JP4348263B2 - リーケージトランス - Google Patents

Description

本発明は、例えばインバータ回路用のリーケージトランスに関するものである。

従来からリーケージトランスは、例えば液晶ディスプレイパネルのバックライト用インバータ回路の昇圧トランスに使用されている。

液晶ディスプレイパネルを内蔵する液晶表示装置、小型コンピュータなどの筐体は、省スペース性を損なわないために小型、薄型に設計されることが多い。そのため、それらの装置の筐体内で使用されるトランスなどの素子を薄型および／または狭幅とすることが要求されている。

そのような狭幅型のリーケージトランスとしては、一次および二次巻線を貫通するセンタコアにＩ型コアを使用し、外部磁路にＥ型コアを使用したものがある（例えば特許文献１参照）。

特許第３３８６９７２号（図１など）

上述した液晶ディスプレイパネルのバックライト用のインバータ回路の用途の場合などにおいては、液晶ディスプレイパネルの大表示面積化に伴い、液晶ディスプレイパネルのバックライトとして多数の冷陰極管が使用される。

例えば上述の用途のように複数の冷陰極管が使用される場合には、複数の冷陰極管を駆動するために複数のリーケージトランスが使用される。１つのリーケージトランスは１つの素子とされるため、冷陰極管の数に応じた数のリーケージトランスが筐体内に設けられる。このため、液晶ディスプレイパネルを内蔵する装置の筐体内でのリーケージトランス素子の設置スペースが大きくなってしまう。

本発明は、筐体内での設置スペースを小さくすることができるリーケージトランスを得ることを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明では以下のようにした。

本発明に係るリーケージトランスは、フェライトコアに巻回された一次巻線と、一次巻線と磁気結合する二次巻線と、一次巻線と二次巻線が巻回されるボビンと、を有する第１のリーケージトランス部と、
第１のリーケージトランス部に平行に並んで位置し、第１のリーケージトランス部と同様の構成を有する第２のリーケージトランス部と、第１のリーケージトランス部と第２のリーケージトランス部との間に配置され、第１のリーケージトランス部の磁路および第２のリーケージトランス部の磁路が両方同時に形成される兼用フェライトコアと、を備え、兼用フェライトコアに、第１のリーケージトランス部および第２のリーケージトランス部の漏れ磁束用の磁路が形成される漏れ磁束延出部を設け、漏れ磁束延出部において、第１のリーケージトランス部の一次巻線から生じる磁束と、第２のリーケージトランス部の一次巻線から生じる磁束とが同一方向になるものである。

これにより、兼用フェライトコアが第１および第２のリーケージトランス部の両方の磁路に兼用されるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

また、本発明に係るリーケージトランスは、上記のリーケージトランスに加え、次のようにしてもよい。つまり、その場合、漏れ磁束延出部は、第１のリーケージトランス部および／または第２のリーケージトランス部における一次巻線と二次巻線との間に、漏れ磁束用の磁路を形成するものである。

また、本発明に係るリーケージトランスは、上記のリーケージトランスに加え、次のようにしてもよい。つまり、その場合、漏れ磁束延出部は、第１のリーケージトランス部および／または第２のリーケージトランス部における一次巻線の一部と一次巻線の残りの部分および二次巻線との間に漏れ磁束用の磁路を形成するものである。

また、本発明に係るリーケージトランスは、上記のリーケージトランスのいずれかに加え、次のようにしてもよい。つまり、その場合、漏れ磁束延出部は、第１のリーケージトランス部および／または第２のリーケージトランス部における一次巻線および二次巻線の一部と二次巻線の残りの部分との間に漏れ磁束用の磁路を形成するものである。

また、本発明に係るリーケージトランスは、Ｈ型フェライトコアの中央平板部に、該Ｈ型フェライトコアの２つの端平板部に平行に延出する漏れ磁束用延出部を追加した形状の兼用フェライトコアと、端平板部の一方の先端および漏れ磁束用延出部の一方の先端に面して配置される第１のＩ型フェライトコアと、端平板部の他方の先端および漏れ磁束用延出部の他方の先端に面して配置される第２のＩ型フェライトコアと、第１のＩ型フェライトコアにおいて、少なくとも、一方の端平板部と漏れ磁束用延出部との間に巻回された第１の一次巻線と、第１のＩ型フェライトコアにおいて、少なくとも、他方の端平板部と漏れ磁束用延出部との間に巻回され第１の一次巻線と磁気結合する第１の二次巻線と、第２のＩ型フェライトコアにおいて、少なくとも、一方の端平板部と漏れ磁束用延出部との間に巻回された第２の一次巻線と、第２のＩ型フェライトコアにおいて、少なくとも、他方の端平板部と漏れ磁束用延出部との間に巻回され第２の一次巻線と磁気結合する第２の二次巻線とを備え、Ｈ型フェライトコアのＨ型平面に垂直方向の高さが第１のＩ型フェライトコアおよび第２のＩ型フェライトコアの高さより高くすると共に、Ｈ型フェライトコア、漏れ磁束用延出部、第１のＩ型フェライトコア、第２のＩ型フェライトコアが格子状に形成されものである。

これにより、第１の一次巻線、第１の二次巻線および第１のＩ型フェライトコアにより第１の棒状トランスが構成され、第２の一次巻線、第２の二次巻線および第２のＩ型フェライトコアにより第２の棒状トランスが構成されるとともに、兼用フェライトコアが第１および第２の棒状トランスの両方の磁路に兼用されるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

また、本発明に係るリーケージトランスは、上記のリーケージトランスに加え、次のようにしてもよい。つまり、その場合、第１のリーケージトランス部の一次巻線および／または第２のリーケージトランス部の一次巻線は、その一部が一方の端平板部と漏れ磁束用延出部との間に巻回され、残りの部分が他方の端平板部と漏れ磁束用延出部との間に巻回されるものである。

また、本発明に係るリーケージトランスは、上記のリーケージトランスのいずれかに加え、次のようにしてもよい。つまり、その場合、第１のリーケージトランス部の二次巻線および／または第２のリーケージトランス部の二次巻線は、その一部が一方の端平板部と漏れ磁束用延出部との間に巻回され、残りの部分が他方の端平板部と漏れ磁束用延出部との間に巻回されるものである。

