JP2004342918A - 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイス製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高い処理能力で、膜パターンを精度よく安定して形成することができる膜パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、吐出ヘッドから機能液Ｌを液滴状に吐出してバンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程とを有する。機能液Ｌを吐出した際の機能液Ｌの液滴に関する情報を、吐出ヘッドと同じ特性を有する試験用吐出ヘッドを用いて測定し、その測定結果に基づいて、機能液Ｌに対する前記吐出ヘッドの吐出条件を定める。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜パターン形成方法、デバイス及びデバイス製造方法、電気光学装置、並びに電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子回路または集積回路などに使われる配線などの膜パターンを形成する方法としては、例えばフォトリソグラフィ法が用いられる。このフォトリソグラフィ法は、真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。
【０００３】
これに対して、液体吐出ヘッドから液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いて基板上に膜パターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。この方法では、膜パターン用の液体材料（機能液）を基板に直接パターン配置し、その後熱処理やレーザー照射を行って膜パターンに変換する。この方法によれば、フォトリソグラフィが不要となり、プロセスが大幅に簡略化されるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】
特開２０００−２１６３３０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
液滴吐出法では、液体材料の特性に応じて吐出ヘッドからの液滴の吐出状態が変化しやすい。そのため、例えば液体材料（機能液）のロット変更時など、使用する液体材料に対して、吐出ヘッドの吐出条件を適宜定めるのが好ましい。
【０００６】
吐出条件の決定は、従来、基板上に液体材料をパターン配置し、その配置状態を確認することにより行われる。つまり、吐出ヘッドの吐出条件を変えながら、所望の配置状態となるまで上記パターン配置の試験を繰り返すことにより行われる。しかしながら、こうした方法は長時間を要することから、吐出ヘッドの稼働率の低下を招き、膜パターン形成に際して処理能力の低下につながるおそれがある。
【０００７】
また、近年、デバイスを構成する回路の高密度化が進み、例えば配線についてもさらなる微細化、細線化が要求されている。上述した液滴吐出法を用いた膜パターン形成方法では、吐出した液滴が着弾後に基板上で広がるため、微細な膜パターンを安定的に形成するのが困難であった。
【０００８】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、高い処理能力で、膜パターンを精度よく安定して形成することができる膜パターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の膜パターン形成方法は、基板上にバンクを形成する工程と、吐出ヘッドから機能液を液滴状に吐出して前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程とを有し、前記機能液を吐出した際の前記機能液の液滴に関する情報を、前記吐出ヘッドと同じ特性を有する試験用吐出ヘッドを用いて測定し、該測定結果に基づいて、前記機能液に対する前記吐出ヘッドの吐出条件を定めることを特徴とする。
【００１０】
本発明の膜パターン形成方法では、機能液の配置に際し、実処理用の吐出ヘッドとは別の試験用吐出ヘッドを用いて吐出条件を定めることにより、高い処理能力で、安定した液滴吐出が行われる。すなわち、機能液のロット変更時などにおいて、次に使用する機能液に対する吐出条件を、実処理用の吐出ヘッドではなく、試験用吐出ヘッドを用いて定めることにより、実処理用の吐出ヘッドの稼働率の向上が図られる。
また、試験用吐出ヘッドを用いることで、吐出条件を定めるための試験に対する制約が少なくなり、様々な試験が実施可能となる。そのため、より精度の高い試験を行うことで、吐出条件の信頼性の向上が図られる。
さらに、本発明の膜パターン形成方法では、バンクによって区画された領域に機能液が配置され、この機能液が例えば乾燥することにより、基板上に膜パターンが形成される。この場合、バンクによって膜パターンの形状が規定されることから、例えば隣接するバンク間の幅を狭くするなど、バンクを適切に形成することにより、膜パターンの微細化や細線化を図ることができる。
これらのことから、本発明の膜パターン形成方法では、処理能力の向上を図りかつ、膜パターンを精度よく安定して形成することができる。
【００１１】
また、上記の膜パターン形成方法において、前記液滴情報は、前記液滴の一滴あたりの重量、前記液滴の飛行速度、及び前記液滴の飛行直進性のうちの少なくとも一つを含むとよい。こうした液滴情報を測定し、その測定結果に基づいて吐出条件を定めることで、パターン配置の試験に基づいて吐出条件を定める場合に比べて、精度の向上が図られる。
【００１２】
また、上記の膜パターン形成方法において、前記吐出条件は、例えば、前記吐出ヘッドに対する駆動電圧の波形データを含むとよい。この場合、信頼性の高い波形データが得られる。
【００１３】
また、前記機能液が導電性微粒子を含むことにより、導電性を有する膜パターンが形成される。そのため、この膜パターンは、配線として、各種デバイスに適用される。
【００１４】
本発明のデバイス製造方法は、基板に膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、上記の膜パターン形成方法により、前記基板に前記膜パターンを形成することを特徴とする。
本発明のデバイス製造方法では、高い処理能力で安定して膜パターンが形成されることから、デバイスの低コスト化、並びに品質の向上が図られる。
特に、前記膜パターンが前記基板上に設けられたＴＦＴ（膜トランジスタ）等のスイッチング素子の一部を構成する場合には、高集積化されたスイッチング素子を得ることができる。
【００１５】
本発明のデバイスは、上記のデバイス製造方法を用いて製造されることを特徴とすることにより、低コスト化並びに品質の向上が図られる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置は、上記のデバイスを備えることを特徴とする。電気光学装置としては、例えば、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置などを例示できる。
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
これらの発明によれば、上記デバイスを備えることから、低コスト化や品質の向上が図られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の膜パターン形成方法を概念的に示す図である。本例の膜パターン形成方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程、及びバンクＢによって区画された領域（区画領域Ａ）に機能液Ｌを配置する材料配置工程を有している。
【００１８】
本発明の膜パターン形成方法では、バンクＢによって区画された領域Ａに機能液Ｌが配置され、この機能液Ｌが例えば乾燥することにより、基板Ｐ上に膜パターンＣが形成される。この場合、バンクＢによって膜パターンＣの形状が規定されることから、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅（バンクＢによる溝）を狭くするなど、バンクＢを適切に形成することにより、膜パターンＣの微細化や細線化が図られる。なお、膜パターンＣが形成された後、基板ＰからバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上に残してもよい。
【００１９】
ここで、本発明の膜パターン形成方法では、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて機能液Ｌの配置を行う。すなわち、吐出ヘッド１から液体材料（機能液Ｌ）を液滴状に吐出することにより、基板Ｐ上にその液体材料（機能液Ｌ）を配置する。さらに、本発明の膜パターン形成方法では、液体材料（機能液Ｌ）の配置に際し、実処理用の吐出ヘッド１とは別の試験用吐出ヘッドを用いて吐出条件を定める。これにより、本発明の膜パターン形成方法では、高い処理能力で、安定した液滴吐出が行われる。以下、この液滴吐出方法について詳しく説明する。
【００２０】
図２は、上記液滴吐出を行うための液滴吐出システムの構成例を概略的に示す図である。
図２において、液滴吐出システムＩＪＳは、液滴吐出法により、基板Ｐに対して液体材料を液滴状に吐出するものであり、実処理用の液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪと、吐出試験機ＴＳとを備えて構成されている。
【００２１】
液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式（ピエゾ方式）、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ^２ 程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式（ピエゾ方式）は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【００２２】
本例では、上記電気機械変換方式（ピエゾ方式）を用いるものとする。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００２３】
図３は、液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料が配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００２４】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルから、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、液体材料が吐出される。
【００２５】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００２６】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２７】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図３では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００２８】
図４は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図４において、液体材料を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル（吐出ノズル）２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ素子２２に対する駆動信号を制御することにより、液滴の一滴あたりの重量、液滴の飛行速度、液滴の飛行直進性など、液滴の吐出状態を制御することが可能である。
【００２９】
図５は、ピエゾ素子に与える駆動信号の例を示している。以下、この図５を用いて、微小ドット、中ドット、大ドットの体積の異なる３種類の液滴を吐出する原理について説明する。
図５において、駆動波形［Ａ］は駆動信号発生回路が生成する基本波形である。波形［Ｂ］は基本波形の Ｐａｒｔ１ で形成されていて、メニスカス（液体の凹凸面）を揺動させノズル開口近傍の増粘した液体を拡散し、微小な液滴の吐出不良を未然に防止するために用いられる。Ｂ１ はメニスカスが静定している状態であり、Ｂ２ はピエゾ素子に緩やかに充電することで液体室（圧力室）の体積を拡張しメニスカスを僅かノズル内に引き込む動作を示している。波形［Ｃ］は基本波形の Ｐａｒｔ２ で形成されていて、微小ドットの液滴を吐出する波形である。まず静定している状態（Ｃ１）から急激にピエゾ素子を充電してメニスカスを素早くノズル内に引き込む。次に一旦引き込まれたメニスカスが再びノズルを満たす方向に振動を開始するタイミングに併せて液体室を僅か縮小（Ｃ３）させることにより微小ドットの液滴が飛翔する。放電を途中休止した後の２度目の放電（Ｃ４）は吐出動作後のメニスカスやピエゾ素子の残留信号を制振させるとともに液滴の飛翔形態を制御する役目を果たしている。波形［Ｄ］は基本波形の Ｐａｒｔ３で形成されていて、中ドットを吐出する波形である。静定状態（Ｄ１）から緩やかに大きくメニスカスを引き込み（Ｄ２）、メニスカスが再びノズルを満たす方向に向かうタイミングに合わせて急激に液体室を収縮（Ｄ３）させることで中ドットの液滴が吐出される。Ｄ４ ではピエゾ素子に充電／放電することでメニスカスやピエゾ素子の残留振動を制振させている。波形［Ｅ］は基本波形の Ｐａｒｔ２ と Ｐａｒｔ３ を組み合わせて形成されていて、大ドットの液滴を吐出するための波形である。まず、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３ に示す過程で小ドットの液滴を吐出し、小ドット吐出後に僅かに残留するメニスカスの振動がノズル内を液体で満たすタイミングに合わせて中ドットを吐出する波形をピエゾ素子に印加する。Ｅ４、Ｅ５ の過程で吐出される液滴は中ドットよりも大きい体積であり、先の小ドットの液滴と合わせてさらに大きい大ドットの液滴が形成される。このように駆動信号を制御することにより、微小ドット、中ドット、大ドットの体積の異なる３種類の液滴を吐出することができる。
【００３０】
また、図６は、単位時間あたりに多くの液滴を吐出するための駆動信号［Ｆ］を示している。
図６において、Ｆ１ ではピエゾ素子には中間の電位が印加された状態で静定している。そこからピエゾ素子に充電することで急激にメニスカスをノズル内に引き込む（Ｆ２）。再びメニスカスがノズルを満たす方向に振動するタイミングに合わせてピエゾ素子をダイナミックに伸長させることで、ピエゾ素子の動きに追従して液体室が収縮し、その結果メニスカスが突出（Ｆ３）して液滴を吐出する。さらにメニスカスとピエゾ素子の残留振動を制振させるタイミングで中間電位まで再充電（Ｆ４）する。このように、メニスカス振動と励起とを素早く繰り返すことにより、短い周期で液滴を吐出することができる。
【００３１】
ここで、液滴吐出法では、液体材料の特性に応じて吐出ノズル（吐出ヘッド）からの液滴の吐出状態が変化しやすい。例えば、同一の液体材料であっても、製造時のロットごとに粘度、表面張力、比重などが微妙に変化すると、その影響によって液滴の吐出状態が変化する場合がある。そのため、例えば液体材料のロット変更時など、使用する液体材料に対して、吐出ヘッドの吐出条件を適宜定めるのが好ましい。ピエゾ方式の場合、吐出条件として、上述した駆動信号の波形データ（駆動波形）を液体材料の特性に応じて定めるとよい。
【００３２】
図２に戻り、本例の液滴吐出システムＩＪＳにおいては、吐出試験機ＴＳによって吐出条件（駆動波形）を定めるための吐出試験を行う。吐出試験機ＴＳは、試験用吐出ヘッド２６、測定装置２７、及び制御装置２８等を備えて構成されている。
【００３３】
試験用吐出ヘッド２６は、上述した液滴吐出装置ＩＪの液滴吐出ヘッド１と同じ構造からなり、液体材料の吐出に関して液滴吐出ヘッド１と同じ特性を有する。つまり、試験用吐出ヘッド２６から液体材料を吐出することで、実処理用の液滴吐出装置ＩＪにおける液滴吐出ヘッド１からの液滴の吐出状態が再現される。
【００３４】
測定装置２７は、試験用吐出ヘッド２６から吐出した液滴に関する液滴情報を測定するものであり、本例では、重量測定装置３５、及び撮像装置３６等を有する。
【００３５】
重量測定装置３５は、例えばロードセルなどを備え、物体の重量を計測するものである。本例では、重量測定装置３５は、試験基板３７の重量を測定するように構成されており、その測定結果は制御装置２８に送られる。制御装置２８は、液状材料が配置される前の試験基板３７の重量を記憶しており、重量測定装置３５から送られる測定結果と、記憶されている情報とに基づいて、試験基板３７上に配置された液状材料の重量を求める。
【００３６】
撮像装置３６は、液滴の飛行状態を撮像するものであり、液滴を照明するためのストロボ３８、及びＣＣＤカメラ３９等を有する。ＣＣＤカメラ３９の撮像結果は制御装置２８に送られる。液滴の飛行状態の撮像結果から、液滴の飛行速度、及び液滴の飛行直進性などが測定される。
【００３７】
図１に示すフローチャートは、上記構成の液滴吐出システムＩＪＳを用いた液滴吐出方法の手順の一例を示している。以下、図１及び図２などを参照して、液滴吐出システムＩＪＳにおける液滴吐出方法について、特に、液滴の吐出条件を決定するプロセスについて説明する。
【００３８】
まず、使用する液体材料の特性を評価する。すなわち、液体材料の粘度及び表面張力を測定し、その測定結果に基づいてその液体材料が液滴吐出可能であるかどうかを判断する（ステップ２００）。なお、後述するように、ピエゾ方式の液滴吐出技術では、液体材料の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、液体材料の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００３９】
次に、吐出試験機ＴＳを用いて、その液体材料の吐出試験を行う（ステップ２０１）。すなわち、試験用吐出ヘッド２６を介して試験基板３７に向けて液体材料を液滴状に吐出するとともに、その液滴の液滴情報を測定装置２７によって測定する。このときの吐出条件は、所定の標準吐出条件（標準駆動波形）である。測定装置２７は、液滴の一滴あたりの重量、液滴の飛行速度、及び液滴の飛行直進性を測定する。
【００４０】
ここで、液滴の一滴あたりの重量は、重量測定装置３５を介して測定される。すなわち、重量測定装置３５は、液体材料が配置された試験基板３７の重量を計測し、その計測結果を制御装置２８に送る。このとき、試験用吐出ヘッド２６から吐出した液滴の数に関する情報も制御装置２８に与えられる。制御装置２８は、重量測定装置３５から送られる測定結果と、予め記憶してある液状材料を配置する前の試験基板３７の重量に関する情報とに基づいて、試験基板３７上に配置された液状材料の重量を算出する。さらに、その算出結果と、吐出した液滴数（例えば５００万粒）とに基づいて、液滴の一滴あたりの重量を算出する。
【００４１】
また、液滴の飛行速度及び飛行直進性は、撮像装置３６を介して測定される。すなわち、撮像装置３６は、ストロボ３８を点滅させながら、ＣＣＤカメラ３９を介して液滴の飛行状態を撮像し、その撮像結果を画像処理する。そして、画像処理データから、液滴の飛行速度及び飛行直進性が求められる。なお、液滴の飛行直進性は、上記した方法に限らず、例えば、吐出ヘッドの吐出面から所定距離（例えば５ｍｍ程度）離れた位置に測定用標準用紙を配置し、所定数（例えば１０粒程度）の液滴をその用紙上に着弾させて、目標位置からの位置ズレを計測することにより求めてもよい。
【００４２】
次に、上記測定結果から液滴の吐出条件を決定する（ステップ２０２）。すなわち、測定装置２７の測定結果に基づいて、最適な駆動電圧の波形データ（駆動波形）を求める。測定装置２７の測定結果が規格内に入っている場合には現在の吐出条件（標準吐出条件）を使用する。規格から外れた場合には、駆動波形を変化させ、最適な吐出条件（駆動波形）を製作する。あるいは、駆動波形の決定は、例えば、様々な液滴情報を、最適な駆動波形と関連付けて記憶しておき、その記憶したデータの中から測定装置２７の測定結果に適合するものを選択することにより行ってもよい。
【００４３】
その後、決定された吐出条件に基づいて、実処理用の液滴吐出装置ＩＪを用いて液滴吐出を行い、基板Ｐ上に液体材料を配置する（ステップ２０３）。決定された吐出条件に関するデータは、制御装置２８から液滴吐出装置ＩＪの制御装置に自動転送してもよいし、作業者を介して与えてもよい。液滴吐出装置ＩＪでは、吐出試験機ＴＳを用いて決定された吐出条件を用いることで安定した液滴吐出が行われる。
【００４４】
このように、本例の液滴吐出システムＩＪＳでは、実処理用の液滴吐出ヘッド１とは別の試験用吐出ヘッド２６を用いて吐出条件を定める。そのため、液体材料のロット変更時などにおいて、次に使用する液体材料に対する吐出条件を、実処理用の液滴吐出ヘッド１（液滴吐出装置ＩＪ）ではなく、試験用吐出ヘッド２６（吐出試験機ＴＳ）を用いて定めることにより、実処理用の液滴吐出ヘッド１の稼働率の向上が図られる。すなわち、実処理用の液滴吐出ヘッド１の使用中に、次に使用する液体材料に対する吐出条件を定めることで、液滴吐出装置ＩＪの処理能力の向上が図られる。
【００４５】
また、本例の液滴吐出システムＩＪＳでは、吐出条件の決定に際して、実処理用の液滴吐出ヘッド１ではなく、試験用吐出ヘッド２６を用いることから、吐出条件を定めるための試験に対する制約が少なく、様々な試験が実施可能である。つまり、上述した液滴情報のうち、液滴の重量測定や、飛行状態の撮像は、吐出条件の精度を高める上で有利な測定データであるものの、実処理用の液滴吐出装置ＩＪでその試験を実施することは装置構成の複雑化や処理能力の低下を招くことから困難である。吐出試験機ＴＳを用いて、精度の高い試験を行うことで、吐出条件の信頼性の向上が図られる。
【００４６】
ここで、本発明において、液体材料を配置するための基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００４７】
また、本発明における液体材料としては、各種のものが適用されるが、例えば、導電性微粒子を含む配線パターン用インクが用いられる。
【００４８】
配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。
導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００４９】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００５０】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００５１】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００５２】
上述した配線パターン用インクを基板上に配置することにより、導電性を有する膜パターンを形成することができる。本発明の液滴吐出方法は、高い処理能力で、安定した液滴吐出を行うことができるので、導電性の膜パターンの形成に際して、低コスト化を図りかつ、断線やショートなどの不具合の発生を防止できる。
【００５３】
次に、本発明の膜パターン形成方法の実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について図７を参照して詳しく説明する。
本実施形態に係る膜パターン形成方法は、上述した配線パターン用のインク（配線パターン形成材料）を基板上に配置し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、バンク形成工程、残渣処理工程、撥液化処理工程、材料配置工程及び中間乾燥工程、焼成工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００５４】
（バンク形成工程）
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図７（ａ）に示すように、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせてバンクの形成材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上でバンク（凸部）を形成してもよい。
【００５５】
これにより、図７（ｂ）に示されるように、配線パターンを形成すべき領域の周辺を囲むように、例えば１０〜１５μｍ幅でバンクＢ、Ｂが突設される。
なお、基板Ｐに対しては、有機材料塗布前に表面改質処理として、ＨＭＤＳ処理（（ＣＨ_３）_３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ_３）_３を蒸気状にして塗布する方法）が施されているが、図７ではその図示を省略している。
【００５６】
（残渣処理工程（親液化処理工程））
次に、バンク間におけるバンク形成時のレジスト（有機物）残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ_２プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ_２プラズマ処理を実施する。
【００５７】
具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ_２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ_２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、基板表面の親液性を高めることができる。
【００５８】
（撥液化処理工程）
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。
撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ_４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ_４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
【００５９】
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ_２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、Ｏ_２プラズマによる前処理がなされると、バンクＢがフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ_２プラズマ処理することが好ましい。
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理した基板Ｐ表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしてもよい。
【００６０】
（材料配置工程及び中間乾燥工程）
次に、先の図２に示した液滴吐出システムＩＪＳによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成材料を、基板Ｐ上のバンクＢによって区画された領域、すなわちバンクＢ、Ｂ間（バンクＢによる溝部）に配置する。なお、本例では、配線パターン用インク（機能液）として、導電性微粒子を溶媒（分散媒）に分散させた分散液を吐出する。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
【００６１】
すなわち、材料配置工程では、図７（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン形成材料を含む液体材料Ｌを液滴にして吐出し、その液滴を基板Ｐ上の、バンクＢ、Ｂ間（バンクＢによる溝内部）に配置する。液滴吐出の条件は、先の図２に示した吐出試験機ＴＳを用いて決定され、例えば、インク重量（一滴あたりの重量）：５±０．２５ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（液滴の飛行速度）：７±０．５ｍ／ｓｅｃ、液滴の飛行直進性：飛行距離１ｍｍで最大着弾位置ズレ２０μｍ以内、とされる。
【００６２】
このとき、バンクＢ、Ｂによって液体材料の配置領域が仕切られていることから、その液体材料Ｌが基板Ｐ上で拡がることが阻止される。
【００６３】
また、図７（ｃ）に示すように、隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅Ｗが液滴の直径Ｄより狭い場合（すなわち、液滴の直径ＤがバンクＢ、Ｂ間の幅Ｗより大きい場合）、図７（ｄ）の二点鎖線で示すように、液滴の一部がバンクＢ、Ｂ上にのるものの、毛管現象などにより液体材料ＬはバンクＢ、Ｂ間に入り込む。本例では、バンクＢ、Ｂは撥液性が付与されていることから、液体材料がバンクＢにはじかれ、バンクＢ、Ｂ間により確実に流れ込む。
【００６４】
また、基板Ｐの表面は親液性を付与されているため、上記区画領域に流れ込んだ液体材料Ｌがその領域内で均一に広がる。これにより、吐出する液滴の直径Ｄより狭い線幅Ｗの塗膜が形成される。
【００６５】
（中間乾燥工程）
基板Ｐに液体材料を配置した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００６６】
（焼成工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００６７】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。この場合、例えば、バンクＢ及び液体材料の乾燥膜の上に低融点ガラスなどを予め塗布してもよい。
また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、図７（ｅ）に示すように、導電性膜（膜パターンＣ）に変換される。
【００６８】
以上説明したように、本例の膜パターン形成方法では、バンクＢによって区画された領域に配線パターン用インクが配置され、このインクが焼成されることにより、基板Ｐ上に導電性膜（膜パターンＣ）が形成される。インクの配置時においては、バンクＢによって導電性膜（膜パターンＣ）の形状が規定されることから、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅を狭くするなど、バンクＢを適切に形成することにより、導電性膜（膜パターンＣ）の微細化や細線化を図ることができる。
【００６９】
また、本例の膜パターン形成方法では、実処理用の吐出ヘッド１ではなく、試験用吐出ヘッドを用いて液滴の吐出条件が定めることから、実処理用の吐出ヘッドの稼働率の向上が図られるとともに、信頼性の高い吐出条件で液滴吐出が行われる。そのため、この膜パターン形成方法では、処理能力の向上が図られるとともに、導電性膜（膜パターンＣ）が精度よく安定して形成される。
【００７０】
次に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
図８は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図９は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１０は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１１は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００７１】
図８及び図９において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００７２】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００７３】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００７４】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１０に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００７５】
画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図９に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００７６】
図１１はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記膜パターン形成方法により、導電性膜としてのゲート配線６１が形成されている。
【００７７】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【００７８】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【００７９】
本実施の形態の液晶表示装置は、上記膜パターン形成方法により、高い処理能力で安定して導電膜が形成されることから、低コスト化、並びに品質の向上が図られる。
【００８０】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【００８１】
また、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【００８２】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１２（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１２（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１２（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、低コスト化や品質の向上が図られる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００８３】
次に、本発明の膜パターンの形成方法によって形成される膜パターンを、アンテナ回路に適用した例について説明する。
図１３は、本実施形態例に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【００８４】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、本発明の膜パターン形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記アンテナ回路４１２が高い処理能力で形成されることから、低コスト化が図られる。
【００８５】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の膜パターン形成方法を概念的に示す図である。
【図２】液滴吐出を行うための液滴吐出システムの構成例を概略的に示す図である。
【図３】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図４】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図５】ピエゾ素子に与える駆動信号の例を示す図である。
【図６】ピエゾ素子に与える駆動信号の他の例を示す図である。
【図７】配線パターンを形成する手順を示す図である。
【図８】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図９】図８のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図１０】液晶表示装置の等価回路図である。
【図１１】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図１２】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【図１３】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【符号の説明】
Ｂ…バンク、Ｐ…基板（ガラス基板）、Ｃ…膜パターン（導電性膜）、ＩＪＳ…液滴吐出システム、ＴＳ…吐出試験機、ＩＪ…液滴吐出装置、１…液滴吐出ヘッド、２６…試験用吐出ヘッド、２７…測定装置、２８…制御装置、３５…重量測定装置（重量測定手段）、３６…撮像装置（撮像手段）、３０…ＴＦＴ（スイッチング素子）、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、４００…非接触型カード媒体（電子機器）。

Claims (9)

1. 基板上にバンクを形成する工程と、吐出ヘッドから機能液を液滴状に吐出して前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程とを有し、
   前記機能液を吐出した際の前記機能液の液滴に関する情報を、前記吐出ヘッドと同じ特性を有する試験用吐出ヘッドを用いて測定し、該測定結果に基づいて、前記機能液に対する前記吐出ヘッドの吐出条件を定めることを特徴とする膜パターン形成方法。
2. 前記液滴情報は、前記液滴の一滴あたりの重量、前記液滴の飛行速度、及び前記液滴の飛行直進性のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の膜パターン形成方法。
3. 前記吐出条件は、前記吐出ヘッドに対する駆動電圧の波形データを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の膜パターン形成方法。
4. 前記機能液は、導電性微粒子を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれかに記載の膜パターン形成方法。
5. 基板に膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、
   請求項１から請求項４のうちのいずれかに記載の膜パターン形成方法により、前記基板に前記膜パターンを形成することを特徴とするデバイス製造方法。
6. 前記膜パターンは、前記基板上に設けられたスイッチング素子の一部を構成することを特徴とする請求項５に記載のデバイス製造方法。
7. 請求項５または請求項６に記載のデバイス製造方法を用いて製造されたことを特徴とするデバイス。
8. 請求項７に記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項８に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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