JP4890906B2 - 電荷付与装置、およびそれを用いた画像形成装置 - Google Patents
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Description
さらに、窒素酸化物は放電後も空気中に分解されずにその場に留まっているため、窒素酸化物から生成された化合物の感光体表面への付着は、帯電を行っていないとき、すなわち、プロセスの休止期間中にも生じる。そして、この化合物は、時間が経過するにつれて、感光体の表面から内部に浸透し、感光体の劣化の一因となっている。
感光体表面の付着物は、クリーニング時に感光体を少しずつ削りとることで除去するといった方法が取られている。しかしながら、コスト上昇や経時による劣化問題が起こり、本質的な解決策とはなっていない。
また、近年広く使用されている近接ローラ帯電方式では、感光体近傍に保持した帯電部材(帯電ローラ)と感光体との間に、直流あるいは交流のバイアスを印加し、両者間の空隙で放電を生じさせ、感光体を帯電させるものである。この方式では、パッシェンの放電則に則った帯電現象を利用しており、所望の帯電電位に対し放電開始電圧分だけ大きい電位差を形成する事で、望みの帯電電位を得ている。交流バイアス印加の場合、近接帯電部材と感光体との間で電界の向きが時間とともに交互となり、放電、逆放電が繰り返される。交流バイアス方式では、放電、逆放電によって、電界が平均化され均一な帯電が得られる利点があるが、放電による感光体へのハザードが非常に大きくなっている。
ところで、帯電部材を感光体に接触させて感光体を帯電させる接触帯電装置が提案、実用化されている。例えば、ローラ状の帯電部材を感光体上に接触従動させて感光体の帯電を行うものが知られている。この接触帯電方式は、従来用いられているコロナ帯電方式に比べて、オゾンの発生量、直流電圧印加時の60分帯電後のオゾン発生量は0.01ppmと、コロナ帯電方式に比較すると少なく、また印加電圧が低いため電源のコストが小さくなる、電気絶縁の設計が行ないやすい等の利点を有している。もちろん、上記のオゾン、NOxなどによる不具合も低減する。
しかしながら、交流電圧を印加すると、帯電部材と感光体との間で電界の向きが時間と伴に交互となり、放電、逆放電が繰り返され、放電、逆放電によって、電界が平均化されより均一な帯電が得られる利点があるが、電流量がふえるため、オゾン、窒素酸化物の発生量も電流量が増えるに従って多くなり、交流印加条件によっては60分帯電後にコロナ帯電方式に近い3ppmものオゾンが発生することもある。
また、一方で別の試みとして例えば、電圧を印加した前記導電性部材を感光体に接触させ、感光体表面にあるトラップ準位に電荷を注入して接触注入帯電を行なう方法(例えば、特許文献4 参照。)を挙げることができる。これらの方法における導電性部材としては、接触/離間状態や形状の制御のしやすさといった観点から、ローラ形状の導電性部材(帯電ローラ)が汎用的に使用される。
さらに、ゴムはその弾性を発揮させるためや劣化防止のため数種の可塑剤や活性剤を必要としており、導電性顔料を分散させるためには分散補助剤を用いることも少なくない。つまり、感光体の表面はポリカーボネートやアクリルといった非晶性樹脂であるため、上述の可塑剤や活性剤および分散補助剤に対し非常に弱い。
また、接触帯電方式では帯電部材と感光体との間に異物を巻き込み、帯電部材が汚染されて帯電不良が発生する、直接感光体にローラが触れているために長期保存した場合に感光体が汚染され、そのために横スジ等の画像不良を生じることがある。
電子放出源としてのカーボンナノチューブの応用として、画像形成装置における電荷付与部材として使用する技術は、いくつかの出願で開示されている(例えば、特許文献5 参照。)。この文献では、カーボンナノチューブ先端部分の構成要素を規定しカーボンナノチューブの耐久性を向上させると共に、帯電器として非接触、接触で使用可能である事が示されている。電子放出源として像担持体を帯電させる出願もある(例えば、特許文献6 参照。)。この出願では、平行平板でのパッシェン放電に着目し、帯電器表面と被帯電体との間の電界強度を規定している。
しかしながらカーボンナノ材料は有機物であるため、電子写真方式で使用される様な大気中での電子放出では放出された電子よって励起された酸素原子によってカーボンナノ材料そのものが酸化され、燃焼により分解されてしまい、構造的に非常に弱く所望の寿命を達成できないという問題点がある。
また、電子放出により発生したイオンを介して対極表面へ電荷が付与されるが、連続使用すると画像記録装置内に存在するトナーや紙粉などが、電子放出面に付着する。このため、電子の放出効率の低下により対極表面の帯電ムラが発生し、画像濃度ムラの異常画像が発生する。本発明はこれを防止し安定した画像を提供することを目的とする。
請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の電荷付与装置において、前記電子放出部材はSP3結合性材料を用いて構成したことを特徴とする。
請求項3に記載の発明では、請求項2に記載の電荷付与装置において、前記SP3結合性材料はSP3結合性窒化ホウ素であることを特徴とする。
請求項4に記載の発明では、請求項3に記載の電荷付与装置において、前記SP3結合性窒化ホウ素は、5H型、または6H型結晶を主な結晶形態として含むことを特徴とする。
請求項6に記載の発明では、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の電荷付与装置を用いた画像形成装置を特徴とする。
請求項7に記載の発明では、請求項6に記載の画像形成装置において、非画像形成時に印加電圧を前記電圧Vsにすることを特徴とする。
請求項8に記載の発明では、請求項7に記載の画像形成装置において、所定の累積時間経過ごとに、印加電圧を前記電圧Vsにすることを特徴とする。
請求項9に記載の発明では、請求項7に記載の画像形成装置において、所定の画像形成枚数経過ごとに、印加電圧を前記電圧Vsにすることを特徴とする。
また、パッシェン則より低電位でイオンを生成できるので、空気分子の電離によるNOxやオゾンを低減できる。被電荷付与面の劣化を防止し、安定した電荷を付与できる。
その他の効果は詳細な説明の中で説明する。
同図において符号1は感光体ドラム、2は帯電装置、4は書き込み光、5は現像装置、6は搬送ベルト、7は転写装置、8はクリーニング工程、9は除電装置、10は定着装置
をそれぞれ示す。
導電性基体と感光体層とから構成される感光体ドラム1と対向する位置に、帯電装置2を配置する。帯電装置2と感光体ドラム1表面との距離を1mmとし、上述した帯電装置2に電圧を印加して生成された負イオンは感光体ドラム1上に付着し、感光体ドラム1を帯電する。帯電後の感光体ドラム1は200mm/secで回転し、図示しない書込み装置からの書き込み光4により静電潜像が形成される。その後、現像装置5により潜像がトナーなどの現像剤で現像され可視像となり、感光体ドラム1上に形成されたトナー像は次に転写装置7により記録紙などの転写材に転写される。トナー像が転写された後、感光体ドラム1上には微量の転写残トナーが残るが、次のクリーニング工程8によりクリーニングされ、次に感光体ドラム1は必要に応じて除電装置9により除電され、再び帯電装置2により帯電されて画像形成プロセスを繰り返し行なう。
あるいは、クリーニング工程のない、クリーナレスプロセスを行い、転写残トナーを現像装置により回収するようにしてもよい。
同図において符号101は導電性基体、102は感光体層、110、111は電源、201は支持部材、202は電極、203は電子放出部材からなる電子放出層、204はケース、205は対向電極としてのグリッドをそれぞれ示す。
電子放出部は、支持部材201上に電極202、電子放出層203の薄膜あるいは粉体を分散して電子放出素子を順次固定化し形成され、対向電極205と対向している。電極は厚さ0.1nm〜10μmの範囲であればよく、今回は100nm程度とした。電子放出層203の下部の電極202の材料はNi、Cr、Au、Cu、W、Pt、Al、Fe、Mo、Ti、Ag、Mn、Zr、Co、Pb、Ru、Taなど、いかなる金属材料でも構わない。今回は生産性、耐熱性などの面で優れているCrを利用した。
その電子放出部を囲う絶縁性のケース204を配置し、その一面には対向電極205としてステンレス製のグリッド(以下グリッド205と言う)を配置し、感光体ドラム1に対向している。グリッド205には電源111を接続する。グリッド205としては従来からスコロトロン帯電方式で用いているハニカム構造のステンレス板を用いたが、電子が通過する構造の導電性膜や穴のあいた導電性板状部材を使用しても良い。
本発明の画像形成装置は、電子放出素子を帯電装置として用いた画像形成装置であって、電子放出素子から電子放出させて像担持体表面を帯電させることを特徴とする。
電子放出層203は、電子放出材料の中でも特に特性に優れるSP3結合性BNの膜を形成している。この材料は本発明者らが優れた電子放出特性を示す材料を探索中に、特定の条件下で製作した窒化ホウ素の中には、これを膜状に生成した場合、電界電子放出特性に優れた表面形状を呈してなるものが生成できることを見出した。SP3結合性BNについて詳細な説明は後述する。
図4は実験結果の電圧電流特性を示す図である。
このような電子放出素子を用いた帯電装置で、その帯電性能を測定したところ以下のことが分かった。
対向電極として感光体ドラム1そのものを用い、前述した電子放出部の支持部材201、電極202、電子放出層203のみを用いて、電極202への印加電圧と素子電流の関係を測定した。ここでは放電間隔(距離)を50μmとし、他の構成は図1と同様であるが、帯電動作のみとした。
電子放出部を作成した直後では、図4の実線に示すように、得られた電流はある所定の電圧値を超えると急激に電流が増加した。その後再度、測定したところ点線に示すように同様な測定値ではなく、低電圧下でも電圧印加初期よりも大きい値を示した。その後の測定においては点線と同様な値を示しV−I特性は安定した。
これは、放電開始初期には電子放出部の電極である導電基板から電子放出層である薄膜への電気的な導通パスが未熟で高電圧を印加し、対極との間に発生した電界強度が大きくなることで導通部が安定したと考えられる。
同図において縦軸は電流(I)、および電圧(V)を示す。横軸は時間(T)を示す。
線図の内、実線は電流値、太い点線は電圧値をそれぞれ示す。
同図において符号I0は目標電流値、I1は低下電流値、V0は所定の電圧値、V1は高電圧値をそれぞれ示す。
前記構成と同様で所定の電圧V0を印加した時の素子電流Iの経時変化を測定した。連続して電圧を印加すると時間T1で素子電流はI0からI1に低下した。しかし、そのとき高電圧V1を一時的に印加すると、電圧を定常状態V0に戻しても電流は元の値I0に増加することを確認した。さらに時間が経過すると同様に電流値が下がったが、時間T2で高電圧V1を一時的に印加したところ、同様な変化が生じた。上記電流増加(回復)への効果が大きく得られた電圧はパッシェン則の放電開始近傍の電圧であった。
この原因は不明だが、電子放出素子表面に大気中の阻害物質が付着しその電子の放出能力を低下させ、高電圧を印加することで電界強度が大きくなり高エネルギーな電子により剥離(溶射)される現象が発生したと考えられる。
同図において符号11は帯電量測定手段を示す。
図7は帯電装置を制御する手段の構成を示すブロック図である。
同図において符号12は制御手段、13は印加時間計測手段をそれぞれ示す。
感光体ドラム1の回転方向で帯電装置2の下流側に感光体ドラム1表面の電荷を測定する帯電量測定手段11を備えている。その他の構成は図1と同様なので省略する。帯電装置2の制御手段12を画像形成装置本体に備えている。帯電装置2への通電量とタイミングを制御している。制御手段12には帯電装置2へ通電する時間を計測する印加時間計測手段13が接続され、上記帯電量測定手段11からも信号が入力される。
感光体ドラム1に帯電を行う前、すなわち電圧投入初期の場合は通常の画像形成時に印加する電圧Vtより大きい電圧Vsを所定の時間通電する処理を行う。電圧Vsは必要に応じ複数レベル用意して、例えば、湿度などの環境条件によってレベルを選択できるようにしておくとよい。