また、本発明に係るリーケージトランスは、一次側コア部に巻回された一次巻線および二次側コア部に巻回された二次巻線を有する第１のリーケージトランス部と、第１のリーケージトランス部に平行に並んで位置し、一次側コア部に巻回された一次巻線および二次側コア部に巻回された二次巻線を有する第２のリーケージトランス部と、一次巻線と二次巻線が巻回されるボビンと、第１のリーケージトランス部と第２のリーケージトランス部との間に、第１のリーケージトランス部の一次側コア部と二次側コア部との間の磁路、および、第２のリーケージトランス部の一次側コア部と二次側コア部との間の磁路が両方同時に形成される兼用フェライトコアと、を備え、兼用フェライトコアに、第１のリーケージトランス部および第２のリーケージトランス部の漏れ磁束用の磁路を形成する漏れ磁束延出部を設け、漏れ磁束延出部において、第１のリーケージトランス部の一次巻線から生じる磁束と、第２のリーケージトランス部の一次巻線から生じる磁束とが同一方向になるものである。

これにより、兼用フェライトコアが第１および第２のリーケージトランス部の両方の磁路に兼用されるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

また、本発明に係るリーケージトランスは、Ｈ型フェライトコアの中央平板部に、該Ｈ型フェライトコアの２つの端平板部に平行に延出する漏れ磁束用延出部を追加した形状の兼用フェライトコアと、端平板部の一方の先端および漏れ磁束用延出部の一方の先端に面して配置される第１のＩ型フェライトコアと、端平板部の他方の先端および漏れ磁束用延出部の他方の先端に面して配置される第２のＩ型フェライトコアと、一方の端平板部において、第１のＩ型フェライトコアと中央平板部との間に巻回された第１の一次巻線と、他方の端平板部において、第１のＩ型フェライトコアと中央平板部との間に巻回され第１の一次巻線と磁気結合する第１の二次巻線と、一方の端平板部において、第２のＩ型フェライトコアと中央平板部との間に巻回された第２の一次巻線と、他方の端平板部において、第２のＩ型フェライトコアと中央平板部との間に巻回され第２の一次巻線と磁気結合する第２の二次巻線と、を備え、Ｈ型フェライトコアのＨ型平面の垂直方向の高さを第１のＩ型フェライトコア及び第２のフェライトコアの高さより高くすると共に、Ｈ型フェライトコア、漏れ磁束用延出部、第１のＩ型フェライトコア、第２のＩ型フェライトコアが格子状に形成されるものである。

これにより、第１の一次巻線、第１の二次巻線、第１のＩ型フェライトコアおよび兼用フェライトコアの一部により第１のトランスが構成され、第２の一次巻線、第２の二次巻線、第２のＩ型フェライトコアおよび兼用フェライトコアの一部により第２のトランスが構成され、兼用フェライトコアが第１および第２のトランスの両方の磁路に兼用されるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

本発明によれば、筐体内での設置スペースが小さくて済むリーケージトランスを得ることができる。

以下、図に基づいて本発明の実施の形態を説明する。

実施の形態１．
図１、図２および図３は、本発明の実施の形態１に係るリーケージトランスの構成を示す斜視図、上面図および底面図である。

実施の形態１に係るリーケージトランスは、１つの素子に２つのリーケージトランス部Ｔｒ１，Ｔｒ２を有する。

図１において、支持部材１は、コア２，５，８などを支持する部材である。支持部材１は、非磁性の絶縁材料により構成される。支持部材１の端面には、一次巻線３，６を絡げるための端子１ａが設けられ、その端面に対向する端面には、二次巻線４，７を絡げるための端子１ｂが設けられる。

また、センタコア２は、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１のセンタコアであって、Ｉ型コアである。センタコア２は、フェライトなどの磁性材料により構成される。一次巻線３は、センタコア２に巻回された巻線である。一次巻線３は、センタコア２を挿通されるボビンに巻回されている。二次巻線４は、センタコア２に巻回された巻線である。二次巻線４は、センタコア２を挿通されるボビンに巻回されている。この第１のリーケージトランス部Ｔｒ１は、昇圧トランスとして機能するため、二次巻線４の巻回数は、一次巻線３の巻回数より多い。また、冷陰極管駆動用のリーケージトランスの場合、二次巻線４に誘起する電圧は高圧になるため、二次巻線４は複数段に区分されて巻回される。

センタコア５は、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２のセンタコアであって、Ｉ型コアである。センタコア５は、フェライトなどの磁性材料により構成される。一次巻線６は、センタコア５に巻回された巻線である。一次巻線６は、センタコア２を挿通されるボビンに巻回されている。二次巻線７は、センタコア５に巻回された巻線である。二次巻線７は、センタコア５を挿通されるボビンに巻回されている。この第２のリーケージトランス部Ｔｒ２は、昇圧トランスとして機能するため、二次巻線７の巻回数は、一次巻線６の巻回数より多い。また、冷陰極管駆動用のリーケージトランスの場合、二次巻線７に誘起する電圧は高圧になるため、二次巻線７は複数段に区分されて巻回される。

この実施の形態１では、センタコア５、一次巻線６および二次巻線７を有する第２のリーケージトランス部Ｔｒ２は、センタコア２、一次巻線３および二次巻線４を有する第１のリーケージトランス部Ｔｒ１と同様の構成とされる。

外部コア８は、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１と第２のリーケージトランス部Ｔｒ２との間に、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１および第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の両方の外部磁路を形成するコアである。外部コア８は、フェライトなどの磁性材料により構成される。

この外部コア８は、Ｈ型コアの中央平板部８ａに、該Ｈ型コアの２つの端平板部８ｂ，８ｃに平行に延出する漏れ磁束用延出部８ｄ，８ｅを追加した形状を有する。この実施の形態１では、外部コア８は、中央平板部８ａに平行な中心面に対して対称な形状を有する。また、外部コア８の高さは、図１に示すように、センタコア２，５の高さより大きい。また、図２に示すように、端平板部８ｂ，８ｃの一方の先端および漏れ磁束用延出部８ｄの先端は、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１のセンタコア２に面して配置され、端平板部８ｂ，８ｃの他方の先端および漏れ磁束用延出部８ｅの先端は、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２のセンタコア５に面して配置される。

