JP4889267B2 - 発光ダイオード用パッケージの製造方法 - Google Patents

発光ダイオード用パッケージの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4889267B2
JP4889267B2 JP2005259783A JP2005259783A JP4889267B2 JP 4889267 B2 JP4889267 B2 JP 4889267B2 JP 2005259783 A JP2005259783 A JP 2005259783A JP 2005259783 A JP2005259783 A JP 2005259783A JP 4889267 B2 JP4889267 B2 JP 4889267B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
ceramic substrate
paste
ceramics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005259783A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007073771A (ja
Inventor
和磨 光山
弘之 深江
済宮 山本
幸二 工藤
成男 福本
研吾 西山
Original Assignee
共立エレックス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 共立エレックス株式会社 filed Critical 共立エレックス株式会社
Priority to JP2005259783A priority Critical patent/JP4889267B2/ja
Priority to KR1020060085661A priority patent/KR100903698B1/ko
Publication of JP2007073771A publication Critical patent/JP2007073771A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4889267B2 publication Critical patent/JP4889267B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光ダイオード用パッケージの製造方法に関するものであり、特に、セラミックス基板の表面に実装される発光ダイオード素子の外側方に反射面を形成した発光ダイオード用パッケージの製造方法に関するものである。
従来より、低消費電力で長寿命な照明部品として、基板上に発光ダイオード素子を実装した発光ダイオードが広く利用されている。
この発光ダイオードにおいては、多用途化に向けた高輝度化に伴って、発光時に発光ダイオード素子が高温に発熱してしまうことから、従来の樹脂製パッケージを用いた発光ダイオードでは樹脂性パッケージが劣化してしまい、また、発光ダイオード素子の発光効率が低下してしまう問題があった。
そのため、発光ダイオードを構成する基板として、熱伝導率が良く発光ダイオード素子の放熱を良好に行えるセラミックス基板が用いられるようになっている(たとえば、特許文献1又は特許文献2参照。)。
この従来のセラミックス基板を用いた発光ダイオードは、以下に説明するような構成となっており、以下に説明するようにして製造されていた。
すなわち、従来の発光ダイオード101は、図9及び図10に示すように、矩形板状のセラミックス基板102の表面にテーパー開口状の反射面103を形成した矩形板状のセラミックス製のカバー体104とを張り合わせた構造の発光ダイオード用パッケージ105を形成しており、セラミックス基板102の表面に発光ダイオード素子106を実装し、この発光ダイオード素子106の電極とセラミックス基板102の表面に形成した配線パターン107とを金線108で接続していた。
この従来の発光ダイオード101は、セラミックス基板102となるグリーンシートの表面に金属製の配線パターン107を印刷し、一方、カバー体104となるグリーンシートに複数のテーパー開口状の反射面103をプレス形成し、その後、セラミックス基板102となるグリーンシートとカバー体104となるグリーンシートとを圧着接合し、これらを同時に焼成することによって発光ダイオード用パッケージ105を形成し、次いで、カバー体104の開口部分からセラミックス基板102の表面に発光ダイオード素子106を実装し、最後に、発光ダイオード素子106の電極と配線パターン107とを金線108で接続していた。
なお、発光ダイオード101は、図9及び図10に示すように、一枚のセラミックス基板102の表面に複数個の発光ダイオード素子106を実装して面光源とした構成のものに限られず、この発光ダイオード用パッケージ105を各反射面103毎に分割して、一枚のセラミックス基板102に1個の発光ダイオード素子106が実装された点光源とした構成のものとすることもあった。
上記した発光ダイオード101に代表されるように、従来より、放熱を考慮してセラミックス基板102を利用した電子部品が多用されている。
特開2003−37298号公報 特開2005−167026号公報
ところが、上記従来の発光ダイオード101では、焼成したセラミックス板に開口状の反射面103を形成することによってカバー体104を形成し、このカバー体104をセラミックス基板102の表面に接着して発光ダイオード用パッケージ105を製造していたために、発光ダイオード101のさらなる小型化や高集積化を図ることが困難であった。
なぜならば、発光ダイオード101の小型化や高集積化を図るためには、開口状の反射面103を近接させなければならなくなり、隣接する反射面103が近接すると、隣接する反射面103の間のセラミックス板の幅が狭くなり、これにより、セラミックス板に反射面103となる開口を形成する際やカバー体104とセラミックス基板102とを張り合わせる際にカバー体104にクラックや破断が生じてしまい、発光ダイオード用パッケージ105の製造の歩留まりが低減してしまうからである。
また、上記従来の発光ダイオード101では、カバー体104に様々な形状の開口を形成することが加工上困難であったために、発光ダイオード101の多用途化に伴う反射面103の形状の多種化や複雑化に対応できなくなるおそれもあった。
そこで、請求項1に係る本発明では、セラミックス基板の表面に実装される発光ダイオード素子の外側方に反射面を形成した発光ダイオード用パッケージの製造方法において、焼成したセラミックス基板の表面にペースト状のセラミックスを印刷した後に、このペースト状のセラミックスを焼結させることを印刷するペースト状のセラミックスの幅を順次狭くしながら繰り返して行うことによって前記セラミックス基板の表面に凸状の反射面を形成することにした。
また、請求項2に係る本発明では、前記請求項1に係る本発明において、前記ペースト状のセラミックスの焼結は、セラミックス基板の焼成温度よりも低い温度で行うことにした。
そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。
すなわち、請求項1に係る本発明では、セラミックス基板の表面に実装される発光ダイオード素子の外側方に反射面を形成した発光ダイオード用パッケージの製造方法において、焼成したセラミックス基板の表面にペースト状のセラミックスを印刷した後に、このペースト状のセラミックスを焼結させることによってセラミックス基板の表面に凸状の反射面を形成しているために、隣接する反射面の間隔を狭くすることができるとともに、任意な形状の反射面を形成することができるので、小型化や高集積化や多形状化を図った発光ダイオード用パッケージを製造することができる。
また、請求項1に係る本発明では、ペースト状のセラミックスの印刷及び焼結を所定回数繰り返して行うことによって、セラミックス基板の表面に焼結したセラミックスを積層しているために、反射面の形状を精度良く形成できるとともに、反射面の高さ(上下幅)を高く(広く)することができる。
また、請求項1に係る本発明では、ペースト状のセラミックスの印刷及び焼結を所定回数繰り返して行う場合に、印刷するペースト状のセラミックスの幅を順次狭くしているために、略テーパー状の反射面を容易に形成することができる。
また、請求項2に係る本発明では、セラミックス基板の焼成温度よりも低い温度で印刷したペースト状のセラミックスの焼結を行うようにしているために、ペースト状のセラミックスの焼結時に配線パターンが熱によって劣化や破損してしまうのを未然に防止することができる。
以下に、本発明に係る電子部品としての発光ダイオード及び発光ダイオード用パッケージの具体的な構造並びに発光ダイオード用パッケージの具体的な製造方法について図面を参照しながら説明する。
発光ダイオード1は、図1〜図4に示すように、略矩形板状の発光ダイオード用パッケージ2の所要位置にマトリックス状に発光ダイオード素子3を実装している。
この発光ダイオード用パッケージ2は、矩形板状の焼成したセラミックス基板4の表面に配線パターン5を形成するとともに、セラミックス基板4の表面にセラミックス製の格子枠形状のカバー体6を形成し、この格子枠形状のカバー体6の内側表面を発光ダイオード素子3から放射された光を上方へ向けて反射する反射面7としたものである。
この発光ダイオード用パッケージ2では、後述するようにカバー体6を3回の印刷によって形成しており、3段の格子枠形状のカバー体構成体8,9,10を漸次狭幅状に積層することによって凸部としてのカバー体6の反射面7を形成している。
この発光ダイオード用パッケージ2の製造方法について説明すると、まず、図5(a)に示すように、所定形状のアルミナ製のグリーンシートを1300℃〜1600℃で焼結させることによってセラミックス基板4を焼成する。
次に、図5(b)に示すように、セラミックス基板4の表面にペースト状の銀を所定形状にスクリーン印刷し、その後、約850℃で焼結させることによって、セラミックス基板4の表面に配線パターン5を形成する。
次に、図5(c)に示すように、焼成したセラミックス基板4の表面にペースト状のセラミックスを所定幅の格子枠形状にスクリーン印刷し、その後、750℃〜950℃で焼結させることによって、セラミックス基板4の表面に第1段目のカバー体構成体8を形成する。
次に、図5(d)に示すように、第1段目のカバー体構成体8の上部にペースト状のセラミックスを第1段目のカバー体構成体8の幅よりも狭い幅の格子枠形状にスクリーン印刷し、その後、750℃〜950℃で焼結させることによって、第1段目のカバー体構成体8の上部に第2段目のカバー体構成体9を形成する。
最後に、図5(e)に示すように、第2段目のカバー体構成体9の上部にペースト状のセラミックスを第2段目のカバー体構成体9の幅よりも狭い幅の格子枠形状にスクリーン印刷し、その後、750℃〜950℃で焼結させることによって、第2段目のカバー体構成体9の上部に第3段目のカバー体構成体10を形成する。
以上のようにして発光ダイオード用パッケージ2を製造することができる。