また、画像形成動作を行い、印加時間計測手段13から入力された帯電装置2へ通電した累積時間に相当する信号により、累積通電時間がTtを超えた場合も、その都度、通常の画像形成時に印加する電圧Vtより大きい電圧Vsを一時的に所定の時間通電する処理を行う。この場合、非画像形成時に処理すれば、利用者への影響を少なくすることができる。なお、Vtは公称値であって、実際に印加する場合は、帯電量測定手段11からのフィードバックによって微妙に制御される値である。
その後、通常の画像形成動作で感光体ドラム1表面の電位が所定の電位になるよう、予め制御手段12に記録された電圧Vtを通電し、そのときの帯電量測定手段11から信号による感光体ドラム1の帯電量が適正になるよう電圧Vtが制御され、累積時間はリセットされる。
高電圧Vsの値はその構成で適宜選択されるが、より高い電圧を印加した場合の感光体1表面等の劣化を考慮し、ここではパッシェン則の放電開始電圧としている。
制御手段に画像形成の記録枚数P1を計測する手段を有し、記録枚数P1が所定の枚数を超えた場合に、通常の画像形成時に印加する電圧Vtより大きい電圧Vsを一時的に所定の時間通電する処理を行う。この場合も上記と同様に、非画像形成時に行うのがよい。その後は上述した制御と同様に通常記録の電圧Vtを決定する。記録枚数P1もリセットする。
電子放出部の劣化が少ないことを利用して、非画像形成時に常に電圧Vsを所定時間通電するようにしてもよい。
ここでは電子放出部へ印加する電圧を記録動作時に感光体ドラム1表面を所定の電位にするために印加する電圧より、高い電圧としたが、その目的は電界強度を大きくすることである。電界強度を大きくすることで電界中の電子放出素子の効率を向上させる効果を狙ったものである。
同図において符号201は電子放出部の支持部材、202は電極、203は電子放出層、210は第2の対向電極をそれぞれ示す。
帯電装置2としての電子放出部の支持部材201、電極202、電子放出層203を積層し、電子放出層203面を感光体ドラム1へ所定の距離で対向配置している。この帯電装置2は感光体ドラム1の中心軸と鉛直方向に移動可能に不図示の支持部材により配置している。帯電装置2の移動方向には、第2の対向電極210が感光体ドラム1と電子放出層203の距離より狭い配置になるよう固定し構成している。第2の対向電極210は導電性部材で構成されている。
通常の画像記録動作時は、帯電装置2は感光体ドラム1と対向する位置Aで動作し、図5で示した一時的に高電圧を印加したい場合、すなわち高電界強度の処理を行なう場合は、高電界が感光体ドラム1に影響を与えないように、第2電極210に対向する位置Bへ帯電装置2を移動する。ここでは高電界強度を得るために前述した高電圧を印加することなく、通常記録動作時の電圧を帯電装置2へ印加する。電子放出層203と第2電極210の距離が近いので高い電界強度が得られ、同等のリフレッシュ効果が得られる。
本発明の構成に限定するものではなく、電界強度を画像形成時より大きくする他の構成
であってもその効果が得られるものであればなんら問題ない。
先に述べたSP3結合性BN(Sp3−bonded 5H−BN、6H−BN)は、特に空気中における電子放出特性にも優れる好ましい材料である。SP3結合性BN膜は電界電子放出特性に優れた表面形状、すなわち、先端の尖った状態を呈した形状が自己造形的に形成されてなる特異な構成を有したSP3結合性窒化ホウ素膜体が作製できる。これによって、電界電子放出閾値が低く、電流密度の高い、また、電子放出寿命の長い極めて良好な、まさに電界電子放出材料として理想的な新規材料を、特段の加工手段、加工プロセスによることなく作製できる。
この材料が、電界電子放出特性に優れた表面形状が気相からの反応によって自己造形的に形成されるためには、紫外光の照射が必要である。このことは、後述の材料生成の詳細な条件で明らかにするが、その理由については現段階では必ずしも定かではない。しかし、次のように考えることができる。
以下にこの材料の生成方法についてより詳細に説明する。
同図において符号45は反応容器(反応炉)、46はガス導入口、47はガス流出口、48は光学窓、49はプラズマトーチ、50は基板、51はエキシマ紫外レーザ光、52はプラズマをそれぞれ示す。
同図に示す構造のCVD反応容器は、本発明の電子放出素子を用いた電子源基板および該基板を用いた画像表示装置に好適に使用される電子放出特性の優れたSP3結合性BNを得る気相反応を実施するのに使用されたものである。
反応容器45は、反応ガス及びその希釈ガスを導入するためのガス導入口46と、導入された反応ガス等を容器外へ排気するためのガス流出口47とを備え、真空ポンプに接続され、大気圧以下に減圧維持されている。容器内のガスの流路には窒化ホウ素が析出する基板50が設定され、その窒化ホウ素が析出する基板50に面した反応容器の壁体の一部には光学窓48が取り付けられ、この窓を介して基板50にエキシマ紫外レーザー光51が照射される。
その場合の反応容器45内の圧力は、0.001〜760Torrの広い範囲において実施可能である。また、反応空間に設置された基板50の温度は、室温〜1300℃の広い範囲で実施可能であるが、目的とする反応生成物をより高純度で得るためには、圧力は低く、また高温度で実施した方が好ましい。
以下にさらに具体的な条件に基づいて説明する。ただし、以下に開示する条件は、あくまでも本発明に好適に適用されるSP3結合性BNを理解するための一助として開示するものであって、この条件のみによって本発明が限定されるものではないことはいうまでもない。
アルゴン流量2SLM、水素流量50sccmの混合希釈ガス流中にジボラン流量10sccm及び、アンモニア流量20sccmを導入し、同時にポンプにより排気することで圧力30Torrに保った雰囲気中にて、加熱により800℃に保持したシリコン基板上に、エキシマレーザー紫外光を照射した(図11参照)。60分の合成時間により、所望の薄膜を得た。薄膜生成物をX線回折法により同定した結果、この試料の結晶系は六方晶であり、SP3結合による5H型多形構造の結晶形態で、格子定数は、a=0.25nm、c=1.04nmであった。
走査型電子顕微鏡像によって観察した結果、この薄膜は電界集中の生じやすい先端の尖った円錐状の突起構造物(0.001μm〜数μmの長さ)に覆われた特異な表面形状が自己造形的に形成されていることが観察された。
また、この時の電流値の時間変化を調べたところ、約15分の間、電流値に多少の揺動が認められたが、ほぼ平均的な電流値が維持され、材料劣化による電流値の減少は見られず、安定な材料であることが確認された。さらに、この評価を空気中において行ってもほぼ同等の特性を示した。また、薄膜を微細な粒子状(0.0005μm〜1μm)に粉砕し、それをペースト状にして塗膜、乾燥後その性能を評価したが、やはり同等の性能が得られた。
比較のため、紫外光の照射以外は生成条件例1の条件と同様の条件で同時に作製した薄膜で、紫外光の照射されなかった部分の電界電子放出特性を調べた。その結果、電子放出開始の閾値電界強度が42(V/μm)となり、紫外光照射を行って作製した生成条件例1の場合の15(V/μm)に比べて大幅に高くなっていることがわかった。また、この部分は、走査型電子顕微鏡で観察したところ、電界電子放出による薄膜の損傷・剥離が見られた。一方、紫外光照射下で成長した突起状表面形状を示す部分には、電界電子放出実験の後、このような損傷は見出されなかった。
アルゴン流量2SLM、水素流量50sccmの混合希釈ガス流中にジボラン流量10sccm及び、アンモニア流量20sccmを導入し、同時にポンプにより排気することで圧力30Torrに保った雰囲気中にて、出力800W、周波数13.56MHzのRFプラズマを発生し、加熱により900℃に保持したシリコン基板上に、エキシマレーザー紫外光を照射した(図11参照)。
60分の合成時間により、薄膜生成物を得た。この生成物を生成条件例1と同様の方法で同定した結果、結晶系は六方晶であり、SP3結合による5H型多形構造で、格子定数は、a=0.25nm、c=1.04nmであった。
走査型電子顕微鏡像によって観察した結果、この薄膜は電界集中の生じやすい先端の尖った円錐状の突起構造物(0.001μm〜数μmの長さ)に覆われた特異な表面形状が自己造形的に形成されていることが観察された。
アルゴン流量2SLM、水素流量50sccmの混合希釈ガス流中にジボラン流量10sccm及び、アンモニア流量20sccmを導入し、同時にポンプにより排気することで圧力30Torrに保った雰囲気中にて、出力800W、周波数13.56MHzのRFプラズマを発生し、加熱により900℃に保持したニッケル基板上に、エキシマレーザー紫外光を照射した(図11参照)。
60分の合成時間により、薄膜生成物を得た。この生成物を生成条件例1と同様の方法で同定した結果、結晶系は六方晶であり、Sp3結合による5H型多形構造で、格子定数は、a=0.251nm、c=1.05nmであった。
走査型電子顕微鏡像によって観察した結果、この薄膜は電界集中の生じやすい先端の尖った円錐状の突起構造物(0.001μm〜数μmの長さ)に覆われた特異な表面形状が自己造形的に形成されていることが観察された。
以上述べたとおり、本発明の電子放出素子を用いた電子源基板および該基板を用いた画像表示装置に好適に使用される電子放出特性の優れたSP3結合性BNは、電界電子放出特性に優れた表面形状、すなわち、先端の尖った状態を呈した形状が自己造形的に形成されてなる特異な構成を有してなるものである。
2 帯電装置
102 感光体層
110、111 電源
201 支持部材
202 電極
203 電子放出層
205 対向電極としてのグリッド
Claims (10)
- 互いに対向する2つの電極の両電極間に電界を形成するための電界形成部を有し、被電荷付与部材の被電荷付与面に対して電荷を付与する電荷付与装置において、前記2つの電極のいずれか一方の電極の、他方の電極に対向する箇所に、支持部材、電極、電子放出層から構成されるとともに電界中で電荷を放出する電子放出部を設け、前記両電極間に電圧を印加する電圧印加制御手段を設け、該電圧印加制御手段は、前記両電極間に印加する電圧を2つ以上選択可能に構成し、前記被電荷付与面に所定の電荷を付与するための電圧をVtとし、それ以外に選択可能な電圧の任意の1つをVsとするとき、Vt<Vsとし、前記被電荷付与面に前記所定の電荷を付与する前の放電開始初期には電圧をVsとする電荷付与装置であって、該電圧Vsは、放電開始初期に前記電子放出部の前記電極と前記電子放出層とを導通させて導通部を形成するとともに該導通部を安定させる電圧であることを特徴とする電荷付与装置。
- 請求項1に記載の電荷付与装置において、前記電子放出部材はSP3結合性材料を用いて構成したことを特徴とする電荷付与装置。
- 請求項2に記載の電荷付与装置において、前記SP3結合性材料はSP3結合性窒化ホウ素であることを特徴とする電荷付与装置。
- 請求項3に記載の電荷付与装置において、前記SP3結合性窒化ホウ素は、5H型、または6H型結晶を主な結晶形態として含むことを特徴とする電荷付与装置。
- 請求項1に記載の電荷付与装置において、前記電圧Vsは、パッシェン則の放電開始電圧であることを特徴とする電荷付与装置。
- 請求項1ないし5のいずれか1つに記載の電荷付与装置を用いたことを特徴とする画像形成装置。
- 請求項6に記載の画像形成装置において、非画像形成時に印加電圧を前記電圧Vsにすることを特徴とする画像形成装置。
- 請求項7に記載の画像形成装置において、所定の累積時間経過ごとに、印加電圧を前記電圧Vsにすることを特徴とする画像形成装置。
- 請求項7に記載の画像形成装置において、所定の画像形成枚数経過ごとに、印加電圧を前記電圧Vsにすることを特徴とする画像形成装置。
- 請求項6ないし9のいずれか1つに記載の画像形成装置において、印加電圧を前記電圧Vsにする時に、前記被電荷付与面に影響を与えない状態で行うことを特徴とする画像形成装置。
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