この実施の形態１では、センタコア２上の、端平板部８ｂと漏れ磁束用延出部８ｄとの間には一次巻線３が位置し、センタコア２上の、端平板部８ｃと漏れ磁束用延出部８ｄとの間には二次巻線４が位置する。また、この実施の形態１では、センタコア５上の、端平板部８ｂと漏れ磁束用延出部８ｅとの間には一次巻線６が位置し、センタコア５上の、端平板部８ｃと漏れ磁束用延出部８ｅとの間には二次巻線７が位置する。

このコア構成により、センタコア２と外部コア８により第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の磁路が形成されるとともに、センタコア５と外部コア８により第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の磁路が形成される。つまり、この外部コア８は、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の磁路および第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の磁路に兼用される兼用コアとなる。

次に、上記リーケージトランスの磁気的特性について説明する。図４は、実施の形態１に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。なお、図４における各巻線３，４，６，７は説明のために模式的に示したものであり、各巻線３，４，６，７の巻回方向および巻回数はこれに限定されるものではない。

図４に示すように、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の磁気回路は、センタコア２、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｂ，８ｃおよび漏れ磁束用延出部８ｄにより構成される。この磁気回路においては、センタコア２、並びに外部コア８の中央平板部８ａおよび端平板部８ｂ，８ｃにより、一次巻線３と二次巻線４に鎖交する磁路１１が形成されるとともに、センタコア２、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｂおよび漏れ磁束用延出部８ｄにより、一次巻線３と二次巻線４のうちの一次巻線３のみに鎖交する漏洩磁路１１Ｌが形成される。なお、漏れ磁束用延出部８ｄとセンタコア２との間にギャップを設けたり、漏れ磁束用延出部８ｄとセンタコア２との間のギャップ長を調整することで、漏洩磁路１１Ｌによる漏れ磁束の量を調整することができる。

他方、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の磁気回路は、センタコア５、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｂ，８ｃおよび漏れ磁束用延出部８ｅにより構成される。この磁気回路においては、センタコア５、並びに外部コア８の中央平板部８ａおよび端平板部８ｂ，８ｃにより、一次巻線６と二次巻線７に鎖交する磁路１２が形成されるとともに、センタコア５、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｂおよび漏れ磁束用延出部８ｅにより、一次巻線６と二次巻線７のうちの一次巻線６のみに鎖交する漏洩磁路１２Ｌが形成される。なお、漏れ磁束用延出部８ｅとセンタコア５との間にギャップを設けたり、漏れ磁束用延出部８ｅとセンタコア５との間のギャップ長を調整することで、漏洩磁路１２Ｌによる漏れ磁束の量を調整することができる。

さらに、実施の形態１に係るリーケージトランスでは、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の一次巻線３の導通電流と第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の一次巻線６の導通電流とが同相である場合には、図４における実線矢印または破線矢印で示すように、外部コア８の中央平板部８ａ内において、一次巻線３による磁束の向きは、一次巻線６による磁束の向きと同じ向きとなる。

実施の形態１に係るリーケージトランスを液晶ディスプレイパネルの複数の冷陰極管に使用する場合には、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の二次巻線４に冷陰極管を接続し、一次巻線３にインバータ回路を接続し、また、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の二次巻線７に別の冷陰極管を接続し、一次巻線６にインバータ回路を接続して、複数の冷陰極管を同位相で駆動すればよい。これにより、１つの素子で２つの冷陰極管を駆動することができる。

以上のように、上記実施の形態１に係るリーケージトランスは、一次巻線３および二次巻線４を有する第１のリーケージトランス部Ｔｒ１と、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１に並んで位置し、一次巻線３および二次巻線４を有する第２のリーケージトランス部Ｔｒ２と、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１と第２のリーケージトランス部Ｔｒ２との間で、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の磁路および第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の磁路の両方を形成する外部コア８とを備える。

特に、外部コア８は、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１と第２のリーケージトランス部Ｔｒ２との間に、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１および第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の両方の外部磁路を形成する。

これにより、コアの一部を兼用しつつ複数のリーケージトランス部が１つのリーケージトランスにまとめられるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

また、上記実施の形態１に係るリーケージトランスは、コアとして、Ｈ型コアの中央平板部８ａに、該Ｈ型コアの２つの端平板部８ｂ，８ｃに平行に延出する漏れ磁束用延出部８ｄ，８ｅを追加した形状の外部コア８と、端平板部８ｂ，８ｃの一方の先端および漏れ磁束用延出部８ｄの先端に面して配置されるＩ型のセンタコア２と、端平板部８ｂ，８ｃの他方の先端および漏れ磁束用延出部８ｅに面して配置されるＩ型のセンタコア５とを備える。

これにより、一次巻線３、二次巻線４およびＩ型のセンタコア２により第１の棒状トランスが構成され、一次巻線６、二次巻線７およびＩ型のセンタコア５により第２の棒状トランスが構成されるとともに、外部コア８が第１および第２の棒状トランスの両方の磁路に兼用されるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係るリーケージトランスは、実施の形態１と同様のコア２，５，８を有するが、巻線３，４，６，７の巻回位置を変更したものである。

図５は、本発明の実施の形態２に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。なお、図５における各巻線３，４，６，７は説明のために模式的に示したものであり、各巻線３，４，６，７の巻回方向および巻回数はこれに限定されるものではない。

実施の形態２では、センタコア２上の、端平板部８ｂと漏れ磁束用延出部８ｄとの間に一次巻線３の一部３ａが巻回され、端平板部８ｃと漏れ磁束用延出部８ｄとの間の漏れ磁束用延出部８ｄ寄りの部分に一次巻線３の残りの部分３ｂが巻回される。また、センタコア２上の、端平板部８ｃと漏れ磁束用延出部８ｄとの間の端平板部８ｃ寄りの部分には二次巻線４が巻回される。

なお、一次巻線３の一部３ａと残りの部分３ｂは、直接接続するようにしてもよいし、一次巻線３の一部３ａおよび残りの部分３ｂの端末を端子１ａに接続し、端子１ａを介して外部で接続するようにしてもよい。

また、実施の形態２では、センタコア５上の、端平板部８ｂと漏れ磁束用延出部８ｅとの間に一次巻線６の一部６ａが巻回され、端平板部８ｃと漏れ磁束用延出部８ｅとの間の漏れ磁束用延出部８ｅ寄りの部分に一次巻線６の残りの部分６ｂが巻回される。また、センタコア５上の、端平板部８ｃと漏れ磁束用延出部８ｅとの間の端平板部８ｃ寄りの部分には二次巻線７が巻回される。

