JP4890911B2 - Qcmセンサ素子 - Google Patents

Qcmセンサ素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4890911B2
JP4890911B2 JP2006097254A JP2006097254A JP4890911B2 JP 4890911 B2 JP4890911 B2 JP 4890911B2 JP 2006097254 A JP2006097254 A JP 2006097254A JP 2006097254 A JP2006097254 A JP 2006097254A JP 4890911 B2 JP4890911 B2 JP 4890911B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor element
excitation electrode
qcm sensor
electrode
quartz substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006097254A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007271449A (ja
Inventor
雅子 高田
日出夫 鶯塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Crystal Device Corp
Original Assignee
Kyocera Crystal Device Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Crystal Device Corp filed Critical Kyocera Crystal Device Corp
Priority to JP2006097254A priority Critical patent/JP4890911B2/ja
Publication of JP2007271449A publication Critical patent/JP2007271449A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4890911B2 publication Critical patent/JP4890911B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

本発明は、液体又は気体状の試料中における、所望する特定物質の微少質量の測定に適したQCMセンサ素子に関する。
従来から気体或いは液体試料中に含まれる特定の物質の質量を測定する微少質量測定装置に使用される、水晶振動子を使用したQCM(QuartzCrystalMicrobalance)センサ素子を図及び図に示す。このQCMセンサ素子40には、人工水晶体より、所定のカットアングルで切り出され外形加工を施された水晶基板41を主構造材とする水晶振動板42が用いられている。この水晶振動板42は、大略的には水晶基板41と、水晶基板41の表裏主面上に形成された励振用電極43、及びこの表裏主面に形成した各々の励振用電極43から水晶基板41の辺縁部に延設された引出電極44により構成されている。
この励振用電極43及び引出電極44は、金属膜の積層構造になっており、各電極と水晶基板41との密着性を高めるため、各電極の下地材料としては、例えば、クロム(Cr)、ニッケルクロム(NiCr)、チタン(Ti)など、上地材料としては金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などが使用されている。
このような形態の水晶振動板42の一方の主面に形成した励振用電極43の上には、測定を所望する物質のみを吸着し質量を変化させる性質を有する特定物質吸着材45が直接形成されており、その水晶振動板42をセラミックス等の耐腐食性や絶縁性を有するセンサ素子容器46内に図4及び図5のように配置固着されている。このように水晶振動板42を配置固着した場合、センサ素子容器46外に露出する側の特定物質吸着材45が形成されている水晶振動板42主面は、測定対象物の気体又は液体試料に接触し、又、特定物質吸着材45が形成されていない側の水晶振動板42主面は、センサ素子容器46自体及びシリコン系の絶縁接合材48により気密に形成されたセンサ素子容器46内に形成した空間部47に露出している。
上述したQCMセンサ素子40を液体試料中に浸漬させた場合、QCMセンサ素子40を構成する水晶振動板42の一方の主面を液体試料と接触させない形態とすることにより、QCMセンサ素子40を液体試料に浸漬しても、水晶振動板42主面に形成した電極間の絶縁を保ちつつ、特定物質吸着材45への物質吸着による水晶振動板42の微細な振動周波数信号の変化を検出することが可能と成っている。
尚、上述したようなQCMセンサ素子に関しては、下記のような先行技術文献内に開示がある。
特開平6−18394号公報 特開平11−14525号公報
尚、出願人は前記した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を本件出願時までに発見するに至らなかった。
QCMセンサ素子を構成する水晶振動板の非露出側主面の電極を、測定対象の液体試料に接触しない状態に保つには、特殊な形態のセンサ容器を使用し、その容器内への液体進入を防止するために水晶振動板とセンサ素子容器の隙間をすべて接着材などで封止して塞がなければならない。一般的にはQCMセンサ素子の振動への影響を小さなものとするために、接着応力の小さいシリコン系の絶縁接着材が使用されることが多いが、このシリコン系の接着材を使用する場合において、QCMセンサ素子を組み立てる作業者の技能及び熟練度によっては、接着材の塗布量が個々のQCMセンサ素子で大きく異なってしまい、素子としての特性にバラツキを生じる虞がある。
また、このように水晶振動板とセンサ素子容器の隙間をすべて接着材などで封止して塞いでいるので、塗布位置によって接着材の形成形態にバラツキが生じやすく、水晶振動板をセンサ容器に所定の位置に正確に固定することも困難であり、いずれの場合も、接着材の塗布量又は形成形態のバラツキのために水晶振動板の振動特性にバラツキが生じ、因ってQCMセンサ素子としての検出の感度が個々に異なったものになる虞がある。また、個々のQCMセンサ素子についても僅かな接着材の応力歪によって、結果的にQCMセンサ素子の検出の感度を低下するおそれがあった。
更に、封止に使用する接着材を硬化させる際に、接着材から有機物などの副生成物が発生し、極めて微細な反応を検出するためのQCMセンサ素子の表面に、先の副生成物を付着させて質量検出に悪影響を及ぼしてしまうおそれもある。一例をあげれば、シリコン系の接着材を水晶振動板とセンサ容器との隙間の封止に使用した場合、副生成物として低分子シロキサンが発生し水晶振動板の主面に形成した電極表面に付着するおそれがある。一度この低分子シロキサンが電極表面に付着すると、QCMセンサ素子の検出感度を著しく減少させる可能性がある。
また、上述したような形態のQCMセンサ素子を有機系溶媒の試料液体中へ浸漬させた場合、例えば、シリコン系接着材がQCMセンサ素子の構成材として使用されていると、そのシリコン系接着材が有機系溶媒に触れた場合、接触した部分のシリコン系接着材の質量及び体積ともに約3〜4倍と膨潤し、その形態変化の影響が水晶振動板を含むQCMセンサ素子に応力として加わり、QCMセンサ素子としての検出感度を著しく減少させる、又は検出結果に大きな誤差を生じさせてしまうおそれがあった。
本発明は、以上のような技術的背景のもとで成されたものであり、その目的は特殊な形態のセンサ容器や、封止のための接着材を使用しないことにより、より液体試料中での測定に適した、製造が容易で且つ測定が正確なQCMセンサ素子を提供することである。
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、水晶基板の表裏主面に励振用電極を形成し、該励振用電極上に測定を所望する物質のみが付着し質量が変化する性質を有する特定物質吸着材が形成されている水晶振動子により構成されるQCMセンサ素子において、該水晶基板が平板状に形成されており、該水晶基板の表裏主面の各々の該励振用電極から各該励振用電極が形成された該水晶基板の同一主面上の端部を介し各該励振用電極が形成された主面に対向する主面の縁部まで引出電極が延設され、該励振用電極表面と、該引出電極の該励振用電極接続部付近の表面と、該励振用電極の周囲にある該水晶基板の表裏主面とに、防水性且つ絶縁性の保護膜が形成されており、所望する物質のみが付着し質量が変化する性質を有し、該水晶基板の表裏主面に形成されている該励振用電極と同じ外周形状で該保護膜の上に各々該励振用電極と相対に特定物質吸着材が形成されていることを特徴とするQCMセンサ素子である。
本発明のQCMセンサ素子によれば、QCMセンサ素子の構成部材としてセンサ用容器を使用することがなく、因って水晶振動板とセンサ容器との隙間の封止固着に接着材を用いないために、接着材の副生成物のQCMセンサ素子への付着等接着材使用に伴う検出感度を減少等様々な不具合の発生を無くし、取り扱いの容易な、著しく信頼性の高いQCMセンサ素子を得ることが出来る。
また、本発明のような形態のQCMセンサ素子では、既存の薄膜形成技術により電極を始め保護膜及び特定物質吸着材を形成でき、又、水晶振動板を構成する水晶基板も、従来の集合基板からフォトリソグラフィ法及びエッチングにより複数個の水晶基板又は水晶振動板を形成する方法を用いることが可能であるため、QCMセンサ素子を従来のものに比べて、安価に且つ大量に形成できる。
因って、本発明によれば、液体或いは気体試料中の特定物質の質量を感度良く且つ正確に測定することができ、更に簡易、安価且つ大量に形成可能なQCMセンサ素子を提供できる効果を奏する。
以下に図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
図1は本発明に係るQCMセンサ素子の一実施形態を示した外観斜視図である。図2は、図1記載の仮想切断線A1−A2で切断した場合の概略断面図である。図3は、本発明に係るQCMセンサ素子の他の実施形態を示した外観斜視図である。図4は、本発明に係るQCMセンサ素子を使用する形態を示した構成概略図である。尚、各図においての同一の符号は同じ対象を示すものとする。尚、各図では、説明を明りょうにするため構成体の一部を図示せず、また寸法も一部誇張して図示している。特に各構成部材の厚み寸法は誇張して図示している。
即ち、図1及び図2に開示のQCMセンサ素子10は、人工水晶結晶体よりATカットアングルで切り出した水晶板に外形加工を施して形成した、平板矩形状の外形を有する水晶基板11の表裏主面の概略中央部には、水晶基板11の表裏主面間で対向する形態であり且つ外形形状が概略四角形状の励振用電極12が形成されている。この励振用電極12及び後述する引出電極14は、金属膜の積層構造になっており、各電極と水晶基板11との密着性を高めるため、各電極の下地材料としては、例えば、クロム(Cr)、ニッケルクロム(NiCr)、チタン(Ti)など、上地材料としては金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などが使用されている。
この水晶基板11の表裏主面各々の励振用電極12から、各々の励振用電極12が形成された水晶基板11の同一主面上を、水晶基板11の第1の辺13a方向に延設され、水晶基板11の第1の辺13の側面上を介して延設した主面に対向する反対側の主面の辺縁部に至る引出電極14が形成されている。この引出電極14はQCMセンサ素子10が外部の機器回路類(例えば発振回路など)と電気的に接続するための接続端子として機能している。尚、この引出電極14は前述した励振用電極12と同一材且つ同積層構造であり、更に励振用電極12と同時に蒸着法,スパッタリング法又はフォトリソグラフィ法等の既存の形成法により、水晶基板11の表面に形成されている。
この励振用電極12及び引出電極14が表面に形成された水晶基板11の少なくとも励振用電極12表面と、引出電極14の励振用電極12接続部付近の表面と、励振用電極12の周囲にある水晶基板11の表裏主面とに、防水性且つ絶縁性を有する保護膜15が形成されている。この保護膜15はQCMセンサ素子10の一部を気体中又は液体試料中に配置した際に、水晶基板11表面に不導通形態で形成した励振用電極12や引出電極14間が、気体中又は液体試料中の導通物質により導通してしまうことを防止している。保護膜15の材質としてはSiO2が用いられ、スパッタリング法又はCVD法により形成されている。
更に、この励振用電極12の上の保護膜15上に所望する物質のみが付着し質量が変化する性質を有する特定物質吸着材16が形成されている。この特定物質吸着材16は、測定者が検出を所望する物質により、その構成材質を様々に換えることができ、例えば、金、アルミニウム等が使用されている。又、その製法としては、蒸着法又はスパッタリング法が用いられている。尚、図2に図示した特定物質吸着材16は、励振用電極12と同じ外周形状で保護膜15上に励振用電極12と相対に形成されている。このような形態にすることで可能な限り広面積に形成した特定物質吸着材16表面のどの部分に生じた微細な質量変化でも、励振電極12を介して振動周波数の変化に反映できる。
このように水晶基板11の表裏主面上に、励振用電極12,引出電極14,保護膜15及び特定物質吸着材16をそれぞれ形成した構造のQCMセンサ素子10を成すことにより、QCMセンサ素子10自体が従来のセンサ素子容器の機能も兼ねているので、センサ素子容器が不用となり、QCMセンサ素子として構造の簡素化、それに伴う製造方法の簡易化が可能となる。又、保護膜15の材質としてSiOを使用することで、水晶基板11と保護膜15との熱膨張率を同じものとでき、QCMセンサ素子の加わる温度によってQCMセンサ素子自体に歪みが生じにくく、QCMセンサ素子としての振動周波数が安定する。更に、本発明のQCMセンサ素子では、表裏両主面に特定物質吸着材16を形成しているので、従来の片面のみに特定物質吸着材を形成したQCMセンサ素子に比べて、特定物質検出感度を高くすることが可能となる。
又、図3には、本発明に係るQCMセンサ素子の他の実施形態を示す。図3に開示のQCMセンサ素子30は、人工水晶結晶体よりATカットアングルで切り出した水晶板に外形加工を施して形成した、第1の辺33に対向する第2の辺37の側面形状を、水晶基板31の外側に向かって凸となる曲面形状(図3では半円形状)とする水晶基板31の表裏主面の概略中央部には、水晶基板31の表裏主面間で対向する形態であり且つ外形形状が概略円形の励振用電極(不図示)が形成されている。この励振用電極及び後述する引出電極14は、金属膜の積層構造になっており、各電極と水晶基板11との密着性を高めるため、各電極の下地材料としては、例えば、クロム(Cr)、ニッケルクロム(NiCr)、チタン(Ti)など、上地材料としては金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などが使用されている。
この水晶基板31の表裏主面各々の励振用電極から、各々の励振用電極が形成された水晶基板31の同一主面上を、水晶基板11の第1の辺33方向に延設され、水晶基板31の第1の辺33の側面上を介して延設した主面に対向する反対側の主面の辺縁部に至る引出電極14が形成されている。この引出電極14はQCMセンサ素子30が外部の機器回路類(例えば発振回路など)と電気的に接続するための接続端子として機能している。尚、この引出電極14は前述した励振用電極と同一材且つ同積層構造であり、更に励振用電極と同時に蒸着法,スパッタリング法又はフォトリソグラフィ法等の既存の形成法により、水晶基板31の表面に形成されている。
この励振用電極及び引出電極14が表面に形成された水晶基板31の少なくとも励振用電極表面と、引出電極14の励振用電極12接続部付近の表面と、励振用電極12の周囲にある水晶基板31の表裏主面とに、防水性且つ絶縁性を有する保護膜35が形成されている。この保護膜35はQCMセンサ素子30の一部を気体中又は液体試料中に配置した際に、水晶基板31表面に不導通形態で形成した励振用電極や引出電極14間が、気体中又は液体試料中の導通物質により導通してしまうことを防止している。保護膜35の材質としてはSiO2が用いられ、スパッタリング法又はCVD法により形成されている。
更に、この励振用電極の上の保護膜35上に所望する物質のみが付着し質量が変化する性質を有する特定物質吸着材36が形成されている。この特定物質吸着材36は、測定者が検出を所望する物質により、その構成材質を様々に換えることができ、例えば、金、アルミニウム等が使用されている。又、その製法としては、蒸着法又はスパッタリング法が用いられている。尚、図3に図示した特定物質吸着材36は、励振用電極と同じ外周形状で保護膜35上に励振用電極の主面に垂直方向の中心線を主面の垂直方向の中心線とする形態で形成されている。このような形態にすることで可能な限り広面積に形成した特定物質吸着材36表面のどの部分に生じた微細な質量変化でも、励振用電極を介して振動周波数の変化に反映できる。
図4は、本発明のQCMセンサ素子を使用した特定物質検出形態を示した構成概略図である。容器38内に入れた溶液39中に実施例1で開示したQCMセンサ素子10を、引出電極14が形成されていない短辺側から、特定物質吸着材16のすべてと保護膜15の大半部分まで浸漬し(引出電極14は溶液中に浸漬していない)、QCMセンサ素子10に接続した発振回路によりQCMセンサ素子10を持続的に励振させつつ、周波数カウンタにてQCMセンサ素子10の振動周波数の変化を検出し、その周波数データはPC等に記録され解析される。
又、このようなQCMセンサ素子を形成する方法としては、フォトリソグラフィ法及びエッチングにより、複数個の水晶基板11をマトリックス状に配列形成した集合基板を用いて、集合基板内の複数個の水晶基板11上に同時に励振用電極12と引出電極14,保護膜15及び特定物質吸着材16を各々形成する方法を用いる。本製法により、同一の品質のQCMセンサ素子を簡易に且つ大量に製造することが可能となる。
尚、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上記実施例において保護膜15は水晶基板11の表裏主面上のみに形成したものを開示したが、水晶基板11の振動を検出上阻害しないのであれば、水晶基板11の側面の内、引出電極が形成されていない側面にも保護膜を形成し、表裏主面上の保護膜と一体形成とすることにより、更に防水性を高めた形態のQCMセンサ素子であっても良い。
図1は、本発明に係るQCMセンサ素子の一実施形態を示した外観斜視図である。 図2は、図1のQCMセンサ素子を同図記載の仮想切断線A1−A2で切断した場合の概略断面図である。 図3は、本発明に係るQCMセンサ素子の他の実施形態を示した外観斜視図である。 図4は、本発明に係るQCMセンサ素子を使用する形態を示した構成概略図である。 図5は、従来のQCMセンサ素子の一実施形態を示した部分分解斜視図である。 図6は、図4のQCMセンサ素子を組立後、同図記載の仮想切断線B1−B2で切断した場合の概略断面図である。
符号の説明
10,30・・・QCMセンサ素子
11,31・・・水晶基板
12・・・励振用電極
13,33・・・第1の辺
14・・・引出電極
15,35・・・保護膜
16,36・・・特定物質吸着材

Claims (1)

  1. 水晶基板の表裏主面に励振用電極を形成し、該励振用電極上に測定を所望する物質のみが付着し質量が変化する性質を有する特定物質吸着材が形成されている水晶振動子により構成されるQCMセンサ素子において、
    該水晶基板が平板状に形成されており、
    該水晶基板の表裏主面の各々の該励振用電極から各該励振用電極が形成された該水晶基板の同一主面上の端部を介し各該励振用電極が形成された主面に対向する主面の縁部まで引出電極が延設され、
    該励振用電極表面と、該引出電極の該励振用電極接続部付近の表面と、該励振用電極の周囲にある該水晶基板の表裏主面とに、防水性且つ絶縁性の保護膜が形成されており、
    所望する物質のみが付着し質量が変化する性質を有し、該水晶基板の表裏主面に形成されている該励振用電極と同じ外周形状で該保護膜の上に各々該励振用電極と相対に特定物質吸着材が形成されている
    ことを特徴とするQCMセンサ素子。
JP2006097254A 2006-03-31 2006-03-31 Qcmセンサ素子 Expired - Fee Related JP4890911B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006097254A JP4890911B2 (ja) 2006-03-31 2006-03-31 Qcmセンサ素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006097254A JP4890911B2 (ja) 2006-03-31 2006-03-31 Qcmセンサ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007271449A JP2007271449A (ja) 2007-10-18
JP4890911B2 true JP4890911B2 (ja) 2012-03-07

Family

ID=38674401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006097254A Expired - Fee Related JP4890911B2 (ja) 2006-03-31 2006-03-31 Qcmセンサ素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4890911B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5317650B2 (ja) * 2008-11-28 2013-10-16 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 プラント構成部材の表面へのフェライト皮膜の形成方法及びフェライト皮膜形成装置
JP4737726B2 (ja) 2009-05-01 2011-08-03 セイコーエプソン株式会社 振動子、振動子アレイ、及び電子機器
JP5435243B2 (ja) * 2011-02-14 2014-03-05 セイコーエプソン株式会社 振動子及び電子機器
JP6502528B2 (ja) * 2015-09-22 2019-04-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 発振水晶のための拡散バリア、堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法
KR101834088B1 (ko) * 2016-10-12 2018-03-05 한국표준과학연구원 습도 측정 센서, 고층 기상 관측 시스템과 이를 이용한 고층 습도 측정 방법
WO2023145434A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 太陽誘電株式会社 検出装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS577538A (en) * 1980-06-18 1982-01-14 Agency Of Ind Science & Technol Piezo-electric humidity sensor
JPS5720657A (en) * 1980-07-14 1982-02-03 Toyota Motor Corp Preparation of element sintered body oxygen sensor
JP3146069B2 (ja) * 1992-07-01 2001-03-12 忠正 芥川 濃度センサー
JPH06123689A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Omron Corp 匂い物質測定用センサ
JPH1114525A (ja) * 1997-06-19 1999-01-22 Showa Crystal:Kk 圧電素子保持構造
JP3628227B2 (ja) * 1999-04-27 2005-03-09 三菱電機株式会社 ガス検出装置およびその感応膜材料とその成膜方法
JP2004177258A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Kanagawa Prefecture 検出センサー
JP2005043123A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Seiko Epson Corp 液滴重量測定装置および液滴吐出装置
JP2005189213A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Alps Electric Co Ltd 水素センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007271449A (ja) 2007-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4890911B2 (ja) Qcmセンサ素子
US6389877B1 (en) Double-headed mass sensor and mass detection method
US6457361B1 (en) Mass sensor and mass sensing method
US7148611B1 (en) Multiple function bulk acoustic wave liquid property sensor
US9134276B2 (en) Bulk acoustic wave resonator sensor
JP3717696B2 (ja) Qcmセンサデバイス
JP2000180250A (ja) 質量センサ及び質量検出方法
KR100889044B1 (ko) 표면탄성파 센서
JP2007010378A (ja) 弾性表面波素子及びその製造方法、弾性表面波センサ、並びに弾性表面波センサシステム
JP4994058B2 (ja) 圧力測定装置および圧力測定方法
JP2014182086A (ja) 温度センサ
CN112114005A (zh) 氢传感器及其生产方法、测量装置、和氢浓度的测量方法
JP4796825B2 (ja) 微少質量測定用センサ
JP2005274578A (ja) Qcmセンサデバイス
US20110133599A1 (en) Surface acoustic wave sensor
JP2006208028A (ja) 温度センサー及び温度の測定方法
JP4781784B2 (ja) 微少質量測定用センサの構造
JP4847807B2 (ja) Qcmセンサ
JP5912216B2 (ja) センサ
JP4693437B2 (ja) 微少質量測定用センサー及びその製造方法
CN115950546A (zh) 双通道谐振式温湿度传感器芯片、传感系统及加工方法
JP2007093553A (ja) 微少質量測定用センサ
WO2015059595A1 (en) A sensor element comprising a constraining layer
JPH09229896A (ja) イオン濃度測定装置
JP2005077232A (ja) 質量センサおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090326

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110411

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111206

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111215

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4890911

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees