JP4909039B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
図1に示したように、一般の液晶表示装置は、第1基板110及び第2基板120が相互に向かい合っており、両基板間に液晶層130が介されている。多数のゲート配線GL及びデータ配線DLが交差して構成され、サブ画素領域PAが定義される。各サブ画素領域PAごとにスイッチング素子である薄膜トランジスタTと画素電極112が第1基板110に構成される。
図2Aに示したように、横電界方式の液晶表示装置は、第1基板210と第2基板220間に、液晶層230が介されており、第1基板210上に、画素電極212及び共通電極222を備えて、画素電極212及び共通電極222間に形成される横電界220で液晶分子の配列方向を制御する。
このような横電界方式は、見る方向によって液晶分子の屈折率の変化が小さいので、視野角が改善される。
前記第1及び第2電界歪曲パターンは、前記ゲート配線に対して傾いており、ジグザグ状であって、前記第3及び第4電界歪曲パターンは、前記ゲート配線に対して平行または垂直である。
前記第1及び第2基板に定義される第5サブ画素をさらに含み、前記第1ないし第4サブ画素を含む多数の第1単位画素と前記第1ないし第3及び第5サブ画素を含む多数の第2単位画素が交互に配置される。
前記第1ないし第4サブ画素は、マトリックス状またはストライプ状に配置されて、前記第1ないし第3及び第5サブ画素は、マトリックス状またはストライプ状に配置される。
さらに、本発明は、相互に向かい合う第1及び第2基板と;前記第1及び第2基板間に介される液晶層と;前記第1ないし第3サブ画素と、前記第1ないし第3サブ画素に比べて制限された視野角を有する第4サブ画素を含み、前記第1及び第2基板に定義される多数の単位画素とを含むことを特徴とする。
図3A及び図3Bは、本発明の実施例1による視野角制限用液晶表示装置を説明するための図であって、各々第1基板及び第2基板の単位画素を概略的に示した平面図である。
図3A及び図3Bに示したように、本発明の実施例1による視野角制限用液晶表示装置は、所定間隔離隔して合着された第1基板310及び第2基板320と、両基板310、320間に介される液晶(図示せず)とで構成されて、第1ないし第3サブ画素SP1、SP2、SP3と視野角制限用サブ画素VSPを含む多数の単位画素を備えて、第1ないし第3サブ画素SP1、SP2、SP3と視野角制限用サブ画素VSPは、2x2マトリックス状で構成されたり、またはストライプ状で構成されたりする。
図4A及び図4Bと図4C及び図4Dに示したように、第1ないし第3サブ画素SP1、SP2、SP3及び第1ないし第3サブカラーフィルターCF1、CF2、CF3の光透過特性は、ノーマリブラックモードの場合、全ての視野角で実質的に0%の透過率を有する。一方、ノーマリホワイトモードの場合、正面視野角では実質的に100%の透過率を有して、左、右両側へと視野角が大きくなるに従って透過率が徐々に減少する。
図5A及び図5Bは、本発明の実施例2による視野角制限用液晶表示装置を説明するための図であって、各々第1基板及び第2基板の単位画素を概略的に示した平面図である。
図5A及び図5Bに示したように、本発明の実施例2による液晶表示装置は、上、下の視野角を制限するための液晶表示装置であって、実施例1による液晶表示装置との差異を主に説明する。
図6Aないし図6Fは、本発明の実施例3ないし実施例8による視野角制限用液晶表示装置を説明するための構成例示図である。
図6Aないし図6Fに示したように、本実施例による視野角制限用液晶表示装置の第1基板は、各単位画素ごとに第1及び第2視野角制限用サブ画素VSP1、VSP2を含む。また、示してはないが、第2基板には、第1及び第2視野角制限用サブ画素VSP1、VSP2に対応して第1及び第2視野角制限用サブカラーフィルターが形成される。
SP2:第2サブ画素
SP3:第3サブ画素
VSP:視野角制限用サブ画素
CF1:第1サブカラーフィルター
CF2:第2サブカラーフィルター
CF3:第3サブカラーフィルター
CF4:第4サブカラーフィルター
GL:ゲート配線
DL:データ配線
T:薄膜トランジスタ
310:第1基板
320:第2基板
312:画素電極
315:第1電界歪曲パターン
325:第2電界歪曲パターン
335:第3電界歪曲パターン
345:第4電界歪曲パターン
Claims (16)
- 相互に向かい合う第1及び第2基板と;
前記第1及び第2基板間に介される液晶層と;
前記第1及び第2基板各々に定義される第1ないし第4サブ画素と;
前記第1ないし第3サブ画素に形成され、共通電極及び画素電極間の電界を歪曲するように、前記共通電極及び画素電極にそれぞれ形成される第1及び第2電界歪曲パターンと;
前記第4サブ画素に形成され、共通電極及び画素電極間の電界を歪曲するように、前記共通電極及び画素電極にそれぞれ形成される第3及び第4電界歪曲パターンを含み、
前記第1及び第2電界歪曲パターンは相互に平行であって、前記第1基板の長さ方向に対して第1角度を有し、
前記第3及び第4電界歪曲パターンは相互に平行であって、前記第1基板の長さ方向に対して前記第1角度とは異なる第2角度を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1及び第2電界歪曲パターンは、交互に配置されて、前記第3及び第4電界歪曲パターンは、交互に配置されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1ないし第4電界歪曲パターンは、誘電体物質で構成されたリブ状、又はスリット状のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1ないし第3サブ画素各々は、赤色R、緑色G、青色Bのいずれかを表示することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板上に、前記第1基板の長さ方向に形成される多数のゲート配線と;
前記ゲート配線と交差して前記第1ないし第4サブ画素を定義する多数のデータ配線と;
前記多数のゲート配線及び前記多数のデータ配線に連結される多数の薄膜トランジスタとをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1及び第2電界歪曲パターンは、前記ゲート配線に対して傾いており、ジグザグ状であることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第3及び第4電界歪曲パターンは、前記ゲート配線に対して平行または垂直であることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第1ないし第4サブ画素は、マトリックス状またはストライプ状のいずれかの形態に配列されることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板の内面に、前記第1ないし第4サブ画素各々に形成されて、前記多数の薄膜トランジスタに連結される多数の画素電極と;
前記第2基板の内面に形成される共通電極をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。 - 前記第1及び第2基板上に定義される第5サブ画素と;
前記第1基板上に定義された前記第5サブ画素に形成される、共通電極及び画素電極間の電界を歪曲する第5電界歪曲パターンと;
前記第2基板上に定義された前記第5サブ画素に形成される、共通電極及び画素電極間の電界を歪曲する第6電界歪曲パターンをさらに含み、前記第5及び第6電界歪曲パターンは、相互に平行であって、前記第2角度に垂直であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1ないし第4サブ画素を含む第1単位画素と前記第1ないし第3及び第5サブ画素を含む第2単位画素が交互に配列されることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板の外部面に形成されて第1偏光軸を有する第1偏光板と;
前記第2基板の外部面に形成される第2偏光軸を有する第2偏光板をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1及び第2偏光軸は、相互に垂直であることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板の長さ方向は、前記第1及び第2偏光軸のいずれかと平行であることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。
- 前記第1ないし第3及び第5サブ画素は、マトリックス状またはストライプ状に配置されることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 相互に向かい合う第1及び第2基板と;
前記第1及び第2基板間に介される液晶層と;
第1ないし第3サブ画素と、前記第1ないし第3サブ画素に比べて制限された視野角を有する第4サブ画素を含み、前記第1及び第2基板に定義される多数の単位画素と;
前記第1基板上の前記第1ないし第4サブ画素の各々に配置され、電界歪曲パターンを有する画素電極と;
前記第2基板上の前記第1ないし第4サブ画素の各々に配置され、電界歪曲パターンを有する共通電極とを含み、
前記第1ないし第3サブ画素に形成された前記電界歪曲パターンは相互に平行であって、前記第1及び第2基板の長さ方向に対して第1角度を有し、
前記第4サブ画素に形成された前記電界歪曲パターンは相互に平行であって、前記第1及び第2基板の長さ方向に対して前記第1角度とは異なる第2角度を有することを特徴とする液晶表示装置。
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