なお、一次巻線６の一部６ａと残りの部分６ｂは、直接接続するようにしてもよいし、一次巻線６の一部６ａおよび残りの部分６ｂの端末を端子１ａに接続し、端子１ａを介して外部で接続するようにしてもよい。

図５に示すように、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の磁気回路においては、センタコア２、並びに外部コア８の中央平板部８ａおよび端平板部８ｂ，８ｃにより、一次巻線３と二次巻線４に鎖交する磁路１１が形成されるとともに、センタコア２、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｂおよび漏れ磁束用延出部８ｄにより、一次巻線３と二次巻線４のうちの一次巻線３の一部３ａのみに鎖交する漏洩磁路１１Ｌが形成される。また、この磁気回路においては、センタコア２、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｃおよび漏れ磁束用延出部８ｄにより、一次巻線の残りの部分３ｂと二次巻線４に鎖交する磁路１１ｂが形成される。なお、漏れ磁束用延出部８ｄでは、磁路１１ｂに沿って形成される磁束の向きは、漏洩磁路１１Ｌに沿って形成される磁束の向きの反対方向となり、残りの部分３ｂの巻線で発生する磁束により漏洩磁路１１Ｌの磁束が弱められる。これを利用して、一次巻線３の一部３ａと残りの部分３ｂとの巻数比を調整することで、漏洩磁路１１Ｌの磁束、つまり漏れ磁束の量を調整するようにしてもよい。これにより、漏れ磁束用延出部８ｄとセンタコア２とのギャップ、および一次巻線３の一部３ａと残りの部分３ｂとの巻数比を使用して、漏れ磁束の量を調整することができる。

他方、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２においては、センタコア５、並びに外部コア８の中央平板部８ａおよび端平板部８ｂ，８ｃにより、一次巻線６と二次巻線７に鎖交する磁路１２が形成されるとともに、センタコア５、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｂおよび漏れ磁束用延出部８ｅにより、一次巻線６と二次巻線７のうちの一次巻線６の一部６ａのみに鎖交する漏洩磁路１２Ｌが形成される。また、この磁気回路においては、センタコア５、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｃおよび漏れ磁束用延出部８ｅにより、一次巻線６の残りの部分６ｂと二次巻線７に鎖交する磁路１２ｂが形成される。なお、漏れ磁束用延出部８ｅでは、磁路１２ｂに沿って形成される磁束の向きは、漏洩磁路１２Ｌに沿って形成される磁束の向きの反対方向となり、残りの部分６ｂの巻線で発生する磁束により漏洩磁路１２Ｌの磁束が弱められる。これを利用して、一次巻線６の一部６ａと残りの部分６ｂとの巻数比を調整することで、漏洩磁路１２Ｌの磁束、つまり漏れ磁束の量を調整するようにしてもよい。これにより、漏れ磁束用延出部８ｅとセンタコア５とのギャップ、および一次巻線６の一部６ａと残りの部分６ｂとの巻数比を使用して、漏れ磁束の量を調整することができる。

なお、実施の形態２に係るリーケージトランスのその他の構成については、実施の形態１のものと同様であるので、その説明を省略する。

実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係るリーケージコアは、実施の形態１，２と同様のコア２，５，８を有するが、巻線３，４，６，７の巻回位置を変更したものである。

図６は、本発明の実施の形態３に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。なお、図６における各巻線３，４，６，７は説明のために模式的に示したものであり、各巻線３，４，６，７の巻回方向および巻回数はこれに限定されるものではない。

実施の形態３では、センタコア２上の端平板部８ｂと漏れ磁束用延出部８ｄとの間には、端平板部８ｂ寄りに一次巻線３が巻回され、漏れ磁束用延出部８ｄ寄りに二次巻線４の一部４ａが巻回される。また、センタコア２上の、端平板部８ｃと漏れ磁束用延出部８ｄとの間には二次巻線４の残りの部分４ｂが巻回される。

また、実施の形態３では、センタコア５上の端平板部８ｂと漏れ磁束用延出部８ｅとの間には、端平板部８ｂ寄りに一次巻線６が巻回され、漏れ磁束用延出部８ｅ寄りに二次巻線７の一部７ａが巻回される。また、センタコア５上の、端平板部８ｃと漏れ磁束用延出部８ｅとの間には二次巻線７の残りの部分７ｂが巻回される。

なお、二次巻線４の一部４ａと残りの部分４ｂは、直接接続するようにしてもよいし、二次巻線４の一部４ａおよび残りの部分４ｂの端末を端子１ａ，１ｂに接続し、端子１ａ，１ｂを介して外部で接続するようにしてもよい。同様に、二次巻線７の一部７ａと残りの部分７ｂは、直接接続するようにしてもよいし、二次巻線７の一部７ａおよび残りの部分７ｂの端末を端子１ａ，１ｂに接続し、端子１ａ，１ｂを介して外部で接続するようにしてもよい。

図６に示すように、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の磁気回路においては、センタコア２、並びに外部コア８の中央平板部８ａおよび端平板部８ｂ，８ｃにより、一次巻線３と二次巻線４に鎖交する磁路１１が形成されるとともに、センタコア２、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｂおよび漏れ磁束用延出部８ｄにより、一次巻線３、および二次巻線４の一部４ａのみに鎖交する漏洩磁路１１Ｌが形成される。

他方、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の磁気回路においては、センタコア５、並びに外部コア８の中央平板部８ａおよび端平板部８ｂ，８ｃにより、一次巻線６と二次巻線７に鎖交する磁路１２が形成されるとともに、センタコア５、並びに外部コア８の中央平板部８ａ、端平板部８ｂおよび漏れ磁束用延出部８ｅにより、一次巻線６、および二次巻線７の一部７ａのみに鎖交する漏洩磁路１２Ｌが形成される。

なお、実施の形態３に係るリーケージトランスのその他の構成については、実施の形態１のものと同様であるので、その説明を省略する。

実施の形態４．
図７および図８は、本発明の実施の形態４に係るリーケージトランスの上面図および側面図である。

兼用コア５１は、Ｈ型コアの中央平板部５１ａに、該Ｈ型コアの２つの端平板部５１ｂ，５１ｃに平行に延出する漏れ磁束用延出部５１ｄ，５１ｅを追加した形状のコアである。兼用コア５１は、フェライトなどの磁性材料により構成される。

さらに、兼用コア５１の端平板部５１ｂの２つの先端部分は、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の一次側コア部５１ｂ１、および第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の一次側コア部５１ｂ２とされる。つまり、端平板部５１ｂにおけるＩ型コア５４と中央平板部５１ａとの間の部分が、一次側コア部５１ｂ１となり、端平板部５１ｂにおけるＩ型コア５７と中央平板部５１ａとの間の部分が、一次側コア部５１ｂ２となる。

また、兼用コア５１の端平板部５１ｃの２つの先端部分は、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の二次側コア部５１ｃ１、および第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の二次側コア部５１ｃ２とされる。つまり、端平板部５１ｃにおけるＩ型コア５４と中央平板部５１ａとの間の部分が、二次側コア部５１ｃ１となり、端平板部５１ｃにおけるＩ型コア５７と中央平板部５１ａとの間の部分が、二次側コア部５１ｃ２となる。

そして、一次巻線５２は、一次側コア部５１ｂ１に巻回された、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の一次巻線である。一次巻線５２は、一次側コア部５１ｂ１を挿通されるボビン５２ａに巻回されている。ボビン５２ａには、一次巻線５２の端末が接続される端子５２ｂが設けられる。また、二次巻線５３は、二次側コア部５１ｃ１に巻回された、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の二次巻線である。二次巻線５３は、二次側コア部５１ｃ１を挿通されるボビン５３ａに巻回されている。ボビン５３ａには、二次巻線５３の端末が接続される端子５３ｂが設けられる。また、Ｉ型コア５４は、端平板部５１ｂ，５１ｃの一方の先端（つまり、一次側コア部５１ｂ１と二次側コア部５１ｃ１の先端）および漏れ磁束用延出部５１ｄの先端に面して配置されるコアである。Ｉ型コア５４は、フェライトなどの磁性材料により構成される。

他方、一次巻線５５は、一次側コア部５１ｂ２に巻回された、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の一次巻線である。一次巻線５５は、一次側コア部５１ｂ２を挿通されるボビン５５ａに巻回されている。ボビン５５ａには、一次巻線５５の端末が接続される端子５５ｂが設けられる。また、二次巻線５６は、二次側コア部５１ｃ２に巻回された、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の二次巻線である。二次巻線５６は、二次側コア部５１ｃ２を挿通されるボビン５６ａに巻回されている。ボビン５６ａには、二次巻線５６の端末が接続される端子５６ｂが設けられる。また、Ｉ型コア５７は、端平板部５１ｂ，５１ｃの他方の先端（つまり、一次側コア部５１ｂ２と二次側コア部５１ｃ２の先端）および漏れ磁束用延出部５１ｅの先端に面して配置されるコアである。Ｉ型コア５７は、フェライトなどの磁性材料により構成される。

次に、上記リーケージトランスの磁気的特性について説明する。図９は、実施の形態４に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。なお、図９における各巻線５２，５３，５５，５６は説明のために模式的に示したものであり、各巻線５２，５３，５５，５６の巻回方向および巻回数はこれに限定されるものではない。

図９に示すように、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の磁気回路は、Ｉ型コア５４、並びに兼用コア５１の中央平板部５１ａ、端平板部５１ｂ，５１ｃおよび漏れ磁束用延出部５１ｄにより構成される。この磁気回路においては、Ｉ型コア５４、並びに兼用コア５１の中央平板部５１ａおよび端平板部５１ｂ，５１ｃにより、一次巻線５２と二次巻線５３に鎖交する磁路６１が形成されるとともに、Ｉ型コア５４、並びに兼用コア５１の中央平板部５１ａ、端平板部５１ｂおよび漏れ磁束用延出部５１ｄにより、一次巻線５２と二次巻線５３のうちの一次巻線５２のみに鎖交する漏洩磁路６１Ｌが形成される。なお、漏れ磁束用延出部５１ｄとＩ型コア５４との間にギャップを設けたり、漏れ磁束用延出部５１ｄとＩ型コア５４との間のギャップ長を調整することで、漏洩磁路６１Ｌによる漏れ磁束の量を調整することができる。

他方、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の磁気回路は、Ｉ型コア５７、並びに兼用コア５１の中央平板部５１ａ、端平板部５１ｂ，５１ｃおよび漏れ磁束用延出部５１ｅにより構成される。この磁気回路においては、Ｉ型コア５７、並びに兼用コア５１の中央平板部５１ａおよび端平板部５１ｂ，５１ｃにより、一次巻線５５と二次巻線５６に鎖交する磁路６２が形成されるとともに、Ｉ型コア５７、並びに兼用コア５１の中央平板部５１ａ、端平板部５１ｂおよび漏れ磁束用延出部５１ｅにより、一次巻線５５と二次巻線５６のうちの一次巻線５５のみに鎖交する漏洩磁路６２Ｌが形成される。なお、漏れ磁束用延出部５１ｅとＩ型コア５７との間にギャップを設けたり、漏れ磁束用延出部５１ｅとＩ型コア５７との間のギャップ長を調整することで、漏洩磁路６２Ｌによる漏れ磁束の量を調整することができる。

さらに、実施の形態４に係るリーケージトランスでは、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の一次巻線５２の導通電流と第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の一次巻線５５の導通電流とが同相である場合には、図９における実線矢印または破線矢印で示すように、兼用コア５１の中央平板部５１ａ内において、一次巻線５２による磁束の向きは、一次巻線５５による磁束の向きと同じ向きとなる。

実施の形態４に係るリーケージトランスを液晶ディスプレイパネルの複数の冷陰極管に使用する場合には、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の二次巻線５３に一方の冷陰極管を接続し、一次巻線５２にインバータ回路を接続し、また、第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の二次巻線５６に他方の冷陰極管を接続し、一次巻線５５にインバータ回路を接続して、複数の冷陰極管を同位相で駆動すればよい。これにより、１つの素子で２つの冷陰極管を駆動することができる。

以上のように、上記実施の形態４に係るリーケージトランスは、一次巻線５２および二次巻線５３を有する第１のリーケージトランス部Ｔｒ１と、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１に並んで位置し、一次巻線５５および二次巻線５６を有する第２のリーケージトランス部Ｔｒ２と、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１と第２のリーケージトランス部Ｔｒ２との間で、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の磁路および第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の磁路の両方を形成する兼用コア５１とを備える。

特に、兼用コア５１は、第１のリーケージトランス部Ｔｒ１の一次側コア部５１ｂ１と二次側コア部５１ｃ１との間の磁路、および第２のリーケージトランス部Ｔｒ２の一次側コア部５１ｂ２と二次側コア部５１ｃ２との間の磁路の両方を形成する。

これにより、兼用コアが第１および第２のリーケージトランス部Ｔｒ１，Ｔｒ２の両方の磁路に兼用されるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

また、上記実施の形態４に係るリーケージトランスは、Ｈ型コアの中央平板部５１ａに、該Ｈ型コアの２つの端平板部５１ｂ，５１ｃに平行に延出する漏れ磁束用延出部５１ｄ，５１ｅを追加した形状の兼用コア５１と、端平板部５１ｂ，５１ｃの一方の先端および漏れ磁束用延出部５１ｄの先端に面して配置されるＩ型コア５４と、端平板部５１ｂ，５１ｃの他方の先端および漏れ磁束用延出部５１ｅの先端に面して配置されるＩ型コア５７とを備える。

これにより、一次巻線５２、二次巻線５３、Ｉ型コア５４および兼用コア５１の一部により第１のトランスが構成され、一次巻線５５、二次巻線５６および兼用コア５１の一部により第２のトランスが構成され、兼用コア５１が第１および第２のトランスの両方の磁路に兼用されるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

実施の形態５．
本発明の実施の形態５に係るリーケージトランスは、実施の形態１に係るリーケージトランスを拡張したものであって、４つのリーケージトランス部を有する。

図１０は、本発明の実施の形態５に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。なお、図４における各巻線３，４，６，７，８４〜８７は説明のために模式的に示したものであり、各巻線３，４，６，７，８４〜８７の巻回方向および巻回数はこれに限定されるものではない。

図１０に示すように、実施の形態５では、センタコア８１は、第１および第３のリーケージトランス部のセンタコアであって、Ｉ型コアである。センタコア８２は、第２および第４のリーケージトランス部のセンタコアであって、Ｉ型コアである。

また、外部コア８３は、第１のリーケージトランス部と第２のリーケージトランス部との間に両者の外部磁路を形成する中央平板部８３ａ、第３のリーケージトランス部と第４のリーケージトランス部との間に両者の外部磁路を形成する中央平板部８３ｂ、第１のリーケージトランス部と第３のリーケージトランス部との間に両者の外部磁路を形成する延出部８３ｃ、および第２のリーケージトランス部と第４のリーケージトランス部との間に両者の外部磁路を形成する延出部８３ｄを有するコアである。

また、一次巻線８４は、第３のリーケージトランス部の一次巻線であって、センタコア８１を挿通されるボビンに巻回される。二次巻線８５は、第３のリーケージトランス部の二次巻線であって、センタコア８１を挿通されるボビンに巻回される。

また、一次巻線８６は、第４のリーケージトランス部の一次巻線であって、センタコア８２を挿通されるボビンに巻回される。二次巻線８７は、第４のリーケージトランス部の二次巻線であって、センタコア８２を挿通されるボビンに巻回される。

なお、実施の形態５における一次巻線３、二次巻線４などにより構成される第１のリーケージトランス部、および一次巻線６、二次巻線７などにより構成される第２のリーケージトランス部の磁気的構成は、実施の形態１のものとほぼ同様であるので、その説明を省略する。

次に、上記リーケージトランスの磁気的特性について説明する。

図１０に示すように、第１のリーケージトランス部の磁気回路は、センタコア８１、並びに外部コア８３の中央平板部８３ａ、延出部８３ｃ、端平板部８３ｅおよび漏れ磁束用延出部８３ｇにより構成される。この磁気回路においては、センタコア８１、並びに外部コア８３の中央平板部８３ａ、延出部８３ｃおよび端平板部８３ｅにより、一次巻線３と二次巻線４に鎖交する磁路１１が形成されるとともに、センタコア８１、並びに外部コア８３の中央平板部８３ａ、端平板部８３ｅおよび漏れ磁束用延出部８３ｇにより、一次巻線３と二次巻線４のうちの一次巻線３のみに鎖交する漏洩磁路１１Ｌが形成される。

また、第２のリーケージトランス部の磁気回路は、センタコア８２、並びに外部コア８３の中央平板部８３ａ、延出部８３ｄ、端平板部８３ｅ、および漏れ磁束用延出部８３ｈにより構成される。この磁気回路においては、センタコア８２、並びに外部コア８３の中央平板部８３ａ、延出部８３ｄおよび端平板部８３ｅにより、一次巻線６と二次巻線７に鎖交する磁路１２が形成されるとともに、センタコア８２、並びに外部コア８３の中央平板部８３ａ、端平板部８３ｅおよび漏れ磁束用延出部８３ｈにより、一次巻線６と二次巻線７のうちの一次巻線６のみに鎖交する漏洩磁路１２Ｌが形成される。

また、第３のリーケージトランス部の磁気回路は、センタコア８１、並びに外部コア８３の中央平板部８３ｂ、延出部８３ｃ、端平板部８３ｆおよび漏れ磁束用延出部８３ｉにより構成される。この磁気回路においては、センタコア８１、並びに外部コア８３の中央平板部８３ｂ、延出部８３ｃおよび端平板部８３ｆにより、一次巻線８４と二次巻線８５に鎖交する磁路９１が形成されるとともに、センタコア８１、並びに外部コア８３の中央平板部８３ｂ、端平板部８３ｆおよび漏れ磁束用延出部８３ｉにより、一次巻線８４と二次巻線８５のうちの一次巻線８４のみに鎖交する漏洩磁路９１Ｌが形成される。

また、第４のリーケージトランス部の磁気回路は、センタコア８２、並びに外部コア８３の中央平板部８３ｂ、延出部８３ｄ、端平板部８３ｆおよび漏れ磁束用延出部８３ｊにより構成される。この磁気回路においては、センタコア８２、並びに外部コア８３の中央平板部８３ｂ、延出部８３ｄおよび端平板部８３ｆにより、一次巻線８６と二次巻線８７に鎖交する磁路９２が形成されるとともに、センタコア８１、並びに外部コア８３の中央平板部８３ｂ、端平板部８３ｆおよび漏れ磁束用延出部８３ｊにより、一次巻線８６と二次巻線８７のうちの一次巻線８６のみに鎖交する漏洩磁路９２Ｌが形成される。

さらに、実施の形態５に係るリーケージトランスでは、第１〜第４のリーケージトランス部の一次巻線３，６，８４，８６の導通電流が同相である場合には、図１０における実線矢印または破線矢印で示すように、外部コア８３の中央平板部８３ａにおいて、一次巻線３による磁束の向きは、一次巻線６による磁束の向きと同じ向きとなり、中央平板部８３ｂにおいて、一次巻線８４による磁束の向きは、一次巻線８６による磁束の向きと同じ向きとなり、延出部８３ｃにおいて、一次巻線３による磁束の向きは、一次巻線８４による磁束の向きと同じ向きとなり、延出部８３ｄにおいて、一次巻線６による磁束の向きは、一次巻線８６による磁束の向きと同じ向きとなる。

実施の形態５に係るリーケージトランスを液晶ディスプレイパネルの４以上の冷陰極管に使用する場合には、第１のリーケージトランス部の二次巻線４に冷陰極管を接続し、一次巻線３にインバータ回路を接続し、また、第２のリーケージトランス部の二次巻線７に別の冷陰極管を接続し、一次巻線６にインバータ回路を接続し、また、第３のリーケージトランス部の二次巻線８５にさらに別の冷陰極管を接続し、一次巻線８４にインバータ回路を接続し、また、第４のリーケージトランス部の二次巻線８７にさらに別の冷陰極管を接続し、一次巻線８６にインバータ回路を接続して、４つの冷陰極管を同位相で駆動すればよい。これにより、１つの素子で４つの冷陰極管を駆動することができる。

なお、実施の形態５では、実施の形態１に係るリーケージトランスを拡張したが、同様にして、実施の形態２，３に係るリーケージトランスを拡張することも可能である。

以上のように、上記実施の形態５によれば、互いに隣接するリーケージトランス部の間に存在するコア部を兼用しつつ、４つのリーケージトランスが１つの素子で実現されるため、複数のリーケージトランスを設置するために必要なスペースを小さくすることができる。

なお、上述の各実施の形態は、本発明の好適な例であるが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。

例えば、実施の形態１〜３では、端平板部８ｂ，８ｃおよび漏れ磁束用延出部８ｄ，８ｅは、センタコア２，５に接続されているが、端平板部８ｂ，８ｃおよび／または漏れ磁束用延出部８ｄ，８ｅとセンタコア２，５との間に、スペーサを挿入するなどして、ギャップを設けるようにしてもよい。同様に、実施の形態４では、端平板部５１ｂ，５１ｃおよび漏れ磁束用延出部５１ｄ，５１ｅは、Ｉ型コア５４，５７に接続されているが、漏れ磁束用延出部５１ｄ，５１ｅとＩ型コア５４，５７との間にギャップを設けるようにしてもよい。

また、実施の形態１〜４では、センタコア２，５およびＩ型コア５４，５７をＩ型コアとし、外部コア８および兼用コア５１を、Ｈ型コアの中央一次側寄りに漏れ磁束用延出部８ｄ，８ｅ，５１ｄ，５１ｅを設けた形状のコアとしているが、センタコア２，５およびＩ型コア５４，５７の形状をＥ型に変更し、外部コア８および兼用コア５１の形状をＩ型に変更し、２つのＥ型のコアでＩ型のコアを挟むようにして、上記実施の形態１〜４と同様のコア構成を実現するようにしてもよい。

本発明は、例えば、液晶ディスプレイのバックライト駆動回路のインバータトランスに適用可能である。

実施の形態１に係るリーケージトランスの構成を示す斜視図である。 実施の形態１に係るリーケージトランスの構成を示す上面図である。 実施の形態１に係るリーケージトランスの構成を示す底面図である。 実施の形態１に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。 実施の形態２に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。 実施の形態３に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。 実施の形態４に係るリーケージトランスの上面図である。 実施の形態４に係るリーケージトランスの側面図である。 実施の形態４に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。 実施の形態５に係るリーケージトランスの磁気的構成を示す図である。

符号の説明

２ センタコア（第１のリーケージトランス部の一部，第１のＩ型フェライトコア）
３ 一次巻線（第１のリーケージトランス部の一部，第１のリーケージトランス部の一次巻線）
４ 二次巻線（第１のリーケージトランス部の一部，第１のリーケージトランス部の二次巻線）
５ センタコア（第２のリーケージトランス部の一部，第２のＩ型フェライトコア）
６ 一次巻線（第２のリーケージトランス部の一部，第２のリーケージトランス部の一次巻線）
７ 二次巻線（第２のリーケージトランス部の一部，第２のリーケージトランス部の二次巻線）
８ 外部コア（兼用フェライトコア、Ｈ型フェライトコア）
８ａ 中央平板部
８ｂ，８ｃ 端平板部
８ｄ，８ｅ 漏れ磁束用延出部
５１ 兼用コア（兼用フェライトコア、Ｈ型フェライトコア）
５１ａ 中央平板部
５１ｂ 端平板部
５１ｂ１ 一次側コア部（第１のリーケージトランス部の一部）
５１ｂ２ 一次側コア部（第２のリーケージトランス部の一部）
５１ｃ 端平板部
５１ｃ１ 二次側コア部（第１のリーケージトランス部の一部）
５１ｃ２ 二次側コア部（第２のリーケージトランス部の一部）
５１ｄ，５１ｅ 漏れ磁束用延出部
５２ 一次巻線（第１のリーケージトランス部の一部，第１のリーケージトランス部の一次巻線）
５３ 二次巻線（第１のリーケージトランス部の一部，第１のリーケージトランス部の二次巻線）
５４ Ｉ型コア（第１のＩ型フェライトコア）
５５ 一次巻線（第２のリーケージトランス部の一部，第２のリーケージトランス部の一次巻線）
５６ 二次巻線（第２のリーケージトランス部の一部，第２のリーケージトランス部の二次巻線）
５７ Ｉ型コア（第２のＩ型フェライトコア）

Claims (9)

1. フェライトコアに巻回された一次巻線と、上記一次巻線と磁気結合する二次巻線と、上記一次巻線と上記二次巻線が巻回されるボビンと、を有する第１のリーケージトランス部と、
   上記第１のリーケージトランス部に平行に並んで位置し、上記第１のリーケージトランス部と同様の構成を有する第２のリーケージトランス部と、
   上記第１のリーケージトランス部と上記第２のリーケージトランス部との間に配置され、上記第１のリーケージトランス部の磁路および上記第２のリーケージトランス部の磁路が両方同時に形成される兼用フェライトコアと、を備え、
   上記兼用フェライトコアに、上記第１のリーケージトランス部および上記第２のリーケージトランス部の漏れ磁束用の磁路を形成する漏れ磁束延出部を設け、
   上記漏れ磁束延出部において、上記第１のリーケージトランス部の一次巻線から生じる磁束と、上記第２のリーケージトランス部の一次巻線から生じる磁束とが同一方向になることを特徴とするリーケージトランス。
2. 前記漏れ磁束延出部は、前記第１のリーケージトランス部および／または前記第２のリーケージトランス部における前記一次巻線と前記二次巻線との間に漏れ磁束用の磁路を形成することを特徴とする請求項１記載のリーケージトランス。
3. 前記漏れ磁束延出部は、前記第１のリーケージトランス部および／または前記第２のリーケージトランス部における前記一次巻線の一部と、前記一次巻線の残りの部分および前記二次巻線との間に漏れ磁束用の磁路を形成することを特徴とする請求項１記載のリーケージトランス。
4. 前記漏れ磁束延出部は、前記第１のリーケージトランス部および／または前記第２のリーケージトランス部における前記一次巻線および前記二次巻線の一部と、前記二次巻線の残りの部分との間に漏れ磁束用の磁路を形成することを特徴とする請求項１記載のリーケージトランス。
5. Ｈ型フェライトコアの中央平板部に、該Ｈ型フェライトコアの２つの端平板部に平行に延出する漏れ磁束用延出部を追加した形状の兼用フェライトコアと、
   上記端平板部の一方の先端および上記漏れ磁束用延出部の一方の先端に面して配置される第１のＩ型フェライトコアと、
   上記端平板部の他方の先端および上記漏れ磁束用延出部の他方の先端に面して配置される第２のＩ型フェライトコアと、
   上記第１のＩ型フェライトコアにおいて、少なくとも、一方の上記端平板部と上記漏れ磁束用延出部との間に巻回された第１の一次巻線と、
   上記第１のＩ型フェライトコアにおいて、少なくとも、他方の上記端平板部と上記漏れ磁束用延出部との間に巻回され上記第１の一次巻線と磁気結合する第１の二次巻線と、
   上記第２のＩ型フェライトコアにおいて、少なくとも、一方の上記端平板部と上記漏れ磁束用延出部との間に巻回された第２の一次巻線と、
   上記第２のＩ型フェライトコアにおいて、少なくとも、他方の上記端平板部と上記漏れ磁束用延出部との間に巻回され上記第２の一次巻線と磁気結合する第２の二次巻線と、
   を備え、
   上記Ｈ型フェライトコアのＨ型平面に垂直方向の高さを第１のＩ型フェライトコアおよび第２のＩ型フェライトコアの高さより高くすると共に、
   上記Ｈ型フェライトコア、漏れ磁束用延出部、第１のＩ型フェライトコア、第２のＩ型フェライトコアとが格子状に形成されることを特徴とするリーケージトランス。
6. 前記第１のリーケージトランス部の一次巻線および／または前記第２のリーケージトランス部の一次巻線は、その一部が一方の前記端平板部と前記漏れ磁束用延出部との間に巻回され、残りの部分が他方の前記端平板部と前記漏れ磁束用延出部との間に巻回されることを特徴とする請求項５記載のリーケージトランス。
7. 前記第１のリーケージトランス部の二次巻線および／または前記第２のリーケージトランス部の二次巻線は、その一部が一方の前記端平板部と前記漏れ磁束用延出部との間に巻回され、残りの部分が他方の前記端平板部と前記漏れ磁束用延出部との間に巻回されることを特徴とする請求項５記載のリーケージトランス。
8. 一次側コア部に巻回された一次巻線および二次側コア部に巻回された二次巻線を有する第１のリーケージトランス部と、
   上記第１のリーケージトランス部に平行に並んで位置し、一次側コア部に巻回された一次巻線および二次側コア部に巻回された二次巻線を有する第２のリーケージトランス部と、
   上記一次巻線と上記二次巻線が巻回されるボビンと、
   上記第１のリーケージトランス部と上記第２のリーケージトランス部との間に、上記第１のリーケージトランス部の一次側コア部と二次側コア部との間の磁路、および、上記第２のリーケージトランス部の一次側コア部と二次側コア部との間の磁路が両方同時に形成される兼用フェライトコアと、を備え、
   上記兼用フェライトコアに、上記第１のリーケージトランス部および上記第２のリーケージトランス部の漏れ磁束用の磁路を形成する漏れ磁束延出部を設け、
   上記漏れ磁束延出部において、上記第１のリーケージトランス部の一次巻線から生じる磁束と、上記第２のリーケージトランス部の一次巻線から生じる磁束とが同一方向になることを特徴とするリーケージトランス。
9. Ｈ型フェライトコアの中央平板部に、該Ｈ型フェライトコアの２つの端平板部に平行に延出する漏れ磁束用延出部を追加した形状の兼用フェライトコアと、
   上記端平板部の一方の先端および上記漏れ磁束用延出部の一方の先端に面して配置される第１のＩ型フェライトコアと、
   上記端平板部の他方の先端および上記漏れ磁束用延出部の他方の先端に面して配置される第２のＩ型フェライトコアと、
   一方の上記端平板部において、上記第１のＩ型フェライトコアと上記中央平板部との間に巻回された第１の一次巻線と、
   他方の上記端平板部において、上記第１のＩ型フェライトコアと上記中央平板部との間に巻回され上記第１の一次巻線と磁気結合する第１の二次巻線と、
   一方の上記端平板部において、上記第２のＩ型フェライトコアと上記中央平板部との間に巻回された第２の一次巻線と、
   他方の上記端平板部において、上記第２のＩ型フェライトコアと上記中央平板部との間に巻回され上記第２の一次巻線と磁気結合する第２の二次巻線と、
   を備え、
   上記Ｈ型フェライトコアのＨ型平面の垂直方向の高さを第1のＩ型フェライトコア及び第２のフェライトコアの高さより高くすると共に、
   上記Ｈ型フェライトコア、漏れ磁束用延出部、第１のＩ型フェライトコア、第２のＩ型フェライトコアが格子状に形成されることを特徴とするリーケージトランス。

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