JP4917735B2 - パターニング方法、電子デバイスの製造方法、電気光学デバイスの製造方法、導電性内部接続の製造方法、カラーフィルタの製造方法、印刷回路基板の製造方法及びdna配列マイクロチップの製造方法 - Google Patents
パターニング方法、電子デバイスの製造方法、電気光学デバイスの製造方法、導電性内部接続の製造方法、カラーフィルタの製造方法、印刷回路基板の製造方法及びdna配列マイクロチップの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4917735B2 JP4917735B2 JP2003202638A JP2003202638A JP4917735B2 JP 4917735 B2 JP4917735 B2 JP 4917735B2 JP 2003202638 A JP2003202638 A JP 2003202638A JP 2003202638 A JP2003202638 A JP 2003202638A JP 4917735 B2 JP4917735 B2 JP 4917735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- patterning method
- substrate
- liquid material
- patterning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 108
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 56
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 33
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 33
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 30
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 4
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000027321 Lychnis chalcedonica Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M3/00—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns
- B41M3/006—Patterns of chemical products used for a specific purpose, e.g. pesticides, perfumes, adhesive patterns; use of microencapsulated material; Printing on smoking articles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09045—Locally raised area or protrusion of insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0108—Male die used for patterning, punching or transferring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/013—Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
- H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
上記の本発明に係るパターニング方法は、基板にインデント部を形成することにより、前記基板の非インデント部に配置される第1の面と、前記インデント部の底面である第2の面と、前記インデント部の壁面であり、前記第1の面と第1の角をなして隣接し、前記第2の面と第2の角をなして隣接する第3の面と、を形成する第1の工程と、前記第1の工程の後に、前記第1の面に第1の液体材料を配置する第2の工程と、を含み、 前記第1の工程は、前記インデント部に複数のインデントを形成する工程を含み、前記第1の面と前記第3の面との境界線は前記第1の液体材料の拡散を制御する第1の障壁として作用し、前記複数のインデントは、前記第1の液体材料の拡散を制御する第2の障壁として作用することを特徴とする。
また、上記の本発明に係るパターニング方法の態様のひとつは、第1の面と、第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に位置する第3の面と、を有し、前記第1の面と前記第3の面とが劣角をなして隣接し、前記第2の面と前記第3の面とが優角をなして隣接するものである基板の、前記第1の面に第1の液体材料を配置する第1の工程を含む、ことを特徴とする。上記パターニング方法において、前記劣角とは前記基板の断面において前記第1の面と前記第3の面とがなす角のうち小さい方であり、前記優角とは前記基板の断面において前記第2の面と前記第3の面とがなす角のうち大きい方である、ことが好ましい。また、前記第1の面と前記第3の面との境界線における前記第1の液体材料の前記基板に対する実効的接触角が前記第2の面と前記第3の面との境界線における前記第1の液体材料の前記基板に対する実効的接触角よりも大きいものである、ことが好ましい。また、前記第1の面と前記第3の面との境界線が前記第1の液体材料の拡散を制御する障壁として作用するものである、ことが好ましい。また、前記第2の面が前記基板に形成されたインデント部の底面であり、前記第3の面が前記基板に形成されたインデント部の壁部である、ことが好ましい。また、前記第1の液体材料を配置する工程のまえに、前記基板に前記1の面と、前記第2の面と、前記第3の面と、を形成する第2の工程、を含む、ことが好ましい。また、前記第2の工程が、第前記基板に金型を押印する工程と、前記金型を押印したあと、前記基板を加熱する工程と、を含む、ことが好ましい。また、前記第2の工程が、前記基板の材料を成型に射出して形成する工程、を含む、ことが好ましい。また、前記第1の工程が、インクジェット法によって前記第1の液体材料を配置する工程、を含む、ことが好ましい。また、前記第2の面が複数のインデントを有するものである、ことが好ましい。また、前記複数のインデントの断面が城郭状の形状を有している、ことが好ましい。また、 前記複数のインデントの断面が鋸歯状の形状を有している、ことが好ましい。また、前記第1の液体材料が半導体材料を含む、ことが好ましい。また、前記第1の液体材料が導電材料を含む、ことが好ましい。また、前記導電性材料が導電重合体材料である、ことが好ましい。また、前記導電性材料が溶媒中の金属分子のコロイド懸濁からなる、ことが好ましい。また、前記基板が第4の面と第5の面とを含み、前記第4の面が前記第2の面と前記第5の面との間に位置し、前記第5の面と前記第4の面とが劣角をなして隣接し、前記第2の面と前記第4の面とが優角をなして隣接するものであり、前記第1の工程が、前記第5の面に第2の液体材料を配置する工程、を含む、ことが好ましい。
また、本発明に係るトランジスタの製造方法の一態様は、上記のパターニング方法を用いて前記第1の面に前記第1の液体材料を配置し、前記第5の面に前記第2の液体材料を配置する工程と、前記第1の面と前記第5の面とのギャップがトランジスタのチャネルになるよう、前記第1の液体材料を用いて前記第1の面に前記トランジスタの第1の電極を形成し、前記第2の液体材料を用いて前記第5の面に前記トランジスタの第2の電極を形成する工程と、を含む、ことを特徴とするものである。
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法の一態様は、上記のパターニング方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とするものである。
また、本発明に係る電気光学デバイスの製造方法の一態様は、上記のパターニング方法を用いて電気光学デバイスを製造することを特徴とするものである。
また、本発明に係る導電性内部接続の製造方法の一態様は、上記のパターニング方法を用いて導電性内部接続を製造することを特徴とするものである。
また、本発明に係るカラーフィルタの製造方法の一態様は、上記のパターニング方法を用いてカラーフィルタを製造することを特徴とするものである。
また、本発明に係る印刷回路基板の製造方法の一態様は、上記のパターニング方法を用いて印刷回路基板を製造することを特徴とするものである。
また、本発明に係るDNA配列マイクロチップの製造方法の一態様は、上記のパターニング方法を用いてDNA配列マイクロチップを製造することを特徴とするものである。
本発明の目的は、プレ・パターンが効率的で経済的な方法で形成されることを可能にした改良されたパターニング方法を提供することである。
上記実施例のうちの1つを用いて製造したデスプレイをパソコンに適用する例を以下に示す。
さらに、ディスプレイデバイスが携帯型電話器に適用される例について説明する。
さらにOEL デスプレイをファインダーとして使用したデジタルスチルカメラについて説明する。第12図は、デジタル・スチルカメラの構成および簡単な外部装置への接続を例示している等角投影図である。
使用しており、軽い傷つきやすいコーティングでの化学変化が生じることで目的物の光学像を記録する。一方、デジタル・スチルカメラ1300は、たとえば、電荷結合デバイス(CCD)を使用し光電転換によって目的物の光学像から画像信号を生成する。デジタル・スチルカメラ1300は、CCDからの画像信号に基づいて表示をおこなうためにケース1302の後ろ側で、OEL要素100を備えている。このように、ディスプレイ・パネル100は、目的物を表示するためのファインダとして機能する。光学レンズおよびCCDを含む光学受像ユニット1304は、ケース1302のフロント側面(図面の後ろ側)に備えられている。
4.基板
6.液滴
8.インデント
10.表面
14.境界線
22、24.空間領域
16.材料
20.直線境界線
28.配向面
Claims (16)
- 基板にインデント部を形成することにより、前記基板の非インデント部に配置される第1の面と、前記インデント部の底面である第2の面と、前記インデント部の壁面であり、前記第1の面と第1の角をなして隣接し、前記第2の面と第2の角をなして隣接する第3の面と、を形成する第1の工程と、
前記第1の工程の後に、前記第1の面に第1の液体材料を配置する第2の工程と、
を含み、
前記第1の工程は、前記インデント部に複数のインデントを形成する工程を含み、
前記第1の面と前記第3の面との境界線は前記第1の液体材料の拡散を制御する第1の障壁として作用し、
前記複数のインデントの断面は、城郭状の形状を有し、前記複数のインデントの表面と側面との境界線が前記第1の液体材料の拡散を制御する第2の障壁として作用することを特徴とするパターニング方法。 - 請求項1に記載のパターニング方法において、
前記第1の工程が、
前記基板に金型を押印する工程と、
前記金型を押印する工程の後、前記基版を加熱する工程と、
を含むことを特徴とするパターニング方法。 - 請求項1に記載のパターニング方法において、
前記第1の工程が、
前記基板の材料を成型に射出して形成する工程を含むことを特徴とするパターニング方法。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載のパターニング方法において、
前記第2の工程が、
インクジェット法によって前記第1の液体材料を配置する工程を含むことを特徴とするパターニング方法。 - 請求項1ないし4のいずれか一項に記載のパターニング方法において、
前記第1の液体材料が半導体材料を含むことを特徴とするパターニング方法。 - 請求項1ないし5のいずれか一項に記載のパターニング方法において、
前記第1の液体材料が導電材料を含むことを特徴とするパターニング方法。 - 請求項6に記載のパターニング方法において、
前記導電性材料が導電重合体材料であることを特徴とするパターニング方法。 - 請求項6に記載のパターニング方法において、
前記導電性材料が溶媒中の金属分子のコロイド懸濁からなることを特徴とするパターニング方法。 - 請求項1ないし8のいずれか一項に記載のパターニング方法において、
前記第1の工程は、前記基板の前記非インデント部に配置される第5の面と、前記インデント部の壁面であり、前記第5の面と前記第2の面の間に位置し、前記第5の面と第3の角をなして隣接し、前記第2の面と第4の角をなす第4の面と、を形成する工程を含み、
前記第2の工程は、前記第5の面に第2の液体材料を配置する工程を含み、
前記インデント部は前記第5の面と前記第1の面との間に配置されることを特徴とするパターニング方法。 - 請求項9に記載のパターニング方法を用いて前記第1の面に前記第1の液体材料を配置し、前記第5の面に前記第2の液体材料を配置する工程と、
前記第1の面と前記第5の面との間にトランジスタのチャネルが配置されるよう、前記第1の液体材料を用いて前記第1の面に前記トランジスタの第1の電極を形成し、前記第2の液体材料を用いて前記第5の面に前記トランジスタの第2の電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 請求項1ないし9のいずれか一項に記載のパターニング方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
- 請求項1ないし9のいずれか一項に記載のパターニング方法を用いて電気光学デバイスを製造することを特徴とする電気光学デバイスの製造方法。
- 請求項1ないし9のいずれか一項に記載のパターニング方法を用いて導電性内部接続を製造することを特徴とする導電性内部接続の製造方法。
- 請求項1ないし9のいずれか一項に記載のパターニング方法を用いてカラーフィルタを製造することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
- 請求項1ないし9のいずれか一項に記載のパターニング方法を用いて印刷回路基板を製造することを特徴とする印刷回路基板の製造方法。
- 請求項1ないし9のいずれか一項に記載のパターニング方法を用いてDNA配列マイクロチップを製造することを特徴とするDNA配列マイクロチップの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0217425.8 | 2002-07-26 | ||
GB0217425A GB2391385A (en) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | Patterning method by forming indent region to control spreading of liquid material deposited onto substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004141856A JP2004141856A (ja) | 2004-05-20 |
JP4917735B2 true JP4917735B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=9941215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003202638A Expired - Lifetime JP4917735B2 (ja) | 2002-07-26 | 2003-07-28 | パターニング方法、電子デバイスの製造方法、電気光学デバイスの製造方法、導電性内部接続の製造方法、カラーフィルタの製造方法、印刷回路基板の製造方法及びdna配列マイクロチップの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7115507B2 (ja) |
EP (1) | EP1385364A3 (ja) |
JP (1) | JP4917735B2 (ja) |
KR (1) | KR101063833B1 (ja) |
CN (1) | CN100418184C (ja) |
GB (1) | GB2391385A (ja) |
TW (1) | TWI299197B (ja) |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1262883C (zh) | 2000-07-17 | 2006-07-05 | 得克萨斯州大学系统董事会 | 影印用于平版印刷工艺中的自动化液体分配的方法和系统 |
US8900497B2 (en) | 2001-10-12 | 2014-12-02 | Monosol Rx, Llc | Process for making a film having a substantially uniform distribution of components |
US20110033542A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Monosol Rx, Llc | Sublingual and buccal film compositions |
US8603514B2 (en) | 2002-04-11 | 2013-12-10 | Monosol Rx, Llc | Uniform films for rapid dissolve dosage form incorporating taste-masking compositions |
US7357891B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-04-15 | Monosol Rx, Llc | Process for making an ingestible film |
US20190328679A1 (en) | 2001-10-12 | 2019-10-31 | Aquestive Therapeutics, Inc. | Uniform films for rapid-dissolve dosage form incorporating anti-tacking compositions |
US8765167B2 (en) | 2001-10-12 | 2014-07-01 | Monosol Rx, Llc | Uniform films for rapid-dissolve dosage form incorporating anti-tacking compositions |
US8900498B2 (en) | 2001-10-12 | 2014-12-02 | Monosol Rx, Llc | Process for manufacturing a resulting multi-layer pharmaceutical film |
US20070281003A1 (en) | 2001-10-12 | 2007-12-06 | Fuisz Richard C | Polymer-Based Films and Drug Delivery Systems Made Therefrom |
US11207805B2 (en) | 2001-10-12 | 2021-12-28 | Aquestive Therapeutics, Inc. | Process for manufacturing a resulting pharmaceutical film |
US10285910B2 (en) | 2001-10-12 | 2019-05-14 | Aquestive Therapeutics, Inc. | Sublingual and buccal film compositions |
JP4415653B2 (ja) | 2003-11-19 | 2010-02-17 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US7358530B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-04-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Thin-film transistor array with ring geometry |
KR100621865B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
US7229933B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-06-12 | Intel Corporation | Embossing processes for substrate imprinting, structures made thereby, and polymers used therefor |
JP4792028B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2011-10-12 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術 |
US20070228593A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Residual Layer Thickness Measurement and Correction |
JP4643956B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2011-03-02 | 株式会社フューチャービジョン | 表示装置の製造方法 |
US8691667B1 (en) * | 2004-12-30 | 2014-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for depositing a pattern on a substrate |
JP4179288B2 (ja) | 2005-02-01 | 2008-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターン形成方法 |
KR101219035B1 (ko) | 2005-05-03 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP4914589B2 (ja) | 2005-08-26 | 2012-04-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置、半導体製造方法および半導体装置 |
GB2430547A (en) | 2005-09-20 | 2007-03-28 | Seiko Epson Corp | A method of producing a substrate having areas of different hydrophilicity and/or oleophilicity on the same surface |
CA2637111C (en) * | 2006-01-12 | 2013-02-26 | Heliovolt Corporation | Compositions including controlled segregated phase domain structures |
JP5103758B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2012-12-19 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US8142850B2 (en) * | 2006-04-03 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times |
JP5181441B2 (ja) | 2006-08-04 | 2013-04-10 | 株式会社リコー | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
US8530589B2 (en) * | 2007-05-04 | 2013-09-10 | Kovio, Inc. | Print processing for patterned conductor, semiconductor and dielectric materials |
CN101681131A (zh) * | 2007-06-12 | 2010-03-24 | 东亚合成株式会社 | 导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离剂、抗蚀剂膜的剥离方法及具有已图案化的导电性高分子的基板 |
JP5176414B2 (ja) | 2007-07-11 | 2013-04-03 | 株式会社リコー | 有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
US20090014716A1 (en) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Takumi Yamaga | Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same |
US8253137B2 (en) * | 2007-07-18 | 2012-08-28 | Ricoh Company, Ltd. | Laminate structure, electronic device, and display device |
US7838313B2 (en) * | 2007-07-31 | 2010-11-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pixel well electrode |
GB0717055D0 (en) * | 2007-09-01 | 2007-10-17 | Eastman Kodak Co | An electronic device |
US8426905B2 (en) * | 2007-10-01 | 2013-04-23 | Kovio, Inc. | Profile engineered, electrically active thin film devices |
US8227320B2 (en) | 2007-10-10 | 2012-07-24 | Kovio, Inc. | High reliability surveillance and/or identification tag/devices and methods of making and using the same |
JP4589373B2 (ja) | 2007-10-29 | 2010-12-01 | 株式会社リコー | 有機トランジスタ、有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
US8021641B2 (en) | 2010-02-04 | 2011-09-20 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Methods of making copper selenium precursor compositions with a targeted copper selenide content and precursor compositions and thin films resulting therefrom |
US8956685B2 (en) * | 2010-02-24 | 2015-02-17 | Monosol Rx, Llc | Use of dams to improve yield in film processing |
WO2011146115A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Heliovolt Corporation | Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same |
US9142408B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-22 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same |
US9149959B2 (en) | 2010-10-22 | 2015-10-06 | Monosol Rx, Llc | Manufacturing of small film strips |
KR101902922B1 (ko) | 2011-03-03 | 2018-10-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
JP2012109581A (ja) * | 2011-12-19 | 2012-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造方法および半導体装置 |
US9105797B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se |
JP6002894B2 (ja) | 2013-01-17 | 2016-10-05 | 国立大学法人山形大学 | 電子デバイスの製造方法 |
JP6274203B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2018-02-07 | 国立大学法人神戸大学 | 有機半導体薄膜の作製方法 |