ここで、ペースト状のセラミックスは、主原料をアルミナ(Al2O3)としたものであって、これに所定比率(たとえば、30%)でガラスなどの副原料を添加したものでもよい。
また、以上のようにして製造した発光ダイオード用パッケージ2を用いて発光ダイオード1を製造するには、セラミックス基板4の表面に発光ダイオード素子3を実装し、この発光ダイオード素子3の電極と配線パターン5とをワイヤーボンディングによって金線11で接続する。
以上に説明したように、上記構成の発光ダイオード用パッケージ2では、焼成したセラミックス基板4の表面にペースト状のセラミックスを印刷し、このペースト状のセラミックスを焼結させることによってセラミックス基板4の表面に凸状の反射面7を形成している。
そのため、上記発光ダイオード用パッケージ2では、ペースト状のセラミックスの印刷によって反射面7が形成されるので、隣接する反射面7の間隔を狭くすることができるとともに、スクリーン印刷のマスクの形状を変更するだけで任意な形状の反射面7を形成することができ、これによって、発光ダイオード用パッケージ2の小型化や高集積化や多形状化を図ることができる。
また、上記構成の発光ダイオード用パッケージ2を用いて発光ダイオード1を形成することによって、発光ダイオード1の小型化や高集積化や多形状化を図ることができる。
特に、印刷するペースト状のセラミックスの厚みを厚くしておいてペースト状のセラミックスの印刷及び焼結を1回だけで済ませることも可能ではあるが、印刷するペースト状のセラミックスの厚みを厚くすると、焼結時に形状が歪んでしまうために、上記発光ダイオード用パッケージ2では、ペースト状のセラミックスの印刷及び焼結を所定回数繰り返して行うことによってセラミックス基板4の表面に焼結したセラミックスを積層している。そのため、上記発光ダイオード用パッケージ2では、反射面7の形状を精度良く形成できるとともに、反射面7の高さ(上下幅)を高く(広く)することができる。
しかも、上記発光ダイオード用パッケージ2では、ペースト状のセラミックスの印刷及び焼結を所定回数繰り返して行う場合に、印刷するペースト状のセラミックスの幅を順次狭くしているために、略テーパー状に傾斜した反射面7を容易に形成することができる。
さらに、上記発光ダイオード用パッケージ2では、セラミックス基板4の焼成温度よりも低い温度で印刷したペースト状のセラミックスの焼結を行うようにしているために、ペースト状のセラミックスの焼結時に配線パターン5が熱によって劣化や破損してしまうのを未然に防止することができる。特に、配線パターン5の焼成温度よりも低い温度で印刷したペースト状のセラミックスの焼結を行った場合には、ペースト状のセラミックスの焼結時における配線パターン5の劣化は破損をより一層確実に防止することができる。
以上の説明では、本発明に係る電子部品の代表例として発光ダイオード1や発光ダイオード用パッケージ2について説明したが、本発明に係る電子部品は、これらに限られるものではなく、たとえば、表面に凸部を形成したセラミックス製のフラットパネル状の表示パネルや棒状の照明部品、さらには、セラミックス製回路基板・セラミック抵抗、セラミックコンデンサなどの部品やそのパッケージをも含むものである。
たとえば、図6は、本発明を適用した表示パネル21を示しており、この表示パネル21では、上記発光ダイオード用パッケージ2と同様に、セラミックス基板22の表面にペースト状のセラミックスを3回繰り返して印刷及び焼結を行って格子枠形状のカバー体23を形成するとともに、格子枠形状に形成された反射面24の内側に三原色の発光ダイオード素子25,26,27を実装したものである。
また、図7及び図8は、本発明を適用した棒状の照明部品31を示しており、この照明部品31では、上記発光ダイオード用パッケージ2と同様に、セラミックス基板32の表面にペースト状のセラミックスを3回繰り返して印刷及び焼結を行って縦縞状の凸部33を形成するとともに、凸部33の間に発光ダイオード素子34を実装し、その後、破断線35に沿って横方向に切断したものである。
このように、本発明に係る電子部品では、焼成したセラミックス基板4,22,32の表面にペースト状のセラミックスを印刷し、このペースト状のセラミックスを焼結させることによってセラミックス基板4,22,32の表面に凸部33(カバー体6,23)を形成しているため、隣接する凸部33(カバー体6,23)の間隔を狭くすることができるとともに、スクリーン印刷のマスクの形状を変更するだけで任意な形状の凸部33(カバー体6,23)を形成することができるので、電子部品の小型化や高集積化や多形状化を図ることができる。
本発明に係る発光ダイオードを示す斜視図。 同正面図。 同横断面図。 同縦断面図。 発光ダイオード用パッケージの製造方法を示す説明図。 表示パネルを示す正面図。 照明部品を示す正面図。 同斜視図。 従来の発光ダイオードを示す斜視図。 同横断面図。
符号の説明
1 発光ダイオード 2 発光ダイオード用パッケージ
3 発光ダイオード素子 4 セラミックス基板
5 配線パターン 6 カバー体
7 反射面 8,9,10 カバー体構成体
11 金線
21 表示パネル 22 セラミックス基板
23 カバー体 24 反射面
25,26,27 発光ダイオード素子
31 照明部品 32 セラミックス基板
33 凸部 34 発光ダイオード素子
35 破断線
101 発光ダイオード 102 セラミックス基板
103 反射面 104 カバー体
105 発光ダイオード用パッケージ 106 発光ダイオード素子
107 配線パターン 108 金線

