JP4920610B2 - Ccd装置及び駆動方法 - Google Patents
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Description
前記電荷検出部のポテンシャルを検出し、
前記電荷検出部のポテンシャルの検出結果に基づき、前記出力ゲートに印加する出力ゲートパルスの振幅をコントロールする駆動方法が提供される。
1b 第2層ポリシリ
2、2’ 出力ゲート
3、3’ 電荷検出部
4、4’ リセットゲート
5、5’ リセットドレイン(N+領域;N+拡散層)
6 出力回路部
6−1、6−2 NMOSFET
7 ダミー電荷検出部
8 出力ゲートパルスゲイン調整回路
8−1、8−2 NMOSFET
8−3 バッファアンプ
101a 第1層ポリシリ(polysilicon)
101b 第2層ポリシリ
102 出力ゲート
103 電荷検出部
104 リセットゲート
105 リセットドレイン(N+領域;N+拡散層)
106 出力回路部
106−1、106−2 NMOSFET
Claims (9)
- CCD構造の電荷転送レジスタが出力ゲートを介して電荷検出部に接続され、前記電荷検出部とリセットドレイン間にリセットゲートを備え、前記出力ゲートには、前記リセットゲートに印加するリセットパルスとは逆相の出力ゲートパルスが印加されるCCD装置であって、
前記電荷検出部のポテンシャルを検出する手段と、
前記電荷検出部のポテンシャルの検出結果に基づき、前記出力ゲートに印加する出力ゲートパルスの振幅をコントロールする調整回路と、
を備えたことを特徴とするCCD装置。 - 前記電荷検出部のポテンシャルを検出するための手段が、前記電荷検出部と同等のダミーの電荷検出部を備えている、ことを特徴とする請求項1記載のCCD装置。
- 前記調整回路が、前記電荷検出部のポテンシャルの検出結果を受け、前記電荷検出部のポテンシャルの値に応じてゲインを調整することで前記出力ゲートパルスの振幅をコントロールし前記出力ゲートに供給する、ことを特徴とする請求項1又は2記載のCCD装置。
- 前記調整回路が、入力電圧に追従した電圧を出力するフォロワ構成の第1のトランジスタと、フォロワの負荷を構成する第2のトランジスタを備え、
前記第1のトランジスタが前記出力ゲートパルスを受け、
前記第2のトランジスタには前記ダミーの電荷検出部で検出されたポテンシャルに対応したバイアス電圧が与えられる、ことを特徴とする請求項2又は3記載のCCD装置。 - 前記電荷検出部の拡散層のポテンシャルが高い方向に変化し、前記電荷検出部のフローティング後の前記リセットゲートの振幅が小となると、前記調整回路は、前記出力ゲートパルスの振幅を小とし、
前記電荷検出部の拡散層のポテンシャルが低い方向に変化し、前記電荷検出部のフローティング後の前記リセットゲートの振幅が大となると、前記調整回路は、前記出力ゲートパルスの振幅を大とする、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のCCD装置。 - CCD構造の電荷転送レジスタが出力ゲートを介して電荷検出部に接続され、前記電荷検出部とリセットドレイン間にリセットゲートを備えたCCDの駆動方法であって、
前記出力ゲートには前記リセットゲートに印加するリセットパルスとは逆相の出力ゲートパルスが印加し、
前記電荷検出部のポテンシャルを検出し、
前記電荷検出部のポテンシャルの検出結果に基づき、前記出力ゲートパルスの振幅をコントロールする、ことを特徴とするCCDの駆動方法。 - 前記電荷検出部と同等のダミーの電荷検出部のポテンシャルを検出することで前記電荷検出部のポテンシャルを検出する、ことを特徴とする請求項6記載のCCDの駆動方法。
- 前記電荷検出部のポテンシャルの検出結果を受け、前記電荷検出部のポテンシャルの値に応じてゲインを調整することで前記出力ゲートパルスの振幅をコントロールし前記出力ゲートに供給する、ことを特徴とする請求項6又は7記載のCCDの駆動方法。
- 前記電荷検出部の拡散層のポテンシャルが高い方向に変化し、前記電荷検出部のフローティング後の前記リセットゲートの振幅が小となると、前記出力ゲートパルスの振幅を小とし、
前記電荷検出部の拡散層のポテンシャルが低い方向に変化し、前記電荷検出部のフローティング後の前記リセットゲートの振幅が大となると、前記出力ゲートパルスの振幅を大とする、ことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載のCCDの駆動方法。
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