WO2015111731A1 (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | コニカミノルタ株式会社 | パターン形成方法、透明導電膜付き基材、デバイス及び電子機器 |
WO2017192921A1 (en) | 2016-05-05 | 2017-11-09 | Monosol Rx, Llc | Enhanced delivery epinephrine compositions |
US11273131B2 (en) | 2016-05-05 | 2022-03-15 | Aquestive Therapeutics, Inc. | Pharmaceutical compositions with enhanced permeation |
CN113395837B (zh) * | 2021-06-04 | 2022-12-16 | 广东工业大学 | 一种纳米金属线路及结构的湿法激光成形方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3600061A (en) * | 1969-03-21 | 1971-08-17 | Rca Corp | Electro-optic device having grooves in the support plates to confine a liquid crystal by means of surface tension |
US4668533A (en) * | 1985-05-10 | 1987-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ink jet printing of printed circuit boards |
US5951350A (en) * | 1996-09-18 | 1999-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production method of plasma display panel suitable for minute cell structure, the plasma panel, and apparatus for displaying the plasma display panel |
US6022647A (en) * | 1997-10-24 | 2000-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for making color filter substrate, color filter substrate produced by the method, and liquid crystal device using the substrate |
US6087196A (en) * | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
CN100530758C (zh) * | 1998-03-17 | 2009-08-19 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
JP3870562B2 (ja) * | 1998-07-16 | 2007-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法、およびパターン形成基板の製造方法 |
JP2000124581A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Yotaro Hatamura | 配線パターン形成方法及び積層配線基板の製造方法 |
JP3380880B2 (ja) * | 1999-01-14 | 2003-02-24 | 学校法人立命館 | 3次元デバイス構造の形成方法 |
US6723394B1 (en) * | 1999-06-21 | 2004-04-20 | Cambridge University Technical Services Limited | Aligned polymers for an organic TFT |
JP2001004581A (ja) | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Sentan Kagaku Gijutsu Incubation Center:Kk | 微小参照電極 |
JP2001019035A (ja) | 1999-07-09 | 2001-01-23 | Toshio Maehata | 連結式衛生剤包装体及びその吊着方法 |
JP3865106B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | シリコン膜パターンの形成方法 |
JP2001288578A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-19 | Seiko Epson Corp | 微細構造体の製造方法、微細構造体、及びこれを形成するための基板 |
JP3692051B2 (ja) * | 2000-05-01 | 2005-09-07 | ソニーケミカル株式会社 | 凸条樹脂膜形成方法、記録媒体の製造方法、及び記録媒体 |
JP2002144353A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-21 | Dainippon Printing Co Ltd | レンズシート形成用樹脂の塗工方法及び塗工装置 |
JP2002170670A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Sharp Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法、並びに有機電界発光ディスプレイ |
GB2373095A (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | Patterning substrates with evaporation residues |
JP2004535273A (ja) * | 2001-04-04 | 2004-11-25 | アラダイアル, インコーポレイテッド | 液体を分配するためのシステムおよび方法 |
US20030235678A1 (en) * | 2002-06-25 | 2003-12-25 | Graham Paul D. | Complex microstructure film |
US20040009608A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-15 | Caren Michael P. | Arrays with positioning control |
-
2002
- 2002-07-26 GB GB0217425A patent/GB2391385A/en not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-07-21 EP EP03254560A patent/EP1385364A3/en not_active Withdrawn
- 2003-07-22 US US10/623,495 patent/US7115507B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-23 TW TW092120129A patent/TWI299197B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-25 KR KR1020030051559A patent/KR101063833B1/ko active IP Right Grant
- 2003-07-28 CN CNB031436463A patent/CN100418184C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-28 JP JP2003202638A patent/JP4917735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7115507B2 (en) | 2006-10-03 |
KR101063833B1 (ko) | 2011-09-08 |
TWI299197B (en) | 2008-07-21 |
CN1476049A (zh) | 2004-02-18 |
JP2004141856A (ja) | 2004-05-20 |
TW200403771A (en) | 2004-03-01 |
GB2391385A (en) | 2004-02-04 |
EP1385364A2 (en) | 2004-01-28 |
US20050176242A1 (en) | 2005-08-11 |
CN100418184C (zh) | 2008-09-10 |
KR20040010404A (ko) | 2004-01-31 |
GB0217425D0 (en) | 2002-09-04 |
EP1385364A3 (en) | 2005-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4917735B2 (ja) | パターニング方法、電子デバイスの製造方法、電気光学デバイスの製造方法、導電性内部接続の製造方法、カラーフィルタの製造方法、印刷回路基板の製造方法及びdna配列マイクロチップの製造方法 | |
KR100597017B1 (ko) | 막 형성 방법, 박막 트랜지스터의 형성 방법 및 패터닝 방법 | |
US7199033B2 (en) | Pattern forming method, device, method of manufacture thereof, electro-optical apparatus, and electronic apparatus | |
US7335991B2 (en) | Pattern forming structure, pattern forming method, device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
US7771246B2 (en) | Method of forming film pattern, film pattern, device, electro optic device, and electronic apparatus | |
US20110159250A1 (en) | Patterning method | |
JP2008243773A (ja) | 電気発光装置、その製造方法、電子機器、薄膜構造体、薄膜形成方法 | |
JP2005502455A (ja) | インクジェット堆積装置および方法 | |
JP3922280B2 (ja) | 配線パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 | |
US20100301337A1 (en) | Electronic device with self-aligned electrodes fabricated using additive liquid deposition | |
JP2005013986A (ja) | デバイスとその製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 | |
US7524764B2 (en) | Method of forming film pattern, device, method of manufacturing the same, electro-optical apparatus, and electronic apparatus | |
US7477336B2 (en) | Active matrix substrate, method of manufacturing active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP4192737B2 (ja) | 層パターン製造方法、配線製造方法、電子機器の製造方法 | |
US20090015147A1 (en) | Display element with partition structures in display areas and fabrication method thereof | |
JP4792228B2 (ja) | 表示装置 | |
WO2009074765A1 (en) | Patterning method | |
Rogers et al. | Large area, rubber stamped plastic circuits for electronic paper | |
Wong et al. | Thin‐film Transistor Fabrication by Digital Lithography | |
JP2005144217A (ja) | 薄膜形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器 | |
Rogers et al. | Rubber stamped plastic circuits for electronic paper | |
Wong et al. | by Digital Lithography | |
JP2008060600A (ja) | 層パターン製造方法、配線製造方法、電子機器の製造方法 | |
JP2004342918A (ja) | 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイス製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050711 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100414 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101126 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111206 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120127 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4917735 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |