JP4876359B2 - 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子およびトランジスタ - Google Patents
化合物半導体素子、その製造方法、発光素子およびトランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4876359B2 JP4876359B2 JP2001272831A JP2001272831A JP4876359B2 JP 4876359 B2 JP4876359 B2 JP 4876359B2 JP 2001272831 A JP2001272831 A JP 2001272831A JP 2001272831 A JP2001272831 A JP 2001272831A JP 4876359 B2 JP4876359 B2 JP 4876359B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- boron phosphide
- layer
- substrate
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 71
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 201
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の面方位を有する珪素（Ｓｉ）単結晶（シリコン）を基板として化合物半導体素子を構成するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の一種として、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（リン化硼素系半導体）が知られている（寺本 巌著、「半導体デバイス概論」（１９９５年３月３０日、（株）培風館発行初版、２６〜２８頁参照）。リン化硼素（ＢＰ）は、フィリップス（Ｐｈｉｌｉｐｓ）のイオン結合度が０．００６と小さく（フィリップス著、「半導体結合論」（１９８５年７月２５日、（株）吉岡書店発行第３刷、５１頁参照）、全んど共有結合からなる物質である。また、閃亜鉛鉱（ｚｉｎｃ−ｂｌｅｎｄ）型の立方晶であるため、縮退した価電子帯のバンド構造を有する（生駒 俊明、生駒 英明共著、「化合物半導体の基礎物性入門」（１９９１年９月１０日、（株）培風館発行初版）、１４〜１７頁参照）。このため、リン化硼素にあっては、ｐ形の導電層を容易に獲得できる利点が備わっている。
【０００３】
従来に於いては、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上に設けられたリン化硼素層を利用して様々な化合物半導体素子が構成されている。例えば、リン化硼素層を利用したヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）が知れている（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２５（４）（１９７８）、６３３〜６３７頁参照）。また、リン化硼素層をウィンドウ（ｗｉｎｄｏｗ）層として利用した太陽電池がある（上記のＪ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，参照）。また、リン化硼素並びにその混晶を利用して、青色帯或いは緑色帯の発光ダイオード（ＬＥＤ）或いはレーザダイオード（ＬＤ）を構成する技術が開示されている（日本国特許▲１▼第２８０９６９０号、▲２▼第２８０９６９１号、▲３▼第２８０９６９２号各公報、及び▲４▼米国特許６，０６９，０２１号参照）。
【０００４】
単量体のリン化硼素（ＢＰ；ｂｏｒｏｎ ｍｏｎｏｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）の格子定数は約４．５３８Åである（上記の「半導体デバイス概論」、２８頁参照）。一方、基板として利用されている珪素（Ｓｉ）単結晶は、同じくの立方晶の閃亜鉛鉱（ｚｉｎｃ−ｂｌｅｎｄ）型結晶であり、その格子定数は約５．４３１Åである（上記の「半導体デバイス概論」、２８頁参照）。従って、格子のミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）度を、珪素単結晶の格子定数（＝５．４３１Å）に対する、双方の結晶の格子定数の差異（＝０．８９３Å）の比率で表すと約１６．６％の大きに達する。この大きな格子ミスマッチ度に因るリン化硼素層のＳｉ基板表面からの剥離を防止するために、比較的低温で成長させた非晶質を含む多結晶のリン化硼素からなる低温緩衝層をＳｉ基板表面に設ける技術手段が開示されている（上記の米国特許６，０６９，０２１号参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術にあって、リン化硼素系半導体層は、例えば表面を｛１．０．０．｝または｛１．１．１．｝結晶面とする珪素単結晶を基板として形成されている（上記の米国特許６，０６９，０２１号参照）。特に、｛１．１．１．｝結晶面では、｛１．０．０．｝結晶面に比較して珪素原子が密に存在しているため、低温緩衝層を構成する硼素（Ｂ）及びリン（Ｐ）の珪素単結晶基板内部への浸透を抑制するに有効であるとされている。
【０００６】
しかし、珪素単結晶の｛１．１．１．｝結晶面の相互の間隔は約３．１３６Åである。一方、リン化硼素（ＢＰ：格子定数＝４．５３８Å）の｛１．１．０．｝結晶面の間隔は、３．２０９Åであり、珪素単結晶の｛１．１．１．｝結晶面の間隔とは一致しない。このため、従来の｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上にもたらされるリン化硼素層は、転位或いは積層欠陥等の結晶欠陥を多量に含む粗悪な結晶層となるのが問題となっている。
【０００７】
本発明は、｛１．１．１．｝珪素単結晶の表面に交差する珪素の｛１．１．１．｝結晶面の間隔を、リン化硼素の｛１．１．０．｝結晶面の間隔に一致させる様にした表面の珪素単結晶を基板として、結晶性に優れるリン化硼素系半導体層をもたらす技術を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、珪素単結晶基板の表面をなす結晶面の方位を特定することに依って、上記の従来技術の問題点を解決するのを趣旨とする発明である。すなわち本発明は、
（１）珪素（Ｓｉ）単結晶（シリコン）からなる基板の表面上に設けられた、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系半導体層を備えてなる化合物半導体素子に於いて、［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０度（°）以上で９．０度（°）以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶を基板としたことを特徴とする化合物半導体素子。
（２）［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶を基板としたことを特徴とする上記（１）に記載の化合物半導体素子。
（３）［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０°以上で９．０°以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素系半導体層が積層された積層構造体からなる上記（１）に記載の化合物半導体素子。
（４）［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素（ＢＰ）半導体層が積層された積層構造体からなる上記（２）に記載の化合物半導体素子。
（５）上記（１）乃至（４）のいずれか１項記載の化合物半導体素子からなる発光素子。
（６）上記（１）乃至（４）のいずれか１項記載の化合物半導体素子からなるトランジスタ。
である。
【０００９】
また本発明は
（７）［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０°以上で９．０°以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素系半導体層を積層する化合物半導体素子の製造方法。
（８）［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素（ＢＰ）半導体層を積層する化合物半導体素子の製造方法。
である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の内容を説明するために、｛１．１．１．｝結晶面２ａを表面とする｛１．１．１．｝−珪素単結晶１の断面模式図を図１に例示する。｛１．１．１．｝−珪素単結晶の表面は、何れの結晶方位にも傾斜していない正確な｛１．１．１．｝結晶面２ａである。立方晶閃亜鉛鉱型にあって、｛１．１．１．｝結晶面相互のなす交差角度は７０．５度（°）である（「やさしい電子回折と初等結晶学」（１９９７年７月１０日、共立出版（株）発行初版１刷、５７頁参照）。従って、｛１．１．１．｝−珪素単結晶１にあって、表面をなす｛１．１．１．｝結晶面２ａには、角度にして７０．５度（°）で交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂが存在する。Ｓｉ単結晶の｛１．１．１．｝結晶面の間隔は約３．１３６Åであり、例えば、リン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面との間隔（＝３．２０９Å）の差異は約０．０７３Åとなる。即ち、Ｓｉ単結晶の｛１．１．１．｝結晶面の間隔に対する、この結晶面間隔の差異（＝０．０７３Å）の比率（＝０．０７３Å／３．１３６Å）は、約２．３％に達する。即ち、無傾斜の珪素｛１．１．１．｝結晶面では、例えば、リン化硼素の｛１．１．０．｝結晶面との結晶面間隔の差異は依然として大のままである。
【００１１】
一方、［１．１．０．］結晶方向に、θ度（０°＜θ＜９０°）の角度で傾斜させた｛１．１．１．｝結晶表面２ｃに交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂの間隔（＝ｄ：単位Å）と、｛１．１．１．｝結晶面２ｂの本来の結晶面間隔（＝ｄ0：Å）との関係を図２に模式的に示す。［１．１．０．］結晶方向に傾斜した｛１．１．１．｝結晶面表面２ｃでは、Ｓｉの｛１．１．１．｝結晶面間の間隔（＝ｄ）はｄ0（＝３．１３６Å）より延長される。［１．１．０．］結晶方向に、θ°傾斜させた｛１．１．１．｝結晶表面２ｃに交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂの間隔（＝ｄ）は、次式（１）で与えられる。
ｄ（Å）＝ｄ0／ｓｉｎ（θ＋７０．５）° （式（１））
θを大とするに従い、ｄはｄ0に近づくこととなる。
【００１２】
上記の式（１）に則れば、θ＝５．０°（ｓｉｎ（５．０°＋７０．５°）＝０．９６８１）とすれば、ｄ＝３．２３９Åとなり、例えば、リン化硼素・ガリウム混晶（Ｂ0.95Ｇａ0.05Ｐ）の｛１．１．０．｝結晶面の結晶面間隔に合致させられる。θ＝９．０°（ｓｉｎ（７９．５°）＝０．９８３２）とすれば、ｄ＝３．１９０Åとなり、例えば、ＢＮ0.03Ｐ0.97の｛１．１．０．｝結晶面の間隔と合致する距離で交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂをもった｛１．１．１．｝結晶面２ｃを得ることができる。θを５．０°以上で９．０°以下とすれば、単量体のリン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面間隔との差異の比率も±１．０％未満に減少させられ、結晶欠陥密度の少ない結晶性に優れるリン化硼素系半導体層を得るに好都合となる。
【００１３】
本発明の実施形態の好例として、＜１．１．０．＞結晶方位に５．０°傾斜した（１．１．１．）結晶面を表面とする硼素（Ｂ）ドープｐ形Ｓｉ単結晶基板上に、亜鉛（Ｚｎ）ドープリン化硼素・ガリウム混晶（Ｂ0.95Ｇａ0.05Ｐ）からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面からなるマグネシウム（Ｍｇ）ドープｐ形Ｂ0.95Ｇａ0.05Ｐ層を備えた積層構造体から構成した化合物半導体素子を挙げられる。また、＜−１．１．０．＞方向に９．０°傾斜させた（−１．１．１．）結晶面を表面とするリン（Ｐ）ドープｎ形Ｓｉ単結晶基板上に、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）のリン化硼素からなる低温緩衝層を介して、珪素（Ｓｉ）ドープｎ形リン化硼素層を積層させて、例えば発光素子用途の積層構造体を構成する例が挙げられる。
【００１４】
また、θが７．３°（ｓｉｎ（７７．８°）＝０．９７７４）であれば、上記の式（１）より、ｄは単量体のリン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面の結晶面間隔（＝３．２０９Å）に合致することとなる。θを７．３°±０．５°の範囲とすれば、ｄは３．２０３Å（θ＝７．８°の場合）から３．２１５Å（θ＝６．８°の場合）範囲に収まり、従って、ＢＰの｛１．１．０．｝結晶面の間隔（＝３，２０９Å）とｄとの差異の比率は０．２％以下の低きとすることができる。図３に、θを７．３°とした｛１．１．１．｝結晶面を表面２ｃとする｛１．１．１．｝−珪素単結晶１基板上に、基板１の表面に平行にリン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面４が成長する模様を模式的に示す。［１．１．０．］結晶方向に７．３°傾斜した｛１．１．１．｝結晶表面２ｃには、３．２０９Åの間隔をもって｛１．１．１．｝結晶面２ｂが交差することとなる。この｛１．１．１．｝結晶面２ｂの表面２ｃに於ける間隔は、リン化硼素系半導体層３の｛１．１．０．｝−結晶面４の間隔に一致するため、｛１．１．０．｝−ＢＰ結晶層３の成長は促進される。また、｛１．１．１．｝−珪素単結晶１表面２ｃに交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂの面間隔（＝ｄ）との整合性に依り、特に、転位或いは積層欠陥等の結晶欠陥密度の小さい結晶性に優れるリン化硼素半導体層が得られる。珪素単結晶基板の表面上に例えば、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介在させてリン化硼素半導体層を積層する場合にあっても、｛１．１．０．｝からなるリン化硼素半導体層が得られる効果は失われない。むしろ、非晶質を含む多結晶の低温緩衝層を設けることに依り、珪素単結晶基板との密着性に優れる｛１．１．０．｝−リン化硼素半導体層が得られる利点がある。
【００１５】
［１．１．０．］結晶方向に好適な角度で傾斜した｛１．１．１．｝-結晶面を表面とする｛１１１｝−Ｓｉ基板上に形成された結晶性に優れる｛１．１．０．｝−リン化硼素系半導体層を利用すれば、特性に優れる化合物半導体素子がもたらされる利点がある。本発明の実施形態の好例として、＜１．０．−１．＞結晶方位に７．０°傾斜した（１．−１．１）結晶面を表面とする硼素（Ｂ）ドープｐ形Ｓｉ単結晶基板上に、アンドープリン化硼素（ＢＰ）からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面からなるベリリウム（Ｂｅ）ドープｐ形ＢＰ層を備えた積層構造体から化合物半導体素子を構成する例を挙げられる。特に、室温での禁止帯幅を３．０±０．２ｅＶとするリン化硼素層から構成された結晶性に優れる結晶層は、例えば、発光素子にあって、単一或いは二重ヘテロ（ヘテロ）接合構造の発光部を構成するための障壁層（クラッド層）として有効に利用できる。
【００１６】
発光素子に加えて、本発明に依る結晶性に優れるリン化硼素系半導体層を利用すれば、例えば、受光素子、ｐｎ接合型ダイオード（整流器）、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）等の化合物半導体素子を構成できる。例えば、表面受光型の受光素子は、次の（Ａ）項に記載の導電性基板上に順次、（Ｂ）〜（Ｅ）項に記載の機能層を積層してなる積層構造体から構成できる。
（Ａ）＜１．１．０．＞結晶方向に７．３°傾斜した（１．１．１．）結晶面を表面とするアンチモン（Ｓｂ）ドープｎ形｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶基板
（Ｂ）Ｓｉドープｎ形リン化硼素（ＢＰ）からなる非晶質体を含む多結晶からなる低温緩衝層
（Ｃ）（Ａ）に記す基板の表面に平行に配列した｛１．１．０．｝−結晶面から主になるＳｉドープｎ形リン化硼素層
（Ｄ）単量体のリン化硼素（ＢＰ：格子定数＝４．５３８Å）と格子のミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）性の少ない立方晶の窒化ガリウム（ＧａＮ：格子定数＝４．５１０Å）から主になる高抵抗のＧａＮ層
（Ｅ）ベリリウム（Ｂｅ）をドーピングしたｐ形リン化硼素層。
この積層構成では、窒化ガリウム（ＧａＮ）層が格子ミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）度の少なく、尚且、好適に傾斜した（１．１．１．）−珪素結晶表面上の形成した結晶性に優れるリン化硼素層上に積層させているため、特に、結晶性に優れるＧａＮ層を形成できる。
【００１７】
また、結晶性に優れるリン化硼素系半導体層を利用した、次の（イ）〜（ニ）項に記載の機能層を備えた積層構造体からは例えば、ｎｐｎ接合型のＨＢＴを構成できる。
（イ）コレクタ（ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ）層としての作用を兼用する、＜−１．１．０．＞結晶方向に７．３°傾斜した（−１．１．１．）結晶面を表面とするアンチモン（Ｓｂ）ドープｎ形｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶基板
（ロ）亜鉛（Ｚｎ）ドープｐ形リン化硼素（ＢＰ）からなる非晶質体を含む多結晶からなる低温緩衝層
（ハ）（イ）に記す基板の表面に平行に配列した｛１．１．０．｝−結晶面から主になるＢｅドープｐ形リン化硼素層からなるベース（ｂａｓｅ）層
（ニ）珪素（Ｓｉ）ドープｎ形リン化硼素（ＢＰ）からエミッタ（ｅｍｉｔｔｅｒ）層。
上記例では、高い正孔濃度を与えるベリリウムをｐ形不純物として添加した、イオン結合性の少ないリン化硼素からベース層を構成しているため、特に、低抵抗のｐ形伝導層からベース層を構成でき得て優位である。
【００１８】
【作用】
［１．１．０．］結晶方位に向かって傾斜させた｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素（Ｓｉ）単結晶基板は、傾斜させる角度に依り、Ｓｉの｛１．１．１．｝結晶表面に交差する｛１．１．１．｝結晶面の間隔を、リン化硼素系半導体層、特に、単量体のリン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面間隔に合致させることができるため、｛１．１．０．｝結晶面からなるリン化硼素系半導体層の成長を促進させる作用を有する。
【００１９】
【実施例】
（第１実施例）
本第１実施例では、＜−１．−１．０＞結晶方向に角度にして ５．０°傾斜させた（−１．−１．１）結晶面を表面とする珪素（Ｓｉ）単結晶を基板とするＬＥＤを構成する場合を例にして、本発明を具体的に説明する。本第１実施例に係わるＬＥＤ１Ａの断面構造を模式的に図４に示す。
【００２０】
ＬＥＤ１Ａを構成するための積層構造体１Ｂは、硼素ドープｐ形（−１．１．０）−珪素単結晶（シリコン）を基板１０１上に次項の（２）〜（４）に記す機能層を順次、堆積して構成した。基板１０１の表面は＜−１．−１．０．＞方向に５．０°傾斜した（−１．１．１．）結晶面としたため、表面で交差する｛１１１｝結晶面（ｄ0＝３．１３６Å）の間隔（＝ｄ）は３．２７２Åであった。
【００２１】
（１）トリエチル硼素（（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ）／ホスフィン（ＰＨ3）／水素（Ｈ2）系常圧ＭＯＣＶＤ法により３５０℃で成長させた、非晶質を主体とした多結晶の亜鉛（Ｚｎ）ドープリン化硼素（ＢＰ）からなる低温緩衝層１０２
（２）（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／トリメチルインジウム（（ＣＨ3）3Ｉｎ）／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段を利用し、８５０℃で成長させたマグネシウム（Ｍｇ）をドーピングしたｐ形リン化硼素・インジウム混晶（Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐ：格子定数＝４．６２８Å）層からなる下部障壁層１０３。Ｍｇのドーピング源にはビス−シクロペンタジエニルＭｇ（分子式：（ｂｉｓ−（Ｃ5Ｈ5）2Ｍｇ）を利用した。
（３）トリメチルガリウム（（ＣＨ3）3Ｇａ）／（ＣＨ3）3Ｉｎ／アンモニア（ＮＨ3）／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段を利用して、８５０℃で立方晶の珪素（Ｓｉ）ドープｎ形Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎ層（格子定数＝４．６２８Å）から主になる発光層１０４（キャリア濃度≒６×１０17ｃｍ-3、層厚≒１２０ｎｍ）。
（４）（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段により、４００℃で成長させた、室温での禁止帯幅を約３．１ｅＶとする珪素ドープｎ形リン化硼素（ＢＰ）からなる非晶質を主体として構成された上部障壁層１０５。
【００２２】
下部障壁層１０３を構成するリン化硼素・インジウム混晶（Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐ）層は、低温緩衝層１０２を介して設けたために、低温緩衝層１０２より剥離することの無い連続膜となった。また、下部障壁層１０３は、Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐの｛１．１．０．｝結晶面から構成される結晶層となった。また、その｛１．１．０．｝結晶面の間隔（ｄ＝３．２７２Å）に一致する距離で交差するＳｉ−｛１．１．１．｝結晶面を有する（−１．１．１．）単結晶を基板として形成することとしたため、断面ＴＥＭ技法に依る結晶構造の観察では、Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐ層の内部には転位或いは積層欠陥の密度は特に増殖されるのは認められなかった。
【００２３】
上部障壁層１０５の中央には、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）円形電極（直径＝１２０μｍ）からなるオーミック性の表面電極１０６を設けた。また、ｐ形Ｓｉ基板１０１の裏面の略全面には、アルミニウム（Ａｌ）からなるオーミック性の裏面電極１０７を設けてＬＥＤ１Ａを構成した。
【００２４】
構成された青色ＬＥＤ１Ａは、次の（ａ）〜（ｄ）項に記載の特性を示した。
（ａ）発光中心波長：４６０ｎｍ
（ｂ）輝度：７ミリカンデラ（ｍｃｄ）
（ｃ）順方向電圧：３．０ボルト（Ｖ）（順方向電流＝２０ｍＡ）
（ｄ）逆方向電圧：５Ｖ（逆方向電流＝１０μＡ）
また、発光スペクトルの半値幅（所謂、ＦＷＨＭ）は２０ｎｍであり、良好な単色性の発光がもたらされた。［１１０］方向に５．０度傾斜した｛１１１｝−Ｓｉ単結晶を基板として形成した、室温禁止帯幅を約３．１ｅＶとする｛１１０｝ーリン化硼素・インジウム混晶（Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐ）下部障壁層１０３は結晶性に優れるものとなり、このため、高輝度のＬＥＤ１Ａをもたらすに貢献した。
【００２５】
（第２実施例）
本第２実施例では、＜１．−１．０．＞結晶方向に角度にして７．３°傾斜させた（１．−１．１．）結晶面を表面とする珪素（Ｓｉ）単結晶を基板としてショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接合型電界効果型トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を構成する場合を例にして、本発明を具体的に説明する。
【００２６】
本第２実施例に記すＭＥＳＦＥＴ２Ａの断面構造を模式的に図５に示す。ＭＥＳＦＥＴ２Ａを構成するための積層構造体２Ｂは、アンドープ高抵抗（１．−１．１．）−珪素単結晶（シリコン）基板１０１上に、次項の（１）〜（４）に記す機能層を順次、堆積して構成した。基板１０１の表面は＜１．−１．０．＞方向に７．３°傾斜させた（１．−１．１．）結晶面としたため、表面で交差する｛１．１．１．｝結晶面（ｄ0＝３．１３６Å）の間隔（＝ｄ）は３．２０９Åとなった。
【００２７】
（１）（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ法により３５０℃で成長させた、非晶質を主体とした多結晶のアンドープで高抵抗のリン化硼素（ＢＰ）からなる低温緩衝層１０２
（２）同じく（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段を利用し、８５０℃で成長させた酸素（Ｏ）ドープの高抵抗（室温での抵抗率≒１０4Ω・ｃｍ）ＢＰ層（格子定数＝４．５３８Å）からなる緩衝層１０８。酸素のドーピング源にはトリエトキシ硼素（分子式：（Ｃ2Ｈ5０）3Ｂ）を利用した。
（３）（ＣＨ3）3Ｇａ／ＮＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段を利用し、８５０℃で成長させた立方晶のアンドープｎ形Ｇａ0.94Ｉｎ0.06Ｎ層（格子定数＝４．５３８Å）から主になる動作層１０９（キャリア濃度≒２×１０17ｃｍ-3、層厚≒４０ｎｍ）。
（４）（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段により、４００℃で成長させた室温での禁止帯幅を約３．１ｅＶとするアンドープｎ形ＢＰ層からなる非晶質のショットキーゲート（ｇａｔｅ）電極を構成するためコンタクト層１１０。
【００２８】
高抵抗の緩衝層１０８を構成するリン化硼素（ＢＰ）層は、｛１．１．０．｝結晶面から構成される結晶層となった。また、表面でのＳｉの｛１．１．１．｝格子面の間隔をＢＰの｛１．１．０．｝結晶面の間隔（ｄ＝３．２０９Å）に一致させる様にした｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶を基板１０１としたため、断面ＴＥＭ技法に依る結晶構造の観察では、高抵抗緩衝層１０８の内部の転位密度は約１×１０5ｃｍ-2未満と計測された。
【００２９】
公知のフォトリソグラフィー（写真食刻）技術を利用して、図５の断面模式図に示す如く、ゲート電極１１１を形成する予定の領域に限定してコンタクト層１１０を除去した。次に、同領域に露出させた動作層１０９の表面に、一般的な電子ビーム蒸着手段に依り、チタン（Ｔｉ）及ぶアルミニウム（Ａｌ）を順次、真空蒸着させた。これより、動作層１０９に接触する側をチタン（Ｔｉ）とし、表層をアルミニウム（Ａｌ）とした２層構造のショットキ接触型ゲート電極１１１を構成した。ゲート電極１１１の電極長は、約２．５μｍとした。ゲート電極１１１を挟んで対向する両側に残置させたｎ形ＢＰコンタクト層１１０の表面には、オーミック（Ｏｈｍｉｃ）性のソース（ｓｏｕｒｃｅ）電極１１２及びドレイン（ｄｒａｉｎ）電極１１３を設けた。ソース１１２及びドレイン１１３両オーミック電極は、動作層１０９とは接触させずに、何れも金・ゲルマニム合金（Ａｕ９５重量％＋Ｇｅ５重量％）、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）の３層構造から構成した。
【００３０】
ソース電極１１２及びドレイン電極１１３間に、＋２０Ｖのソース・ドレイン電圧（＝ＶDS）を印可した際にＭＥＳＦＥＴ２Ａは以下の直流特性を示した。
（ａ）ソース・ドレイン電流（ＩDS）：２．５ｍＡ
（ｂ）相互コンダクタンス（ｇm）：２０ミリシーメンス（ｍＳ）／ｍｍ
（ｃ）ピンチオフ電圧：−１０．０Ｖ。
特に、［１．１．０．］結晶方位に向かって７．３°傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶を基板１０１として利用して形成した結晶性に優れ、且つ、高抵抗の｛１．１．０．｝−ＢＰ層から緩衝層層１０８を構成したので、緩衝層１０８内部へのＩDSの漏洩（ｌｅａｋ）を防止するに効果を挙げられ、ピンチオフ（ｐｉｎｃｈ−ｏｆｆ）特性に優れるＭＥＳＦＥＴがもたらされた。
【００３１】
【発明の効果】
本発明に依れば、リン化硼素（ＢＰ）系半導体層、特に、｛１．１．０．｝結晶面からなる｛１．１．０．｝−リン化硼素系半導体層を得るに好適となる、｛１．１．０．｝方向に好適な角度で傾斜させた｛１．１．１．｝結晶面を表面とする｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶を基板として化合物半導体素子を構成することとしたので、結晶性に優れるリン化硼素系半導体層を利用して、例えば、発光の単色性に優れる化合物半導体発光素子を提供できる。
【００３２】
また、本発明に依れば、例えば、リン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面の間隔と同一の間隔でＳｉの｛１．１．１．｝結晶面が交差する｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶を基板として、結晶性に優れ、尚且つ高抵抗のリン化硼素層を利用して電界効果型トランジスタを構成することとしたので、ピンチオフ特性に優れるＭＥＳＦＥＴを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】｛１．１．１．｝結晶面を表面とする｛１．１．１．｝−珪素単結晶の断面模式図である。
【図２】｛１．１．０．｝方向に角度にしてθ°傾斜した｛１．１．１．｝−結晶面を表面とする｛１．１．１．｝−珪素単結晶の断面模式図である。
【図３】｛１．１．０．｝方向に角度にして７．３°傾斜した｛１．１．１．｝−Ｓｉ表面上での｛１．１．０．｝−リン化硼素系半導体層の成長の模様を説明するための断面模式図である。
【図４】第１実施例に記載のＬＥＤの断面模式図である。
【図５】第２実施例に記載のＭＥＳＦＥＴの断面模式図である。
【符号の説明】
１Ａ ＬＥＤ
２Ａ ＭＥＳＦＥＴ
１Ｂ、２Ｂ 積層構造体
１ ｛１１１｝−Ｓｉ単結晶基板
２ａ Ｓｉ単結晶の表面をなす｛１１１｝−結晶面
２ｂ 表面をなす｛１１１｝−結晶面に交差する｛１１１｝−Ｓｉ結晶面
２ｃ ［１１０］方向にθ°傾斜した｛１１１｝−Ｓｉ結晶表面
３ ｛１１０｝−リン化硼素半導体層
４ リン化硼素の｛１１０｝−結晶面
１０１ 単結晶基板
１０２ 低温緩衝層
１０３ 下部障壁層
１０４ 発光層
１０５ 上部障壁層
１０６ 表面電極
１０７ 裏面電極
１０８ 高抵抗ＢＰ緩衝層
１０９ ＧａＩｎＮ動作層
１１０ ＢＰコンタクト層
１１１ Ｔｉ／Ａｌゲート電極
１１２ ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕソース電極
１１３ ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕドレイン電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の面方位を有する珪素（Ｓｉ）単結晶（シリコン）を基板として化合物半導体素子を構成するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の一種として、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（リン化硼素系半導体）が知られている（寺本 巌著、「半導体デバイス概論」（１９９５年３月３０日、（株）培風館発行初版、２６〜２８頁参照）。リン化硼素（ＢＰ）は、フィリップス（Ｐｈｉｌｉｐｓ）のイオン結合度が０．００６と小さく（フィリップス著、「半導体結合論」（１９８５年７月２５日、（株）吉岡書店発行第３刷、５１頁参照）、全んど共有結合からなる物質である。また、閃亜鉛鉱（ｚｉｎｃ−ｂｌｅｎｄ）型の立方晶であるため、縮退した価電子帯のバンド構造を有する（生駒 俊明、生駒 英明共著、「化合物半導体の基礎物性入門」（１９９１年９月１０日、（株）培風館発行初版）、１４〜１７頁参照）。このため、リン化硼素にあっては、ｐ形の導電層を容易に獲得できる利点が備わっている。
【０００３】
従来に於いては、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上に設けられたリン化硼素層を利用して様々な化合物半導体素子が構成されている。例えば、リン化硼素層を利用したヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）が知れている（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２５（４）（１９７８）、６３３〜６３７頁参照）。また、リン化硼素層をウィンドウ（ｗｉｎｄｏｗ）層として利用した太陽電池がある（上記のＪ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，参照）。また、リン化硼素並びにその混晶を利用して、青色帯或いは緑色帯の発光ダイオード（ＬＥＤ）或いはレーザダイオード（ＬＤ）を構成する技術が開示されている（日本国特許▲１▼第２８０９６９０号、▲２▼第２８０９６９１号、▲３▼第２８０９６９２号各公報、及び▲４▼米国特許６，０６９，０２１号参照）。
【０００４】
単量体のリン化硼素（ＢＰ；ｂｏｒｏｎ ｍｏｎｏｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）の格子定数は約４．５３８Åである（上記の「半導体デバイス概論」、２８頁参照）。一方、基板として利用されている珪素（Ｓｉ）単結晶は、同じくの立方晶の閃亜鉛鉱（ｚｉｎｃ−ｂｌｅｎｄ）型結晶であり、その格子定数は約５．４３１Åである（上記の「半導体デバイス概論」、２８頁参照）。従って、格子のミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）度を、珪素単結晶の格子定数（＝５．４３１Å）に対する、双方の結晶の格子定数の差異（＝０．８９３Å）の比率で表すと約１６．６％の大きに達する。この大きな格子ミスマッチ度に因るリン化硼素層のＳｉ基板表面からの剥離を防止するために、比較的低温で成長させた非晶質を含む多結晶のリン化硼素からなる低温緩衝層をＳｉ基板表面に設ける技術手段が開示されている（上記の米国特許６，０６９，０２１号参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術にあって、リン化硼素系半導体層は、例えば表面を｛１．０．０．｝または｛１．１．１．｝結晶面とする珪素単結晶を基板として形成されている（上記の米国特許６，０６９，０２１号参照）。特に、｛１．１．１．｝結晶面では、｛１．０．０．｝結晶面に比較して珪素原子が密に存在しているため、低温緩衝層を構成する硼素（Ｂ）及びリン（Ｐ）の珪素単結晶基板内部への浸透を抑制するに有効であるとされている。
【０００６】
しかし、珪素単結晶の｛１．１．１．｝結晶面の相互の間隔は約３．１３６Åである。一方、リン化硼素（ＢＰ：格子定数＝４．５３８Å）の｛１．１．０．｝結晶面の間隔は、３．２０９Åであり、珪素単結晶の｛１．１．１．｝結晶面の間隔とは一致しない。このため、従来の｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上にもたらされるリン化硼素層は、転位或いは積層欠陥等の結晶欠陥を多量に含む粗悪な結晶層となるのが問題となっている。
【０００７】
本発明は、｛１．１．１．｝珪素単結晶の表面に交差する珪素の｛１．１．１．｝結晶面の間隔を、リン化硼素の｛１．１．０．｝結晶面の間隔に一致させる様にした表面の珪素単結晶を基板として、結晶性に優れるリン化硼素系半導体層をもたらす技術を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、珪素単結晶基板の表面をなす結晶面の方位を特定することに依って、上記の従来技術の問題点を解決するのを趣旨とする発明である。すなわち本発明は、
（１）珪素（Ｓｉ）単結晶（シリコン）からなる基板の表面上に設けられた、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系半導体層を備えてなる化合物半導体素子に於いて、［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０度（°）以上で９．０度（°）以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶を基板としたことを特徴とする化合物半導体素子。
（２）［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶を基板としたことを特徴とする上記（１）に記載の化合物半導体素子。
（３）［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０°以上で９．０°以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素系半導体層が積層された積層構造体からなる上記（１）に記載の化合物半導体素子。
（４）［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素（ＢＰ）半導体層が積層された積層構造体からなる上記（２）に記載の化合物半導体素子。
（５）上記（１）乃至（４）のいずれか１項記載の化合物半導体素子からなる発光素子。
（６）上記（１）乃至（４）のいずれか１項記載の化合物半導体素子からなるトランジスタ。
である。
【０００９】
また本発明は
（７）［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０°以上で９．０°以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素系半導体層を積層する化合物半導体素子の製造方法。
（８）［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素（ＢＰ）半導体層を積層する化合物半導体素子の製造方法。
である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の内容を説明するために、｛１．１．１．｝結晶面２ａを表面とする｛１．１．１．｝−珪素単結晶１の断面模式図を図１に例示する。｛１．１．１．｝−珪素単結晶の表面は、何れの結晶方位にも傾斜していない正確な｛１．１．１．｝結晶面２ａである。立方晶閃亜鉛鉱型にあって、｛１．１．１．｝結晶面相互のなす交差角度は７０．５度（°）である（「やさしい電子回折と初等結晶学」（１９９７年７月１０日、共立出版（株）発行初版１刷、５７頁参照）。従って、｛１．１．１．｝−珪素単結晶１にあって、表面をなす｛１．１．１．｝結晶面２ａには、角度にして７０．５度（°）で交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂが存在する。Ｓｉ単結晶の｛１．１．１．｝結晶面の間隔は約３．１３６Åであり、例えば、リン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面との間隔（＝３．２０９Å）の差異は約０．０７３Åとなる。即ち、Ｓｉ単結晶の｛１．１．１．｝結晶面の間隔に対する、この結晶面間隔の差異（＝０．０７３Å）の比率（＝０．０７３Å／３．１３６Å）は、約２．３％に達する。即ち、無傾斜の珪素｛１．１．１．｝結晶面では、例えば、リン化硼素の｛１．１．０．｝結晶面との結晶面間隔の差異は依然として大のままである。
【００１１】
一方、［１．１．０．］結晶方向に、θ度（０°＜θ＜９０°）の角度で傾斜させた｛１．１．１．｝結晶表面２ｃに交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂの間隔（＝ｄ：単位Å）と、｛１．１．１．｝結晶面２ｂの本来の結晶面間隔（＝ｄ0：Å）との関係を図２に模式的に示す。［１．１．０．］結晶方向に傾斜した｛１．１．１．｝結晶面表面２ｃでは、Ｓｉの｛１．１．１．｝結晶面間の間隔（＝ｄ）はｄ0（＝３．１３６Å）より延長される。［１．１．０．］結晶方向に、θ°傾斜させた｛１．１．１．｝結晶表面２ｃに交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂの間隔（＝ｄ）は、次式（１）で与えられる。
ｄ（Å）＝ｄ0／ｓｉｎ（θ＋７０．５）° （式（１））
θを大とするに従い、ｄはｄ0に近づくこととなる。
【００１２】
上記の式（１）に則れば、θ＝５．０°（ｓｉｎ（５．０°＋７０．５°）＝０．９６８１）とすれば、ｄ＝３．２３９Åとなり、例えば、リン化硼素・ガリウム混晶（Ｂ0.95Ｇａ0.05Ｐ）の｛１．１．０．｝結晶面の結晶面間隔に合致させられる。θ＝９．０°（ｓｉｎ（７９．５°）＝０．９８３２）とすれば、ｄ＝３．１９０Åとなり、例えば、ＢＮ0.03Ｐ0.97の｛１．１．０．｝結晶面の間隔と合致する距離で交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂをもった｛１．１．１．｝結晶面２ｃを得ることができる。θを５．０°以上で９．０°以下とすれば、単量体のリン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面間隔との差異の比率も±１．０％未満に減少させられ、結晶欠陥密度の少ない結晶性に優れるリン化硼素系半導体層を得るに好都合となる。
【００１３】
本発明の実施形態の好例として、＜１．１．０．＞結晶方位に５．０°傾斜した（１．１．１．）結晶面を表面とする硼素（Ｂ）ドープｐ形Ｓｉ単結晶基板上に、亜鉛（Ｚｎ）ドープリン化硼素・ガリウム混晶（Ｂ0.95Ｇａ0.05Ｐ）からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面からなるマグネシウム（Ｍｇ）ドープｐ形Ｂ0.95Ｇａ0.05Ｐ層を備えた積層構造体から構成した化合物半導体素子を挙げられる。また、＜−１．１．０．＞方向に９．０°傾斜させた（−１．１．１．）結晶面を表面とするリン（Ｐ）ドープｎ形Ｓｉ単結晶基板上に、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）のリン化硼素からなる低温緩衝層を介して、珪素（Ｓｉ）ドープｎ形リン化硼素層を積層させて、例えば発光素子用途の積層構造体を構成する例が挙げられる。
【００１４】
また、θが７．３°（ｓｉｎ（７７．８°）＝０．９７７４）であれば、上記の式（１）より、ｄは単量体のリン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面の結晶面間隔（＝３．２０９Å）に合致することとなる。θを７．３°±０．５°の範囲とすれば、ｄは３．２０３Å（θ＝７．８°の場合）から３．２１５Å（θ＝６．８°の場合）範囲に収まり、従って、ＢＰの｛１．１．０．｝結晶面の間隔（＝３，２０９Å）とｄとの差異の比率は０．２％以下の低きとすることができる。図３に、θを７．３°とした｛１．１．１．｝結晶面を表面２ｃとする｛１．１．１．｝−珪素単結晶１基板上に、基板１の表面に平行にリン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面４が成長する模様を模式的に示す。［１．１．０．］結晶方向に７．３°傾斜した｛１．１．１．｝結晶表面２ｃには、３．２０９Åの間隔をもって｛１．１．１．｝結晶面２ｂが交差することとなる。この｛１．１．１．｝結晶面２ｂの表面２ｃに於ける間隔は、リン化硼素系半導体層３の｛１．１．０．｝−結晶面４の間隔に一致するため、｛１．１．０．｝−ＢＰ結晶層３の成長は促進される。また、｛１．１．１．｝−珪素単結晶１表面２ｃに交差する｛１．１．１．｝結晶面２ｂの面間隔（＝ｄ）との整合性に依り、特に、転位或いは積層欠陥等の結晶欠陥密度の小さい結晶性に優れるリン化硼素半導体層が得られる。珪素単結晶基板の表面上に例えば、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介在させてリン化硼素半導体層を積層する場合にあっても、｛１．１．０．｝からなるリン化硼素半導体層が得られる効果は失われない。むしろ、非晶質を含む多結晶の低温緩衝層を設けることに依り、珪素単結晶基板との密着性に優れる｛１．１．０．｝−リン化硼素半導体層が得られる利点がある。
【００１５】
［１．１．０．］結晶方向に好適な角度で傾斜した｛１．１．１．｝-結晶面を表面とする｛１１１｝−Ｓｉ基板上に形成された結晶性に優れる｛１．１．０．｝−リン化硼素系半導体層を利用すれば、特性に優れる化合物半導体素子がもたらされる利点がある。本発明の実施形態の好例として、＜１．０．−１．＞結晶方位に７．０°傾斜した（１．−１．１）結晶面を表面とする硼素（Ｂ）ドープｐ形Ｓｉ単結晶基板上に、アンドープリン化硼素（ＢＰ）からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面からなるベリリウム（Ｂｅ）ドープｐ形ＢＰ層を備えた積層構造体から化合物半導体素子を構成する例を挙げられる。特に、室温での禁止帯幅を３．０±０．２ｅＶとするリン化硼素層から構成された結晶性に優れる結晶層は、例えば、発光素子にあって、単一或いは二重ヘテロ（ヘテロ）接合構造の発光部を構成するための障壁層（クラッド層）として有効に利用できる。
【００１６】
発光素子に加えて、本発明に依る結晶性に優れるリン化硼素系半導体層を利用すれば、例えば、受光素子、ｐｎ接合型ダイオード（整流器）、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）等の化合物半導体素子を構成できる。例えば、表面受光型の受光素子は、次の（Ａ）項に記載の導電性基板上に順次、（Ｂ）〜（Ｅ）項に記載の機能層を積層してなる積層構造体から構成できる。
（Ａ）＜１．１．０．＞結晶方向に７．３°傾斜した（１．１．１．）結晶面を表面とするアンチモン（Ｓｂ）ドープｎ形｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶基板
（Ｂ）Ｓｉドープｎ形リン化硼素（ＢＰ）からなる非晶質体を含む多結晶からなる低温緩衝層
（Ｃ）（Ａ）に記す基板の表面に平行に配列した｛１．１．０．｝−結晶面から主になるＳｉドープｎ形リン化硼素層
（Ｄ）単量体のリン化硼素（ＢＰ：格子定数＝４．５３８Å）と格子のミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）性の少ない立方晶の窒化ガリウム（ＧａＮ：格子定数＝４．５１０Å）から主になる高抵抗のＧａＮ層
（Ｅ）ベリリウム（Ｂｅ）をドーピングしたｐ形リン化硼素層。
この積層構成では、窒化ガリウム（ＧａＮ）層が格子ミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）度の少なく、尚且、好適に傾斜した（１．１．１．）−珪素結晶表面上の形成した結晶性に優れるリン化硼素層上に積層させているため、特に、結晶性に優れるＧａＮ層を形成できる。
【００１７】
また、結晶性に優れるリン化硼素系半導体層を利用した、次の（イ）〜（ニ）項に記載の機能層を備えた積層構造体からは例えば、ｎｐｎ接合型のＨＢＴを構成できる。
（イ）コレクタ（ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ）層としての作用を兼用する、＜−１．１．０．＞結晶方向に７．３°傾斜した（−１．１．１．）結晶面を表面とするアンチモン（Ｓｂ）ドープｎ形｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶基板
（ロ）亜鉛（Ｚｎ）ドープｐ形リン化硼素（ＢＰ）からなる非晶質体を含む多結晶からなる低温緩衝層
（ハ）（イ）に記す基板の表面に平行に配列した｛１．１．０．｝−結晶面から主になるＢｅドープｐ形リン化硼素層からなるベース（ｂａｓｅ）層
（ニ）珪素（Ｓｉ）ドープｎ形リン化硼素（ＢＰ）からエミッタ（ｅｍｉｔｔｅｒ）層。
上記例では、高い正孔濃度を与えるベリリウムをｐ形不純物として添加した、イオン結合性の少ないリン化硼素からベース層を構成しているため、特に、低抵抗のｐ形伝導層からベース層を構成でき得て優位である。
【００１８】
【作用】
［１．１．０．］結晶方位に向かって傾斜させた｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素（Ｓｉ）単結晶基板は、傾斜させる角度に依り、Ｓｉの｛１．１．１．｝結晶表面に交差する｛１．１．１．｝結晶面の間隔を、リン化硼素系半導体層、特に、単量体のリン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面間隔に合致させることができるため、｛１．１．０．｝結晶面からなるリン化硼素系半導体層の成長を促進させる作用を有する。
【００１９】
【実施例】
（第１実施例）
本第１実施例では、＜−１．−１．０＞結晶方向に角度にして ５．０°傾斜させた（−１．−１．１）結晶面を表面とする珪素（Ｓｉ）単結晶を基板とするＬＥＤを構成する場合を例にして、本発明を具体的に説明する。本第１実施例に係わるＬＥＤ１Ａの断面構造を模式的に図４に示す。
【００２０】
ＬＥＤ１Ａを構成するための積層構造体１Ｂは、硼素ドープｐ形（−１．１．０）−珪素単結晶（シリコン）を基板１０１上に次項の（２）〜（４）に記す機能層を順次、堆積して構成した。基板１０１の表面は＜−１．−１．０．＞方向に５．０°傾斜した（−１．１．１．）結晶面としたため、表面で交差する｛１１１｝結晶面（ｄ0＝３．１３６Å）の間隔（＝ｄ）は３．２７２Åであった。
【００２１】
（１）トリエチル硼素（（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ）／ホスフィン（ＰＨ3）／水素（Ｈ2）系常圧ＭＯＣＶＤ法により３５０℃で成長させた、非晶質を主体とした多結晶の亜鉛（Ｚｎ）ドープリン化硼素（ＢＰ）からなる低温緩衝層１０２
（２）（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／トリメチルインジウム（（ＣＨ3）3Ｉｎ）／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段を利用し、８５０℃で成長させたマグネシウム（Ｍｇ）をドーピングしたｐ形リン化硼素・インジウム混晶（Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐ：格子定数＝４．６２８Å）層からなる下部障壁層１０３。Ｍｇのドーピング源にはビス−シクロペンタジエニルＭｇ（分子式：（ｂｉｓ−（Ｃ5Ｈ5）2Ｍｇ）を利用した。
（３）トリメチルガリウム（（ＣＨ3）3Ｇａ）／（ＣＨ3）3Ｉｎ／アンモニア（ＮＨ3）／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段を利用して、８５０℃で立方晶の珪素（Ｓｉ）ドープｎ形Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎ層（格子定数＝４．６２８Å）から主になる発光層１０４（キャリア濃度≒６×１０17ｃｍ-3、層厚≒１２０ｎｍ）。
（４）（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段により、４００℃で成長させた、室温での禁止帯幅を約３．１ｅＶとする珪素ドープｎ形リン化硼素（ＢＰ）からなる非晶質を主体として構成された上部障壁層１０５。
【００２２】
下部障壁層１０３を構成するリン化硼素・インジウム混晶（Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐ）層は、低温緩衝層１０２を介して設けたために、低温緩衝層１０２より剥離することの無い連続膜となった。また、下部障壁層１０３は、Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐの｛１．１．０．｝結晶面から構成される結晶層となった。また、その｛１．１．０．｝結晶面の間隔（ｄ＝３．２７２Å）に一致する距離で交差するＳｉ−｛１．１．１．｝結晶面を有する（−１．１．１．）単結晶を基板として形成することとしたため、断面ＴＥＭ技法に依る結晶構造の観察では、Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐ層の内部には転位或いは積層欠陥の密度は特に増殖されるのは認められなかった。
【００２３】
上部障壁層１０５の中央には、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）円形電極（直径＝１２０μｍ）からなるオーミック性の表面電極１０６を設けた。また、ｐ形Ｓｉ基板１０１の裏面の略全面には、アルミニウム（Ａｌ）からなるオーミック性の裏面電極１０７を設けてＬＥＤ１Ａを構成した。
【００２４】
構成された青色ＬＥＤ１Ａは、次の（ａ）〜（ｄ）項に記載の特性を示した。
（ａ）発光中心波長：４６０ｎｍ
（ｂ）輝度：７ミリカンデラ（ｍｃｄ）
（ｃ）順方向電圧：３．０ボルト（Ｖ）（順方向電流＝２０ｍＡ）
（ｄ）逆方向電圧：５Ｖ（逆方向電流＝１０μＡ）
また、発光スペクトルの半値幅（所謂、ＦＷＨＭ）は２０ｎｍであり、良好な単色性の発光がもたらされた。［１１０］方向に５．０度傾斜した｛１１１｝−Ｓｉ単結晶を基板として形成した、室温禁止帯幅を約３．１ｅＶとする｛１１０｝ーリン化硼素・インジウム混晶（Ｂ0.93Ｉｎ0.07Ｐ）下部障壁層１０３は結晶性に優れるものとなり、このため、高輝度のＬＥＤ１Ａをもたらすに貢献した。
【００２５】
（第２実施例）
本第２実施例では、＜１．−１．０．＞結晶方向に角度にして７．３°傾斜させた（１．−１．１．）結晶面を表面とする珪素（Ｓｉ）単結晶を基板としてショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接合型電界効果型トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を構成する場合を例にして、本発明を具体的に説明する。
【００２６】
本第２実施例に記すＭＥＳＦＥＴ２Ａの断面構造を模式的に図５に示す。ＭＥＳＦＥＴ２Ａを構成するための積層構造体２Ｂは、アンドープ高抵抗（１．−１．１．）−珪素単結晶（シリコン）基板１０１上に、次項の（１）〜（４）に記す機能層を順次、堆積して構成した。基板１０１の表面は＜１．−１．０．＞方向に７．３°傾斜させた（１．−１．１．）結晶面としたため、表面で交差する｛１．１．１．｝結晶面（ｄ0＝３．１３６Å）の間隔（＝ｄ）は３．２０９Åとなった。
【００２７】
（１）（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ法により３５０℃で成長させた、非晶質を主体とした多結晶のアンドープで高抵抗のリン化硼素（ＢＰ）からなる低温緩衝層１０２
