JP4945351B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法におけるダイ・ボンディング技術に適用して有効な技術に関する。

日本特開平０２−０５６２７１号公報（特許文献１）または日本特開平０４−３０５２６５号公報（特許文献２）には、ダイ・ボンディング用液状接着剤を配線基板等に塗布する際、シリンジ(Syringe)とディスペンサ間のエア配管に圧力センサを設けて、吐出開始時の圧力の上昇速度を検知し、それに基づいて、吐出終了のタイミングを調整することにより接着剤の塗布量を平準化する（一般に「水頭差補正」という）ダイ・ボンディング技術が開示されている。

日本特開２０００−１２６６６６号公報（特許文献３）、米国特許６５２７１４２号公報（特許文献４）、日本特開２００１−０４６９３６号公報（特許文献５）、または米国特許６７１５５０６号公報（特許文献６）には、ダイ・ボンディング用液状接着剤を配線基板等に塗布する際、シリンジ(Syringe)ノズルの近傍に圧力センサを設けて、ノズル部の液体圧力に応じて供給する圧力を調整することにより接着剤の漏出を防止するダイ・ボンディング技術が開示されている。

日本特開平０３−２９０７１５号公報（特許文献７）または米国特許５１８８２５８号公報（特許文献８）には、ダイ・ボンディング用液状接着剤を配線基板等に塗布する際、ディスペンサ内のエア配管系に圧力センサを設けて、吐出開始時の圧力を検知し、それに基づいて、接着剤の塗布量を平準化を図るダイ・ボンディング技術が開示されている。

特開平０２−０５６２７１号公報 特開平０４−３０５２６５号公報 特開２０００−１２６６６６号公報 米国特許６５２７１４２号公報 特開２００１−０４６９３６号公報 米国特許６７１５５０６号公報 特開平０３−２９０７１５号公報 米国特許５１８８２５８号公報

一般に半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造プロセスにおいては、ダイ・ボンディング用液状接着剤（たとえばエポキシ系接着剤）を配線基板等に塗布する際、先に塗布ノズルがあるシリンジ（下方にノズルを取り付け、上方から加圧ガスを供給する液体容器）にペースト状の接着剤を入れておいて、そこにディスペンサ装置から一定の時間、空気等の加圧気体を供給して、所定量の接着剤を吐出させる接着剤塗布方法または滴下方法（一般に「エア・パルス式」と言う）が用いられている。塗布時には、この塗布ノズルを配線基板等に近接させた状態で、シリンジをXY平面内で２次元的に一筆書き走査（描画動作）する（一般に中心から始まり中心に戻る）。

しかしながら、本願発明者らが検討したところによると、従来の塗布方式では以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、シリンジ内の接着剤の残量が少なくなると描画動作開始時に塗布線幅が細くなることがわかった。塗布線幅が細くなると、チップの裏面の一部でペーストにぬれない領域が発生する恐れがある。ぬれない部分があると半導体装置の信頼性が著しく低下する可能性がある。

本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法を提供することにある。

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

すなわち、本願発明はシリンジにかかるエア圧をモニタして、それが設定値を越えた時点で描画動作を開始させるものである。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。

すなわち、シリンジにかかるエア圧をモニタして、それが設定値（正常圧力値）を越えた時点で、はじめて描画動作（シリンジ先端のノズル部がペーストを吐出しながらXY平面で移動）を開始させるので、描画開始時に塗布線幅が細くなる問題を回避することができる。

〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。

１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイ・ボンディング装置内の塗布部において、ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記ダイ・ボンディング装置内のチップ・ピックアップ部において、コレットにより、半導体チップをピックアップする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記ダイ・ボンディング装置内のダイ・ボンディング部において、前記半導体チップの裏面を、前記配線基板の前記第１の主面上の前記接着剤が塗布された部分にボンディングする工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、圧力センサによりモニタする工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ２）の結果に基づいて、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程。

２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ａ５）における吐出の終了は、前記下位工程（ａ６）における前記相対移動の終了に実質的に同期している。

３．前記１または２項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（a２）における前記モニタは、前記下位工程（ａ１）における前記空気圧が設定圧力以上に達したことを検出するものである。

４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記圧力センサは前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の空気圧供給系に連結されている。

５．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記圧力センサは前記ディスペンサに内蔵されている。

６．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイ・ボンディング装置内の塗布部において、ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記ダイ・ボンディング装置内のチップ・ピックアップ部において、コレットにより、半導体チップをピックアップする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記ダイ・ボンディング装置内のダイ・ボンディング部において、前記半導体チップの裏面を、前記配線基板の前記第１の主面上の前記接着剤が塗布された部分にボンディングする工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、流量センサによりモニタする工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ２）の結果に基づいて、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程。

７．前記６項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ａ５）における吐出の終了は、前記下位工程（ａ６）における前記相対移動の終了に実質的に同期している。
８．前記６または７項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（a２）における前記モニタは、前記下位工程（ａ１）における前記空気圧が設定圧力以上に達したことを検出するものである。

９．前記６から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記流量センサは前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の空気圧供給系に連結されている。

１０．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイ・ボンディング装置内の塗布部において、ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記ダイ・ボンディング装置内のチップ・ピックアップ部において、コレットにより、半導体チップをピックアップする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記ダイ・ボンディング装置内のダイ・ボンディング部において、前記半導体チップの裏面を、前記配線基板の前記第１の主面上の前記接着剤が塗布された部分にボンディングする工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ１）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記下位工程（ａ４）において、前記空気圧の降下は、前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の第１の空気圧供給系に連結された急速排気弁により加速される。

１１．前記１０項の半導体装置の製造方法において、前記ディスペンサと前記シリンジ間には負圧を供給するための第２の空気圧供給系が、前記第１の空気圧供給系と並列に連結されている。

１２．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイ・ボンディング装置内の塗布部において、ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記ダイ・ボンディング装置内のチップ・ピックアップ部において、コレットにより、半導体チップをピックアップする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記ダイ・ボンディング装置内のダイ・ボンディング部において、前記半導体チップの裏面を、前記配線基板の前記第１の主面上の前記接着剤が塗布された部分にボンディングする工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ１）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記下位工程（ａ４）において、前記空気圧の降下は、前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の第１の空気圧供給系に連結された大気開放弁により加速される。

１３．前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記大気開放弁の動作は前記ディスペンサに内蔵された排気用電磁弁と同じタイミングで行われる。

１４．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイ・ボンディング装置内の塗布部において、ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記ダイ・ボンディング装置内のチップ・ピックアップ部において、コレットにより、半導体チップをピックアップする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記ダイ・ボンディング装置内のダイ・ボンディング部において、前記半導体チップの裏面を、前記配線基板の前記第１の主面上の前記接着剤が塗布された部分にボンディングする工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、圧力センサまたは流量センサによりモニタすることにより、前記空気圧が設定圧力に到達したことを検出する工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ２）の検出結果に基づいて、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程。

１５．前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ａ５）における吐出の終了は、前記下位工程（ａ６）における前記相対移動の終了に実質的に同期している。

１６．前記１４または１５項の半導体装置の製造方法において、前記圧力センサまたは前記流量センサは前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の空気圧供給系に連結されている。

１７．前記１４から１６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記圧力センサは前記ディスペンサに内蔵されており、それからの信号により、前記空気圧が前記設定圧力に到達したことを検出する。

１８．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）コレットにより、半導体チップをピックアップする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記半導体チップの裏面を、前記配線基板の前記第１の主面上の前記接着剤が塗布された部分にボンディングする工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、圧力センサまたは流量センサによりモニタすることにより、前記空気圧が設定圧力に到達したことを検出する工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ２）の検出結果に基づいて、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程。

１９．前記１８項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ａ５）における吐出の終了は、前記下位工程（ａ６）における前記相対移動の終了に実質的に同期している。

２０．前記１８または１９項の半導体装置の製造方法において、前記圧力センサまたは前記流量センサは前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の空気圧供給系に連結されている。

２１．前記１８から２０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記圧力センサは前記ディスペンサに内蔵されており、それからの信号により、前記空気圧が前記設定圧力に到達したことを検出する。

２２．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）コレットにより、半導体チップをピックアップする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記半導体チップの裏面を、前記配線基板の前記第１の主面上の前記接着剤が塗布された部分にボンディングする工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、圧力センサまたは流量センサによりモニタすることにより、前記空気圧が設定圧力に到達したことを検出する工程；
（ａ３）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記下位工程（ａ２）の検出結果に基づいて、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程。

２３．前記２２項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ａ５）における吐出の終了は、前記下位工程（ａ６）における前記相対移動の終了に実質的に同期している。

２４．前記２２または２３項の半導体装置の製造方法において、前記圧力センサまたは前記流量センサは前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の空気圧供給系に連結されている。

２５．前記２２から２４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記圧力センサは前記ディスペンサに内蔵されており、それからの信号により、前記空気圧が前記設定圧力に到達したことを検出する。

次に、本願において開示される発明のその他の実施の形態について概要を説明する。すなわち、
２６．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、圧力センサまたは流量センサによりモニタすることにより、前記空気圧が設定圧力に到達したことを検出する工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ２）の検出結果に基づいて、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程。

２７．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ１）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記下位工程（ａ４）において、前記空気圧の降下は、前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の第１の空気圧供給系に連結された急速排気弁により加速される。

２８．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ１）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記下位工程（ａ４）において、前記空気圧の降下は、前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の第１の空気圧供給系に連結された大気開放弁により加速される。

２９．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、圧力センサまたは流量センサによりモニタすることにより、前記空気圧が設定圧力に到達したことを検出する工程；
（ａ３）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記下位工程（ａ２）の検出結果に基づいて、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程。

３０．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記配線基板の第１の主面上のまだ、前記接着剤が塗布されていない部分について、前記工程（ａ）を繰り返す工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記下位工程（ａ１）の後、前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を第１の継続時間の間だけ継続させる工程；
（ａ４）前記下位工程（ａ３）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記空気圧の降下状態を、圧力センサまたは流量センサによりモニタすることにより、検出する工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記工程（ｂ）においては、前記（ａ）工程における下位工程（ａ５）の結果に基づいて、前記第１の継続時間の長さを決定する。

３１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記配線基板の第１の主面上のまだ、前記接着剤が塗布されていない部分について、前記工程（ａ）を繰り返す工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、圧力センサまたは流量センサによりモニタすることにより、前記空気圧が設定圧力に到達したことを検出する工程；
（ａ３）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記工程（ｂ）においては、前記（ａ）工程における下位工程（ａ２）の結果に基づいて、前記第１の遅延時間の長さを決定する。

３２．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上の第１の半導体チップを固着すべき位置に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記配線基板の第１の主面上の第２の半導体チップを固着すべき位置について、前記工程（ａ）を繰り返す工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記空気圧の上昇を、センサによりモニタすることにより、前記空気圧が設定圧力に到達したことを検出する工程；
（ａ３）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記相対移動を開始する工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記工程（ｂ）においては、前記（ａ）工程における下位工程（ａ２）の結果に基づいて、前記第１の遅延時間の長さを決定する。

３３．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上の第１の半導体チップを固着すべき位置に前記接着剤を塗布する工程；
（ｂ）前記配線基板の第１の主面上の第２の半導体チップを固着すべき位置について、前記工程（ａ）を繰り返す工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ４）前記下位工程（ａ３）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記工程（ｂ）においては、前記シリンジ内の前記接着剤の量に応じて、前記第１の遅延時間の長さを決定する。

３４．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上の半導体チップを固着すべき位置に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ４）前記下位工程（ａ３）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記第１の遅延時間は前記シリンジ内の前記接着剤の量またはそれに対応して変化するパラメータに応じて自動的に決定される。

３５．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記下位工程（ａ１）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記下位工程（ａ４）において、前記空気圧の降下は、前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の第１の空気圧供給系に連結された大気開放装置により加速される。

３６．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上の半導体チップを固着すべき位置に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
（ａ４）前記下位工程（ａ３）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記第１の遅延時間は前記シリンジ内の前記接着剤の量またはそれに対応して変化するパラメータに応じて自動的に決定され、前記下位工程（ａ４）において、前記空気圧の降下は、前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の第１の空気圧供給系に連結された大気開放装置により加速される。

３７．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上の半導体チップを固着すべき位置に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を第１の継続時間の間だけ継続させる工程；
（ａ４）前記下位工程（ａ３）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記第１の継続時間の長さは、前記シリンジ内の前記接着剤の量またはそれに対応して変化するパラメータに応じて自動的に決定される。

３８．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上の半導体チップを固着すべき位置に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を第１の継続時間の間だけ継続させる工程；
（ａ４）前記下位工程（ａ３）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記第１の遅延時間の長さおよび前記第１の継続時間の長さは、前記シリンジ内の前記接着剤の量またはそれに対応して変化するパラメータに応じて自動的に決定される。

３９．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上の半導体チップを固着すべき位置に前記接着剤を塗布する工程、
ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
（ａ２）前記吐出の開始から第１の遅延時間経過後に、前記相対移動を開始する工程；
（ａ３）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を第１の継続時間の間だけ継続させる工程；
（ａ４）前記下位工程（ａ３）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることによりことにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
（ａ５）前記下位工程（ａ３）の後、前記相対移動を終了させる工程、
ここで、前記第１の遅延時間の長さおよび前記第１の継続時間の長さは、前記シリンジ内の前記接着剤の量またはそれに対応して変化するパラメータに応じて自動的に決定され、
更に、ここで、前記下位工程（ａ４）において、前記空気圧の降下は、前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の第１の空気圧供給系に連結された大気開放装置により加速される。

〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。

２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。

３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。

４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。

５．「ウエハ」というときは、通常は半導体集積回路装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。

６．「チップ」または「ダイ」というときは、一般的にはウエハ分割工程(ブレードダイシング、レーザダイシングその他のペレタイズ工程)後の完全分離したものを指すが、本願では便宜上、分離前のチップ領域も同じ用語で示す。たとえば、いわゆるＤＢＧ(Dicing before Grinding)プロセスでは、ハーフカット・ダイシング後にグラインディングして最終的にチップに分離して、その状態でチップ裏面を保持用の粘着テープに貼り付けた後、剥離工程に進む。このような場合を含めて、たとえば「ウエハ」は分離されれば厳密にはすでにウエハではなく、チップ等も分離される前はチップ領域であってチップではないが、いつ分離されるかは個々のプロセスに依存するので、分離の前後を問わず、これらを包括して「ウエハ」、「チップ」または「ダイ」という。ここでは主としてシリコン系のチップを、例にとって説明するが、GaAs系のチップであってもよい。本願の主な対象となるチップサイズは、以下のとおりである（正方形、長方形があるが煩雑になるので正方形についてのみ例示する）。一辺３mmから１５mm程度、厚さは１００マイクロ・メータ前後が中心であるが、範囲としては７０マイクロ・メータから数百マイクロ・メータである。

７．「配線基板」というときは、一般的にはフレキシブル配線基板等を含む有機配線基板、セラミック配線基板、金属リードフレーム等の外、他のチップ、ウエハその他の薄膜状集積回路装置を指す。

８．「コレット」または「吸着コレット」は、チップをピックアップしたり、ダイ・ボンディングするためのチップ保持体である。従来よりメタル（ステンレスなど）、セラミック、ポリマー等の一体もので構成されていたが、薄膜ウエハまたは薄膜チップ（主に厚さが１５０マイクロメータ以下、特に１００マイクロメータ以下）用では、チップにクラック等が入らないように、チップに直接触れるエラストマー等のポリマーを主要な構成要素とするラバー・チップとそれを保持する吸着コレット本体またはラバー・チップ・ホールダから構成されるようになっている。ラバー・チップは、一般にフッ素ゴム、二トリル・ラバー、シリコーン・ラバー等の熱硬化性エラストマー、または熱可塑性エラストマー等の弾性ポリマー材料を主要な構成要素としている。

９．本願においてノズルの上昇・降下（Ｚ軸移動）およびノズルによる描画動作（水平方向の２次元的移動すなわちＸＹ移動）は、基本的に相対運動であり、ノズル（シリンジ）側が移動してもよいし、処理対象物である配線基板側が移動してもよい。また、両方が同時に又は別々の時間に移動してもよい。このことはＺ軸についても同様である。また、Ｘ軸方向はノズル側が移動し、Ｙ軸方向は配線基板側が移動するようにしてもよい。本実施の形態では、位置合わせ時には、配線基板側が移動し、描画時にはノズル側が移動する例（Ｚ軸についても同様）について具体的に説明する。

１０．空気圧供給系（ガス圧供給系）は、ガス配管を通して圧搾空気等を供給（すなわち、空気圧を供給）し、真空引きや減圧を供給（すなわち、真空、排気、または減圧の供給）する気圧制御システム(Pneumatic Control System)である。本願での気圧の基準は大気圧（真空基準では約１００kPa）であり、大気圧より上が正圧であり、それより下が負圧である。

１１．本願において、タイミングを表示する記号については、できるだけ同一または同等のタイミングについては同一の又は類似の記号を用いることにする。

１２．ダイ・ボンディング用接着剤は一般にダイ・ボンディング・ペースト、ダイ・アタッチ・ペーストまたは単にペーストと呼ばれる。主要な液状またジェル状成分は接着剤（エポキシ系、アクリル系など）であり、絶縁型と導電型があり、後者は必要に応じてメタル粉末その他のフィラー成分を含む。１０ミリ・リットルのシリンジで１０ｍｍ角のチップであれば、たとえばペースト厚さ２５マイクロメータとして、４０００チップ・サイトの塗布が可能である。ペースト厚さは一般に１０から４０マイクロメータの場合が多く、特別に厚い場合でも８０マイクロメータ程度である。

〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。

（実施の形態）
１．本実施の形態における圧力上昇・描画同期の概要説明（主に図１、２および図４参照）
図１、２および図４に基づいて圧力上昇に同期したペースト吐出プロセスについて説明する。接着剤４２はペーストの形でシリンジ２３（ペースト容器）に収容されている。シリンジは一般に１０ミリ・リットル、または３０ミリ・リットルのものが頻繁に利用されるが、水頭差による問題は容量が大きい方が敏感である。まず、シリンジ２３がペーストでほぼ満たされている状態（グラフ中の実線に注目）について説明する。最初、塗布制御部２２の指示（以下同じ）により、シリンジ・ホールダ２８が降下することによって、ノズル２５の先端は比較的高い位置から降下してｔ_１の時点（吐出開始タイミング）で配線基板４３の上面から、たとえば１００から２００マイクロメータの高度に達する。ここで、ディスペンサ１２から空気圧が空気圧供給系２６（配管の長さは一般に１ｍ程度である）およびアダプタ２９を通して供給されると、シリンジ２３内の空気圧が急速に上昇し、徐々に吐出が開始する。ｔ_２の時点で設定圧力まで圧力センサ２１の観測値が上昇すると、それに同期して描画動作が開始する。すなわち、具体的には塗布ヘッドのXYテーブルが移動することによってノズル２５が２次元的に水平移動する。ｔ_３の時点でノズル２５は一般に書き出しの位置に戻っており、そこで描画動作を終了する。ほぼ同時にディスペンサ１２からの空気圧の供給が停止される（このタイミングは必要に応じて相互にずらしてもよい）と、シリンジ２３内の空気圧は急速に降下するが、吐出は徐々に弱くなりｔ_４の時点で停止する。停止するとほぼ同時にノズル２５が上昇する。

次に、シリンジ２３内のペーストが少ない状態（グラフ中の破線に注目）について説明する。ｔ_１の時点までは同じである。ディスペンサ１２から空気圧が空気圧供給系２６およびアダプタ２９を通して供給されても、シリンジ２３内の空気圧の上昇が鈍く、徐々に吐出は開始するものの、ｔ２の時点でも描画を開始するには不十分である。ｔ’_２の時点で設定圧力まで圧力センサ２１の観測値が上昇すると、それに同期して描画動作が開始する（圧力上昇・描画同期補正）。描画時間は基本的に同じであることが普通であり（必要により変化させてもよい）、開始が遅れた終了時点が後にずれて、ｔ’_３の時点でノズル２５は一般に書き出しの位置に戻っており、そこで描画動作を終了する。ほぼ同時にディスペンサ１２からの空気圧の供給が停止されると、シリンジ２３内の空気圧は急速に降下するが、吐出は徐々に弱くなりｔ’_４の時点で停止する。停止するとほぼ同時にノズル２５が上昇する。なお、圧力上昇・描画同期補正をかけないと、図１の点線のようになり、書き出し部分は塗布されたペーストが細くなり、塗布されるペースト量が減少する。また、描画動作を連動させずに、単に吐出時間を延長する場合は、塗布されるペースト量の問題は解決できるが、書き出し部分とその後のアンバランスの問題は解決されない。

なお、圧力センサはディスペンサ１２の空気圧出力とシリンジ２３間の空気圧供給系に連結された圧力センサ２１を用いるほか、ディスペンサ１２に内蔵された圧力センサ１を使用してもよい。その場合は、センサを省略できるメリットがある。また、外部のセンサを用いる場合は、その目的に最も適合したセンサを選択できるメリットがある。また、圧力の上昇状態の検出はディスペンサ１２の空気圧出力とシリンジ２３間の空気圧供給系に連結された流量計２７によってもすることができる（それ以外の場所に連結させてもよい）。更に、描画動作の開始タイミングはシリンジ内の圧力が、所定の圧力（設定圧力）に到達した時点と同時にしてもよいし、それから所定の遅延時間を置いた後にしてもよい。少なくとも、シリンジ内のペーストが少ないときにも、書き出し時に塗布されたペーストが細くならないように、シリンジ内の圧力が十分に上昇するのを待って、描画動作が開始すればよい。

更に、圧力上昇・描画同期補正は吐出開始タイミングから設定遅延時間経過後に実行するようにしてもよい。その場合には、設定遅延時間経過時点で設定圧力値等まで到達している場合には、圧力上昇・描画同期補正動作が不要であり、処理が単純になるメリットがある。

また、以上の説明は実時間補正またはフィード・フォーワッド(Feedforward)処理について説明したが、次のまたは後続の塗布サイトについて、圧力上昇・描画同期補正してもよい。その場合は実時間処理が不要であり、信号処理や機械制御が簡単になるメリットがある。すなわち、比較的短い間隔でフィードバックを行っていれば、現時点の状態も標準値から大きくかけ離れることはないので、量産上問題はないと考えられる。

また、昇圧特性、降圧特性等はシリンジ内のペーストの量に依存するので、ペーストの量を基本的なパラメータ（基準パラメータ）として、それに応じて、吐出開始から描画動作開始までの遅延時間を決定するようにしてもよい。このとき、ペーストの量はセンサ等で直接測定（前記したセンサによる測定、光学測定、重量測定等）してもよいし、装置の動作記録等から自動的に算出してもよい。また、ペーストの量に対応して変化する他のパラメータ（たとえばシリンジ内または空気圧供給系内のそれとほぼ等価な位置の圧力又はその変化）または計測値から算出してもよい。シリンジ内のペーストの量は単調に減少するものであり、予測不可能な変動をするものでないので、毎回測定する必要はなく、装置の処理ログデータと組合せば、少ない数の測定で、比較的高精度の制御が可能である。

なお、以上述べたことは、吐出終了時の圧力降下および描画動作終了についても適用すると効果が期待できる。すなわち、センサ等で吐出終了時の圧力降下状況を見るか、シリンジ内のペーストの量を考慮して、後続の塗布プロセスにフィードバックをかけて、吐出時間（すなわちｔ_１−ｔ_３またはt’_１−t’_３）を変更して、トータルの吐出を制御する等がチップ・サイト中央部の塗布量を適正にする上で有効である。このときは、一般に吐出終了のタイミングが描画終了のタイミングよりも早くなることとなる（すなわち、同期しない）。ただし、同期させても問題のない場合は、そのようにしてもよい。

２．本実施の形態に使用するダイ・ボンディング装置等の概要説明（主に図３から５）
図３に本実施の形態に使用するダイ・ボンディング装置３１の主要部の斜視図を示す。図４は塗布ヘッド４８の斜視図である。図５は装置の全体構成を示す模式側断面図である。以下にダイボンディング・プロセスの流れを説明する。

多数のチップ４１（集合的にウエハの際と同じ配列で並んでいる）はダイシング・テープ４４上に粘着されており、ダイシング・テープ４４の周辺はウエハ・フォルダ５０等で剥離部３４の基体上に固定されている。この基体中央部にはダイシング・テープ４４を吸着するための吸着駒４５がある。一般に塗布部３２において塗布ヘッド４８が作動して基板用XYテーブル４７上の１枚の配線基板４３のすべてのチップ・ボンディング・サイトに接着剤が塗布された後、ダイ・ボンディング・ヘッド４９が作動して剥離部３４において、コレット３５（チップ保持具）を介してチップ４１を剥離し、ボンディング部３３のボンディング・ステージ４６上において、正常なすべてのチップ・ボンディング・サイトに接着剤４２を介してチップ４１がボンディングされる。ボンディング後、たとえば１時間ほど、ボンディング装置外でベーク処理して、接着剤の固化を促進する。

なお、この例では、各ヘッド動作の都合上、ボンディング動作と塗布動作は同時に別々の配線基板に対して実行しているが、同一の配線基板に対して実行するようにしてもよい。

３．本実施の形態の半導体の製造プロセスの概要説明（主に図６から１１）
これまでに説明したダイ・ボンディング・プロセスの流れを半導体装置プロセスの面から説明する。描画方式の塗布プロセスは、均一な塗布ができ且つボイド等を発生させないように、原則として図６の経路５１に示すようにチップサイト１４１（チップ４１がボンディングされるべき場所、すなわちダイ・ボンディング領域）の中心に始まり中心に終わる一筆書き(Single Stroke Drawing)によって描画される（そのようにすることは必ずしも必須ではないし、これ以外の経路でもよい）。

図７から９は良好に進行したプロセスの流れを示す。図７に示すように、配線基板４３のチップサイト１４１の周辺には近接して外部電極パッド５２が配置されているので、塗布されたペースト４２の量および分布は一定の量であり、かつ、各方向に均一であることが必要である。そうであると、チップ４１をボンディングしたときに、図８に示すようにチップ周辺が全周にわたり完全にぬれ、且つ不所望な周辺への広がりがないものとなる。このような状態では、図９に示すように、チップ４１上のボンディング・パッド５３と外部電極パッド５２間を金ワイヤ５４（他の金属ワイヤでもよい）でワイヤ・ボンディングする工程も問題なく実行可能である。

一方、図１０および１１に問題がある場合のプロセスの流れを示す。たとえば、シリンジ内のペースト量が少ないときに、それが多いときと同一の処理をすると、図１０に示すように、描画動作の初期においてシリンジ内の圧力が十分に上昇していないために、塗布されたペーストに正常な部分４２a、４２cと細い部分４２bが出現する。この場合は、チップ４１をボンディングした際に、図１１に示すようにチップの周辺でぬれない部分４２dが出現しやすくなる。これは、デバイスの信頼性の上で重大な問題となる。

４．本実施の形態のディスペンサ・シークエンスの概要説明（主に図１２から２１）
図１２に本実施の形態に使用するディスペンサ１２の内部構造を示す。これを用いて各部の働きの概略を説明する。圧搾空気供給ポート１１（エア・イン・コネクター）から導入された圧搾空気（一般に４００から５００kPa）は吐出用電空レギュレータ６で適切な圧力（たとえば１００kPa）に調整されて吐出用切り替え電磁弁３を介して、エア制御出力ポート８（空気圧出力ポート）から送出される。同ポート内部には出力をモニタするための圧力センサ１がある。シリンジ２３に供給された圧搾空気は排気用電磁弁２を介して排気ポート９から強制的に排気される（一般に「排気」という）。また、吐出しないときにはペーストの重さで液だれが起こらないように微弱な真空（一般に「バキューム」という）を供給する必要がある。このバキュームは圧搾空気供給ポート１１からの圧搾空気をバキューム用電空レギュレータ５を介して適切な圧力（絶対値が１０kPa程度以下）にして微弱真空発生器７(一般のアスピレータと類似の吸引装置)に供給して、高速気流を形成し、その側圧（負圧）を利用する。この気流は消音機１４を介してバキューム用排気ポート１０から排出される。この負圧（バキューム）は液体・固体フィルタ１３を介してバキューム用電磁弁４と吐出用切り替え電磁弁３で制御されて空気圧出力ポート８に連結されている。

次に図１３および１４に基づいて、基本的なディスペンサ・シークエンスを説明する。ｔ_１前の時点は吐出待機状態７１であり、このときバキュームのみオンである。ｔ_１の時点（吐出開始タイミング）で吐出状態７２に入る。このときはバキュームがオフし、吐出のみがオンとなる。ｔ_３の時点（吐出終了タイミング）で吐出がオフとなり、排気およびバキュームがオンになり排気状態７３となる。t_５の時点で排気はオフとなり、バキュームのみで液漏れを止めている状態、すなわち、処理後の待機状態７４となる（繰り返す場合は処理前の待機状態７１に戻る）。以下順次各状態のディスペンサ１２の動作を説明する。

図１５に吐出時のディスペンサ１２の状態を示す。図中において太い実線は生きている(Active)流路を、点線で死んでいる(Inactive)流路を示す（以下に同じ）。すなわち、吐出用空気圧供給系統のみが実質的にアクティブになっている状態である。図１６に排気時のディスペンサ１２の状態を示す。すなわち、排気用およびバキューム用の空気圧（負圧）供給系統のみが実質的にアクティブになっている状態である。図１７にバキューム時のディスペンサ１２の状態を示す。すなわち、バキューム用の空気圧（負圧）供給系統のみが実質的にアクティブになっている状態である。

図１８および１９に基づいて（本願の具体的数値データは特に明示しない限り１０ミリリットルのシリンジによるものである。）、塗布サイクルの全体を説明する。最初ノズル２５は塗布状態よりも高いサイクル高さ待機状態８１にある。この状態で基板XYテーブル４７（図５）が動いて位置あわせが完了すると、時点ｄ_１でノズル２５（図１，２）が降下を開始する。時点ｄ_２までは急速に降下して、その後はゆっくりと降下して時点ｔ_１で吐出可能状態８２となり、吐出を開始する。遅延時間ｔ_１−ｔ_２の後（たとえば５０ミリ秒程度）、塗布ヘッドXYテーブル２４（図２）が作動して描画動作が開始する（テーブル動作開始８３）。時点ｔ_３で（ｓ_１−ｔ_３の期間は、たとえば２００ミリ秒程度、チップサイズによって１００ミリ秒から１秒程度の範囲が主である）描画動作と吐出動作が同期して終了すると（テーブル動作終了８４）、排気とバキュームがほぼ同時に開始する。時点ｔ_４でノズル２５が上昇を開始し（上昇ステップ８５）、液きりを行う。時点ｔ_５で排気が終了し、後はバキュームのみで重力と均衡する。時点ｔ_６でノズル２５は元の待機高さに戻る。

このとき（図１９等のシークエンスに対応）の圧力センサ２１の出力波形を図２０に示す。同図において、上はアナログ波形、下はデジタル波形であり、実線はシリンジ内のペースト量がほぼ１００％のときであり、破線または点線はシリンジ内のペースト量が少ないときのものである（以下同じ）。図からわかるように、時点ｔ_１で吐出が開始しても、すぐにはシリンジ内の圧力は上昇を開始せず、時点ｐ_１ではじめて上昇を開始する。その後、時点ｓ_１でセンサ２１の設定閾値を越える（t_１−s_１は５０ミリ秒程度）。そしてその直後に設定塗布圧力に到達する。降下側を見ると、時点ｔ_３で吐出が終了（吐出用空気圧の供給停止）しても、すぐにはシリンジ内の圧力は降下を開始しない（すなわち、吐出は停止しない）。時点ｓ_２ではじめて降下を開始し、ほぼ同時か直後にセンサ２１の設定閾値より低くなる。その後、排気が終了する時点ｔ_５を少し過ぎた時点ｐ_２でほぼ大気圧近傍に到達する（t_３−p_２は６０ミリ秒程度）。

次にシリンジ内のペースト量が少ないときを説明する。この場合は、上昇開始は同じ時点p_１であるが、センサ２１の設定閾値を越えるのはかなり遅れて時点ｓ’_１となる（実線と比較すると約２０ミリ秒遅延している）。降下の方もほぼ同じで、時点p_３まで遅延する（ここでも、３０ミリ秒弱程度の遅延がある）。

同様に、流量センサ２７の出力波形を図２１に示す。この場合は、先の図２０での圧力センサのオンオフのタイミングと合うように、流量センサ２７のオン閾値およびオフ閾値を設定する。まず、実線のシリンジ内のペースト量がほぼ１００％のときを説明する。時点ｔ_１より前では流量はほぼゼロである。流量の場合は、時点ｔ_１で吐出が開始されるとすぐに流量の上昇が始まる。時点p_１前後から急速な立ち上がりを示し、すぐに最大流量に達する。その後は急速に低下して時点ｓ_１でオン閾値を横切る。その後、低い正値をしばらく保持する。時点ｔ_３で吐出が停止して排気が始まっても、すぐには流量は負側に動かず、時点ｓ_２の前後で流量センサ２７のオフ閾値を横切る。排気がオフされる時点ｔ_５ではすでに流量は急速にゼロに向かって上り始めており、時点ｐ_２には、ぼぼゼロ近傍に収束している。

次に、シリンジ内のペースト量が少ないときを説明する。この場合は、上昇開始は同じ時点ｔ_１であるが、センサ２７のオン閾値を横切るのはかなり遅れて時点ｓ’_１となる。降下の方もほぼ同じで、時点p_３まで遅延する。

流量センサによる場合は、圧力センサの場合と比較して、設定吐出圧力に依存しないメリットがある。一方、圧力センサの場合は閾値の設定が比較的簡単であるというメリットがある。

次に、以上を説明したことに基づいて、圧力上昇・描画同期方法の詳細を説明する。

５．本実施の形態の圧力上昇・描画同期の詳細説明（主に図２２から２３）
図２２に基づいて、セクション１に説明した圧力上昇・描画同期補正をアクティブにしたときのセクション４に示した吐出圧力波形と他の動作とのタイミング等の関係を説明する。一般的には、吐出開始後、一定の遅延時間の後に描画動作を開始する。しかし、そうすると、遅延時間をシリンジ内のペースト量がほぼ１００％のときに合わせると、シリンジ内のペースト量が少ないときは、初期の描画ラインが細くなる問題が発生する。一方、シリンジ内のペースト量が少ないときに合わせると、シリンジ内のペースト量がほぼ１００％のときは、チップサイトの中央部に過剰なペーストが塗布されることとなる。

これらの問題を回避するために、ここでは圧力センサのデジタル出力の設定閾値を設定吐出圧力の近傍に設定して、圧力センサのデジタル出力のオン信号により描画動作の開始のトリガーとし、描画動作の終了と同期させて、吐出動作を終了させる（必要に応じていずれかのタイミングをずらせてもよい）。すなわち、実線で示すように、シリンジ内のペースト量がほぼ１００％のときは、時点ｓ_１で圧力センサがオンし、それをトリガーとして描画動作が開始する。一方、シリンジ内のペースト量が少ないときは、時点ｓ’_１で圧力センサがオンし、それをトリガーとして描画動作が開始する。描画動作の終了時点ｔ’_３は開始が遅れた分遅らせるのが望ましい。ここでは、吐出動作の終了についても描画動作の終了時点ｔ’_３まで遅らせている。このことによって、単位チップサイトに塗布されるペーストの総量をシリンジ内のペースト量に依存せず、一定にできる。また、描画動作の開始をシリンジ内の圧力が十分に高くなってから行うので、描画初期に描画ラインが細くなることを回避することができる。

一方、シリンジ内のペースト量が少ないときは、描画の開始を遅らせることになるので、チップサイトの中央部に過剰のペーストが塗布される問題がある。また、この傾向は、描画動作または吐出動作終了後のシリンジ内圧力の降下状況によって、更に加速される場合がある。すなわち、破線で示したように期間ｐ_２−ｐ_３は期間ｔ_３−ｔ’_３よりも相当長くなっている。シリンジ内のペースト量が少ないときは、圧力降下時間も長くなり、吐出期間ｔ_１−ｔ’_３経過後に相当量のペーストがチップサイトの中央部に塗布されることとなる可能性がある（ただし、中央部の若干の過剰はあまり問題にならない場合が多い）。

この対策としては、以下のセクション７，８に示すもののほか、描画の開始を遅らせる場合には、吐出動作終了のみを自動的に早めることが有効である（描画時間ｓ’_１−ｔ’_３の方はチップ形状と描画方法が決まれば一般に一定の時間が定まる）。ただし、この「吐出早期終了法」（シリンジ内のペースト量に応じて吐出終了タイミングを描画終了タイミングよりも前にする方法）においては、あまり早く終了させると、逆に描画終了直前の描画ライン（図６の経路５１b−５１a）が細くなくデメリットがある。しかし、その場合は、中心部５１aの塗布量が多いのでバランスが取れる場合が多い。

次に、図２２に説明した塗布プロセスを流量センサを用いて実行する場合のタイミングチャートを図２３に示す。動作は、基本的に図２２と図２１に説明したものと同様であり、詳細は繰り返さない。

６．本実施の形態の圧力上昇・描画同期の他のバリエーションの詳細説明（主に図２４）
この例は、セクション５の例に対する一つのバリエーションである。セクション５の例では、時点ｔ_１で吐出期間に入ると、すぐにセンサのデジタル出力を描画動作開始のトリガーにしているが、この例では、設定遅延時間ｔ_１−ｔ_２の間は、モニタはするが、トリガーにはせず、設定遅延時間ｔ_１−ｔ_２の経過後に始めて、センサのデジタル出力を描画動作開始のトリガーにところに特徴がある。この場合は、センサによって修正をかける対象を一部分に限定できるため、信号処理や機械駆動が簡単になるメリットがある。すなわち、シリンジ内のペースト量が多いうちは、設定遅延時間ｔ_１−ｔ_２の経過後、即描画動作を開始すればよい（第２方式）。それで、シリンジ内のペースト量が一定以下となった以降は、ペーストの充填まで、ずっと設定遅延時間ｔ_１−ｔ_２の経過後、モニタして描画動作を開始すればよい（第１方式）。要するに、逐一、モニタ等を実行しなくとも、途中までは第１方式で処理し、シリンジ内のペースト量が一定以下（シリンジの容量が同じであれば、この一定量は基本的に同じはずであるので、事前に設定することもできる）となった以降は、第２方式で実行すればよい。

また、シリンジ内のペースト量（基準パラメータ）はダイボンディング処理の進行（対象物の品種および処理量）に一義的に依存するものであるから、この基準パラメータの値に応じて設定遅延時間を自動的に決定するようにしてもよい。この場合は、毎回のセンシングや複雑な機械的制御が不要になるメリットがある。

７．本実施の形態の圧力降下高速化の説明（主に図２５から２７）
この例は、セクション５（セクション６についても同様）で説明した圧力降下遅延（立下り遅延）の問題に対する一つの対策である。なお、他についても同様であるが、ここに示すやり方は、単独で使用することもできるし、本願の他の例と組み合わせて使用することもできることは言うまでもない。

図２５に塗布終了加速に用いるディスペンサを含む気圧制御システムの構成図を示す。これは基本的に図１２に示したシステムの排気時（図１６）と同様であるが、シリンジ２３内の圧搾空気を急速に排気する急速排気弁１５を付加した点に特徴がある。この急速排気弁としては、たとえば株式会社日本ピスコ（Pisco Pneumatic Equipment）等から市販されている。急速排気弁はシリンジの近傍に付けるのが望ましい。これによって、シリンジ内のペーストが空に近いときでも、１００％充填時と比較して、１０ミリ秒程度の遅延に収めることができる。

また、負圧制御（排気又はバキューム）をするための専用配管を平行に設けている。したがって、急速排気弁１５を有する配管は加圧制御専用となる。それ以外のタイミングおよびディスペンサの動作は、これまでに説明したもの（図１４、１９から２４参照）と基本的に同様である（以下同じ）。

図２５から２７に基づいて、排気動作を説明する。図２６に示すように高速排気弁はポートaの気圧がポートcの気圧よりも一定程度高いときは、通路a-cが開き（ほぼ同圧のときは閉じている）、ポートcの気圧がポートaの気圧よりも一定程度高いときは、通路c-bが開く（ほぼ同圧のときは閉じている）３方切り替え弁として作用する（図２５の急速排気弁の各ポートも同一の記号で示す）。

時点ｔ_１の前は負圧制御系を通してバキュームのみが作用している（高速排気弁はすべての通路が閉鎖する閉鎖状態）。時点t_１になるとバキュームがオフとなり、吐出動作が開始する。時点p_１を過ぎてポートaの気圧が高まると通路a-cが開き、空気圧をシリンジに供給する。時点ｔ_３で描画動作および吐出動作が終了すると、急速排気弁１５が自動的に通路c-bを開き、シリンジ側を大気開放する。そうすると実線で示すように急速に大気圧に収束する（破線は高速排気弁を使用しない場合を示す）。ポートcの気圧が大気圧に近づくと排気弁は閉鎖状態となる。そうすると時点ｔ３から作用しているバキュームだけとなる。

このように期間p_２−p_３の分だけ降圧特性が改善されることとなる。この結果、チップ・サイト中央部の過剰のペーストが低減されることとなる。

次のセクションにも示すように、降圧特性を改善するためには、シリンジの近傍の空気圧供給系に大気開放装置（高速排気弁に限らない）を設置すればよい。ここで、近傍とはシリンジ２３とディスペンサ１２の空気圧出力ポート８の間の空気圧供給系またはシリンジ２３それ自体あるいはシリンジに連結された別の配管のシリンジに比較的近い部分（ディスペンサ内の関係するバルブと比較して）という意味である。

８．本実施の形態の圧力降下高速化の他のバリエーションの説明（主に図２８）
この例は、セクション５（セクション６についても同様）で説明した圧力降下遅延の問題に対する他の一つの対策である。ここでは、シリンジの近傍の空気圧供給系に大気開放専用の電磁弁１６を挿入して、普段はスルー状態にしておくものである。そして、排気のタイミングでは、ディスペンサ１２の排気用電磁弁２と同一のタイミング（そのタイミング信号で）で大気開放に切り替えればよい。その他の動作タイミングおよびディスペンサの動作は、これまでに説明したもの（図１４、１９から２４参照）と基本的に同様である（以下同じ）。

セクション７との比較では、本方法は高速排気弁と異なり、空気圧供給時に空気圧で弁を押し開けなくてすむので、立ち上がりがスムースにできるメリットがある。一方、高速排気弁の方は、当該デバイスのみでほぼ同等の降圧促進効果が得られるところに利点がある。

９．本実施の形態の各具体例の組み合わせに関する説明
主にセクション５で説明した昇圧・描画同期プロセス（「昇圧描画同期」という）は単独でも描画全体としての塗布量のバランスの問題、特に初期のライン細りの問題を整える効果は大きい。これは、立下り時は圧力が低くなってなだらかになるのに対して、立ち上がりの方は圧力が高くなってからなだらかになるからである。しかし、立下りの方も、３０ミリリットル程度（２０ミリリットル以上）の容量のシリンジでは大きな問題となる。

一方、吐出早期終了法と組み合わせた場合は、チップ・サイト中央の過剰塗布防止の効果が大きい。また、シリンジ近傍に高速大気開放装置を置く「降圧加速法」と昇圧描画同期と組み合わせても、同様な効果が得られる。昇圧描画同期、吐出早期終了法、および降圧加速法を組み合わせると、更に描画全体としての塗布量のバランスの問題をほぼ完全に解決可能である。

また、降圧加速法または吐出早期終了法を単独であるいは相互の組み合わせで用いても、チップ・サイト中央の過剰塗布防止の効果は大きい。

１０．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、本実施形態では主に圧力センサや流量センサのような機械的センサを用いるものについて説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、光学センサその他の測定手段を用いるものでもよいことは言うまでもない。

本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスを説明するためのタイムチャートである。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるダイ・ボンディング装置の塗布部の構成を示すブロック図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるダイ・ボンディング装置の主要部を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるダイ・ボンディング装置の塗布ヘッド部を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるダイ・ボンディング装置の各部の動作を説明するための模式断面図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスの描画動作を表す上面図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセス完了時の状況を示すデバイス斜視図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング・プロセス完了時の状況を示すデバイス斜視図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるワイヤ・ボンディング・プロセス完了時の状況を示すデバイス斜視図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスにおける問題点を説明するためのダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセス完了時の状況を示すデバイス斜視図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスにおける問題点を説明するためのダイ・ボンディング・プロセス完了時の状況を示すデバイス斜視図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサの内部構造を説明する模式構造図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサの基本的動作フロー図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサの基本的動作のタイミングチャートである。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサの吐出時における内部状態を表す状態説明図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサの強制排気時における内部状態を表す状態説明図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサの液だれ防止のための微弱バキューム吸引時における内部状態を表す状態説明図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサのペン・ライト塗布動作フロー図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサのペン・ライト塗布動作のタイミングチャートである。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサのペン・ライト塗布動作のタイミングチャートに対応する吐出圧力波形図である。 ダイ・ボンディング用ペースト塗布プロセスに用いるディスペンサのペン・ライト塗布動作のタイミングチャートに対応する吐出流量波形図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング・プロセスのディスペンサのペン・ライト塗布動作時の吐出圧力波形図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング・プロセスのディスペンサのペン・ライト塗布動作時の吐出流量波形図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング・プロセスのバリエーションに対応するディスペンサのペン・ライト塗布動作時の吐出圧力波形図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング・プロセスの塗布終了加速に用いるディスペンサを含む気圧制御システムの構成図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング・プロセスの塗布終了加速に用いる高速排気弁の構造図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング・プロセスの塗布終了加速方式の吐出圧力波形図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイ・ボンディング・プロセスの塗布終了加速のバリエーションに用いるディスペンサを含む気圧制御システムの構成図である。

符号の説明

１２ ディスペンサ
２１ 圧力センサ
２３ シリンジ
２５ 塗布ノズル
３１ ダイ・ボンディング装置
３２ 塗布部
３３ ダイ・ボンディング部
３４ チップ・ピックアップ部
３５ コレット
４１ チップ
４２ 接着剤
４３ 配線基板

Claims (4)

1. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
   （ａ）ダイ・ボンディング装置内の塗布部において、ディスペンサから供給される空気圧によりシリンジの下端部の塗布ノズルから、接着剤を吐出させながら、前記塗布ノズルと配線基板を水平方向に相対移動させることによって、前記配線基板の第１の主面上に前記接着剤を塗布する工程；
   （ｂ）前記ダイ・ボンディング装置内のチップ・ピックアップ部において、コレットにより、半導体チップをピックアップする工程；
   （ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記ダイ・ボンディング装置内のダイ・ボンディング部において、前記半導体チップの裏面を、前記配線基板の前記第１の主面上の前記接着剤が塗布された部分にボンディングする工程、
   ここで、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
   （ａ１）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出しない状態から吐出する状態になるように上昇させることにより前記接着剤の吐出を開始する工程；
   （ａ２）前記空気圧の上昇を、流量センサによりモニタする工程；
   （ａ３）前記下位工程（ａ２）の結果に基づいて、前記相対移動を開始する工程；
   （ａ４）前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態に維持しながら、前記相対移動を継続させる工程；
   （ａ５）前記下位工程（ａ４）の後、前記ディスペンサから前記シリンジに供給される前記空気圧を、前記塗布ノズルから前記接着剤が吐出する状態から吐出しない状態になるように降下させることにより前記接着剤の吐出を終了させる工程；
   （ａ６）前記下位工程（ａ４）の後、前記相対移動を終了させる工程。
2. 前記請求項１の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ａ５）における吐出の終了は、前記下位工程（ａ６）における前記相対移動の終了に実質的に同期している。
3. 前記請求項２の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（a２）における前記モニタは、前記下位工程（ａ１）における前記空気圧が設定圧力以上に達したことを検出するものである。
4. 前記請求項３の半導体装置の製造方法において、前記流量センサは前記ディスペンサの空気圧出力と前記シリンジ間の空気圧供給系に連結されている。

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