JP2007265884A - 電子放出素子、帯電装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の電子放出素子10では、電子放出材料として窒化ホウ素材料13を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板11として、金属材料または半導体材料を用いた。これにより、基板上に良質の窒化ホウ素材料を得ることができる。また、同材料に電子を放出する際の電圧印加を行うことが可能となり、かつ、電子を供給することができる。また、窒化ホウ素材料13としてSp3結合性窒化ホウ素を用い、さらには、Sp3結合性窒化ホウ素として、Sp3結合性5H−BN材料又はSp3結合性6H−BN材料を使用することにより、従来にない高効率の電子放出特性が得られる電界電子放出素子を実現することができる。
【選択図】図1
Description
オゾンは、高濃度で画像形成装置内に滞留すると、感光体表面を酸化し、感光体の光感度の低下や帯電能力の劣化を生じさせ、形成画像が悪化することが知られている(非特許文献1参照)。また、感光体以外の部材の劣化が促進され、部品寿命が低下する等の不具合も生じる。
この場合、感光体表面の付着物は、クリーニング時に感光体を少しずつ削りとることで除去するといった方法が取られているが、コストの上昇や経時的な劣化を生じるという新たな問題を伴っている。
そのため、現在、経時的な画質の劣化を低減して画質を維持するために、上述したように感光体の表面を微小に削りながら使用している。一方、感光体を削ることは消耗であり、長期的な観点から避けることが好ましいが、前述の感光体ハザードによる画質劣化の防止とトレードオフとなっており、根本的な解決が困難である。
また、その他の特許文献9や特許文献12に記載のMIS構造やMIM構造などを有する電子放出素子を用いた場合、十分な電子放出性が得られないという課題がある。
本発明の第1の手段は、電子放出手段として、電子放出特性を有する材料を用いた電子放出素子において、電子放出材料として窒化ホウ素材料を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板として、金属材料または半導体材料を用いたことを特徴とする(請求項1)。
また、本発明の第2の手段は、第1の手段の電子放出素子において、前記窒化ホウ素材料がSp3結合性窒化ホウ素であることを特徴とする(請求項2)。
さらに、本発明の第3の手段は、第2の手段の電子放出素子において、前記Sp3結合性窒化ホウ素が六方晶系5H型または6H型結晶を主な結晶形態として含むことを特徴とする(請求項3)。
また、本発明の第5の手段は、第1〜第3のいずれか1つの手段の電子放出素子において、前記基板として、絶縁材料上に金属層を設けた複合基板を用いたことを特徴とする(請求項5)
さらに、本発明の第6の手段は、第1〜第3のいずれか1つの手段の電子放出素子において、前記基板として、絶縁材料上に半導体層を設けた複合基板を用いたことを特徴とする(請求項6)。
また、本発明の第8の手段は、第7の手段の電子放出素子において、前記絶縁材料として膜厚が50μm〜3mmのポリマーフィルムを使用した複合基板を用いたことを特徴とする(請求項8)。
また、本発明の第13の手段は、第12の手段の画像形成装置において、前記帯電手段は、前記像担持体に電荷を付与して静電潜像を形成することを特徴とする(請求項13)。
また、本発明の第16の手段は、多色またはカラー画像を形成する画像形成装置において、第14の手段のプロセスカートリッジを複数備えたことを特徴とする(請求項16)。
さらに本発明の第17の手段は、第15または第16の手段の画像形成装置において、前記プロセスカートリッジの帯電手段は、前記像担持体に電荷を付与して静電潜像を形成することを特徴とする(請求項17)。
また、第2の手段の電子放出素子では、第1の手段の構成に加え、前記窒化ホウ素材料としてSp3結合性窒化ホウ素を用いたことにより、従来にない高効率の電子放出特性が得られる電界電子放出素子を実現することができる。
さらに、第3の手段の電子放出素子では、第2の手段の構成に加え、Sp3結合性窒化ホウ素として、Sp3結合性5H−BN材料又はSp3結合性6H−BN材料を使用したことにより、従来にない高効率の電子放出特性が得られる電界電子放出素子を実現することができる。
また、第5の手段の電子放出素子では、第1〜第3のいずれか1つの手段の構成に加え、前記基板として、絶縁材料上に金属層を設けた複合基板を用いたことにより、従来にない高効率の電子放出特性を有すると共に、長尺、大面積に対応した電子放出素子が作製でき、かつ、基板材料の選択幅が広がり製造コストを安価にすることができる。
さらに、第6の手段の電子放出素子では、第1〜第3のいずれか1つの手段の構成に加え、前記基板として、絶縁材料上に半導体層を設けた複合基板を用いたことにより、従来にない高効率の電子放出特性を有すると共に、長尺、大面積に対応した電子放出素子が作製でき、かつ、基板材料の選択幅が広がり製造コストを安価にすることができる。
また、第13の手段の画像形成装置では、第12の手段の構成に加え、前記帯電手段は、前記像担持体に電荷を付与して静電潜像を形成する(すなわち潜像形成手段を兼ねる)ことにより、形成したい潜像を帯電時に直接像担持体上に形成することができ、像担持体として光半導体である感光体に潜像を形成するための露光装置を必要としなくなり、画像形成装置の低コスト化を図ることができる。
また、多色またはカラー画像形成装置では、複数の画像形成部を有するため装置が大きくなってしまい、また、クリーニングや帯電などの各ユニットが個別で故障したり、寿命による交換時期がきた場合は、装置が複雑で各ユニットの交換に非常に手間がかかることになるが、第16の手段の画像形成装置では、第14の手段のプロセスカートリッジを複数備えたことにより、ユーザーによるプロセスカートリッジの交換が可能な小型で高耐久のカラー画像形成装置を実現することができる。
さらに、第17の手段の画像形成装置では、第15または第16の手段の構成に加え、前記プロセスカートリッジの帯電手段は、前記像担持体に電荷を付与して静電潜像を形成する(すなわち潜像形成手段を兼ねる)ことにより、形成したい潜像を帯電時に直接像担持体上に形成することができ、像担持体として光半導体である感光体に潜像を形成するための露光装置を必要としなくなり、画像形成装置の低コスト化を図ることができる。
まず、本発明に係る帯電装置を構成する電子放出手段としての電子放出素子について図1及び図2を参照して説明する。
図1は電子放出素子の一例を示す構成説明図であり、同図(A)は電子放出素子の斜視図、同図(B)は電子放出素子の断面図を示している。図1に示す電子放出素子10は、方形ロッド状の基板を兼ねる金属材料11上に窒化ホウ素材料の薄膜13を固定化して形成したものである。
また、図2は電子放出素子の別の例を示す構成説明図であり、同図(A)は電子放出素子の斜視図、同図(B)は電子放出素子の断面図を示している。図2に示す電子放出素子20は、ワイヤー状の基板を兼ねる金属材料21上に窒化ホウ素材料の粉体23を分散して固定化して形成したものである。
一般的に、コロナ放電を用いて帯電を行なう場合においては、非常に多くのオゾンや窒素酸化物(NOx)が生じる。これは、コロナワイヤーから放出される電子のエネルギーが30eV以上であるために、電子衝突により気体分子(酸素分子、窒素分子等)が解離して反応する結果、オゾンや窒素酸化物(NOx)が発生するものである。実際、電子衝突による窒素分子の解離エネルギーは24.3eV、電子衝突による酸素分子の解離エネルギーは8eVであり、解離反応が起こって当然である。
これによって、放電生成物(オゾン、NOxなど)の発生がないので、放電生成物が被帯電体である像担持体表面に付着したり、放電により生じた活性な気体によって像担持体表面が酸化して劣化したりするハザードを防止できるとともに、電子放出材料そのものも酸化による燃焼などの劣化を生じなく、長期にわたり安定した帯電を行なうことができるようになる。また、低電圧動作で、短時間で十分な像担持体の帯電電位を得ることができ、さらに非接触帯電方式のため、転写残トナーの付着による劣化等を生じることもなくなる。
あるいは、ボールミル、粉砕機等の物理的な手段によって、粉体化した窒化ホウ素材料を電極となる導電性部分に導電的に接触させて固定化することにより、単結晶の窒化ホウ素材料を用いた場合に比べて製造工程が簡略され、コストの低減を図ることができる。
次にSp3結合性窒化ホウ素膜の生成条件例を示す。
図3に示す反応容器31を用い、反応ガス導入口32から導入されるアルゴン流量2SLM、水素流量50sccmの混合希釈ガス流中に、ジボラン流量10sccm及び、アンモニア流量20sccmを導入し、同時にガス流出口33から図示しない真空ポンプにより排気することで圧力30Torrに保った雰囲気中にて、加熱により800℃に保持したシリコン基板34上に、エキシマレーザー紫外光36を照射した。60分の合成時間により、目的とする薄膜を得た。薄膜生成物をX線回折法により同定した結果、この試料の結晶系は六方晶系であり、Sp3結合による5H型多形構造で、格子定数は、a=2.52Å、c=10.5Åであった。
また、この時の電流値の時間変化を観察した結果、約15分の間、電流値に多少の揺動が認められたが、ほぼ平均的な電流値が維持され、材料劣化による電流値の減少は見られず安定な材料であることが確認された。
比較のため、紫外光の照射条件以外は生成条件例1の条件と同様の条件で同時に作製した薄膜で、紫外光の照射されなかった部分の電界電子放出特性を調べた。その結果、電子放出開始の閾値電界強度が42(V/μm)となり、紫外光照射のある部分の15(V/μm)に比べて大幅に高くなっていることが判った。また、この部分を走査型顕微鏡で観察したところ、電界電子放出による薄膜の損傷・剥離が見られた。一方、紫外光照射下で成長した突起状表面形状を示す部分には、電界電子放出実験の後、このような損傷は見いだされなかった。
次にSp3結合性窒化ホウ素膜の別の生成条件例を示す。
図3に示す反応容器31を用い、反応ガス導入口32から導入されるアルゴン流量2SLM、水素流量50sccmの混合希釈ガス流中に、ジボラン流量10sccm及び、アンモニア流量20sccmを導入し、同時にガス流出口33から図示しない真空ポンプにより排気することで圧力30Torrに保った雰囲気中にて、プラズマトーチ37から出力800w、周波数13.56MHzのRFプラズマ38を発生し、加熱により900℃に保持したシリコン基板34上に、エキシマレーザー紫外光36を照射した。60分の合成時間により、薄膜生成物を得た。この生成物を生成条件例1と同様の方法で同定した結果、結晶系は六方晶系であり、Sp3結合による5H型多形構造で、格子定数は、a=2.5Å、c=10.4Åであった。
次に本発明の別の実施例を説明する。
図4は本発明の別の実施例を示す電子放出素子の斜視図である。図4に示す電子放出素子40は、基板を兼ねる金属材料41が板厚の比較的薄いリボン状をしていることが特徴である。このリボン状の金属材料41上に窒化ホウ素材料の薄膜43を固定化して形成してある。また、窒化ホウ素材料の薄膜43は同材料の粉体を分散・固定化して形成しても同様な性能及び機能を示すものである。
また、リボン状の金属材料41を予め変形させておき、その上に窒化ホウ素材料の薄膜43を形成すればさらに大きな変形に対応することができる。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。
図5は本発明のさらに別の実施例を示す電子放出素子の構成説明図であり、同図(A)は電子放出素子の斜視図、同図(B)は電子放出素子の断面図を夫々示している。
図5に示す電子放出素子50は、窒化ホウ素材料を形成する基板として絶縁材料51上に金属層52を設けた複合基板を用いたものであり、金属層52上には窒化ホウ素材料の薄膜53を固定化して形成してある。また、窒化ホウ素材料の薄膜53は同材料の粉体を分散・固定化して形成しても同様な性能及び機能を示すものである。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。
電子放出素子の構成図は図5と同様なので図示を省略する。本実施例では、窒化ホウ素材料を形成する基板として、絶縁材料上に半導体層を設けた複合基板を用いたものであり、半導体層上には窒化ホウ素材料の薄膜を固定化して形成してある。また、窒化ホウ素材料の薄膜は同材料の粉体を分散・固定化して形成しても同様な性能及び機能を示すものである。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。
図6は本発明のさらに別の実施例を示す電子放出素子の斜視図である。図6に示す電子放出素子60は、窒化ホウ素材料を形成する基板として絶縁材料61上に電極層(金属層または半導体層)62を設けた複合基板を用いたものであるが、その絶縁材料61としてポリマーフィルムを使用した複合基板を用いていることが特徴である。すなわち、電子放出素子60としては、ポリマーフィルム61に設けられた電極層62上に窒化ホウ素材料の薄膜63を固定化して形成してある。また、窒化ホウ素材料の薄膜63は同材料の粉体を分散・固定化して形成しても同様な性能及び機能を示すものである。
また、電極層62にはNi,Cr,Ni−Cr,W,Ta,Mo,Au,Ag,Pt,Cu,Ai,Fe等々の金属あるいは上述した半導体材料が使用可能である。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。
図7は本発明のさらに別の実施例を示す電子放出素子の構成説明図であり、同図(A)は電子放出素子の平面図、同図(B)は電子放出素子の断面図を夫々示している。
図7に示す電子放出素子70は、基板として絶縁材料71上に複数の分離独立した電極層72を設けた複合基板を用いたものであり、夫々の電極層72に対応して夫々分離独立した複数の窒化ホウ素材料73を固定化して形成してある。また、窒化ホウ素材料の薄膜73は同材料の粉体を分散・固定化して形成しても同様な性能及び機能を示すものである。図7では複数の窒化ホウ素材料73は夫々分離独立して形成しているが、窒化ホウ素材料73の抵抗値が高い場合には連続した薄膜で形成してもよく、電極層72が複数に分離独立しているために、隣接するビット同士であっても電気的には分離されるので素子の動作に影響はない。この場合はむしろ窒化ホウ素材料73の分離工程(通常はフォトリソ・エッチングプロセスで行う)を必要とせず、製造コストが安くなる。
電極層72の材料としては、一般的な導電材料を用いることができ、例えばNi,Cr,Au,Mo,W,Pt,Ti,Al,Cu,Pd等の金属、あるいはNi−Cr等の合金などが使用できる。電極層72の作製方法としては真空蒸着、イオンプレーテイング、クラスターイオンビーム蒸着、スパッタ、マグネトロンスパッタ等の気相製膜法、及びスクリーン法、インクジェット法等による湿式印刷法などが適宜使用可能である。また、金属層72の膜厚dは、100Å〜1μmの範囲がコスト及び金属層の抵抗値さらには金属層の内部応力による剥がれ等の観点から好ましい。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。
本実施例の電子放出素子の構成図は図6と同様なので図示を省略する。本実施例では、窒化ホウ素材料を形成する基板として、図6と同様に絶縁材料61上に電極層(金属層または半導体層)62を設けた複合基板を用いたものであるが、その絶縁材料61として膜厚が50μm〜2mmのポリマーフィルムを用いた複合基板を使用したことを特徴としている。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。
図8は本発明のさらに別の実施例を示す電子放出素子の断面図である。本実施例の電子放出素子80は、基板81の表面に先端の尖った突起84が複数設けてあり、その突起上に電極材料82が形成されており(膜厚は0.2〜5μm程度)、さらにその上に電子放出材料83が100μm以下の膜厚で作製されたものである。この構成を採用することで電子放出材料(窒化ホウ素材料等)に尖塔状の形状がなくても、基板81に設けた突起形状によって、その先端に電界が集中し、電子放出が促進され、かつ材料自体がもつNEA(負の電子親和力)特性とも相まって、従来にない高効率の電子放出特性が得られる電界電子放出素子80を実現することができる。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。本実施例は、被帯電体(例えば像担持体)に電荷を付与する手段として実施例1〜8のいずれかの構成の電子放出素子を用いた帯電装置に関するものである。
図9は本実施例の帯電装置の構成例を示す断面図である。この帯電装置211の主要部分は、例えば先に実施例3で説明した図5の構成の電子放出素子50を使用したものである。すなわち電子放出素子50は、基板として絶縁材料51上に金属層52を設けた複合基板を用いたものであり、金属層52上には窒化ホウ素材料の薄膜53を固定化して形成してある。また、窒化ホウ素材料の薄膜53は同材料の粉体を分散・固定化して形成しても同様な性能及び機能を示すものである。なお、絶縁材料51と金属層52の材料および膜厚は先に実施例3で記載した内容と同様でありここでは省略する。
そして、電子放出素子50とグリッド7との距離は50μm、グリッド7と像担持体201間のギャップは1mmとし、電子放出素子50に電源から−200Vの電圧を印加し、グリッド7に別電源から−650Vの電圧を印加し、ケース4の開口部4aが像担持体に対向するように配置して非接触帯電を行なった。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。本実施例は、像担持体に電荷を付与する帯電手段として、実施例1〜8のいずれかの構成の電子放出素子、あるいは実施例9の帯電装置を使用した画像形成装置に関するものである。
図10は本実施例の画像形成装置の構成例を示す概略構成図であり、像担持体(例えば感光体ドラム)201に電荷を付与する帯電手段として、図9に示した構成の帯電装置211を用いた例である。
なお、クリーニング工程のない、クリーナレスプロセスを行い、転写残トナーを現像装置により回収する構成とすることもできる。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。本実施例は、像担持体、現像手段、転写手段及びクリーニング手段の少なくともいずれか1つと、帯電手段とを含み、画像形成装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジに関するものであり、帯電手段として、実施例1〜8のいずれかの構成の電子放出素子、あるいは実施例9の帯電装置を使用したことを特徴とするものである。
次に本発明のさらに別の実施例を説明する。本実施例は、プロセスカートリッジを用いたカラー画像形成装置に関するものである。
図12はプロセスカートリッジを用いたカラー画像形成装置の構成例を示す概略構成図である。この画像形成装置は、複数の支持ローラ315a,315b,315cに張架されて水平に延在する無端ベルト状の中間転写体(以下、中間転写ベルトと言う)314に沿って、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)、ブラック(K)の各色の画像を形成するためのプロセスカートリッジ300Y、300M、300C、300Kを並置した形式のカラー画像形成装置である。各プロセスカートリッジ300Y、300M、300C、300Kの構成は例えば実施例11で説明した図11の構成のプロセスカートリッジ300と同様であり、現像手段313で使用する現像剤の色が異なるだけである。各プロセスカートリッジ300Y、300M、300C、300Kの上方には、各感光体ドラム301にレーザー光を照射して潜像を書込むための書込み装置312が必要に応じて設置される。また、中間転写ベルト314を挟んで各プロセスカートリッジ300Y、300M、300C、300Kの感光体ドラム301と対向する位置には、各感光体ドラム301上に形成されたトナー像を中間転写ベルトに重ねて転写するための一次転写手段316が配置されている。さらに中間転写ベルト314の下側の支持ローラ315bに対向する位置には、中間転写ベルト上で重ね合わされた画像を転写材321に一括して転写するためのローラ状の二次転写手段(以下、二次転写ローラと言う)320が設置されている。また、図示を省略しているが、二次転写ローラ320の転写材搬送方向上流側には、転写材321を収納した給紙部や、給紙部から二次転写部に転写材321を給紙・搬送する給紙・搬送手段が設けられており、さらに二次転写ローラ320の転写材搬送方向下流側には、転写材321に転写された画像の定着処理を行う定着装置や、定着後の転写材を排紙する排紙部等が設けられている。
なお、プロセスカ−トリッジ300の配置は、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの順で説明したが、この順番に特定されるものではなく、どの順番で並置してもよい。
また、上述したように、帯電手段311が感光体ドラム301に電荷を付与して静電潜像を形成する潜像形成手段を兼ねる構成とすることにより、感光体に潜像を形成するための露光装置(例えば図12に示す書込み装置312)を必要としなくなるので、カラー画像形成装置の構成は図13に示すような構成となり、カラー画像形成装置の更なる小型化や低コスト化を図ることができる。
4a:開口部
7:グリッド
10,20,40,50,60,70,80:電子放出素子
11,21:金属材料
13,23,43,53,63,73,83:窒化ホウ素材料
31:反応容器
32:ガス導入口
33:ガス流出口
34:析出基板
35:光学窓
36:エキシマ紫外光レーザー
37:プラズマトーチ
38:プラズマ
41:リボン状金属材料
51,61:絶縁材料
52:金属層
62,72:電極層
81:基板
82:電極材料
83:電子放出材料
84:突起
201:感光体ドラム(像担持体)
211:帯電装置
212:レーザー光
213:現像装置
214:転写材
215:転写材搬送ベルト
216:転写装置
217:クリーニング装置
218:除電装置
219:定着装置
300:プロセスカートリッジ
300Y,300M,300C,300K:プロセスカートリッジ
301:感光体ドラム(像担持体)
311:帯電手段
312:書込み装置
313:現像手段
314:中間転写ベルト(中間転車体)
315a,315b,315c:支持ローラ
316:一次転写手段
317:クリーニング手段
320:二次転写ローラ(二次転写手段)
321:転写材
Claims (17)
- 電子放出手段として、電子放出特性を有する材料を用いた電子放出素子において、
電子放出材料として窒化ホウ素材料を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板として、金属材料または半導体材料を用いたことを特徴とする電子放出素子。 - 請求項1に記載の電子放出素子において、
前記窒化ホウ素材料がSp3結合性窒化ホウ素であることを特徴とする電子放出素子。 - 請求項2に記載の電子放出素子において、
前記Sp3結合性窒化ホウ素が六方晶系5H型または6H型結晶を主な結晶形態として含むことを特徴とする電子放出素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子放出素子において、
前記基板を構成する金属材料が、可塑性のあるリボン状であることを特徴とする電子放出素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子放出素子において、
前記基板として、絶縁材料上に金属層を設けた複合基板を用いたことを特徴とする電子放出素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子放出素子において、
前記基板として、絶縁材料上に半導体層を設けた複合基板を用いたことを特徴とする電子放出素子。 - 請求項5または6に記載の電子放出素子において、
前記絶縁材料としてポリマーフィルムを使用した複合基板を用いたことを特徴とする電子放出素子。 - 請求項7に記載の電子放出素子において、
前記絶縁材料として膜厚が50μm〜3mmのポリマーフィルムを使用した複合基板を用いたことを特徴とする電子放出素子。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子放出素子において、
前記電子放出材料部位が複数の独立した領域に分離され、その各領域に対して独立に電圧を設定・印加できる電圧供給手段を備えていることを特徴とする電子放出素子。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子放出素子において、
前記基板の表面に先端の尖った突起が複数設けてあり、かつ、前記基板に形成される電子放出材料の膜厚が100μm以下であることを特徴とする電子放出素子。 - 被帯電体に電荷を付与して帯電する帯電装置において、
前記被帯電体に電荷を付与する手段として、請求項1〜10のいずれか1項に記載の電子放出素子を用いたことを特徴とする帯電装置。 - 少なくとも像担持体、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段を有する画像形成装置において、
前記帯電手段として、請求項1〜10のいずれか1項に記載の電子放出素子、あるいは請求項11に記載の帯電装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。 - 請求項12に記載の画像形成装置において、
前記帯電手段は、前記像担持体に電荷を付与して静電潜像を形成することを特徴とする画像形成装置。 - 像担持体、現像手段、転写手段及びクリーニング手段の少なくともいずれか1つと、帯電手段とを含み、画像形成装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、
前記帯電手段として、請求項1〜10のいずれか1項に記載の電子放出素子、あるいは請求項11に記載の帯電装置を備えたことを特徴とするプロセスカートリッジ。 - 画像を形成する画像形成装置において、
請求項14に記載のプロセスカートリッジを備えたことを特徴とする画像形成装置。 - 多色またはカラー画像を形成する画像形成装置において、
請求項14に記載のプロセスカートリッジを複数備えたことを特徴とする画像形成装置。 - 請求項15または16に記載の画像形成装置において、
前記プロセスカートリッジの帯電手段は、前記像担持体に電荷を付与して静電潜像を形成することを特徴とする画像形成装置。
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