JPH05191233A - 遅延素子 - Google Patents

遅延素子

Info

Publication number
JPH05191233A
JPH05191233A JP4004017A JP401792A JPH05191233A JP H05191233 A JPH05191233 A JP H05191233A JP 4004017 A JP4004017 A JP 4004017A JP 401792 A JP401792 A JP 401792A JP H05191233 A JPH05191233 A JP H05191233A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
delay
delay time
circuit
time
passing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4004017A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Fujita
田 剛 藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP4004017A priority Critical patent/JPH05191233A/ja
Publication of JPH05191233A publication Critical patent/JPH05191233A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 遅延素子において、遅延時間の設定値と実際
の遅延時間との差を補正する。 【構成】 遅延素子内に、遅延時間を所定値に設定した
遅延回路21,31,41に加えて、遅延時間の設定値
を一定比率でずらした遅延回路22,32,42および
遅延回路23,33,43を設け、製造後に各遅延回路
の遅延時間を測定して、最も設定値に近いものを使用す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入力した伝達信号を所
定時間遅延させて出力する、遅延素子に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】遅延素子は、従来、例えば、ECL(Em
itter Coupled Logic )を用いた回路システムにおい
て、信号のタイミングを調整することを目的として、多
用されている。
【0003】このような遅延素子の回路構成の一例を、
図5に示す。
【0004】図において、101〜103は、それぞれ
遅延回路であり、例えば、抵抗やコンデンサ、コイル等
を組み合わせたものや、ECL素子内に多数のゲートを
直列接続させて形成したもの等が知られている。
【0005】入力端子130から入力された、遅延させ
るべき信号(本願では「伝達信号」と称す)は、まず、
遅延回路101(遅延時間の設定値を1nsecとす
る)を介してマルチプレクサ121プレクサのA入力と
なるとともに、直接、このマルチプレクサ121プレク
サのB入力111となる。
【0006】さらに、マルチプレクサ121プレクサの
出力信号は、遅延回路102(遅延時間を2nsecと
する)を介してマルチプレクサ122のA入力となると
ともに、直接、このマルチプレクサ122のB入力11
2となる。
【0007】同様に、マルチプレクサ122の出力信号
は、遅延回路103(遅延時間を4nsecとする)を
介してマルチプレクサ123のA入力となるとともに、
直接、このマルチプレクサ123のB入力113とな
る。
【0008】なお、各マルチプレクサ121,122,
123は、それぞれ、制御信号S1 ,S2 ,S3 がロー
レベルのときはA入力を出力し、また、制御信号S1
2 ,S3 がハイレベルのときはB入力を出力する。
【0009】このような遅延素子によれば、制御信号S
1 ,S2 ,S3 のそれぞれをハイレベルとするか或いは
ローレベルとするかの組み合わせにより、任意の遅延時
間を設定することができる。例えば、伝達信号の遅延時
間を5nsecに設定する場合であれば、制御信号
1 ,S2 ,S3 のレベルを、それぞれ、「ロー」,
「ハイ」,「ロー」とすればよい。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このような遅延素子
は、従来、例えばECLのような高速ロジックで構成さ
れたシステムにおいて使用されていた。この場合、当然
のことながら、信号のやり取りは、ECLインターフェ
イスで行われる。
【0011】その一方で、近年、CMOS(complement
ary Metal Oxide Semiconductor )の集積回路の発達に
より、CMOS素子でシステムを構成する場合が多くな
っている。
【0012】ここで、CMOS素子でシステムを構成す
る場合、上述したような従来の遅延素子を使用するため
には、両者の信号レベルが異なるため、ECLインター
フェイスとCMOSインターフェイスとの変換を行う回
路が必要となる。したがって、システム全体としての高
速化や高集積度化が十分に図れなくなり、また、消費電
力が小さいというCMOSの特徴も損なわれてしまって
いた。
【0013】このため、CMOSで構成されたシステム
においては、遅延素子もCMOSで構成することが望ま
しい。
【0014】しかしながら、CMOSで遅延素子を構成
した場合、CMOS自体の製造ばらつきや集積回路内の
配線などの負荷条件のばらつき等に起因して、実際の遅
延時間のばらつきが激しくなってしまうという課題があ
った。
【0015】かかる課題を解決するためには、CMOS
の製造ばらつきや負荷条件のばらつき等を極力少なくす
ることが必要とされるが、これらのばらつきを減らすこ
とには限界があり、現状では、遅延時間のばらつきを2
0%未満に抑えることは非常に困難である。
【0016】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みてなされたものであり、遅延量の素子毎のばらつきが
あっても、正確な遅延時間を得ることができる遅延素子
を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の遅延素子は、粗
調整用の設定遅延量を有する遅延生成部を1段または複
数段備え、この各段の遅延生成部を選択的に通過させる
ことにより所望の遅延量を得るようにした遅延素子にお
いて、前記遅延生成部は、前記設定遅延量およびその近
房の微調整値に設定された複数の遅延手段と、これらの
遅延手段を通過する経路およびこれらの遅延回路を通過
しない経路の内の一つを選択する選択手段とを備えたこ
とを特徴とする。
【0018】
【作用】本発明によれば、各遅延生成部において、製造
時のばらつき等によって、現実の遅延量が設定遅延量か
らずれていても、微調整値に設定された遅延手段の中か
ら最も設定遅延量に近いものを選ぶことによって、正確
な遅延時間を得ることができる。
【0019】したがって、本発明によれば、遅延量の素
子毎のばらつきがあっても、正確な遅延時間を得ること
ができる。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を用い
て説明する。
【0021】(実施例1)図1は、本発明の第1の実施
例を示すブロック図である。
【0022】図に示したように、入力端子10から入力
された伝達信号は、遅延生成部20に送られる。この遅
延生成部20は、1nsecの遅延時間を得るための回
路である。
【0023】遅延生成部20に送られた伝達信号は、遅
延時間を1nsecに設定した遅延回路21と、遅延時
間を0.8nsec(遅延回路21よりも20%短い時
間)に設定した遅延回路22と、遅延時間を1.2ns
ec(遅延回路21よりも20%長い時間)に設定した
遅延回路23に、それぞれ入力される。
【0024】さらに、これらの遅延回路21,22,2
3の出力は、それぞれ、マルチプレクサ25の入力A,
B,Cとなる。
【0025】また、伝達信号は、マルチプレクサ25の
入力Dに直接入力されて、短絡回路24を構成してい
る。
【0026】マルチプレクサ25は、デコーダ26から
入力した制御信号にしたがって、入力A,B,C,Dか
ら1の入力を選択し、出力する。
【0027】遅延生成部20から出力された伝達信号
は、次に、遅延生成部30に送られる。この遅延生成部
30は、2nsecの遅延時間を得るための回路であ
る。
【0028】遅延生成部30の構成は、上述の遅延生成
部20と同様であり、遅延時間を2nsecに設定した
遅延回路31と、遅延時間を1.6nsec(遅延回路
31よりも20%短い時間)に設定した遅延回路32
と、遅延時間を2.4nsec(遅延回路31よりも2
0%長い時間)に設定した遅延回路33と、遅延時間が
実質的に零の短絡回路34と、遅延回路31,32,3
3および短絡回路34から入力した信号から1の信号を
選択して出力するマルチプレクサ35とにより、構成さ
れている。
【0029】このマルチプレクサ35は、デコーダ36
から入力した制御信号にしたがって、入力A,B,C,
Dから1の入力を選択し、出力する。
【0030】続いて、遅延生成部30から出力された伝
達信号は、遅延生成部40に送られる。この遅延生成部
40は、4nsecの遅延時間を得るための回路であ
る。
【0031】遅延生成部40の構成も、上述の遅延生成
部20と同様であり、遅延時間を4nsecに設定した
遅延回路41と、遅延時間を3.2nsec(遅延回路
41よりも20%短い時間)に設定した遅延回路42
と、遅延時間を4.8nsec(遅延回路41よりも2
0%長い時間)に設定した遅延回路43と、遅延時間が
実質的に零の短絡回路44と、遅延回路41,42,4
3および短絡回路44から入力した信号から1の信号を
選択して出力するマルチプレクサ45とにより、構成さ
れている。
【0032】このマルチプレクサ45は、デコーダ46
から入力した制御信号にしたがって、入力A,B,C,
Dから1の入力を選択する。これにより、伝達信号は、
出力端子12から出力する。
【0033】このような構成の遅延素子の製造後、各遅
延生成部20,30,40について、遅延回路ごとの遅
延時間を測定する。
【0034】例えば、遅延回路21の遅延時間を測定し
たいのであれば、遅延生成部20では遅延回路21をマ
ルチプレクサ25で選択し、遅延生成部30,40では
それぞれ短絡回路34,44を選択して、このときの遅
延時間を測定すればよい。但し、マルチプレクサ35,
45等にも多少の遅延時間があるので、これらの影響を
考慮しなければならない場合もある。
【0035】このようにして、各遅延生成部20,3
0,40について遅延回路ごとの遅延時間を測定してお
き、実際の遅延素子の使用時には遅延時間の設定値に最
も近い遅延回路を用いることにより、この遅延素子の遅
延時間のばらつきを吸収することが可能となる。
【0036】(実施例2)次に、本発明の第2の実施例
として、遅延生成部を、直列に接続された複数のゲート
から所定段数ごとに信号を取り出すことによって一体に
形成した場合について説明する。
【0037】図2(a)は、本実施例に係わる遅延素子
の構成を概略的に示すブロック図である。図に示したよ
うに、本実施例の遅延素子も、上述の実施例1と同様、
三段の遅延生成部50,60,70と、これらの遅延生
成部を制御するためのデコーダ80,81,82とを有
している。
【0038】図2(b)は、本実施例に係わる遅延素子
の遅延生成部50、および、この遅延生成部を制御する
ためのデコーダ80を示す電気回路図である。
【0039】図に示したように、本実施例の遅延生成部
50では、7個のゲート51,52,…,57を直列に
接続し、各ゲート51,52,…,57の出力をマルチ
プレクサ59の入力とすることにより、7種類の遅延回
路を形成している。また、入力端子からマルチプレクサ
59へ直接伝達信号を取り込んで、短絡回路58として
いる。
【0040】なお、他の遅延生成部60,70も、図2
(b)に示した遅延生成部50と同様に構成されてい
る。
【0041】デコーダ80は、3ビットの制御信号を、
マルチプレクサ59に対して出力する。マルチプレクサ
59は、この制御信号を受けて、8個の入力A〜Hから
出力信号を選択する。
【0042】図3に、デコーダ80の内部構成を示す。
【0043】図において、3ビットのレジスタ(記憶手
段)81は、入力端子82から入力されるレジスタ制御
信号にしたがい、入力端子83から入力されたデ−タを
取り込む。また、遅延時間を指定する外部デ−タは、入
力端子85から組み合わせ回路(信号生成回路)84に
取り込まれる。組み合わせ回路84は、入力した外部デ
−タを、あらかじめレジスタ81に取り込んであるデ−
タと組み合わせることによって補正する。
【0044】例えば、各ゲート51,52,…,57の
遅延時間を0.2nsecに設定したにもかかわらず、
実際の遅延時間が1ゲート当たり0.1nsecであっ
た場合であれば、組み合わせ回路84が入力した3ビッ
トの外部デ−タとレジスタ81に取り込んであったデ−
タと組み合わせることによって下1ビットが固定される
ようにし、制御信号を実質的に2ビットとして、ゲート
51,52,…,57が2段単位で選択されるようにす
る。これにより、外部デ−タによって指示された通りの
遅延時間を得ることができる。
【0045】なお、本実施例の遅延素子では、遅延生成
部50,60,70を、直列に接続された複数のゲート
から所定段数ごとに信号を取り出すことによって形成し
たので、各遅延生成部毎に遅延時間の設定値をより細か
く設定することができる。したがって、本実施例の遅延
素子によれば、各遅延生成部の遅延時間を、より高精度
に設定することが可能となる。
【0046】(実施例3)次に、本発明の第3の実施例
について説明する。
【0047】本実施例の遅延素子は、図4に示すよう
に、各遅延生成部を制御するためのデコーダ90を一体
に構成した点で、上述の実施例2と異なる。なお、各遅
延生成部50,60,70の内部構成は、上述の実施例
2と同様とする。
【0048】このように、1個のデコーダ90で全ての
遅延生成部50,60,70を制御することにより、遅
延時間の補正を、より高精度なものにすることができ
る。例えば、このゲート90をプログラマブルなロジッ
クデバイスとして構成することで、上述の実施例2で説
明したような、遅延生成部50内の各ゲートの遅延時間
を0.2nsecに設定したにもかかわらず実際の遅延
時間が1ゲート当たり0.1nsecであった場合、こ
れらのゲートが2段単位で選択されるようにするだけで
なく、他の遅延生成部60,70の遅延時間が設定値よ
り0.1nsecずれていた場合に、遅延生成部50の
ゲートを1段ふやすことによって、これを補正すること
も可能となる。
【0049】なお、以上説明した各実施例では、遅延生
成部を三段有する遅延素子を例にとって説明したが、一
段または二段の遅延素子や四段以上の遅延素子に本発明
を適用した場合でも、まったく同様の効果を得ることが
できる。
【0050】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の遅
延素子によれば、遅延時間の設定値と実際の遅延時間と
の差を簡単に補正することができるので、かかる遅延時
間の素子毎のばらつきを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係わる遅延素子の構成
を示すブロック図である。
【図2】図2(a)は本発明の第2の実施例に係わる遅
延素子の構成を概略的に示すブロック図、図2(b)は
図2(a)に示した遅延素子の遅延生成部およびデコー
ダ80を示す電気回路図である。
【図3】図2(a)に示したデコーダの内部構成を示す
ブロック図である。
【図4】本発明の第3の実施例に係わる遅延素子の構成
を示すブロック図である。
【図5】従来の遅延素子の構成の一例を示すブロック図
である。
【符号の説明】
20,30,40 遅延生成部 21,22,23 遅延回路 31,32,33 遅延回路 41,42,43 遅延回路 24,34,44 短絡回路 25,35,45 マルチプレクサ 26,36,46 デコーダ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】粗調整用の設定遅延量をそれぞれ有する遅
    延生成部を複数段備え、この各段の遅延生成部を選択的
    に通過させることにより所望の遅延量を得るようにした
    遅延素子において、 前記遅延生成部は、前記設定遅延量およびその近房の微
    調整値に設定された複数の遅延手段と、これらの遅延手
    段を通過する経路およびこれらの遅延回路を通過しない
    経路の内の一つを選択する選択手段とを備えたことを特
    徴とする遅延素子。
  2. 【請求項2】粗調整用の設定遅延量を有する遅延生成部
    を備え、この遅延生成部を通過させることにより所望の
    遅延量を得るようにした遅延素子において、 前記遅延生成部は、前記設定遅延量およびその近房の微
    調整値に設定された複数の遅延手段と、これらの遅延手
    段を通過する経路およびこれらの遅延回路を通過しない
    経路の内の一つを選択する選択手段とを備えたことを特
    徴とする遅延素子。
  3. 【請求項3】前記遅延手段の現実の遅延量を記憶する記
    憶手段を有し、 この記憶手段に記憶された前記現実の遅延量が前記設定
    遅延量に最も近い前記遅延手段を、前記選択手段が選択
    することを特徴とする請求項1または2記載の遅延素
    子。
  4. 【請求項4】前記複数の遅延手段が、直列に接続された
    複数のゲートから所定段数ごとに信号を取り出すことに
    よって、一体に形成されていることを特徴とする、請求
    項1〜3記載の遅延素子。
JP4004017A 1992-01-13 1992-01-13 遅延素子 Pending JPH05191233A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4004017A JPH05191233A (ja) 1992-01-13 1992-01-13 遅延素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4004017A JPH05191233A (ja) 1992-01-13 1992-01-13 遅延素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05191233A true JPH05191233A (ja) 1993-07-30

Family

ID=11573207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4004017A Pending JPH05191233A (ja) 1992-01-13 1992-01-13 遅延素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05191233A (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5668491A (en) * 1995-06-06 1997-09-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Variable delay circuit
JP2000049417A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Hitachi Ltd 半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法
US6204710B1 (en) * 1998-06-22 2001-03-20 Xilinx, Inc. Precision trim circuit for delay lines
US6289068B1 (en) 1998-06-22 2001-09-11 Xilinx, Inc. Delay lock loop with clock phase shifter
JP2002100966A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Advantest Corp 調整装置及び試験装置
US6400735B1 (en) 1998-06-22 2002-06-04 Xilinx, Inc. Glitchless delay line using gray code multiplexer
US6664837B1 (en) 2002-09-18 2003-12-16 Xilinx, Inc. Delay line trim unit having consistent performance under varying process and temperature conditions
US6791389B2 (en) 2000-05-30 2004-09-14 Advantest Corporation Variable delay circuit and a testing apparatus for a semiconductor circuit
US7038519B1 (en) 2004-04-30 2006-05-02 Xilinx, Inc. Digital clock manager having cascade voltage switch logic clock paths
US7046052B1 (en) 2004-04-30 2006-05-16 Xilinx, Inc. Phase matched clock divider
JP2006333159A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Yokogawa Electric Corp プログラマブル遅延発生装置
US7157951B1 (en) 2004-04-30 2007-01-02 Xilinx, Inc. Digital clock manager capacitive trim unit
JP2007288788A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Agere Systems Inc 減少された挿入遅延を持つプログラマブル遅延回路
JP2007532080A (ja) * 2004-04-05 2007-11-08 マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド 遅延線同期装置および方法
JPWO2006025285A1 (ja) * 2004-08-30 2008-05-08 株式会社アドバンテスト 可変遅延回路、マクロセルデータ、論理検証方法、試験方法および電子デバイス
JP2008172323A (ja) * 2007-01-09 2008-07-24 Nec Electronics Corp デッドタイム制御回路
US7564283B1 (en) 1998-06-22 2009-07-21 Xilinx, Inc. Automatic tap delay calibration for precise digital phase shift
WO2011118381A1 (ja) * 2010-03-26 2011-09-29 古河電気工業株式会社 遅延制御装置
JP2015114167A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 セイコーエプソン株式会社 検出装置、センサー、電子機器及び移動体

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5668491A (en) * 1995-06-06 1997-09-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Variable delay circuit
US6204710B1 (en) * 1998-06-22 2001-03-20 Xilinx, Inc. Precision trim circuit for delay lines
US6289068B1 (en) 1998-06-22 2001-09-11 Xilinx, Inc. Delay lock loop with clock phase shifter
US6400735B1 (en) 1998-06-22 2002-06-04 Xilinx, Inc. Glitchless delay line using gray code multiplexer
US6587534B2 (en) 1998-06-22 2003-07-01 Xilinx, Inc. Delay lock loop with clock phase shifter
US6775342B1 (en) 1998-06-22 2004-08-10 Xilinx, Inc. Digital phase shifter
US7564283B1 (en) 1998-06-22 2009-07-21 Xilinx, Inc. Automatic tap delay calibration for precise digital phase shift
JP2000049417A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Hitachi Ltd 半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法
US6791389B2 (en) 2000-05-30 2004-09-14 Advantest Corporation Variable delay circuit and a testing apparatus for a semiconductor circuit
JP2002100966A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Advantest Corp 調整装置及び試験装置
US6664837B1 (en) 2002-09-18 2003-12-16 Xilinx, Inc. Delay line trim unit having consistent performance under varying process and temperature conditions
JP2007532080A (ja) * 2004-04-05 2007-11-08 マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド 遅延線同期装置および方法
US7157951B1 (en) 2004-04-30 2007-01-02 Xilinx, Inc. Digital clock manager capacitive trim unit
US7046052B1 (en) 2004-04-30 2006-05-16 Xilinx, Inc. Phase matched clock divider
US7038519B1 (en) 2004-04-30 2006-05-02 Xilinx, Inc. Digital clock manager having cascade voltage switch logic clock paths
JPWO2006025285A1 (ja) * 2004-08-30 2008-05-08 株式会社アドバンテスト 可変遅延回路、マクロセルデータ、論理検証方法、試験方法および電子デバイス
JP2006333159A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Yokogawa Electric Corp プログラマブル遅延発生装置
JP2007288788A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Agere Systems Inc 減少された挿入遅延を持つプログラマブル遅延回路
JP2013179598A (ja) * 2006-04-18 2013-09-09 Agere Systems Inc 減少された挿入遅延を持つプログラマブル遅延回路
JP2008172323A (ja) * 2007-01-09 2008-07-24 Nec Electronics Corp デッドタイム制御回路
WO2011118381A1 (ja) * 2010-03-26 2011-09-29 古河電気工業株式会社 遅延制御装置
JP2015114167A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 セイコーエプソン株式会社 検出装置、センサー、電子機器及び移動体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05191233A (ja) 遅延素子
KR100187699B1 (ko) 지연 회로 장치
US6073259A (en) Low cost CMOS tester with high channel density
EP1000365B1 (en) Timing generator with fast refire recovery time
US5768177A (en) Controlled delay circuit for use in synchronized semiconductor memory
US6194937B1 (en) Synchronous delay circuit system
US9762243B2 (en) Apparatus for reference voltage generation for I/O interface circuit
JPH09223955A (ja) 製造後の集積回路のパラメタチューニング方法およびチューニング可能な集積回路
KR100256309B1 (ko) 반도체 집적 회로
US20090144677A1 (en) Design Structure for a Circuit and Method to Measure Threshold Voltage Distributions in SRAM Devices
US7352252B2 (en) Circuit and method to measure threshold voltage distributions in SRAM devices
US6127874A (en) Skew adjustable IC and a method for designing the same
US7221214B2 (en) Delay value adjusting method and semiconductor integrated circuit
US7157951B1 (en) Digital clock manager capacitive trim unit
US7263009B2 (en) Semiconductor memory device with delay section
US6172544B1 (en) Timing signal generation circuit for semiconductor test system
JP2000196451A (ja) 半導体装置
JPH05129911A (ja) 論理回路
JP2689462B2 (ja) クロック・スキュー調整回路
JP3128661B2 (ja) 高分解能タイミング調整回路
KR100199219B1 (ko) 가변 지연 회로 및 타이밍 신호 발생 회로
JP3378721B2 (ja) 遅延回路及びその校正方法
JPH0722594A (ja) 半導体集積回路装置
JPS63122314A (ja) 出力バツフア回路
JP3777745B2 (ja) 信号遅延装置