JP4872213B2 - 焼き付き情報の保存方法、焼き付き情報の復元方法、焼き付き情報保存装置、焼き付き情報復元装置、自発光装置及びプログラム - Google Patents

Description

発明の一つの形態は、自発光装置に発生する焼き付き現象の補正処理で使用する焼き付き情報の保存方法及び保存された焼き付き情報の復元方法に関する。
発明の一つの形態は、焼き付き情報保存装置及び焼き付き情報復元装置に関する。また、発明の一つの形態は、これら装置を搭載した自発光装置に関する。
また、発明の一つの形態は、自発光装置に搭載されたコンピュータに焼き付き情報の保存処理及び復元処理を実行させるプログラムに関する。

フラットパネルディスプレイは、コンピュータディスプレイ、携帯端末、テレビなどの製品で広く普及している。現在、主には液晶ディスプレイパネルが多く採用されているが、依然、視野角の狭さや応答速度の遅さが指摘され続けている。
一方、自発光素子で形成された有機ＥＬディスプレイは、前述した視野角や応答性の課題を克服できるのに加え、バックライト不要の薄い形態、高輝度、高コントラストを達成できる。このため、液晶ディスプレイに代わる次世代表示装置として期待されている。

ところで、有機ＥＬ素子その他の自発光素子は、その発光量や発光時間に比例して劣化する特性があることは一般的にも知られている。
一方で、ディスプレイに表示される画像の内容は一様ではない。このため、自発光素子の劣化が部分的に進行し易い。例えば時刻表示領域（固定表示領域）の自発光素子は、他の表示領域（動画表示領域）の自発光素子に比べて劣化の進行が速い。

劣化が進行した自発光素子の輝度は、他の表示領域の輝度に比して相対的に低下する。一般に、この現象は“焼き付き”と呼ばれる。以下、部分的な自発光素子の劣化を“焼き付き”と表記する。
また、発光色を異にする複数種類の自発光素子を搭載する表示デバイスや複数種類の色を発生できる自発光素子を搭載する表示デバイスの場合、劣化特性の進行バラツキを原因とするホワイトバランスのズレが発生することがある。このズレは、着色現象として視認される。本明細書では、これらの現象も“焼き付き”現象として扱う。

この“焼き付き”現象の抑制には従来、自発光素子を構成する材料の発光寿命を改善するのが一番好ましいと考えられてきた。
しかし、発光寿命がどんなに長くなったとしても、いずれ“焼き付き”現象が視認されるのを避けることはできない。また、“焼き付き”現象を発生させ易い絵柄が専ら表示される場合もあり、このような場合には、発光寿命の改善だけでは対処できない。
加えて、“焼き付き”現象に対するこのアプローチは、その改善効果が発光寿命の改善度に依存する問題がある。

現在、材料の発光寿命を改善する以外の方法として、例えば下記文献の技術が提案されている。
特開２０００−３５６９８１号公報 この文献には、表示デバイスにデータが表示された時間を計測して、その計測値に応じて自発光素子の輝度を落とし（すなわち、自発光素子の劣化速度を遅くし）、劣化の進行度合いのバラツキを目立たなくする技術が開示されている。

特開２００３−２２８３２９号公報 この文献には、表示パネルを構成する各画素に対する入力データを一定周期で画素毎に積算し、それらの最大値から各画素の積算値を減算して各画素についての補正量を設定する方法が開示されている。また、非使用状態において補正量の大きさに比例する時間だけ各画素を一定輝度で発光することで各画素の表示特性を揃える方法が開示されている。

特開２０００−１３２１３９号公報 この文献には、画素毎に入力データを積算し、補正テーブルを用いて積算値を補正量に変換する方法が開示されている。また、求められた補正量により各画素の入力データを補正し、焼き付き現象を視認し難くする方法が開示されている。 特開２００１−１７５２２１号公報 この文献には、画素の中で輝度劣化が一番進んだ画素に合わせるように、その他の画素の輝度データを下げる補正方法が開示されている。また、得られた補正量で各画素の輝度データを変換し、焼き付き現象を視認し難くする方法が開示されている。

焼き付き現象を長期に亘り補正するには、画素毎に異なる劣化量を長期間又は電源オフ中も保存する必要がある。
しかし、劣化量の長期保存には、膨大な記憶容量を必要とする。例えば、１画素当たり３２ビット幅のデータが必要だとすると、自発光装置の解像度がＸＧＡ（eXtended Graphics
Array ）の場合、１画面のデータ保存だけでも、約１０Ｍバイト（＝1024×768×3（色）×4294967295（３２ビット幅のデータ最大値））の記憶領域を必要とする。
ところが、大容量かつ高速読み書き可能な不揮発性記憶装置は、現時点において非常に高価であり、実製品への搭載が難しい。

発明者らは、以上の技術的課題に着目し、以下の技術手法を提案する。
まず、複数の自発光素子がマトリクス状に配置された自発光装置における焼き付き情報の保存方法として、
（ａ）電源オフ操作の検出時、各画素に対応する焼き付き情報の最大値を揮発性記憶装置から検出する処理と、
（ｂ）焼き付き情報の最大値を、不揮発性記憶装置のビット幅で表現可能な最大値に変換する演算用の数値を算出する処理と、
（ｃ）算出された数値を用いた演算処理により、各画素の焼き付き情報を保存用の焼き付き情報に変換する処理と、
（ｄ）保存用の焼き付き情報とその算出に使用された数値とを不揮発性記憶装置に保存する処理と
を有するものを提案する。

また、複数の自発光素子がマトリクス状に配置された自発光装置における焼き付き情報の復元方法として、
（ａ）電源オン操作の検出時、不揮発性記憶装置から保存用に変換処理された焼き付き情報と復元用の数値とを読み出す処理と、
（ｂ）各画素に対応する焼き付き情報と復元用の数値を用い、各画素に対応する焼き付き情報を復元する処理と、
（ｃ）復元された焼き付き情報を揮発性記憶装置に保存する処理と
を有するものを提案する。
ここでの自発光装置は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネル、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＣＲＴ（cathode ray tube）、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）パネル、ＬＥＤパネル、プロジェクターを含む。

発明に係る保存方法を用いれば、揮発性記憶装置に比して非常に小さい記憶容量しか有しない不揮発性記憶装置を用いても、全ての焼き付き情報を保存することが可能になる。この結果、長期又は電源オフ中も焼き付き情報の保存が可能になる。
また、発明に係る復元方法を用いれば、電源が再びオンした場合にも、電源オフ時の焼き付き情報を揮発性記憶装置に復元できる。この結果、再度の電源オン後も、電源オフ時の状態から焼き付き現象の管理を再開できる。これにより、補正値の算出精度が向上し、長期に亘って焼き付き現象を正確に補正できる。

以下、発明に係る技術手法を採用する焼き付き現象補正技術の実施形態例を説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。

（Ａ）焼き付き現象補正装置
図１に、焼き付き現象補正装置（以下、「補正装置」という。）の形態例を示す。
補正装置１は、焼き付き情報算出部３、焼き付き情報保存部（揮発性記憶装置）５、補正量算出部７、焼き付き補正部９、焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１、保存・復元制御部１３で構成される。
焼き付き情報算出部３は、入力信号に基づいて各画素の焼き付き情報を算出する処理デバイスである。
焼き付き情報とは、例えば劣化量、劣化量差その他の自発光素子の輝度低下を表す又は推測できる情報をいう。劣化量差とは、各画素の劣化量と基準画素の劣化量との差である。劣化量差を保存する方式の場合、その保存に必要な記憶容量は劣化量を保存するのに比して格段に少なく済む。

この形態例の場合、焼き付き情報の算出方法は任意である。従って、周知の技術手法だけでなく、今後開発されるであろう様々な算出手法を適用できる。例えば、画素毎に毎フレームの入力信号を加算する手法を適用できる。
なお、入力信号は、自発光素子の駆動条件に関する信号であれば、焼き付き情報の算出方法に応じて任意の信号を適用できる。例えば各自発光素子（画素）に対応する階調値、階調値の累積値、階調値から導出される劣化率、駆動電流値、自発光素子のアノード・カソード間に印加される駆動電圧値、駆動電流や駆動電圧の実測値を適用できる。

焼き付き情報保存部（揮発性記憶装置）５は、焼き付き情報算出部３で算出された焼き付き情報を画素毎に保存する記憶デバイスである。この揮発性記憶装置には、大容量かつ高速アクセス性が要求される。勿論、経済性も要求される。例えば、半導体記憶装置、ハードディスク装置その他の記憶デバイスを使用する。
補正量算出部７は、読み出された焼き付き情報に基づいて、各画素（自発光素子）それぞれに対応する補正量を算出する処理デバイスである。例えば、ある補正期間内に画素間の焼き付き情報差をゼロにするように補正量を設定する。もっとも、補正量の演算手法や補正原理は任意である。

焼き付き補正部９は、算出された補正量で対応する入力信号を補正する処理デバイスである。例えば、補正量メモリと補正演算部とで構成する。補正量メモリは、補正演算用に補正量を保持する記憶デバイスである。補正演算部は、補正処理を実行する処理デバイスである。具体的な補正処理の内容は、採用する補正原理や補正量の内容に応じて定まる。例えば、入力信号に対して補正量を加減算する処理が実行される。また例えば、補正量に応じて入力信号に対する利得（ゲイン）を増減する処理が実行される。

焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１は、電源オフ時に揮発性の焼き付き情報保存部５に保持されている焼き付き情報を待避させる記憶デバイスである。この不揮発性記憶装置には、製品への実装の観点から経済性を優先する。例えば、現在主流のフラッシュメモリを使用する。もっとも、製品単価が下がればＭＲＡＭ（Magnetoresistive random access memory）やＦＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）その他も使用できる。
この形態例の場合、焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１には、焼き付き情報のデータ量を大幅に圧縮した情報を保存する。従って、焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１の記憶容量は、焼き付き情報保存部（揮発性記憶装置）５の記憶容量に比して大幅に小さくすることが可能である。この結果、安価の記憶装置を使用できる。

保存・復元制御部１３は、電源オフ操作時に焼き付き情報を揮発性記憶装置から不揮発性記憶装置に待避的に保存する処理と、電源オン操作時に焼き付き情報を不揮発性記憶装置から揮発性記憶装置に復元する処理とを制御する処理デバイスである。
図２に、保存・復元制御部１３のうち焼き付き情報の待避的な保存機能に対応する構成部分を示す。待避的な保存機能は、最大値検出部１３１、変換用数値算出部１３２、情報変換部１３３、保存処理部１３４によって実現される。
この形態例の場合、図２に示す保存機能は、電源オフ操作に起因して発生される電源オフ信号の入力により実行される。もっとも、最大値の検出と変換用数値の算出処理については、電源オフに備えて常時実行する仕組みを採用しても良い。

最大値検出部１３１は、各画素に対応する焼き付き情報の最大値を焼き付き情報保存部（揮発性記憶装置）５から検出する処理デバイスである。例えば、劣化量や劣化量差の最大値が検出される。
検出された最大値は、待避的に保存すべき焼き付き情報と不揮発性記憶装置の記憶容量との関係を判定するのに用いられる。
変換用数値算出部１３２は、対比的な保存処理で実行される変換処理で必要になる変換用数値を算出する処理デバイスである。
なお、最大値検出部１３１で検出された最大値が焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１で保存可能な数値よりも小さい場合は、変換用の数値として“１”が用いられる。

もっとも、自発光装置を長期的に使用すると、焼き付き情報を与える数値は、焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１で保存可能な数値よりも大きくなる。
そこで、変換用数値算出部１３２は、焼き付き情報の最大値を焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１で保存可能な数値の最大値に圧縮するのに必要な数値（変換用数値）を算出する。すなわち、変換用数値算出部１３２は、焼き付き情報の最大値を、不揮発性記憶装置のビット幅で表現可能な最大値に変換する演算用の数値を算出する。
この形態例の場合、焼き付き情報の最大値に応じて最適な変換用数値を算出するため、待避先である不揮発性記憶装置の記憶領域を最大限に利用できる。また、変換用数値を固定するのと違い変換誤差も必要最小限に留めることができる。
なお、算出処理では、情報変換部１３３で使用する圧縮変換を考慮する。圧縮変換には、例えば除算演算、対数変換その他を使用する。

情報変換部１３３は、変換用数値を用いた演算処理により、揮発性記憶装置に保存されている全ての焼き付き情報を保存用の焼き付き情報に変換する処理デバイスである。この演算処理により、揮発性記憶装置に保存されている全ての焼き付き情報は、不揮発性記憶装置で記憶可能な数値に変換される。
保存処理部１３４は、演算処理によって生成された保存用の焼き付き情報とその算出に使用された変換用数値を不揮発性記憶装置に保存する処理デバイスである。このように、圧縮変換後の焼き付き情報だけでなく、その変換処理に用いた変換用数値も一緒に保存することにより、変換前の状態に復元することが可能となる。

図３に、保存・復元制御部１３のうち焼き付き情報の復元機能に対応する構成部分を示す。
この復元機能は、情報読み出し部１３５、情報復元部１３６、保存処理部１３７により実現される。この形態例の場合、図３に示す復元機能は、電源オン操作に起因して発生される電源オン信号の入力により実行される。
情報読み出し部１３５は、焼き付き情報保持部（不揮発性記憶装置）１１から保存用に変換処理された焼き付き情報と復元用の数値（変換用数値）とを読み出す処理デバイスである。

情報復元部１３６は、各画素に対応する焼き付き情報と復元用の数値とを用い、各画素に対応する焼き付き情報を復元する処理デバイスである。具体的には、圧縮変換時とは逆の変換処理を実行する。この処理により、圧縮変換前の焼き付き情報が復元される。
保存処理部１３７は、復元された焼き付き情報を焼き付き情報保存部（揮発性記憶装置）５に保存する処理デバイスである。
なお、電源オン操作により焼き付き情報が揮発性記憶装置に復元された後は、復元された焼き付き情報に基づく補正処理が再開される。

（Ｂ）補正処理及び待避・復元処理
続いて、補正装置１による補正動作と焼き付き情報の待避・復元動作を説明する。
（Ｂ−１）電源オフ前
自発光装置の使用中、補正装置１は、既存の補正動作と同じ処理を実行する。すなわち、入力信号に基づいて算出した焼き付き情報に基づいて、補正量を決定し、画素間における劣化度合いを合わせ込むように補正動作を実行する。

（Ｂ−２）焼き付き情報の保存処理
電源オフ操作が実行されると、焼き付き情報の保存処理が実行される。
図４に、保存・復元制御部１３が実行する処理例を示す。なお、図４は、焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１のビット幅が“８”の場合（各画素について保存可能な最大値が
“255”の場合）にあって、除算演算により情報量を圧縮する場合の操作例を表している。

まず、保存・復元制御部１３は、揮発性の記憶装置である焼き付き情報保存部５から焼き付き情報を読み出す（Ｓ１）。
次に、保存・復元制御部１３は、画素毎の焼き付き情報を比較し、それらのうちの最大値を検出する。
図５（Ａ）の場合、左上隅に位置する画素の焼き付き情報が最大値を与える（Ｓ２）。ここでは、最大値を “5233256”とする。勿論、揮発性の記憶装置である焼き付き情報保存部５は、これよりも十分大きな数値を保存できるだけの記憶容量を有している。

次に、保存・復元制御部１３は、検出された最大値を、不揮発性の記憶装置である焼き付き情報保存部１１で保存可能な最大値 “255”に変換するために必要な変換用数値Ｃ２５５を算出する（Ｓ３）。
この例の場合、圧縮変換には除算演算を採用するので、検出された焼き付き情報の最大値 “5233256”を、保存可能な最大値
“255”で割れば、変換用数値Ｃ２５５を求めることができる。図５の場合、変換用数値Ｃ２５５は “20442”である。

次に、保存・復元制御部１３は、揮発性の記憶装置である焼き付き情報保存部５に保存されている全ての焼き付き情報を、この変換用数値Ｃ２５５で割る（Ｓ４）。この除算演算によって、８ビット幅に変換された焼き付き情報が得られる。図５（Ｂ）に除算演算結果を示す。
保存・復元制御部１３は、圧縮変換後の焼き付き情報と変換用数値Ｃ２５５を不揮発性の記憶装置である焼き付き情報保存部１１に保存する（Ｓ５）。
このように、保存・復元制御部１３を用いれば、数十ビット幅もある焼き付き情報を８ビット幅の焼き付き情報として保存できる。すなわち、データ量を大幅に削減できる。

