JP4907731B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4907731B2 JP4907731B2 JP2010200817A JP2010200817A JP4907731B2 JP 4907731 B2 JP4907731 B2 JP 4907731B2 JP 2010200817 A JP2010200817 A JP 2010200817A JP 2010200817 A JP2010200817 A JP 2010200817A JP 4907731 B2 JP4907731 B2 JP 4907731B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- nitride semiconductor
- contact portion
- layer
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 418
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 269
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 61
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 206010057362 Underdose Diseases 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 398
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態について図面を参照しながら説明する。
ここで、各コンタクト部14bの底部に設ける周期パターンの形成方法の第1変形例を説明する。
さらに、第2変形例として、レジスト膜60を用いずに、第2の窒化物半導体層14のコンタクト部形成領域に対してアルゴン(Ar)等のイオンビームを直接に照射することにより、第2の窒化物半導体層14のコンタクト部14bに断面凹凸状で且つ縞状の周期パターンを形成してもよい。
以下、本発明の第3の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第4の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第5の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第6の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図12(b)は第6の実施形態の第1変形例に係るHFETの断面構成を示している。図12(b)に示すように、第1変形例に係るHFETは、断面凹状のコンタクト部23aにおける傾斜した底部の隅部がキャップ層である第3の窒化物半導体層23を貫通して第2の窒化物半導体層14の下部にまで到達するように設けられている。
図12(c)は第6の実施形態の第2変形例に係るHFETの断面構成を示している。図12(b)に示すように、第2変形例に係るHFETは、断面凹状のコンタクト部23aにおける傾斜した底部全体が第3の窒化物半導体層23の下側の第2の窒化物半導体層14に設けられている。
以下、本発明の第7の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第8の実施形態について図面を参照しながら説明する。
12 バッファ層
13 第1の窒化物半導体層
13a 2DEG層
13b コンタクト部(段差部)
14 第2の窒化物半導体層
14a コンタクト部
14b コンタクト部
14c ドープ領域
14d コンタクト部形成領域
15 ゲート電極
16 ソース電極(オーミック電極)
17 ドレイン電極(オーミック電極)
21 コンタクト部(第3の半導体層)
22 サイドウォール
23 第3の窒化物半導体層
23a コンタクト部
31 基板
32 バッファ層
33 n型クラッド層
34 活性層
35 p型クラッド層
36 p型コンタクト層
37 p側オーミック電極
38 n側オーミック電極
41 基板
42 第1のバッファ層
43 第2のバッファ層
44 サブコレクタ層
45 コレクタ層
46 ベース層
46a コンタクト部
47 エミッタ層
48 エミッタ電極
49 ベース電極
50 コレクタ電極
60 レジスト膜
Claims (16)
- 第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、該第1の窒化物半導体層の上部に2次元電子ガス層を生成する組成を有する第2の窒化物半導体層と、
前記第2の窒化物半導体層の上に選択的に形成されたオーミック電極とを備え、
前記第2の窒化物半導体層は、主面と、前記第1の窒化物半導体層の主面に対して傾斜した少なくとも1つの傾斜面を持つ断面凹状のコンタクト部とを有し、
前記オーミック電極は前記コンタクト部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記コンタクト部の底部は、前記2次元電子ガス層から上側の距離が1nm以上で且つ1μm以下となる位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記コンタクト部の底部には、断面凹凸状で且つ縞状のパターンが形成されており、前記パターンの周期は1nm〜1μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記オーミック電極は、前記コンタクト部の内面及び壁面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記コンタクト部を2つ有し、
前記2つのコンタクト部の間で且つ前記第2の窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極をさらに備え、
前記傾斜面は、前記ゲート電極に近づくにつれて浅くなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト部の断面形状はV字形であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、該第1の窒化物半導体層の上部に2次元電子ガス層を生成する組成を有する第2の窒化物半導体層と、
前記第2の窒化物半導体層の上に形成され、バンドギャップエネルギーが前記第2の窒化物半導体層よりも小さい第3の窒化物半導体層と、
前記第3の窒化物半導体層の上に選択的に形成されたオーミック電極とを備え、
前記第3の窒化物半導体層は、主面と、前記第2の窒化物半導体層の主面に対して傾斜した少なくとも1つの傾斜面を持つ断面凹状のコンタクト部を有し、
前記オーミック電極は前記コンタクト部に形成されており、
前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層の上面に対して傾斜した少なくとも1つの傾斜面を持つ断面凹状のコンタクト部を有していることを特徴とする半導体装置。 - 前記オーミック電極は、前記第2の窒化物半導体層及び前記第3の窒化物半導体層のコンタクト部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記コンタクト部を2つ有し、
前記2つのコンタクト部の間で且つ前記第3の窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極をさらに備え、
前記傾斜面は、前記ゲート電極に近づくにつれて浅くなっていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記オーミック電極は、チタン、ストロンチウム、アルミニウム、ニオビウム、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、クロム、タングステン、モリブデン、ロジウム、レニウム、コバルト及びランタンからなる群より選択される1つの金属層、又は前記群より選択される少なくとも2層からなる金属層、又は前記群より選択される少なくとも2つの金属を含む合金層、又は前記群より選択される少なくとも1つの金属と酸素、窒素若しくはホウ素とを含む導電性化合物により構成されていることを特徴とする請求項1〜9のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1の窒化物半導体層の一般式はAlxInyGa1−x−yN(但し、x,yは0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)であり、
前記第2の窒化物半導体層の一般式はAluInvGa1−u−vN(但し、u,vは0≦u≦1,0≦v≦1,0≦u+v≦1)であり、
前記第2の窒化物半導体層及び第1の窒化物半導体層の組成は、Al組成において組成uは組成xよりも大きく、且つIn組成において組成vは組成yよりも小さいことを特徴とする請求項1〜9のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1の窒化物半導体層の一般式はAlxInyGa1−x−yN(但し、x,yは0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)であり、
前記第2の窒化物半導体層の一般式はAluInvGa1−u−vN(但し、u,vは0≦u≦1,0≦v≦1,0≦u+v≦1)であり、
前記第3の窒化物半導体層の一般式はAllInmGa1−l−mN(但し、l,mは0≦l≦1,0≦m≦1,0≦l+m≦1)であり、
前記第2の窒化物半導体層及び第1の窒化物半導体層の組成は、Al組成において組成uは組成xよりも大きく、且つIn組成において組成vは組成yよりも小さく、
前記第3の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層の組成は、Al組成において組成lは組成uよりも小さいことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層の上部に2次元電子ガス層を生成する組成を有する第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第2の窒化物半導体層の上部に、前記第2の窒化物半導体層の主面に対して傾斜した少なくとも1つの傾斜面を持つ断面凹状のコンタクト部を選択的に形成する工程と、
前記コンタクト部にオーミック電極を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクト部を形成する工程は、
前記第2の窒化物半導体層の上にレジスト膜を成膜した後、干渉露光法を用いて前記レジスト膜のコンタクト部形成領域に対してアンダードーズで露光することにより、前記レジスト膜の前記コンタクト部形成領域に断面凹凸状で且つ縞状の周期パターンを形成する工程と、
前記周期パターンが形成された前記レジスト膜をマスクとして前記第2の窒化物半導体層に対してエッチングを行なうことにより、前記第2の窒化物半導体層の前記コンタクト部に前記周期パターンを転写する工程とを含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクト部を形成する工程は、
前記第2の窒化物半導体層の上にレジスト膜を成膜した後、電子ビーム露光法を用いて前記レジスト膜におけるコンタクト部形成領域に対して近接効果を生じるように露光することにより、前記レジスト膜の前記コンタクト部形成領域に断面凹凸状で且つ縞状の周期パターンを形成する工程と、
前記周期パターンが形成された前記レジスト膜をマスクとして前記第2の窒化物半導体層に対してエッチングを行なうことにより、前記第2の窒化物半導体層の前記コンタクト部に前記周期パターンを転写する工程とを含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクト部を形成する工程は、
前記第2の窒化物半導体層のコンタクト部形成領域に対してイオンビームを照射することにより、前記第2の窒化物半導体層の前記コンタクト部に断面凹凸状で且つ縞状の周期パターンを形成する工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010200817A JP4907731B2 (ja) | 2010-09-08 | 2010-09-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010200817A JP4907731B2 (ja) | 2010-09-08 | 2010-09-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003363121A Division JP2005129696A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011120163A Division JP2011228720A (ja) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023735A JP2011023735A (ja) | 2011-02-03 |
JP4907731B2 true JP4907731B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=43633480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010200817A Expired - Lifetime JP4907731B2 (ja) | 2010-09-08 | 2010-09-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4907731B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114566538B (zh) * | 2022-03-03 | 2023-07-07 | 上海陆芯电子科技有限公司 | 外延结构及半导体器件 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1098008A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Nippon Steel Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10209428A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000277724A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Nagoya Kogyo Univ | 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-09-08 JP JP2010200817A patent/JP4907731B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011023735A (ja) | 2011-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005129696A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6174874B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8350297B2 (en) | Compound semiconductor device and production method thereof | |
JP4746825B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
US8569797B2 (en) | Field effect transistor and method of manufacturing the same | |
US8896027B2 (en) | Nitride semiconductor diode | |
JP2007329350A (ja) | 半導体装置 | |
US7821030B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP5691138B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2009206123A (ja) | Hfetおよびその製造方法 | |
JP2011155221A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2011210751A (ja) | Iii族窒化物半導体素子、iii族窒化物半導体素子の製造方法、および電子装置 | |
JP2007059719A (ja) | 窒化物半導体 | |
JP5227078B2 (ja) | 半導体装置及びその作製方法並びに半導体装置応用システム | |
JP2013149732A (ja) | へテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2011228720A (ja) | 半導体装置 | |
CN110518067B (zh) | 基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用 | |
JP4907731B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6831312B2 (ja) | ダイオード | |
JP2006148015A (ja) | へテロ接合型のiii−v族化合物半導体装置とその製造方法 | |
JP3853341B2 (ja) | バイポーラトランジスタ | |
JP2015126034A (ja) | 電界効果型半導体素子 | |
JP5364760B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5648307B2 (ja) | 縦型AlGaN/GaN−HEMTおよびその製造方法 | |
JP5701805B2 (ja) | 窒化物半導体ショットキダイオードの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111213 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4907731 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |