JP4911898B2 - ターゲットの移動をともなうプラズマ注入システムおよび方法 - Google Patents
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Description
イオン注入は、伝導性を変化させる不純物を、半導体ウエハのような半導体基板に導入する標準的な技術である。ビームラインイオン注入システムは、この不純物を半導体ウエハに導入するために広く使用されている。在来のビームラインイオン注入システムにおいて、所望の不純物材がイオン化され、そのイオンは加速され、半導体ウエハの表面に向いたイオンビームを形成する。ウエハに衝突したビーム内のイオンは半導体材料に進入し所望の伝導性をもつ領域を形成する。
Claims (16)
- プラズマ注入システムであって、
プラズマ注入チェンバーと、
プラズマ注入チェンバー内で、イオンがワークピースに注入される少なくとも一つの注入位置と、イオンがワークピースに注入されない少なくとも一つの他の位置との間で、複数のワークピースのそれぞれを移動させるワークピース支持体と、
注入位置にあるワークピースの表面のプラズマ放電領域においてプラズマを発生させるように構成されるプラズマ発生装置であって、ワークピースの少なくとも一部に向かってプラズマ内のイオンを加速するためにプラズマにパルスを適用するところのプラズマ発生装置と、
注入処理の間、プラズマ放電領域に関して、前記少なくとも一つの注入位置と前記少なくとも一つの他の位置との間で、複数のワークピースをプラズマ注入チェンバー内で移動させる制御器であって、プラズマ放電領域に関するワークピースの位置に応じて、プラズマ発生装置によるパルスの周波数を調整させる制御器と、
を含む、
ところのプラズマ注入システム。 - 制御器は、プラズマ注入チェンバーで、ワークピース支持体の少なくとも一部を移動させるワークピース駆動制御器を含む、請求項1に記載のプラズマ注入システム。
- 制御器は、処理ガスの導入を制御し、プラズマ注入チェンバーでの注入プラズマの発生を制御するプラズマ注入制御器を含む、請求項1または2に記載のプラズマ注入システム。
- ワークピース支持体は、プラズマ注入チェンバー内で回転のために取り付けられる、複数のワークピースを支持するように構成されるディスクを含む、請求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマ注入システム。
- ディスクは複数のワークピースを、ディスクの上に円形に配列して支持する、請求項4に記載のプラズマ注入システム。
- ワークピース支持体は、プラズマ放電領域に関して、弧状の軌道にそって、ワークピースを移動させる、請求項4に記載のプラズマ注入システム。
- ワークピース支持体は、ディスクの回転に関して、放射方向に複数のワークピースを移動せるように構成される、請求項4ないし6のいずれかに記載のプラズマ注入システム。
- プラズマ発生装置は、注入位置にあるワークピースの一部のみに、イオンを注入するためにプラズマを発生させるように構成される、請求項1ないし7のいずれかに記載のプラズマ注入システム。
- ワークピース支持体は、各ワークピースを注入のためのプラズマに周期的に配置させるように構成され、プラズマ発生装置は、プラズマのイオンを加速し、ワークピースに衝突させるために、パルスをプラズマに適用するよう構成され、プラズマに適用されるパルスのレートが、ワークピース支持体が、各ワークピースを注入のためのプラズマに配置させるためのレートよりも高い、請求項1ないし8のいずれかに記載のプラズマ注入システム。
- イオンをワークピースに注入する注入方法であって、
複数のワークピースをプラズマ注入チェンバーに供給する工程と、
複数のワークピースをプラズマ注入チェンバー内で移動させる工程と、
複数のワークピースの少なくともひとつをプラズマ注入チェンバーで移動させる間、複数のワークピースの少なくともひとつの表面で生成されるプラズマからのイオンを、複数のワークピースの少なくともひとつに注入する工程であって、ワークピースの少なくとも一部に向かってプラズマ内のイオンを加速するためにプラズマにパルスを適用し、プラズマ放電領域に関するワークピースの位置に応じて、パルスの周波数を調整するところの前記工程と、
を含む、注入方法。 - 複数のワークピースを移動させる工程は、プラズマ注入チェンバで複数のワークピースを円形経路にそって移動させる工程を含む、請求項10に記載の注入方法。
- 回転の軸線が複数のワークピースのどのひとつにも通過しない、請求項11に記載の注入方法。
- イオン注入工程は、イオンが注入されるワークピースのそれぞれの粒子注入領域よりも小さいプラズマ放電領域に、プラズマを発生させる工程を含む、請求項10に記載の注入方法。
- 複数のワークピースを移動せる工程は、複数のワークピースのそれぞれを、粒子注入のためのプラズマに周期的に位置させる工程を含み、イオン注入工程は、複数のワークピースのそれぞれが粒子注入のためのプラズマに位置するレートを超えるレートをもつ電場で、プラズマをパルス化する工程を含む、請求項10に記載の注入方法。
- 複数のワークピースを移動させる工程は、複数のワークピースに与えられるドーズ量の一様性または全ドーズ量における変化を調節するために、複数のワークピースの速度を調節する工程を含む、請求項10に記載の注入方法。
- イオン注入システムであって、
イオンをワークピースに注入することができる少なくとも一つの注入位置と、イオンをワークピースに注入することができない少なくとも一つの他の位置との間で、複数のワークピースのそれぞれを移動させるワークピース支持体と、
注入位置にあるワークピースの表面またはその近傍にあるプラズマ放電領域においてプラズマを発生させるように構成されるプラズマ発生装置と、
プラズマ注入処理の間、プラズマ放電領域に関して、前記少なくとも一つの注入位置と前記少なくとも一つの他の位置との間で、複数のワークピースをワークピース支持体によりプラズマ注入チェンバー内で移動させるように構成される制御器であって、イオンを加速してワークピースに注入させるために、ワークピース支持体に電圧パルスを適用するように構成される制御器と、
を含み、
ワークピース支持体に適用される前記電圧パルスは、プラズマ放電領域に関するワークピースの一部に対して、周波数が変化されるところのイオン注入システム。
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