（２）同じく（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段を利用し、８５０℃で成長させた酸素（Ｏ）ドープの高抵抗（室温での抵抗率≒１０4Ω・ｃｍ）ＢＰ層（格子定数＝４．５３８Å）からなる緩衝層１０８。酸素のドーピング源にはトリエトキシ硼素（分子式：（Ｃ2Ｈ5０）3Ｂ）を利用した。
（３）（ＣＨ3）3Ｇａ／ＮＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段を利用し、８５０℃で成長させた立方晶のアンドープｎ形Ｇａ0.94Ｉｎ0.06Ｎ層（格子定数＝４．５３８Å）から主になる動作層１０９（キャリア濃度≒２×１０17ｃｍ-3、層厚≒４０ｎｍ）。
（４）（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ／ＰＨ3／Ｈ2系常圧ＭＯＣＶＤ手段により、４００℃で成長させた室温での禁止帯幅を約３．１ｅＶとするアンドープｎ形ＢＰ層からなる非晶質のショットキーゲート（ｇａｔｅ）電極を構成するためコンタクト層１１０。
【００２８】
高抵抗の緩衝層１０８を構成するリン化硼素（ＢＰ）層は、｛１．１．０．｝結晶面から構成される結晶層となった。また、表面でのＳｉの｛１．１．１．｝格子面の間隔をＢＰの｛１．１．０．｝結晶面の間隔（ｄ＝３．２０９Å）に一致させる様にした｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶を基板１０１としたため、断面ＴＥＭ技法に依る結晶構造の観察では、高抵抗緩衝層１０８の内部の転位密度は約１×１０5ｃｍ-2未満と計測された。
【００２９】
公知のフォトリソグラフィー（写真食刻）技術を利用して、図５の断面模式図に示す如く、ゲート電極１１１を形成する予定の領域に限定してコンタクト層１１０を除去した。次に、同領域に露出させた動作層１０９の表面に、一般的な電子ビーム蒸着手段に依り、チタン（Ｔｉ）及ぶアルミニウム（Ａｌ）を順次、真空蒸着させた。これより、動作層１０９に接触する側をチタン（Ｔｉ）とし、表層をアルミニウム（Ａｌ）とした２層構造のショットキ接触型ゲート電極１１１を構成した。ゲート電極１１１の電極長は、約２．５μｍとした。ゲート電極１１１を挟んで対向する両側に残置させたｎ形ＢＰコンタクト層１１０の表面には、オーミック（Ｏｈｍｉｃ）性のソース（ｓｏｕｒｃｅ）電極１１２及びドレイン（ｄｒａｉｎ）電極１１３を設けた。ソース１１２及びドレイン１１３両オーミック電極は、動作層１０９とは接触させずに、何れも金・ゲルマニム合金（Ａｕ９５重量％＋Ｇｅ５重量％）、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）の３層構造から構成した。
【００３０】
ソース電極１１２及びドレイン電極１１３間に、＋２０Ｖのソース・ドレイン電圧（＝ＶDS）を印可した際にＭＥＳＦＥＴ２Ａは以下の直流特性を示した。
（ａ）ソース・ドレイン電流（ＩDS）：２．５ｍＡ
（ｂ）相互コンダクタンス（ｇm）：２０ミリシーメンス（ｍＳ）／ｍｍ
（ｃ）ピンチオフ電圧：−１０．０Ｖ。
特に、［１．１．０．］結晶方位に向かって７．３°傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶を基板１０１として利用して形成した結晶性に優れ、且つ、高抵抗の｛１．１．０．｝−ＢＰ層から緩衝層層１０８を構成したので、緩衝層１０８内部へのＩDSの漏洩（ｌｅａｋ）を防止するに効果を挙げられ、ピンチオフ（ｐｉｎｃｈ−ｏｆｆ）特性に優れるＭＥＳＦＥＴがもたらされた。
【００３１】
【発明の効果】
本発明に依れば、リン化硼素（ＢＰ）系半導体層、特に、｛１．１．０．｝結晶面からなる｛１．１．０．｝−リン化硼素系半導体層を得るに好適となる、｛１．１．０．｝方向に好適な角度で傾斜させた｛１．１．１．｝結晶面を表面とする｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶を基板として化合物半導体素子を構成することとしたので、結晶性に優れるリン化硼素系半導体層を利用して、例えば、発光の単色性に優れる化合物半導体発光素子を提供できる。
【００３２】
また、本発明に依れば、例えば、リン化硼素（ＢＰ）の｛１．１．０．｝結晶面の間隔と同一の間隔でＳｉの｛１．１．１．｝結晶面が交差する｛１．１．１．｝−Ｓｉ単結晶を基板として、結晶性に優れ、尚且つ高抵抗のリン化硼素層を利用して電界効果型トランジスタを構成することとしたので、ピンチオフ特性に優れるＭＥＳＦＥＴを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】｛１．１．１．｝結晶面を表面とする｛１．１．１．｝−珪素単結晶の断面模式図である。
【図２】｛１．１．０．｝方向に角度にしてθ°傾斜した｛１．１．１．｝−結晶面を表面とする｛１．１．１．｝−珪素単結晶の断面模式図である。
【図３】｛１．１．０．｝方向に角度にして７．３°傾斜した｛１．１．１．｝−Ｓｉ表面上での｛１．１．０．｝−リン化硼素系半導体層の成長の模様を説明するための断面模式図である。
【図４】第１実施例に記載のＬＥＤの断面模式図である。
【図５】第２実施例に記載のＭＥＳＦＥＴの断面模式図である。
【符号の説明】
１Ａ ＬＥＤ
２Ａ ＭＥＳＦＥＴ
１Ｂ、２Ｂ 積層構造体
１ ｛１１１｝−Ｓｉ単結晶基板
２ａ Ｓｉ単結晶の表面をなす｛１１１｝−結晶面
２ｂ 表面をなす｛１１１｝−結晶面に交差する｛１１１｝−Ｓｉ結晶面
２ｃ ［１１０］方向にθ°傾斜した｛１１１｝−Ｓｉ結晶表面
３ ｛１１０｝−リン化硼素半導体層
４ リン化硼素の｛１１０｝−結晶面
１０１ 単結晶基板
１０２ 低温緩衝層
１０３ 下部障壁層
１０４ 発光層
１０５ 上部障壁層
１０６ 表面電極
１０７ 裏面電極
１０８ 高抵抗ＢＰ緩衝層
１０９ ＧａＩｎＮ動作層
１１０ ＢＰコンタクト層
１１１ Ｔｉ／Ａｌゲート電極
１１２ ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕソース電極
１１３ ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕドレイン電極
Claims (8)
- 珪素（Ｓｉ）単結晶（シリコン）からなる基板の表面上に設けられた、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系半導体層を備えてなる化合物半導体素子に於いて、［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０度（°）以上で９．０度（°）以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶を基板としたことを特徴とする化合物半導体素子。
- ［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶を基板としたことを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体素子。
- ［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０°以上で９．０°以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素系半導体層が積層された積層構造体からなる請求項１に記載の化合物半導体素子。
- ［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素（ＢＰ）半導体層が積層された積層構造体からなる請求項２に記載の化合物半導体素子。
- 請求項１乃至４のいずれか１項記載の化合物半導体素子からなる発光素子。
- 請求項１乃至４のいずれか１項記載の化合物半導体素子からなるトランジスタ。
- ［１．１．０．］結晶方位に向かって、５．０°以上で９．０°以下の角度で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素系半導体層を積層する化合物半導体素子の製造方法。
- ［１．１．０．］結晶方位に向かって、７．３±０．５度（°）の角度の範囲で傾斜した｛１．１．１．｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に、リン化硼素系半導体層からなる低温緩衝層を介して、｛１．１．０．｝結晶面を有するリン化硼素（ＢＰ）半導体層を積層する化合物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001272831A JP4876359B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子およびトランジスタ |
| TW91118810A TWI230405B (en) | 2001-09-10 | 2002-08-20 | Composite semiconductor elements, manufacturing method thereof, light emitting elements, and transistors |
| US10/237,732 US6730987B2 (en) | 2001-09-10 | 2002-09-10 | Compound semiconductor device, production method thereof, light-emitting device and transistor |
| US10/793,832 US7030003B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-03-08 | Compound semiconductor device, production method thereof, light-emitting device and transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001272831A JP4876359B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子およびトランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086506A JP2003086506A (ja) | 2003-03-20 |
| JP4876359B2 true JP4876359B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=19098136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001272831A Expired - Fee Related JP4876359B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子およびトランジスタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4876359B2 (ja) |
| TW (1) | TWI230405B (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136512A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-06-08 | Sharp Corp | ヘテロ接合構造 |
| JPH04239191A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子および半導体電子素子 |
| JP3293583B2 (ja) * | 1999-02-16 | 2002-06-17 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶層の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶層を具備する半導体装置 |
| JP3372483B2 (ja) * | 1998-06-03 | 2003-02-04 | 一高 寺嶋 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP4238385B2 (ja) * | 1998-08-06 | 2009-03-18 | 昭和電工株式会社 | 化合物半導体素子およびその製造方法 |
| JP3399407B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2003-04-21 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
-
2001
- 2001-09-10 JP JP2001272831A patent/JP4876359B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-20 TW TW91118810A patent/TWI230405B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI230405B (en) | 2005-04-01 |
| JP2003086506A (ja) | 2003-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7622398B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor layer and production method thereof | |
| US6797990B2 (en) | Boron phosphide-based semiconductor device and production method thereof | |
| US7030003B2 (en) | Compound semiconductor device, production method thereof, light-emitting device and transistor | |
| JP3646655B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光ダイオード | |
| US7034330B2 (en) | Group-III nitride semiconductor device, production method thereof and light-emitting diode | |
| US6531716B2 (en) | Group-III nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same | |
| JP3779255B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、その製造方法および発光ダイオード | |
| JP4282976B2 (ja) | リン化硼素系化合物半導体素子、及びその製造方法、並びに発光ダイオード | |
| JP4374720B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4876359B2 (ja) | 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子およびトランジスタ | |
| JP4100493B2 (ja) | リン化硼素半導体層を含む半導体素子、その製造方法、発光ダイオードおよびリン化硼素半導体層 | |
| JP4122871B2 (ja) | リン化硼素層の製造方法及びリン化硼素系半導体素子 | |
| JP4439400B2 (ja) | リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法及び発光ダイオード | |
| JP3843791B2 (ja) | 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子、ランプおよびトランジスタ | |
| JP4431290B2 (ja) | 半導体素子および半導体層 | |
| JP3939257B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3895266B2 (ja) | リン化硼素系化合物半導体素子、及びその製造方法、並びに発光ダイオード | |
| JP4680431B2 (ja) | リン化硼素系半導体素子及びその製造方法 | |
| TW200539319A (en) | Compound semiconductor device, production method of compound semiconductor device and diode | |
| JP3698081B2 (ja) | 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子及びランプ | |
| JP2003023181A (ja) | ＧａＰ系発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP3140037B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3736401B2 (ja) | 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子、ランプおよび光源 | |
| JP2003229601A (ja) | リン化硼素系半導体素子、その製造方法、および発光ダイオード | |
| US20070131959A1 (en) | Compound semiconductor light-emitting device having pn-junction type hetero structure and forming method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080820 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111027 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111114 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |