JP4887643B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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本発明の半導体装置の製造方法によれば、チャネル領域が形成される半導体基板面に対してエクステンション部の実効的な深さを精度良く浅くすることができる。
図1は、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
例えば、酸化シリコン膜27の形成前後の工程については、種々の変更が可能である。また、本実施形態では、ラジカル酸化により酸化シリコン膜27を形成したが、低温で酸化シリコン膜27を形成できれば、ラジカル酸化以外の処理を用いてもよい。また、酸化シリコン膜27以外の膜を形成してもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (3)
- 半導体基板上に離間して形成される、導電性不純物を含み、エクステンションとなる2つの第1エピタキシャル成長層と、
前記2つの第1エピタキシャル成長層の各々の上に形成される、ソースあるいはドレインとなる2つの第2エピタキシャル成長層と、
前記2つの第1エピタキシャル成長層の間の離間部において、該離間部の前記半導体基板の表面が、前記2つの第1エピタキシャル成長層の底面より掘り下げられているリセス構造と、
前記2つの第1エピタキシャル成長層の間の前記リセス構造上に、ゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、を有し、
前記ゲート電極の底面の両端部が、前記ゲート絶縁膜を介して前記2つの第1エピタキシャル成長層の前記ゲート電極側の各端部上に、乗り上げるようにオーバーラップしている、
半導体装置。 - 半導体基板上にダミーゲート構造体を形成する工程と、
前記ダミーゲート構造体の両側における前記半導体基板上に、導電性不純物を含み、エクステンションとなる2つの第1エピタキシャル成長層を形成する工程と、
前記2つの第1エピタキシャル成長層の各端部上の、前記ダミーゲート構造体の両側壁に、スペーサを形成する工程と、
前記ダミーゲート構造体の両側壁に、前記スペーサを介してサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記2つの第1エピタキシャル成長層の各々の上に、ソースあるいはドレインとなる2つの第2エピタキシャル成長層を形成する工程と、
前記ダミーゲート構造体の周囲を覆い、前記ダミーゲート構造体の上面を露出させる層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ダミーゲート構造体および前記スペーサを除去して、前記半導体基板および前記2つの第1エピタキシャル成長層の各端部を露出させるゲート開口部を形成する工程と、
前記ゲート開口部に露出した半導体基板の表面をラジカル酸化により酸化して、酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を除去し、前記2つの第1エピタキシャル成長層の底面に対して、前記ゲート開口部に露出した半導体基板面を掘り下げてリセス構造を形成する工程と、
前記ゲート開口部における前記リセス構造および前記2つの第1エピタキシャル成長層の各端部上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート開口部を埋め込むゲート電極を形成する工程と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート電極の底面の両端部が、前記ゲート絶縁膜を介して前記2つの第1エピタキシャル成長層の各端部上に乗り上げるようにオーバーラップして形成される、
半導体装置の製造方法。 - 前記2つの第1エピタキシャル成長層を形成する工程において、エピタキシャル成長させる際に導電性不純物を導入して、導電性不純物を含む前記2つの第1エピタキシャル成長層を形成する、
請求項2記載の半導体装置の製造方法。
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