（Ｂ−３）焼き付き情報の復元処理（電源オン時）
次に、電源オン操作が実行された場合の動作を説明する。すなわち、焼き付き情報の復元処理を説明する。
図６に、保存・復元制御部１３が実行する処理例を示す。図６も、焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）１１のビット幅が“８”の場合（保存可能な最大値が
“255”の場合）にあって、除算演算によって情報量が圧縮された焼き付き情報が保存されている場合について表している。

まず、保存・復元制御部１３は、不揮発性の記憶装置である焼き付き情報保存部１１から焼き付き情報と変換用数値Ｃ２５５とを読み出す（Ｓ１１）。
読み出しが終わると、保存・復元制御部１３は、各画素の焼き付き情報に変換用数値Ｃ２５５を乗算し、圧縮変換前の焼き付き情報を復元する（Ｓ１２）。
この後、保存・復元制御部１３は、復元された焼き付き情報を、揮発性の記憶装置である焼き付き情報保存部５に保存する（Ｓ１３）。
この結果、揮発性の記憶装置である焼き付き情報保存部５には、電源オフ前の焼き付き情報が復元される。

（Ｂ−４）焼き付き情報の復元後
この後は、電源オフ時の焼き付き情報から、既存の補正動作が継続的に再開される。すなわち、焼き付き情報保存部５が保存する焼き付き情報は、新たに入力される入力信号によって更新される。また、画素間に生じた焼き付き情報差の補正も電源オフ時の焼き付き情報から継続的に実行される。

（Ｃ）焼き付き情報の算出例
焼き付き情報は、既存の手法を用いて算出できる。ここでは、発明者らが提案する算出手法を一例として示す。この算出手法は、発光特性の劣化が、入力信号値に比例して進行しない場合に非常に有効な処理手法である。
ここでは、焼き付き情報を劣化量で与える場合について説明する。この劣化量の算出に、発明者らは“劣化率”というパラメータを使用する手法を提案する。
劣化率とは、発光量の低下を単位時間当たりに換算した値をいい、発光特性の実測値より求められる。例えば、個々の階調値による発光がある期間継続した場合に実測された輝度の低下量を単位時間当たりに換算した値として与えられる。

入力信号が階調値で与えられる場合に、これを劣化率に変換するためのルックアップテーブル例を図７に示す。なお、図７は、階調値が８ビットで与えられる場合の例である。図７は８ビットの場合であるので、階調値は０〜２５５までの値として与えられる。
ルックアップテーブルに格納されるテーブル情報は、事前の実験で取得された階調値と劣化率の対応関係に基づいて設定されている。発明者らは、テーブル情報を決める実験例として以下の手法を一例として提案する。

例えば、ある固定の階調値で自発光デバイスを一定期間点灯し、その際に実測される輝度が最大階調値（８ビットの場合は２５５）の初期輝度に対してどれだけ低下しているかを実測する作業（すなわち、輝度低下率）を全ての階調値について繰り返す。
なお、階調数が多い場合には、適当な階調値をサンプリングし、その結果から得られる関係式を利用して算出するという方法も考えられる。
劣化量は、劣化率に発光時間ｔを乗算することにより導出できる。例えば、ある画素の階調値に対応する劣化率がαで与えられる場合、ある画素の劣化量はα×ｔとして算出することができる。
このように算出した劣化量は、各画素（自発光素子）の実際の発光特性を反映したものであるため、正確な補正量の算出が可能となる。

（Ｄ）形態例の効果
この形態例に係る補正装置を用いれば、電源オフ時の焼き付き情報の保存に必要な不揮発性記憶装置の記憶容量を劇的に削減することが可能になる。例えば、前述したように画素当たり８ビットの記憶容量で保存することが可能になる。
このことは、今後どれほど画像解像度が大きくなっても、焼き付き現象補正装置を現実的なシステム規模で実現できることを意味する。すなわち、今後どれほど自発光装置の解像度が大きくなったとしても、焼き付き現象補正装置を実用的なコストで実装できることを意味する。
また、圧縮変換に除算演算を用いる場合には特に、圧縮変換に要する計算負荷が少なく済み、必要とされる回路規模を大幅に削減できる。

