136] FIG. 6 (d) is an example of a head-mounted display, the head-mounted display 140
は、電気光学装置(表示パネル)141、光学系収納部142およびバンド部143を備えている。 The electro-optical device (display panel) 141, an optical system housing 142 and the band 143. 本発明の転写方法は、例えば表示パネル141や内蔵される回路基板に適用される。 Transfer method of the present invention is applied to a circuit board and the display panel 141 therein. 【0137】図6(e)は本発明の転写方法によって製造されるリア型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター150は、電気光学装置(光変調器)151、 [0137] FIG. 6 (e) is an example of a rear projector which is produced by the transfer method of the present invention, the projector 150, an electro-optical device (optical modulator) 151,
光源152、合成光学系153、ミラー154・155 Light source 152, a synthetic optical system 153, a mirror 154, 155
ミラー及びスクリーン157を筐体156内に備えている。 The mirror and the screen 157 is provided in the housing 156. 本発明の転写方法は、例えば光変調器151や内蔵される回路基板に適用される。 Transfer method of the present invention is applied to a circuit board that is light and modulator 151 built. 【0138】図6(f)は本発明の転写方法によって製造されるフロント型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター160は、電気光学装置(画像表示源)1 [0138] FIG. 6 (f) is an example of a front type projector which is produced by the transfer method of the present invention, the projector 160, an electro-optical device (image display source) 1
61及び光学系162を筐体163内に備え、画像をスクリーン164に表示可能になっている。 Equipped with 61 and the optical system 162 into the housing 163, and is capable of displaying an image on a screen 164. 本発明の転写方法は、例えば画像表示源161や内蔵される回路基板に適用される。 Transfer method of the present invention is applied to, for example, a circuit board on which an image or display source 161 built. 【0139】上記例に限らず本発明に係る転写方法は、 [0139] transfer method according to the present invention is not limited to the above example,
素子や回路を利用するあらゆる電子機器に適用可能である。 It is applicable to any electronic device utilizing the element or circuit. 例えば、この他に、表示機能付きファックス装置、 For example, In addition to this, a fax machine with a display function,
デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、DSP装置、PDA、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。 A finder of a digital camera, a portable TV, DSP devices, PDA, electronic notebook, an electric bulletin board, can be utilized in such an advertising display. 【0140】本発明に係る転写方法よれば、前記第1の実施の形態と同様の効果を奏する。 According transfer method according to [0140] the present invention, the same effects as the first embodiment. すなわち、従来のように素子性成層と転写基板との間に接着層が介在せず、 That is, the adhesive layer is not interposed between the transfer substrate and the element of stratification as in the prior art,
非常に薄い薄膜装置を得ることが可能となるので、薄型の携帯用電子機器を構成する回路基板を提供するのに好適である。 Since it is possible to obtain a very thin film device, it is suitable for providing a circuit substrate constituting the thin portable electronic devices. 【0141】(第6の実施の形態)本第5の実施の形態は、前記第4の実施の形態における電子機器の好適な一例としてのICカードに関する。 [0141] (Sixth Embodiment) The fifth embodiment relates to an IC card as a preferred example of an electronic apparatus in the fourth embodiment. 【0142】図7に、本実施の形態におけるICカードの概略斜視図を示す。 [0142] Figure 7 shows a schematic perspective view of an IC card in this embodiment. 図7に示すように、本ICカード170は、本体172に内蔵された回路基板上に、表示パネル171、指紋検出器173、外部端子174、マイクロプロセッサ175、メモリ176、通信回路17 As shown in FIG. 7, the IC card 170, the circuit on the board that is incorporated in the main body 172, a display panel 171, a fingerprint detector 173, external terminals 174, microprocessor 175, memory 176, communication circuitry 17
7、及びアンテナ部178を備えている。 7, and an antenna unit 178. 【0143】本発明に係る転写方法よれば、前記第1の実施の形態と同様の効果を奏する。 According transfer method according to [0143] the present invention, the same effects as the first embodiment. すなわち、従来のように素子性成層と転写基板との間に接着層が介在せず、 That is, the adhesive layer is not interposed between the transfer substrate and the element of stratification as in the prior art,
非常に薄い薄膜装置を得ることが可能となるので、IC Since it is possible to obtain a very thin film device, IC
カードのように極めて薄い回路基板とする必要がある電子機器に特に好適である。 Is particularly suitable for electronic equipment is required to be very thin circuit board as the card. 【0144】なお、本発明の転写方法は、上記のようなICカードに限定されず、薄型基板を必要とする装置、 [0144] The transfer method of the present invention is not limited to an IC card as described above, devices requiring a thin substrate,
例えば、紙幣、クレジットカード、プリペイドカード等に適用できる。 For example, it can be applied to bills, credit card, a prepaid card, and the like. 【0145】 【発明の効果】以上説明したように、本発明においては、薄膜トランジスタ等が形成される素子形成層に樹脂を塗布し、硬化させてこれを素子の樹脂基板とするので、従来のように素子形成層と転写基板との間に接着層が介在せず、非常に薄い薄膜装置を得ることが可能となる。 [0145] As has been described in the foregoing, in the present invention, the resin is applied to the element formation layer thin film transistor or the like is formed, since the resin substrate of the device it is cured as conventional adhesive layer between the transfer substrate and the element formation layer is not interposed, it is possible to obtain a very thin film device on. また、硬化性樹脂は素子形成層との接着性の良否を考慮すれば良く、材料選択の余地が広がって好ましい。 Further, the curable resin may Considering the adhesion quality between the element forming layer, preferably it spreads room for material selection.
また本発明によれば、素子形成層上に塗布した接着剤による接着層を最終的に回路全体を支える基板として利用しているので、従来の転写方法により大幅に薄い最終製品を製造することが可能である。 According to the present invention, since the use as a substrate for supporting the whole final circuit adhesive layer by adhesive applied over the element formation layer, it is possible to produce a significantly thinner final product by conventional transfer methods possible it is.

【図面の簡単な説明】 【図1】図1は、本発明の第1の実施の形態を説明する製造工程断面図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a manufacturing process cross-sectional view for explaining a first embodiment of the present invention. 【図2】図2は、本発明の第2の実施の形態を説明する製造工程断面図である。 Figure 2 is a manufacturing step sectional view illustrating a second embodiment of the present invention. 【図3】図3は、本発明の第2の実施の形態を説明する製造工程断面図である。 Figure 3 is a manufacturing process sectional view illustrating a second embodiment of the present invention. 【図4】図4は、本発明に係る集積回路の例であり、図4(a)はその平面図、(b)は第1の実施の形態を適用した場合の一部断面拡大図であり、(c)は第2の実施の形態を適用した場合の一部断面拡大図である。 Figure 4 is an example of an integrated circuit according to the present invention, FIG. 4 (a) is its plan view, (b) part cross-sectional enlarged view of the application of the first embodiment Yes, (c) is a partially enlarged sectional view of the application of the second embodiment. 【図5】図5は、本発明に係るアクティブマトリクス型基板および電気光学装置の接続図である。 Figure 5 is a connection diagram of an active matrix substrate and the electro-optical device according to the present invention. 【図6】図6は、本発明に係る電子機器の例であり、図6(a)は携帯電話、図6(b)はビデオカメラ、図6 Figure 6 is an example of an electronic apparatus according to the present invention, FIG. 6 (a) mobile phone, FIG. 6 (b) a video camera, FIG. 6
(c)は携帯型パーソナルコンピュータ、図6(d)はヘッドマウントディスプレイ、図6(e)はリア型プロジェクター、図6(f)はフロント型プロジェクターへの適用例である。 (C) a portable personal computer shown in FIG. 6 (d) is a head-mounted display, FIG. 6 (e) is a rear type projector, FIG 6 (f) is an example of application to a front type projector. 【図7】図7は本発明に係るICカードの構造を説明する概略斜視図である。 Figure 7 is a schematic perspective view for explaining the structure of an IC card according to the present invention. 【符号の説明】 1 素子形成基板2 剥離(分離)層3 素子形成層4 接着層(溶解性) 5 仮転写基板6 転写基板 [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1 element formation substrate 2 peeling (separating) layer 3 element forming layer 4 adhesive layer (solubility) 5 temporary transfer substrate 6 transfer substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/8242 H01L 29/78 612B 21/8244 27/10 381 27/08 331 671C 27/092 27/08 321B 27/108 21/76 D 27/11 29/786 Fターム(参考) 2H092 JA23 JA25 JB56 KA05 KB24 KB25 KB28 MA05 MA10 MA12 MA18 MA27 NA25 NA27 NA29 PA01 5F032 AA02 CA09 CA14 CA15 CA17 CA21 CA23 DA01 DA02 DA04 DA06 DA07 DA10 DA21 DA41 DA71 5F048 AA07 AB01 AC03 AC04 BA16 BC12 BC18 BG12 5F083 AD02 HA02 ZA04 5F110 AA30 BB02 BB04 BB07 BB20 CC02 DD01 DD02 DD03 DD06 DD07 DD12 DD13 DD14 DD19 DD24 EE03 EE04 EE44 FF02 FF30 FF31 FF32 GG02 GG47 HJ01 HJ04 HJ13 HJ22 HJ23 HL03 HL23 NN02 NN04 NN23 NN35 NN72 QQ16 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H01L 21/8242 H01L 29/78 612B 21/8244 27/10 381 27/08 331 671C 27/092 27/08 321B 27/108 21/76 D 27/11 29/786 F-term (reference) 2H092 JA23 JA25 JB56 KA05 KB24 KB25 KB28 MA05 MA10 MA12 MA18 MA27 NA25 NA27 NA29 PA01 5F032 AA02 CA09 CA14 CA15 CA17 CA21 CA23 DA01 DA02 DA04 DA06 DA07 DA10 DA21 DA41 DA71 5F048 AA07 AB01 AC03 AC04 BA16 BC12 BC18 BG12 5F083 AD02 HA02 ZA04 5F110 AA30 BB02 BB04 BB07 BB20 CC02 DD01 DD02 DD03 DD06 DD07 DD12 DD13 DD14 DD19 DD24 EE03 EE04 EE44 FF02 FF30 FF31 FF32 GG02 GG47 HJ01 HJ04 HJ13 HJ22 HJ23 HL03 HL23 NN02 NN04 NN23 NN35 NN72 QQ16

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】素子を形成するための素子形成基板上に、 To the Claims 1] on the element forming substrate for forming an element,
    一定条件を付与されると結合力が弱まる分離層を形成する工程と、 前記分離層上に素子を含む素子形成層を形成する工程と、 前記素子形成層を溶解可能な接合層を介して仮転写基板に接合する工程と、 前記分離層の結合力を弱めて前記素子形成基板から前記素子形成層を分離し、これを前記仮転写基板側に移動する工程と、 前記仮転写基板に移動された前記素子形成層上に樹脂を塗布し、これを硬化して転写基板を形成する工程と、 前記接合層を溶解して前記転写基板から前記仮転写基板を分離する工程と、 を含む、素子の転写方法。 Forming an isolation layer bonding force is weakened to be granted a certain condition, the forming an element formation layer including an element on the isolation layer, via a bonding layer capable of dissolving the element forming layer tentative and bonding the transfer substrate, the weakened binding force of the separation layer to separate the element forming layer from the element forming substrate, and a step of moving it to the temporary transfer substrate side, is moved the the temporary transfer substrate the resin was coated on the element forming layer, and forming a transfer substrate and curing it, and separating the temporary transfer substrate from the transfer substrate to dissolve the bonding layer, the element the method of transfer. 【請求項2】素子を形成するための素子形成基板上に、 To 2. A on the element forming substrate for forming an element,
    一定条件を付与されると結合力が弱まる分離層を形成する工程と、 前記分離層上に素子を含む素子形成層を形成する工程と、 前記素子形成層上に樹脂を塗布し、これを硬化して転写基板を形成する工程と、 前記分離層の結合力を弱めて前記素子形成層から前記素子形成基板を剥離し、前記素子形成層を前記転写基板側に移動する工程と、 を含む、素子の転写方法。 Curing forming a separate layer bonding force is weakened to be granted a certain condition, forming an element formation layer including an element on said separation layer, a resin is applied to the element forming layer, this and forming a transfer substrate with a step of the weakened binding force of the separation layer separating the element formation substrate from said device formation layer, moving the element formation layer to the transfer substrate side, and transfer method of the element. 【請求項3】更に、前記素子形成層にコンタクトホールを開口して配線層または電極層を形成する工程と、を含む請求項1または2に記載の素子の転写方法。 3. Furthermore, device transfer method according to claim 1 or 2 and forming a wiring layer or an electrode layer and a contact hole in the element forming layer. 【請求項4】前記分離層は、光の照射によって原子間または分子間の結合力が消失または減少する材料で構成されている、請求項1または2に記載の素子の転写方法。 Wherein said separation layer, bonding force between atoms or molecules by light irradiation is configured lost or reduced material, device transfer method according to claim 1 or 2. 【請求項5】前記分離層は多層膜からなる、請求項1または2に記載の素子の転写方法。 Wherein said separating layer is made of a multilayer film, device transfer method according to claim 1 or 2. 【請求項6】前記分離層は、アモルファスシリコン、窒化シリコン、及び金属からなる群から選ばれる1以上の材料により構成されている、請求項1または2に記載の素子の転写方法。 Wherein said separation layer, amorphous silicon, is composed of one or more materials selected from the group consisting of silicon nitride, and metal, device transfer method according to claim 1 or 2. 【請求項7】前記分離層は水素を含む、請求項1または2に記載の素子の転写方法。 Wherein said separation layer comprises a hydrogen, device transfer method according to claim 1 or 2. 【請求項8】前記接合層は、液体溶解性接着剤である、 Wherein said bonding layer is a liquid soluble adhesive,
    請求項1に記載の素子の転写方法。 Device transfer method according to claim 1. 【請求項9】請求項1または2に記載の素子の転写方法の各工程を含んでいる、素子の製造方法。 9. comprises the steps of device transfer method according to claim 1 or 2, the manufacturing method of the element. 【請求項10】請求項1または2に記載の素子の転写方法によって製造される集積回路。 10. An integrated circuit manufactured by the device transfer method according to claim 1 or 2. 【請求項11】請求項1または2に記載の素子の転写方法によって製造される回路基板。 11. The circuit board produced by a device transfer method according to claim 1 or 2. 【請求項12】請求項1または2に記載の素子の転写方法によって製造される、二次元に配置された複数の画素電極に素子を配置して構成される回路基板。 12. The method of claim 1 or 2 produced by device transfer method according to the circuit board constructed by arranging the elements into a plurality of pixel electrodes arranged in two dimensions. 【請求項13】請求項12に記載の前記回路基板を使用した電気光学装置。 13. The electro-optical device using the circuit board of claim 12. 【請求項14】請求項1または2に記載の素子の転写方法によって製造される電子機器。 14. An electronic apparatus manufactured by the device transfer method according to claim 1 or 2. 【請求項15】請求項1または2に記載の素子の転写方法によって製造されるICカード。 15. IC card produced by device transfer method according to claim 1 or 2.
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