JP4930596B2 - トランスとこれを用いた電源装置 - Google Patents

Description

本発明は各種電子機器に使用されるトランスに関する。

以下、従来のトランスについて図面を用いて説明する。

図１１は従来のトランスの分解斜視図である。図１１において、一次巻線１を巻回したボビン２に貫通孔３を設け、二次巻線４を巻回したボビン５に貫通孔６を設ける。そして、ボビン２の両側にボビン５を配置している。

Ｅ字形磁心７の中脚８をボビン２の貫通孔３に挿入し、また、外脚９をボビン５の貫通孔６に挿入する。そして、Ｅ字形磁心７に対向して位置する棒状磁心１０に中脚８および外脚９の先端を貫通孔３、６に挿入した上で突き合わせ、閉磁路を有するトランスを構成していた。なお、この従来のトランスに関する先行技術文献情報としては例えば特許文献１が知られている。

図１２は従来のトランスの第１の断面図である。図１２において、一次巻線１によって中脚８に発生する磁束φ１はＥ字形磁心７および棒状磁心１０により構成された閉磁路１１を通る。そして、一般的には磁束φ２と磁束φ３に分かれて二次巻線４に同等の電圧が励起される。

しかしながら、二次巻線４の巻線仕様が同一であっても、二次巻線４に接続する負荷（図示せず）のインピーダンスが変動した際には磁束φ２と磁束φ３は均等に分流されなくなる。つまり、一方の二次巻線４の負荷変動が他方の二次巻線４に影響を及ぼす。これは二次巻線４における負荷（図示せず）の変動と二次巻線４に鎖交する磁束φ２、φ３の変動が相乗の悪影響を及ぼす状態となる。その結果、例えば、負荷（図示せず）が放電灯であった場合では、一方の二次巻線４と他方の二次巻線４とのそれぞれに接続した放電灯における輝度がばらついてしまう。

図１３は従来のトランスの第１の断面図である。図１３において、両方の外脚９に巻線を配置するトランスの形態においては、一方の一次巻線１と二次巻線４を通る磁束φ３と、他方の一次巻線１と二次巻線４を通る磁束φ４とで中脚８を共通の磁路としている。この場合、一方の二次巻線４と他方の二次巻線４とに接続した負荷が均等であれば、磁束φ３と磁束φ４は同等でかつ安定する。

しかしながら、負荷の平衡が保たれない場合は磁束φ３、φ４の均衡が維持できなくなり、一方の二次巻線４が他方の磁束φ４より干渉を受けたり、他方の二次巻線４が一方の磁束φ３により干渉を受けたりする。その結果、例えば、負荷（図示せず）が例えば放電灯であった場合などでは、一方の二次巻線４と他方の二次巻線４とのそれぞれに接続した放電灯における輝度がばらついてしまう。

特開２００５−３０３１０３号公報

本発明は、二次巻線の負荷変動による二次巻線相互の干渉を受け難いトランスを提供する。

本願に係るトランスは、第１の一次巻線と第１の二次巻線とを巻回し第１の貫通孔を有した第１のボビンと、第２の一次巻線と第２の二次巻線とを巻回し第２の貫通孔を有した第２のボビンと、２つの分割磁心と、を備える。分割磁心は、背磁板から垂直に連結した縦壁部と横壁部とからなる断面がＴ字形状の中磁脚と、縦壁部により隔てた一方側に設けた第１の外磁脚と他方側に設けた第２の外磁脚とから構成される。そして、第１の外磁脚それぞれを第１の貫通孔の両側から、および第２の外磁脚それぞれを第２の貫通孔の両側から挿入して突き合わせるとともに、中磁脚を突き合わせ、中磁脚における遮蔽用縦壁部の厚みは、横壁部との接続側を横壁部との非接続側よりも大きくしたうえで、この非接続側における突き合せ面の一部に段差を設け、遮蔽用縦壁部は、前記非接続側においては空隙を介して、かつ他の部分は接触状態として突き合せたことを特徴とする。

本発明によれば、それぞれの二次巻線を通る磁束が共通して流れ易い領域に位置する磁路の磁気抵抗を大きくすることで、この磁路を通る磁束量を減らし、それぞれの二次巻線へ向かう磁束が通る磁路を磁気回路上で分離することにより、二次巻線間の負荷変動による干渉を起こりにくくすることができ、かつ、磁気抵抗が大きな磁路によって互いの二次巻線を遮蔽した状態としている。つまり、二次巻線の負荷変動による二次巻線相互の干渉を受けにくい安定した出力を得るトランスの提供を可能とする。

本発明の実施の形態１におけるトランスの分解斜視図 本発明の実施の形態１におけるトランスの有する分割磁心の斜視図 本発明の実施の形態１におけるトランスの斜視図 本発明の実施の形態１におけるトランスの第１の平面図 本発明の実施の形態１におけるトランスの第２の平面図 本発明の実施の形態１におけるトランスの接続回路図 本発明の実施の形態１におけるトランスの第１の二次巻線からの出力電圧波形図 本発明の実施の形態１におけるトランスの第２の二次巻線からの出力電圧波形図 本発明の実施の形態２におけるトランスの分解斜視図 本発明の実施の形態２におけるトランスの平面図 本発明の実施の形態２におけるトランスの電源装置のブロック図 従来のトランスの分解斜視図 従来のトランスの第１の断面図 従来のトランスの第２の断面図

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるトランスの分解斜視図である。図１において、本実施の形態１のトランスは、第１のボビン１５と第２のボビン１９とを備える。第１のボビン１５と第２のボビン１９は並列に配置されている。

第１のボビン１５は第１の貫通孔１４の周りに第１の一次巻線１２と第１の二次巻線１３とが巻回されて構成される。第２のボビン１９は第２の貫通孔１８の周りに第２の一次巻線１６と第２の二次巻線１７とが巻回されて構成される。

ここで、第１の一次巻線１２と第２の一次巻線１６は同一の巻回数である。また、第１の二次巻線１３と第２の二次巻線１７も同一の巻回数である。

さらに、本実施の形態１のトランスは、分割磁心２６を有する。分割磁心２６は、背磁板２０と中磁脚２３と第１の外磁脚２４と第２の外磁脚２５とから構成される。中磁脚２３は、その断面がＴ字形状であり、縦壁部２１と横壁部２２とで構成される。縦壁部２１は横壁部２２から下方へ伸びた形で構成されている。また、縦壁部２１および横壁部２２は、背磁板２０から背磁板２０に対して垂直方向に連結して設けられる。第１の外磁脚２４および第２の外磁脚２５は、背磁板２０から背磁板２０に対して垂直に連結して設けられる。これらは、縦壁部２１により、互いに隔てられている。

そして、第１の貫通孔１４の両側から第１の外磁脚２４が挿入され、その先端は第１の貫通孔１４内で突き合わされている。同様に、第２の貫通孔１８の両側から第２の外磁脚２５が挿入され、その先端が第２の貫通孔１８内で突き合わされている。さらに、中磁脚２３どうしが突き合わされる。中磁脚２３は、第１のボビン１５と第２のボビン１９とを、第１の貫通孔１４、第２の貫通孔１８を軸とした方向で半周にわたり包含する。

図２は本発明の実施の形態１におけるトランスの有する分割磁心の斜視図である。図２において、中磁脚２３の縦壁部２１の先端に段差部２７を設けることにより、中磁脚２３を突き合わせた際に空隙が存在する状態とし磁気ギャップを形成することができる。また、少なくとも一方の分割磁心２６に段差部２７を設ければ、磁気ギャップを形成することができる。なお、中磁脚２３を磁気ギャップ無しで突き合わせてもかまわないが、磁気ギャップを形成することが望ましい。

図３は本発明の実施の形態１におけるトランスの斜視図である。図３において、本実施の形態１のトランスは、第１のボビン１５と第２のボビン１９と分割磁心２６とに加え、ケース２８を有する。ケース２８は、第１のボビン１５、第２のボビン１９および分割磁心２６相互の絶縁性を向上させるために設けられている。

すなわち、一次巻線（図示せず）および二次巻線（図示せず）は電気的に外部からケース２８により絶縁性を維持している。また、分割磁心２６により、本実施の形態１のトランスの上面側の面積の１／２以上が覆われるので、一次巻線（図示せず）および二次巻線（図示せず）は磁気的に外部から遮蔽されている。このような遮蔽状態を維持するには、図２に示すように第１の外磁脚２４、第２の外磁脚２５の外側面２４Ｗ、２５Ｗと、中磁脚２３の外側面２３Ｗとが、同一面上にある状態となっているか、もしくは、中磁脚２３の外側面２３Ｗが外側面２４Ｗ、２５Ｗに対して外側へ庇状に突出している位置関係となっていればよい。

図４は本発明の実施の形態１におけるトランスの第１の平面図である。図４において、Ａ点は分割磁心２６を構成する背磁板２０の中心点である。ここで、第１の一次巻線１２から発生する磁束φ１１と第２の一次巻線１６から発生する磁束φ２２がそれぞれＡ点に向かうφ１Ａとφ２Ａとなるとする。このとき、Ａ点において磁束が合流したとしても、縦壁部２１の先端には磁気ギャップ２９が存在するために磁気抵抗が非常に高く、磁束は縦壁部２１を通らない。すなわち、第１の一次巻線１２から発生する磁束φ１１および第２の一次巻線１６から発生する磁束φ２２は、φ１Ａおよびφ２Ａの方向へは向かわない。なお、ここでは磁気ギャップ２９により磁気抵抗を上昇させる方法を採っているが、磁気ギャップ２９を設けずに、縦壁部２１の断面積を小さくすることにより磁気抵抗を上昇させる方法を採っても構わない。

これに対して、第１の一次巻線１２から発生する磁束φ１１と第２の一次巻線１６から発生する磁束φ２２がそれぞれＡ点とは反対方向に向かうφ１Ｂとφ２Ｂとなるとする。このとき、横壁部２２には磁気ギャップが存在せず、非常に磁気抵抗が低いためφ１Ｂとφ２Ｂの磁束方向に矛盾は生じない。

図５は本発明の実施の形態１におけるトランスの第２の平面図である。図５において、第１の一次巻線１２から発生する磁束φ１１と第２の一次巻線１６から発生する磁束φ２２は、磁気抵抗の最も低い部分に相当する、それぞれ破線矢印３０で示されるループを通る。

第１の一次巻線１２から発生する磁束φ１１と、第２の一次巻線１６から発生する磁束φ２２とは、同一の磁路を通らない。よって、第１の二次巻線１３に接続された負荷（図示せず）と第２の二次巻線１７に接続された負荷（図示せず）との平衡が取れていない場合においても、一方側の負荷変動に伴う磁束の変動は他方側の磁束に影響を及ぼしにくい。つまり、縦壁部２１や横壁部２２が一体化された磁心であるにもかかわらず、磁路ごとに磁気抵抗の差を設けていることにより磁束の通過し易い磁路とそうでない磁路とに区別されうる。その結果、第１の二次巻線１３、第２の二次巻線１７の負荷変動による干渉を受けにくい安定した出力を得ることができる。分割磁心２６は機械的には一体化された状態ではあるが、磁気的には第１の一次巻線１２、第１の二次巻線１３と、第２の一次巻線１６、第２の二次巻線１７とを、分離することを可能としている。

また、第１の一次巻線１２と第１の二次巻線１３とは同軸上に配置され、同様に、第２の一次巻線１６と第２の二次巻線１７とは同軸上に配置されている。よって、第１の一次巻線１２および第２の一次巻線１６において発生する磁束φ１１と磁束φ２２は、それぞれ第１の二次巻線１３と第２の二次巻線１７において的確に磁束が鎖交しエネルギーの変換効率も良好となる。さらに、例えば、第１の一次巻線１２と第１の二次巻線１３との間に隙間をもたせることにより、沿面距離を維持しながら一定の結合を維持させることもできる。

縦壁部２１は、第１の一次巻線１２および第１の二次巻線１３と、第２の一次巻線１６および第２の二次巻線１７とから放出される漏洩磁束を、互いに磁気的に遮蔽する。また、横壁部２２は非常に磁気抵抗を低くしていることにより、トランスからトランスの外部へ漏洩する磁束を抑制することができる。なお、横壁部２２が存在する方向のみならず、横壁部２２が存在しない側面においても漏洩する磁束を抑制することができる。

ここで、第１の一次巻線１２から発生する磁束φ１１と第２の一次巻線１６から発生する磁束φ２２は、共に一方の背磁板２０へ向かう方向、もしくは共に一方の背磁板２０の逆側へ向かう方向に、発生方向を揃える。さらに、図２に示す段差部２７を縦壁部２１の突き合わせ側全体に横壁部２２に接する部分まで延長して設けることにより、図４に示す磁気ギャップ２９をより大きなものにすることができる。

図６は本発明の実施の形態１におけるトランスの接続回路図である。図６において、本実施の形態１のトランス３１は１つの部品である。トランス３１の内部において、第１の二次巻線１３と第２の二次巻線１７とは磁気的に分離されている。

図７Ａは本発明の実施の形態１におけるトランスの第１の二次巻線からの出力電圧波形図である。図７Ｂは本発明の実施の形態１におけるトランスの第２の二次巻線からの出力電圧波形図である。図７Ａ、７Ｂにおいて、第１の二次巻線１３および第２の二次巻線１７から出力される電圧のピーク値に大きな不平衡は現れにくい。

ここで、第１の二次巻線１３と第２の二次巻線１７とからの出力電圧は逆位相としている。これは負荷に放電灯を使用した場合においては、その放電灯から発せられる電界等が逆位相接続により打ち消しあい、周囲への影響を小さくするためのものであり、同位相での動作であってもトランスとしての動作の上では問題はない。

以上の構造、および動作の説明においては、図１に示す第１の外磁脚２４の突き合わせ部（図示せず）および第２の外磁脚２５の突き合わせ部（図示せず）に関して、磁気ギャップの有無は言及していない。しかし、第１の外磁脚２４、第２の外磁脚２５の突き合わせ部に磁気ギャップ（図示せず）を設けても構わない。

第１の外磁脚２４、第２の外磁脚２５の突き合わせ部に磁気ギャップを設ける場合は、図２に示すように、段差部２７を形成する際に、第１の外磁脚２４、第２の外磁脚２５の先端より段差部２７と同一の段差に相当する部分を切削する。これにより、第１の外磁脚２４、第２の外磁脚２５に設けた磁気ギャップをほぼ同等の寸法とすることができる。

そして、第１の外磁脚２４、第２の外磁脚２５と縦壁部２１とに３箇所の磁気ギャップを構成しても、縦壁部２１の段差部２７の非形成部および横壁部２２どうしを互いに突き合わせて閉磁路を構成するため、磁気ギャップの寸法は不安定にはなりにくい。つまり、これら３箇所の突き合せ平面が安定することで、磁気ギャップを安定させるためのフィルムの挟み込みを省略することができる。

また、第１の外磁脚２４、第２の外磁脚２５の先端に形成される磁気ギャップは、図４に示す磁気ギャップＧのように、第１の一次巻線１２、第１の二次巻線１３、および第２の一次巻線１６、第２の二次巻線１７により包含される位置にある。よって、大きな磁束の漏洩は発生しにくい。さらに、図１に示すように、中磁脚２３の横壁部２２は磁気ギャップが無い状態で突き合わせるため、磁束の漏洩は外部から遮蔽される。従って、他のデバイスに磁気的な悪影響を及ぼしにくいのみならず、磁束漏洩によるエネルギーの変換損失も抑制できる。

出力電圧の平衡をよりよく保つには、図２に示すように、第１の外磁脚２４と第２の外磁脚２５および横壁部２２を、縦壁部２１を軸として対称形となるよう位置させることが望ましい。すなわち、図１に示すように、縦壁部２１に対し、第１の一次巻線１２および第１の二次巻線１３と第２の一次巻線１６および第２の二次巻線１７とを左右対称形とする。これにより、左右の磁気回路（第１のボビン１５、第２のボビン１９）における磁気抵抗を均等にできることから、第１の二次巻線１３、第２の二次巻線１７による干渉をより発生しにくくすることができる。また、第１の一次巻線１２および第１の二次巻線１３と第２の一次巻線１６および第２の二次巻線１７とをほぼ同一の仕様とすることにより、第１の二次巻線１３と第２の二次巻線１７とからのそれぞれの出力電圧を均等に保つことができる。

なお、本実施の形態１において、図２に示す第１の外磁脚２４と第２の外磁脚２５および横壁部２２を、縦壁部２１を軸として非対称形となるようにしても構わない。つまり、縦壁部２１を第１の外磁脚２４と第２の外磁脚２５との中間からどちらか一方へ偏った位置に配置しても構わない。この場合、一方の分割磁心２６と他方の分割磁心２６とを突き合せる際に、それぞれの縦壁部２１が偏った位置にある以外は、一方の分割磁心２６と他方の分割磁心２６とがほぼ同一の寸法である。それぞれの横壁部２２同士は、ほぼ一致した形態で正対して突き合せた状態となる。縦壁部２１は偏りがあるために完全には正対せず、縦壁部２１が延伸する方向とは垂直方向にズレを伴った形態で突き合せた状態となる。

ここで、縦壁部２１の偏りの大きさを、分割磁心２６の中心から縦壁部２１の厚み寸法の半分以下とすれば、縦壁部２１どうしは必ず部分的に突き合せた状態となる。これにより、横壁部２２と上記の部分的に突き合せた部分とにより、併せて３箇所の突き合せ平面を形成する。よって、一方の分割磁心２６と他方の分割磁心２６とを安定した位置関係に保つことが可能となる。

横壁部２２を経由する磁路の断面積は縦壁部２１の偏りによっては変化しない。しかし、縦壁部２１を経由する磁路の断面積は縦壁部の偏りにより大幅に減少することとなる。これにより、図４に示すように、φ１Ａとφ２Ａとによる干渉に関係する磁束が通る経路の磁気抵抗は一層上昇する。つまり、φ１Ａとφ２Ａとによる干渉に関係する磁束はより一層減少し、φ１Ａとφ２Ａとによる干渉が発生しにくくなる。

このときは、図１に示す縦壁部２１は分割磁心２６中心に存在しない。そこで、第１の一次巻線１２および第１の二次巻線１３と第２の一次巻線１６および第２の二次巻線１７とは巻き数を変化させることにより、第１の二次巻線１３と第２の二次巻線１７との出力電圧のバランスを保つようにする。すなわち、磁心形状を非対称とすることに対応させて巻線仕様をも非対称とすることにより、出力電圧特性を対称な状態に維持する。

また、双方の分割磁心２６は、それぞれ異なる形状としても構わないが、基本的には同一形状のものを突き合せることでよい。つまり、同一形状で縦壁部２１もまた同じ偏りを有した分割磁心２６を突き合せることにより、縦壁部２１が延伸する方向とは垂直方向にズレを伴った形態で突き合せる。よって、分割磁心の成形に関するコストアップの要因とはならない。また、磁気ギャップを形成する図２に示す段差部２７については、双方の分割磁心２６に設けることも、あるいは一方の分割磁心２６に設けることも可能である。

さらに第１の二次巻線１３、第２の二次巻線１７による相互の干渉を抑制する手段として、図２に示す第１の外磁脚２４および第２の外磁脚２５と横壁部２２とを隔てる距離を、第１の外磁脚２４および第２の外磁脚２５と縦壁部２１とを隔てる距離よりも小さくするのがよい。

図４において、第１の外磁脚２４の上面部２４ａおよび第２の外磁脚２５の上面部２５ａと横壁部２２との距離をＤａとする。また、第１の外磁脚２４の側面部２４ｂおよび第２の外磁脚２５の側面部２５ｂと縦壁部２１との距離をＤｂとする。このとき、Ｄａ＜Ｄｂとするのがよい。すると、図５に示す磁束ループ３０の磁気抵抗は、磁気ギャップ２９側の磁気抵抗に比較してより低くすることができる。また、磁路の分離がより明確となるため、第１の二次巻線１３、第２の二次巻線１７による相互の干渉を抑制することができる。さらに、第１の一次巻線１２、第２の一次巻線１６や第１の二次巻線１３、第２の二次巻線１７から漏洩する磁束を横壁部２２によって製品の外側に放出させにくくすることもできる。

磁束ループ３０の磁気抵抗を磁気ギャップ２９側の磁気抵抗に比較してより低くする方法としては、図１に示す横壁部２２の断面積を縦壁部２１の断面積の２倍以上とするのが望ましい。すなわち、第１の一次巻線１２および第１の二次巻線１３に対向する部分の横壁部２２の断面積が、縦壁部２１の断面積よりも大きい状態である。そして、第２の一次巻線１６および第２の二次巻線１７に対向する部分の横壁部２２の断面積が、縦壁部２１の断面積よりも大きい状態でもある。つまり、横壁部２２全体の断面積の１／２が、縦壁部２１の断面積よりも大きい状態である。これにより、図５に示す磁束ループ３０の磁気抵抗は、磁気ギャップ２９側の磁気抵抗に比較して、たとえ磁気ギャップ２９が存在しないものであっても小さくすることができる。よって、磁路の分離がより明確となるため、第１の二次巻線１３、第２の二次巻線１７による相互の干渉を抑制することができるものである。

さらに、図１に示す背磁板２０の断面積について説明する。縦壁部２１と第１の外磁脚２４との間および縦壁部２１と第２の外磁脚２５との間に位置する背磁板２０の断面積は、横壁部２２と第１の外磁脚２４との間および横壁部２２と第２の外磁脚２５との間に位置する背磁板２０の断面積より小さくしている。これにより、たとえ磁気ギャップ２９が存在しなくても図５に示す磁束ループ３０の磁気抵抗を、磁気ギャップ２９側の磁気抵抗に比較して、小さくすることができる。よって、上記の場合と同様に磁路の分離がより明確となるため、第１の二次巻線１３、第２の二次巻線１７による相互の干渉を抑制することができる。

（実施の形態２）
図８は本発明の実施の形態２におけるトランスの分解斜視図である。図８において、本実施の形態２のトランスは、第１のボビン４０と第２のボビン４４とを備える。第１のボビン４０と第２のボビン４４は並列に配置されている。

第１のボビン４０は第１の貫通孔３９の周りに第１の一次巻線３７と第１の二次巻線３８とが巻回されて構成される。第２のボビン４４は第２の貫通孔４３の周りに第２の一次巻線４１と第２の二次巻線４２とが巻回されて構成される。

ここで、第１の一次巻線３７と第２の一次巻線４１は同一の巻回数である。また、第１の二次巻線３８と第２の二次巻線４２も同一の巻回数である。

さらに、本実施の形態２のトランスは、分割磁心４９を有する。分割磁心４９は、背磁板４５と横壁磁脚４６と第１の外磁脚４７と第２の外磁脚４８とから構成される。横壁磁脚４６は背磁板４５から垂直に連結して設けられる。第１の外磁脚４７、第２の外磁脚４８は、横壁磁脚４６の一方側に並列させる。そして、背磁板４５から垂直に連結して設けられる。

そして、第１の貫通孔３９の両側から第１の外磁脚４７が挿入され、その先端は第１の貫通孔３９内で突き合わされている。同様に、第２の貫通孔４３の両側から第２の外磁脚４８が挿入され、その先端が第２の貫通孔４３内で突き合わされている。さらに、横壁磁脚４６どうしが突き合わされる。第１のボビン４０と第２のボビン４４とは、分割磁心４９により覆われた状態となる。ここで、棒状磁心５０が第１のボビン４０と第２のボビン４４との間に等距離を隔てて配置されている。

図９は本発明の実施の形態２におけるトランスの平面図である。図９において、Ｂ点は分割磁心４９を構成する背磁板４５の中心点である。ここで、第１の一次巻線３７、第２の一次巻線４１で発生した磁束φ１１１、φ２２２はＢ点の方向へは向かいにくい構造となっている。これはＢ点の位置が互いの磁束φ１１１、φ２２２が衝突する方向に存在するためである。そして磁束φ１１１、φ２２２が流れることが可能な方向の棒状磁心５０には磁気ギャップ５１が存在し、磁気抵抗が高くなるためである。つまり、図４に示した磁気構造と基本的に同様であり、図９に示した磁束φ１１１、φ２２２は磁束ループ５２の磁路を通過する。以上より、磁束φ１１１、φ２２２は異なる磁路を通過する。よって、第１の一次巻線３７および第１の二次巻線３８と、第２の一次巻線４１および第２の二次巻線４２との干渉を起こしにくくすることができる。

また、棒状磁心５０により、第１の一次巻線３７および第１の二次巻線３８と、第２の一次巻線４１および第２の二次巻線４２とから放出される漏洩磁束を、互いに磁気的に遮蔽する。

実施の形態２では、棒状磁心５０は磁気ギャップ５１を伴うことで磁気抵抗を上昇されるものとした。しかし、磁気ギャップ５１を無くしたうえで棒状磁心５０の断面積を小さくすることによって磁気抵抗を上昇させても構わない。

また、磁束ループ５２の磁気抵抗をより小さくし、より干渉の発生を低減させる手段としては、背磁板４５のうち第１の外磁脚４７と横壁磁脚４６との間に位置する部分の背磁板４５の断面積を、背磁板４５のその他の部分の断面積より大きくすることが挙げられる。なお、この手段は図４においても同様に適用が可能である。

図１０は本発明の実施の形態２におけるトランスを用いた電源装置のブロック図である。図１０において、本実施の形態２のトランスは、電源装置５３内のインバータ電源回路５５として用いられている。インバータ電源回路５３はバックライトユニット５４に電力供給する。この場合、インバータ電源回路５５内において、トランス（図示せず）はインバータ電源回路５５の一次側と二次側との絶縁を得るための機能を有する。

このとき、ＰＦＣ回路（ＰＯＷＥＲ ＦＡＣＴＯＲ ＣＯＲＲＥＣＴＩＯＮ、 高調波対策回路）５６からインバータ電源回路５５へ直接電力を供給することになるため、その電力変換の回数は１度のみとなる。その結果、電力損失を抑制した高効率化が図れ、低消費電力化を可能とする。なお、図１０においてはＰＦＣ回路５６を備えた電源装置５３を示している。しかし、ＰＦＣ回路を用いずに入力回路５７から直接にインバータ電源回路５５へ電力を供給しても構わない。

本発明のトランスは二次巻線間の干渉を起こしにくくし、安定した電圧出力を確保することができる効果を有するため、各種電子機器において有用である。

１２，３７ 第１の一次巻線
１３，３８ 第１の二次巻線
１４，３９ 第１の貫通孔
１５，４０ 第１のボビン
１６，４１ 第２の一次巻線
１７，４２ 第２の二次巻線
１８，４３ 第２の貫通孔
１９，４４ 第２のボビン
２０，４５ 背磁板
２１ 縦壁部
２２ 横壁部
２３ 中磁脚
２４，４７ 第１の外磁脚
２５，４８ 第２の外磁脚
２６，４９ 分割磁心

Claims (4)

1. 第１の貫通孔の周りに第１の一次巻線と第１の二次巻線とを巻回した第１のボビンと、第２の貫通孔の周りに第２の一次巻線と第２の二次巻線とを巻回した第２のボビンと、前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔に挿入された２つの分割磁心と、を備え、前記分割磁心は、背磁板から垂直に連結した遮蔽用縦壁部と前記背磁板から垂直連結した横壁部とからなり、前記遮蔽用縦壁と前記横壁部とは連続して形成したうえで、その断面をＴ字形状にした中磁脚と、前記遮蔽用縦壁部により隔てた一方側に設けた第１の外磁脚と、前記遮蔽用縦壁部により隔てた他方側に設けた第２の外磁脚と、を有し、前記第１の外磁脚を前記第１の貫通孔の両側から挿入して突き合わせ、前記第２の外磁脚を前記第２の貫通孔の両側から挿入して突き合わせ、前記中磁脚を突き合わせるとともに、前記中磁脚における前記遮蔽用縦壁部の厚みは、前記横壁部との接続側を前記横壁部との非接続側よりも大きくしたうえで、この非接続側における突き合せ面の一部に段差を設け、前記遮蔽用縦壁部は、前記非接続側においては空隙を介して、かつ他の部分は接触状態として突き合せたトランス。
2. 前記第１の外磁脚と前記中磁脚の前記横壁部とを隔てる距離は、前記第１の外磁脚と前記中磁脚の遮蔽用縦壁部とを隔てる距離よりも小さくするとともに、前記第２の外磁脚と前記中磁脚の前記横壁部とを隔てる距離は、前記第２の外磁脚と前記中磁脚の遮蔽用縦壁部とを隔てる距離よりも小さくした請求項１に記載のトランス。
3. 第１の貫通孔の周りに第１の一次巻線と第１の二次巻線とを巻回した第１のボビンと、第２の貫通孔の周りに第２の一次巻線と第２の二次巻線とを巻回した第２のボビンと、前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔に挿入された２つの分割磁心と、を備え、前記分割磁心は、背磁板から垂直に連結した遮蔽用縦壁部と前記背磁板から垂直連結した横壁部とからなり、前記遮蔽用縦壁と前記横壁部とは連続して形成したうえで、その断面をＴ字形状にした中磁脚と、前記遮蔽用縦壁部により隔てた一方側に設けた第１の外磁脚と、前記遮蔽用縦壁部により隔てた他方側に設けた第２の外磁脚と、を有し、前記第１の外磁脚を前記第１の貫通孔の両側から挿入して突き合わせ、前記第２の外磁脚を前記第２の貫通孔の両側から挿入して突き合わせ、前記中磁脚を突き合わせるとともに、前記遮蔽用縦壁部は前記分割磁心の中央から偏った位置に設け、前記遮蔽用縦壁部を突き合せた部分の面積は前記遮蔽用縦壁部の断面積よりも小さくしたトランス。
4. バックライトユニットと、前記バックライトユニットを起動するインバータ電源回路と、を備え、前記インバータ電源回路は請求項１〜３の何れかに記載のトランスを有する電源装置。

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