Claims (2)

  1. セラミックス基板の表面に実装される発光ダイオード素子の外側方に反射面を形成した発光ダイオード用パッケージの製造方法において、
    焼成したセラミックス基板の表面にペースト状のセラミックスを印刷した後に、このペースト状のセラミックスを焼結させることを印刷するペースト状のセラミックスの幅を順次狭くしながら繰り返して行うことによって前記セラミックス基板の表面に凸状の反射面を形成することを特徴とする発光ダイオード用パッケージの製造方法。
  2. 前記ペースト状のセラミックスの焼結は、セラミックス基板の焼成温度よりも低い温度で行うことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード用パッケージの製造方法。
JP2005259783A 2005-09-07 2005-09-07 発光ダイオード用パッケージの製造方法 Expired - Fee Related JP4889267B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005259783A JP4889267B2 (ja) 2005-09-07 2005-09-07 発光ダイオード用パッケージの製造方法
KR1020060085661A KR100903698B1 (ko) 2005-09-07 2006-09-06 발광 다이오드, 발광 다이오드용 패키지 및 그 제조 방법,및 전자 부품 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005259783A JP4889267B2 (ja) 2005-09-07 2005-09-07 発光ダイオード用パッケージの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007073771A JP2007073771A (ja) 2007-03-22
JP4889267B2 true JP4889267B2 (ja) 2012-03-07

Family

ID=37934956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005259783A Expired - Fee Related JP4889267B2 (ja) 2005-09-07 2005-09-07 発光ダイオード用パッケージの製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4889267B2 (ja)
KR (1) KR100903698B1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4915274B2 (ja) * 2007-04-25 2012-04-11 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5048471B2 (ja) 2007-12-05 2012-10-17 セイコーインスツル株式会社 パッケージの製造方法、パッケージ、電子デバイス、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
KR101683596B1 (ko) * 2010-03-02 2016-12-07 엘지전자 주식회사 전방위 조명 장치
JP2012164774A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Nippon Carbide Ind Co Inc セラミックパッケージの製造方法
WO2012108533A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 旭硝子株式会社 発光素子用基板の製造方法および発光素子用基板
KR101234166B1 (ko) * 2011-06-20 2013-02-18 엘지이노텍 주식회사 광소자 패키지용 리플렉터 형성 방법 및 그 광소자 패키지
CN102709407B (zh) * 2012-05-25 2015-01-07 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Led封装挡墙的制造方法
JP6344058B2 (ja) * 2014-05-23 2018-06-20 東芝ライテック株式会社 発光モジュール及び照明装置
CN104776396A (zh) * 2015-05-08 2015-07-15 李峰 Led反射结构

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677540A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JPH09298313A (ja) * 1996-04-30 1997-11-18 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製法
JP2000332140A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 枠状ガラスシールの形成方法
DE10157647C5 (de) * 2001-11-26 2012-03-08 Cl Schutzrechtsverwaltungs Gmbh Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Werkstücken in einer Laser-Materialbearbeitungsanlage oder einer Stereolitographieanlage
JP2003217968A (ja) * 2002-01-25 2003-07-31 Murata Mfg Co Ltd 積層電子部品の製造方法
JP2004122490A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Matsushita Electric Works Ltd 三次元形状造形物の製造方法
JP2004168610A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Toyota Motor Corp 三次元形状焼結体の製造方法及び三次元形状焼結体
JP4028810B2 (ja) * 2003-02-25 2007-12-26 京セラ株式会社 多層配線基板の製造方法
JP4383088B2 (ja) * 2003-04-30 2009-12-16 株式会社住友金属エレクトロデバイス 発光素子収納用パッケージ
DE102004043273A1 (de) * 2003-09-09 2005-05-04 Ngk Spark Plug Co Verfahren zur Herstellung eines Keramiksubstrats und Keramiksubstrat
JP2005210043A (ja) * 2003-12-24 2005-08-04 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP4387160B2 (ja) * 2003-10-29 2009-12-16 株式会社住友金属エレクトロデバイス 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP2005191044A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007073771A (ja) 2007-03-22
KR20070028251A (ko) 2007-03-12
KR100903698B1 (ko) 2009-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4889267B2 (ja) 発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP5688553B2 (ja) 照明用光源及び照明装置
JP4715422B2 (ja) 発光装置
JP5554680B2 (ja) 発光素子搭載用基板、発光装置およびこれらの製造方法
US8847251B2 (en) Substrate, light-emitting device, and lighting apparatus having a largest gap between two lines at light-emitting element mounting position
JP5200394B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP2009099715A (ja) 発光装置
JP2011040495A (ja) 発光モジュール
JP6912732B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US20090053841A1 (en) Semiconductor light emitting device
US20130241393A1 (en) Luminaire and manufacturing method of the same
JP2007250899A (ja) 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置
JP5697091B2 (ja) 半導体発光装置
JP5056327B2 (ja) 発光装置
JP2009038161A (ja) 発光素子収納用パッケージ
JP2014042074A (ja) 発光モジュール
JP2007329370A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP4340283B2 (ja) 発光ダイオード用パッケージ及びその製造方法並びに発光ダイオード用パッケージを用いた発光ダイオード
JP2005244121A (ja) 発光ダイオードパッケージ
KR100791736B1 (ko) 전자 부품과 그 제조 방법, 및, 발광 다이오드용 패키지와그 제조 방법
JP3891308B1 (ja) 発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2009094172A (ja) 発光装置
JP2007329369A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP2009094323A (ja) 発光装置用パッケージの集合構造体およびその製造方法、ならびに発光装置の製造方法
JP2007109908A (ja) 発光素子搭載用の支持体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080905

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111122

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4889267

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees