JP4936096B2 - プログラマブル遅延発生装置 - Google Patents

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Description

本発明は、LSI(Large Scale Integration)テスタやパルス発生器等のタイミング信号を発生させる場合に用いられるプログラマブル遅延発生装置に関し、特に遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力のプログラマブル遅延発生装置に関する。
従来のプログラマブル遅延発生装置に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
特開平05−191233号公報 特開平06−045890号公報 特開平07−046093号公報 特開平07−264022号公報 特開2004−048189号公報
図7はこのような従来のプログラマブル遅延発生装置の一例を示す構成ブロック図であり、「特許文献4」に記載されたものである。図7において1はバッファアンプ、2,3及び4は電荷注入回路、5,6及び7はコンデンサ、8は電荷注入回路2〜4の制御を行う制御回路、9はスイッチ、10は定電流源、11は比較器、100は入力信号、101は出力信号、102は比較器11の非反転入力端子における電位である。
入力信号100はバッファアンプ1及び電荷注入回路2〜4の入力端子にそれぞれ印加され、バッファアンプ1の出力はスイッチ9の制御入力端子に接続される。電荷注入回路2、3及び4の出力はそれぞれコンデンサ5,6及び7の一端に接続され、コンデンサ5,6及び7の他端は互いに接続され、スイッチ9の一端、定電流源10の一端及び比較器11の非反転入力端子に接続される。
スイッチ9の他端は正電圧源”Vcc”に接続され、定電流源10の他端は負電圧源”Vs”に接続される。また。比較器11の反転入力端子には閾値電圧”Vth”が印加され、比較器11の出力端子からは出力信号101が出力される。さらに、制御回路8からの複数の制御信号は電荷注入回路2〜4の制御入力端子にそれぞれ接続される。
ここで、図7に示す従来例の動作を図8を用いて説明する。図8は入力信号100、電位102及び出力信号101の状態を示すタイミング図である。
入力信号100がハイレベルからローレベルに変化すると、スイッチ9がオフになり。電荷注入回路2〜4の出力は制御回路8からのそれぞれの制御信号がオンであればローレベルからハイレベルになる。
電荷注入回路2〜4の出力がローレベルからハイレベルになると電荷が注入されて図8中”CH01”に示すようにコンデンサ5〜7を介して電位102が上昇し、定電流源10によってコンデンサ5〜7の電荷が放電され図8中”DC01”に示すように電位102が低下する。
そして、電位102が閾値電圧”Vth”より低くなると比較器11の出力がハイレベルからローレベルに変化する。
この時、図8中”td”に示す遅延時間は”(電荷注入回路の出力の振幅)×(コンデンサの容量)/(定電流源の電流値)”できまる。
さらに、入力信号100がローレベルからハイレベルに変化するとスイッチ9はオンになり電荷注入回路2〜4の出力はハイレベルからローレベルになる。スイッチ9がオンで電荷注入回路2〜4の出力がローレベルであるので各コンデンサ5〜7は正電圧源”Vcc”により短時間に充電されて、電位102は正電圧源”Vcc”の電位に等しくなる。
ここで、所望の遅延時間に対応した容量をコンデンサ5〜7に持たせると共に制御回路8で当該コンデンサ5〜7に接続されている電荷注入回路2〜4のオン/オフを制御することにより、電荷注入回路2〜4のオン/オフの組み合わせによって遅延時間を制御することが可能になる。
図7に示す従来例の場合、電荷注入回路2〜4のオン/オフ、言い換えれば、3ビットの設定の選択によって、遅延時間を可変にすることが可能になる。
このようなプログラマブル遅延発生装置を複数台縦列接続することにより、より遅延時間の細かな設定が可能になる。例えば、3つのプログラマブル遅延発生装置を縦列接続させ、第1段目のプログラマブル遅延発生装置は5ビットの遅延設定が可能で、第2段目及び第3段目のプログラマブル遅延発生装置は1ビットの遅延設定が可能であるとした場合を想定する。
この場合、第1段目のプログラマブル遅延発生装置では遅延時間”td”に対して5ビットの2のべき乗の重み付けで5つのコンデンサの容量を設定し、第2段目及び第3段目のプログラマブル遅延発生装置ではそれぞれ遅延時間”td”に対して1ビットの重み付けでコンデンサの容量を設定する。
このような構成の場合、それぞれの装置におけるオフセット遅延時間を除き、第1段目のプログラマブル遅延発生装置では”0td”〜”(31/32)td”の遅延設定が可能になり、第2段目及び第3段目のプログラマブル遅延発生装置では”0td”若しくは”1td”の遅延設定ができる。
すなわち、このような構成では、7ビットの遅延設定用ビット”DS6”〜”DS0”の設定に従って遅延時間を”0td”〜”(2+31/32)td”の間で設定可能になる。
また、このような複数段の縦列接続の構成をとることにより、各段の遅延発生が独立して順次行われることになるので、遅延発生の繰り返し周期は各段の最大遅延時間まで短縮が可能で、繰り返し周期よりも大きな設定スパンを有することになる。
しかし、3つのプログラマブル遅延発生装置を縦列接続させ、第1段目のプログラマブル遅延発生装置は5ビットの遅延設定が可能で、第2段目及び第3段目のプログラマブル遅延発生装置は1ビットの遅延設定が可能であるとした場合、異なる回路構成のプログラマブル遅延発生装置を組み合わせることになり、遅延設定用ビット(コード)に対する遅延変化を直線的にするためには、各段の設定の重み付けをそろえる必要性があるが、回路構成が異なるため無調整で各段の設定の重み付けをそろえることは困難であると言った問題点があった。
また、第1段目のプログラマブル遅延発生装置にのみ高分解能の遅延設定を行わせているため、高分解能化に伴う精度確保が困難であり、回路規模や消費電力が増大してしまうと言った問題点があった。
従って本発明が解決しようとする課題は、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力のプログラマブル遅延発生装置を実現することにある。
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
遅延設定用コードに対応して遅延時間が可変のタイミング信号を発生させる場合に用いられるプログラマブル遅延発生装置において、
n個からなる複数のコンデンサのうち、nビットの制御コードで選択されるコンデンサの容量の和に対応した遅延時間を発生する、回路構成が同一の縦列接続された複数の遅延発生回路と、
あらかじめ前記制御コードの組み合わせから重複する遅延時間を除去して前記遅延設定用コードに対応させることにより、前記遅延設定用コードに対して直線的に遅延時間の総和を設定するコード変換規則に基づき前記制御コード前記複数の遅延発生回路に出力するコード変換回路とを備え、
各段の前記遅延発生回路を構成する前記コンデンサの容量の総和を同一にすると共に、各段の前記遅延発生回路を構成する前記コンデンサの最小容量同士が2のべき乗の比となるように重み付けを付与し、前記各コンデンサの容量は単位容量の整数倍であることにより、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力となる。
請求項2記載の発明は、
請求項1記載の発明であるプログラマブル遅延発生装置であって、
前記遅延発生回路が、
前記制御コードが一方の入力端子に接続される複数の論理和回路と、これら論理和回路の出力が一端にそれぞれ接続される複数のコンデンサと、これらコンデンサの他端が反転入力端子に接続され、非反転入力端子に閾値電圧が印加される比較器と、一端が正電圧源に接続され他端が前記複数のコンデンサの他端に接続されるスイッチと、一方の出力端子が前記複数のコンデンサの他端に接続され、他方の出力端子が正電圧源に接続され、電流源の一端が負電圧源に接続される電流スイッチ回路と、入力信号がセット端子に印加され、出力端子が前記スイッチの制御端子及び前記電流スイッチ回路の一方の入力端子に接続され、反転出力端子が前記複数の論理和回路の他方の入力端子及び前記電流スイッチ回路の他方の入力端子に接続され、前記比較器の出力がリセット端子に接続されるフリップフロップ回路とから構成されたことにより、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力となる。
請求項3記載の発明は、
請求項1記載の発明であるプログラマブル遅延発生装置であって、
制御コードのビット数が2ビットで回路構成が同一な第1、第2及び第3の遅延発生回路が縦列接続されて構成されたことにより、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力となる。
請求項4記載の発明は、
請求項3記載の発明であるプログラマブル遅延発生装置であって、
前記第1、第2及び第3の遅延発生回路が、
2ビットの前記制御コードが一方の入力端子に接続される第1及び第2の論理和回路と、これら第1及び第2の論理和回路の出力が一端にそれぞれ接続される第1及び第2のコンデンサと、これら第1及び第2のコンデンサの他端が反転入力端子に接続され、非反転入力端子に閾値電圧が印加される比較器と、一端が正電圧源に接続され他端が前記第1及び第2のコンデンサの他端に接続されるスイッチと、一方の出力端子が前記第1及び第2のコンデンサの他端に接続され、他方の出力端子が正電圧源に接続され、電流源の一端が負電圧源に接続される電流スイッチ回路と、入力信号がセット端子に印加され、出力端子が前記スイッチの制御端子及び前記電流スイッチ回路の一方の入力端子に接続され、反転出力端子が前記第1及び第2の論理和回路の他方の入力端子及び前記電流スイッチ回路の他方の入力端子に接続され、前記比較器の出力がリセット端子に接続されるフリップフロップ回路とから構成されたことにより、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力となる。
請求項5記載の発明は、
請求項4記載の発明であるプログラマブル遅延発生装置であって、
前記第1、第2及び第3の遅延発生回路における前記第1及び第2のコンデンサの容量が、
前記第1の遅延発生回路では1/8、若しくは、7/8の重み付け、前記第2の遅延発生回路では1/4、若しくは、3/4の重み付け、前記第3の遅延発生回路では1/2、若しくは、1/2の重み付けとなるように付与したことにより、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力となる。
請求項6記載の発明は、
請求項4記載の発明であるプログラマブル遅延発生装置であって、
前記第1、第2及び第3の遅延発生回路における前記第1及び第2のコンデンサの容量が、
前記第1の遅延発生回路では1/12、若しくは、11/12の重み付け、前記第2の遅延発生回路では1/6、若しくは、5/6の重み付け、前記第3の遅延発生回路では1/3、若しくは、2/3の重み付けとなるように付与したことにより、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力となる。
本発明によれば次のような効果がある。
請求項1,2,3,4,5,6及び請求項7の発明によれば、各段の遅延設定ビット(制御コード)のビット数を小さくしたコンデンサの容量値以外回路構成が同一な複数の遅延発生回路を縦列接続し、各段の遅延発生回路のコンデンサの容量の総和を同一にすると共に、各段のコンデンサの容量に重み付けを付与することにより、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力となる。
また、同じ回路構成の遅延発生回路を多段接続してプログラマブル遅延発生装置を構成することにより、各段についての個別設計が容易になる。また、各段の遅延設定ビット(制御コード)のビット数を小さくすることにより回路規模が小さくなり低消費電力となると共に各段の最大遅延時間も短く均等になるので従来例に比べて高速繰り返しパルス発生が可能になる。
また、特定の段(例えば、第1段目)にのみ高分解能の遅延設定を行わせることなく、各段に設定重み付けを分配したことにより、設計が容易になる。加えて、各段の遅延発生回路のコンデンサの容量の総和を同一にしたことにより、各段の遅延設定感度がそろい、無調整であっても良好な設定直線性が得られる。言い換えれば、無調整で遅延発生回路を容易に拡張できるので、遅延時間を広スパンで設定することが可能になる。
さらに、コード変換回路を設けたことにより、遅延量を直線的関係で設定可能になり、煩雑さが解消する。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係るプログラマブル遅延発生装置の一実施例を示す構成ブロック図である。
図1において12,13及び14は遅延発生回路、15はコード変換回路、103は入力信号、104は出力信号である。
入力信号103は遅延発生回路12の入力端子である”Trig”端子に印加され、遅延発生回路12の出力端子である”Dlyo”端子は遅延発生回路13の入力端子である”Trig”端子に接続される。また、遅延発生回路13の出力端子である”Dlyo”端子は遅延発生回路14の入力端子である”Trig”端子に接続され、遅延発生回路14の出力端子である”Dlyo”端子からは出力信号104が出力される。
遅延設定用コード”DS0”、”DS1”、”DS2”、”DS3”及び”DS4”はコード変換回路15に入力され、コード変換回路15の出力である制御コード”DR0”及び”DR5”は遅延発生回路12の制御コード入力端子である”D0”端子及び”D1”端子にそれぞれ接続され、制御コード”DR1”及び”DR4”は遅延発生回路13の制御コード入力端子である”D0”端子及び”D1”端子にそれぞれ接続され、制御コード”DR2”及び”DR3” は遅延発生回路14の制御コード入力端子である”D0”端子及び”D1”端子にそれぞれ接続される。
また、図2は遅延発生回路12〜14の具体例を示す回路図であり、回路構成上異なる点はコンデンサ16及び17の容量値の違いのみである。
図2において”D0”、”D1”、”Trig”及び”Dlyo”は図1と同一符号を付してある。図2において16及び17は論理和回路、18及び19はコンデンサ、20はフリップフロップ回路、21はスイッチを構成するP型のMOS(Metal oxide semiconductor)トランジスタ、22及び23はn型のMOSトランジスタ、24はn型のMOSトランジスタ22及び23と共に電流スイッチ回路を構成する定電流源、25は比較器である。
制御コード入力端子である”D1”端子は論理和回路16の一方の入力端子に接続され、制御コード入力端子である”D0”端子は論理和回路17の一方の入力端子に接続される。また、”Trig”端子はフリップフロップ回路20の”Set”端子(セット端子)に接続される。
フリップフロップ回路20の”XQ”端子(反転出力端子)は論理和回路16及び17の他方の入力端子と、MOSトランジスタ23のゲートにぞれぞれ接続され、論理和回路16及び17の出力である”V1”及び”V0”はそれぞれコンデンサ18及び19の一端に接続される。
コンデンサ18及び19の他端は”Vdly”としてMOSトランジスタ21及び22のドレイン、比較器25の反転入力端子に接続される。MOSトランジスタ21のソースとMOSトランジスタ23のドレインはそれぞれ正電圧源”Vdd”に接続され、MOSトランジスタ22及び23のソースは定電流源24の一端に接続される。
また、定電流源24の他端は負電圧源に接続され、比較器25の非反転入力端子には閾値電圧”Vth”が印加される。比較器25の出力は”Dlyo”端子を介して出力されると共にフリップフロップ回路20の”Res”端子(リセット端子)に接続される。
最後に、フリップフロップ回路20の”Q”端子(出力端子)はMOSトランジスタ21及び22のゲートにそれぞれ接続される。
ここで、先ず、図2に示す遅延発生回路の動作を図3を用いて説明する。図3は遅延発生回路の動作を説明するタイミング図である。図3中(a)〜(g)に示す信号は図2に記載されている符号等と同一である。
図3においては制御コード入力端子である”D0”端子及び”D1”端子が外部入力により、ハイレベル及びローレベルに設定され、フリップフロップ回路は初期状態(Q:ローレベル、XQ:ハイレベル)である場合を想定する。
この時、論理和回路16及び17の出力である”V1”及び”V0”はハイレベルであり、尚且つ、MOSトランジスタ21及び23がオン、MOSトランジスタ22がオフになっているので、”Vdly”は”Vdd”と等しくなり、コンデンサ18及び19に充電されている電荷がゼロになっている。
このような状態で、図3に示すように、”Trig”がハイレベルになるとフリップフロップ回路20の”Q”端子及び”XQ”端子がそれぞれハイレベル及びローレベルになる。
前述のように、制御コード入力端子である”D0”端子及び”D1”端子はハイレベル及びローレベルに設定されているので、論理和回路16の出力である”V1”はローレベルに遷移し、論理和回路17の出力である”V0”はハイレベルを維持する。
一方、フリップフロップ回路20の”Q”端子及び”XQ”端子がそれぞれハイレベル及びローレベルであるので、MOSトランジスタ21及び23はオフ、トランジスタ22はオンになる。
この時、コンデンサ18及び19の電荷は”V1”及び”V0”の電圧変化に伴い図3中”A部”に示すように短時間で移動してコンデンサ18及び19の間で電荷が再配分されて、図3中”B点”に示される屈曲点電位”Vk”となる。
図3中”A部”において移動する電荷は論理和回路16及び17が接続されているコンデンサ18及び19の容量値に比例するため、屈曲点電位”Vk”は制御コード入力端子である”D0”端子及び”D1”端子に設定された値とコンデンサ18及び19の容量によって決定される。
ここで、コンデンサ18及び19の容量を”Cwt1”及び”Cwt0”、”D1”及び”D0”の論理状態を”0”、”1”の2値で表した場合、屈曲点電位”Vk”は、
Vk=Vdd(D1・Cwt1+D0・Cwt0)
/(Cwt1+Cwt0) (1)
となる。
例えば、”Co”を一意の単位容量値とし、コンデンサ18及び19の容量をそれぞれ”Cwt1=6Co”及び”Cwt0=2Co”とした場合には、”Vdly”は図3中”(イ)”に示すようは電圧変化を生じる。
このため、”Vdly”の電圧が閾値電圧”Vth”よりも小さくなると比較器25の出力がハイレベルに遷移して、”Dlyo”をハイレベルにすると共にフリップフロップ回路20をリセットする。
フリップフロップ回路20がリセットされると前述の初期状態に戻り、”Vdly”は”Vdd”等しくなり、”Dlyo”はローレベルに遷移する。
また、図3から、定電流源24による電荷の放電は屈曲点電位”Vk”を初期値として行われるとみなすことができるので、電荷の放電に要する時間は”D1”及び”D0”に従うことになる。
屈曲点電位”Vk”から閾値電圧”Vth”まで電圧降下する放電時間”td”は、定電流源の電流値を”Idis”とすれば
Td=(Cwt1+Cwt0)・(Vk−Vth)/Idis (2)
となる。
また、式(1)を代入して、
Td=Vdd/Idis{(D1・Cwt1+D0・Cwt0)
−k(Cwt1+Cwt0)} (3)
但し、Vth=kVdd
となり、コンデンサ18及び19の容量値”Cwt1”及び”Cwt0”とは”D1”及び”D0”により遅延時間を決定することができる。
ちなみに、図3中”Trep”に示す繰り返し周期が最大遅延時間よりも短い場合には、図3に示すような遅延発生回路は動作不良を生じるため図1に示すように複数の遅延発生回路を縦列接続することになる。
ここで、図1に示す実施例の動作を図4、図5及び図6を用いて説明する。図4は制御コードに対応する遅延時間を示す説明図、図5は遅延設定用コードに対して遅延時間を直線的に設定した場合を示す説明図、図6は図5のように直線的設定した場合の遅延設定用コードから制御コードに変換する場合の変換規則を示す説明図である。
遅延発生回路12,13及び14はコンデンサ18及び19の容量値以外は図2に示す回路図と同一であり、各遅延発生回路12〜14のコンデンサの容量値は”Cwt1”と”Cwt0”の総和”8Co”は同一とし、遅延発生回路12では1/8の重み付け、遅延発生回路13では1/4の重み付け、遅延発生回路14では1/2の重み付けとなるように付与する。
すなわち、
遅延発生回路12:Cwt1=7Co、Cwt0=1Co (4)
遅延発生回路13:Cwt1=6Co、Cwt0=2Co (5)
遅延発生回路14:Cwt1=4Co、Cwt0=4Co (6)
となる。
この場合、各遅延発生回路が発生する遅延の対設定スパン比は、各遅延発生回路に与えられる”D1”及び”D0”によって以下のようになる。
遅延発生回路12:D1=0,D0=0の場合:0
D1=0,D0=1の場合:1/8
D1=1,D0=0の場合:7/8
D1=1,D0=1の場合:8/8=1
遅延発生回路13:D1=0,D0=0の場合:0
D1=0,D0=1の場合:2/8=1/4
D1=1,D0=0の場合:6/8=3/4
D1=1,D0=1の場合:8/8=1
遅延発生回路14:D1=0,D0=0の場合:0
D1=0,D0=1の場合:4/8=1/2
D1=1,D0=0の場合:4/8=1/2
D1=1,D0=1の場合:8/8=1
各遅延発生回路に設定する”D1”及び”D0”を制御コード”DR5”〜”DR0”の6ビットのコードとみなして遅延時間をプロットすると図4に示すようになる。図4では全遅延時間を示しており、図3中”tofs”に示すようなオフセット遅延時間も含まれている。
また、図4に示すグラフでは異なる制御コードの組み合わせて同じ遅延時間を発生する場合が存在することが分かるので、図4中の破線矢印等に示すように重複する遅延時間を除去すれば、図5に示すように遅延設定用コード”DS4”〜”DS0”に対して25段階で直線的に遅延時間を設定することが可能になる。
具体的には、図6に示すコード変換規則に示すように制御コード”DR5”〜”DR0”の6ビットのコードの”001000(=8)”から”010001(=17)”を、”010110(=22)”から”101000(=40)”を、”101110(=46)”から”110111(=55)”をそれぞれ除去して遅延設定用コード”DS4”〜”DS0”に対応させることにより、図5に示すような遅延設定用コード”DS4”〜”DS0”に対して25段階で直線的に遅延時間を設定することが可能になる。
すなわち、図6に示すコード変換規則に基づきコード変換回路15が遅延設定用コード”DS4”〜”DS0”に対してした制御コード”DR5”〜”DR0”を割り振ることにより、図5に示すように25段階で直線的に遅延時間を設定することが可能になる。
この場合、同じ回路構成の遅延発生回路を多段接続してプログラマブル遅延発生装置を構成することにより、各段についての個別設計が容易になる。また、各段の遅延設定ビット(制御コード)のビット数を小さくすることにより回路規模が小さくなり低消費電力となると共に各段の最大遅延時間も短く均等になるので従来例に比べて高速繰り返しパルス発生が可能になる。
また、特定の段(例えば、第1段目)にのみ高分解能の遅延設定を行わせることなく、各段に設定重み付けを分配したことにより、設計が容易になる。加えて、各段の遅延発生回路のコンデンサの容量の総和を同一にしたことにより、各段の遅延設定感度がそろい、無調整であっても良好な設定直線性が得られる。言い換えれば、無調整で遅延発生回路を容易に拡張できるので、遅延時間を広スパンで設定することが可能になる。
さらに、コード変換回路を設けたことにより、遅延量を直線的関係で設定可能になり、煩雑さが解消する。
この結果、各段の遅延設定ビット(制御コード)のビット数を小さくしたコンデンサの容量値以外回路構成が同一な複数の遅延発生回路を縦列接続し、各段の遅延発生回路のコンデンサの容量の総和を同一にすると共に、各段のコンデンサの容量に重み付けを付与することにより、遅延時間の広スパン設定や高速繰り返しパルス発生が可能であり、小型で低消費電力となる。
なお、図1及び図2に示す実施例では、遅延設定ビット(制御コード)が2ビットの遅延発生回路を3段縦列接続してプログラマブル遅延発生装置を構成しているが、勿論、遅延発生回路の段数や遅延設定ビット(制御コード)のビット数に関しては何らこれに限定されるものではない。
例えば、遅延設定ビット(制御コード)がnビットの遅延発生回路をm段縦列接続してプログラマブル遅延発生装置を構成しても勿論構わない(但し、n,mは2以上の整数。)。
また、図1及び図2に示す実施例では、各段のコンデンサの容量の重み付けとして式(4)〜式(6)に示す値を例示しているが、勿論、この設定に限定される訳ではなく、各段の遅延発生回路のコンデンサの容量の総和が同一であれば様々な重み付けの付与が可能である。
例えば、図1に示すプログラマブル遅延発生装置の構成において、
遅延発生回路12:Cwt1=11Co、Cwt0=1Co (7)
遅延発生回路13:Cwt1=10Co、Cwt0=2Co (8)
遅延発生回路14:Cwt1=8Co、Cwt0=4Co (9)
なる重み付けであっても構わない。
すなわち、遅延発生回路12では1/12の重み付け、遅延発生回路13では1/6の重み付け、遅延発生回路14では1/3の重み付けとなるように付与しても構わない。ちなみに、この場合の、遅延変化は37段階となる。
本発明に係るプログラマブル遅延発生装置の一実施例を示す構成ブロック図である。 遅延発生回路の具体例を示す回路図である。 遅延発生回路の動作を説明するタイミング図である。 制御コードに対応する遅延時間を示す説明図である。 遅延設定用コードに対して遅延時間を直線的に設定した場合を示す説明図である。 直線的設定した場合の遅延設定用コードから制御コードに変換する場合の変換規則を示す説明図である。 従来のプログラマブル遅延発生装置の一例を示す構成ブロック図である。 入力信号、電位及び出力信号の状態を示すタイミング図である。
符号の説明
1 バッファアンプ
2,3,4 電荷注入回路
5,6,7,18,19 コンデンサ
8 制御回路
9 スイッチ
10,24 定電流源
11,25 比較器
12,13,14 遅延発生回路
15 コード変換回路
16,17 論理和回路
20 フリップフロップ回路
21,22,23 MOSトランジスタ
100,103 入力信号
101,104 出力信号
102 電位

Claims (6)

  1. 遅延設定用コードに対応して遅延時間が可変のタイミング信号を発生させる場合に用いられるプログラマブル遅延発生装置において、
    n個からなる複数のコンデンサのうち、nビットの制御コードで選択されるコンデンサの容量の和に対応した遅延時間を発生する、回路構成が同一の縦列接続された複数の遅延発生回路と、
    あらかじめ前記制御コードの組み合わせから重複する遅延時間を除去して前記遅延設定用コードに対応させることにより、前記遅延設定用コードに対して直線的に遅延時間の総和を設定するコード変換規則に基づき前記制御コード前記複数の遅延発生回路に出力するコード変換回路とを備え、
    各段の前記遅延発生回路を構成する前記コンデンサの容量の総和を同一にすると共に、各段の前記遅延発生回路を構成する前記コンデンサの最小容量同士が2のべき乗の比となるように重み付けを付与し、前記各コンデンサの容量は単位容量の整数倍であることを特徴とするプログラマブル遅延発生装置。
  2. 前記遅延発生回路が、
    前記制御コードが一方の入力端子に接続される複数の論理和回路と、
    これら論理和回路の出力が一端にそれぞれ接続される複数のコンデンサと、
    これらコンデンサの他端が反転入力端子に接続され、非反転入力端子に閾値電圧が印加される比較器と、
    一端が正電圧源に接続され他端が前記複数のコンデンサの他端に接続されるスイッチと、
    一方の出力端子が前記複数のコンデンサの他端に接続され、他方の出力端子が正電圧源に接続され、電流源の一端が負電圧源に接続される電流スイッチ回路と、
    入力信号がセット端子に印加され、出力端子が前記スイッチの制御端子及び前記電流スイッチ回路の一方の入力端子に接続され、反転出力端子が前記複数の論理和回路の他方の入力端子及び前記電流スイッチ回路の他方の入力端子に接続され、前記比較器の出力がリセット端子に接続されるフリップフロップ回路とから構成されたことを特徴とする
    請求項1記載のプログラマブル遅延発生装置。
  3. 制御コードのビット数が2ビットで回路構成が同一な第1、第2及び第3の遅延発生回路が縦列接続されて構成されたことを特徴とする
    請求項1記載のプログラマブル遅延発生装置。
  4. 前記第1、第2及び第3の遅延発生回路が、
    2ビットの前記制御コードが一方の入力端子に接続される第1及び第2の論理和回路と、
    これら第1及び第2の論理和回路の出力が一端にそれぞれ接続される第1及び第2のコンデンサと、
    これら第1及び第2のコンデンサの他端が反転入力端子に接続され、非反転入力端子に閾値電圧が印加される比較器と、
    一端が正電圧源に接続され他端が前記第1及び第2のコンデンサの他端に接続されるスイッチと、
    一方の出力端子が前記第1及び第2のコンデンサの他端に接続され、他方の出力端子が正電圧源に接続され、電流源の一端が負電圧源に接続される電流スイッチ回路と、
    入力信号がセット端子に印加され、出力端子が前記スイッチの制御端子及び前記電流スイッチ回路の一方の入力端子に接続され、反転出力端子が前記第1及び第2の論理和回路の他方の入力端子及び前記電流スイッチ回路の他方の入力端子に接続され、前記比較器の出力がリセット端子に接続されるフリップフロップ回路とから構成されたことを特徴とする
    請求項3記載のプログラマブル遅延発生装置。
  5. 前記第1、第2及び第3の遅延発生回路における前記第1及び第2のコンデンサの容量が、
    前記第1の遅延発生回路では1/8、若しくは、7/8の重み付け、前記第2の遅延発生回路では1/4、若しくは、3/4の重み付け、前記第3の遅延発生回路では1/2、若しくは、1/2の重み付けとなるように付与したことを特徴とする
    請求項4記載のプログラマブル遅延発生装置。
  6. 前記第1、第2及び第3の遅延発生回路における前記第1及び第2のコンデンサの容量が、
    前記第1の遅延発生回路では1/12、若しくは、11/12の重み付け、前記第2の遅延発生回路では1/6、若しくは、5/6の重み付け、前記第3の遅延発生回路では1/3、若しくは、2/3の重み付けとなるように付与したことを特徴とする
    請求項4記載のプログラマブル遅延発生装置。
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