（Ｅ）自発光装置への搭載例
図８に、焼き付き現象補正装置の自発光装置への搭載例を示す。
自発光装置２１は、筐体２３に焼き付き現象補正装置２５と表示デバイス２７を搭載する。
ここで、焼き付き現象補正装置２５は、外部端子又は内部で発生された映像信号を入力し、補正対象画素と基準画素との間に劣化量差が発生しないように階調値の補正動作を実行する。

また、表示デバイス２７は、表示デバイスとその駆動回路とで構成されるものとする。表示デバイスには、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネル、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）パネル、ＬＥＤパネル、ＣＲＴが用いられる。
図８の場合、自発光装置２１に、焼き付き現象の補正専用の処理デバイスである焼き付き現象補正装置２５が搭載されているものとして表しているが、当該機能がソフトウェア的に全て実行される場合には、これらの機能は自発光装置に搭載されたコンピュータにより実現される。

（Ｆ）他の形態例
前述の形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される各種の変形例及び応用例も考えられる。

焼き付き現象補正装置の形態例を示す図である。 焼き付き情報の保存機能に対応する構成例である。 焼き付き情報の復元機能に対応する構成例である。 焼き付き情報の保存処理動作を示す図である。 焼き付き情報の変換例を示す図である。 焼き付き情報の復元処理動作を示す図である。 階調値と劣化率との対応関係を保持するテーブル例を示す図である。 自発光装置の構成例を示す図である。

符号の説明

１ 焼き付き現象補正装置
３ 焼き付き情報算出部
５ 焼き付き情報保存部（揮発性記憶装置）
７ 補正量算出部
９ 焼き付き補正部
１１ 焼き付き情報保存部（不揮発性記憶装置）
１３ 保存・復元制御部

Claims (17)

1. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置された自発光装置における自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報の保存方法であって、
   各自発光素子の焼き付き情報は、自発光素子の駆動条件に関する入力信号に基づいて算出され、揮発性記憶装置に保存されており、
   電源オフ操作が実行されると、
   揮発性記憶装置に記憶されている各自発光素子の焼き付き情報のうちの最大値を検出する処理と、
   焼き付き情報の最大値を不揮発性記憶装置で保存可能な数値の最大値に圧縮変換するのに必要な変換用数値を算出する処理と、
   変換用数値を用いた演算処理により、各自発光素子の焼き付き情報を保存用の焼き付き情報に圧縮変換する処理と、
   変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを、揮発性記憶装置よりもビット幅の狭い記憶容量を持つ不揮発性記憶装置に保存する処理、
   とを行う焼き付き情報の保存方法。
2. 焼き付き情報は、自発光素子の輝度低下を表す又は推測できる情報である
   請求項１に記載の焼き付き情報の保存方法。
3. 焼き付き情報は、自発光素子の発光量の低下を表す劣化量である
   請求項１又は請求項２に記載の焼き付き情報の保存方法。
4. 劣化量は、発光量の低下を単位時間当たりに換算した値である劣化率に、発光時間を乗算することにより導出される
   請求項３に記載の焼き付き情報の保存方法。
5. 焼き付き情報は、各自発光素子の劣化量と基準画素の劣化量との差を表す劣化量差である
   請求項３又は請求項４に記載の焼き付き情報の保存方法。
6. 焼き付き情報は、画素毎に毎フレームの入力信号を加算することで算出される
   請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の焼き付き情報の保存方法。
7. 自発光素子の駆動条件に関する入力信号として、自発光素子に対応する階調値、階調値の累積値、階調値から導出される劣化率、駆動電流値、自発光素子のアノード・カソード間に印加される駆動電圧値、駆動電流又は駆動電圧の実測値の何れかが適用される
   請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の焼き付き情報の保存方法。
8. 圧縮変換には、除算演算を使用する
   請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の焼き付き情報の保存方法。
9. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置された自発光装置における自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報の復元方法であって、
   請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の焼き付き情報の保存方法によって、変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とが不揮発性記憶装置に保存されており、
   電源オン操作が実行されると、
   不揮発性記憶装置から変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを読み出す処理と、
   変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを用い、電源オフ操作前の各自発光素子の焼き付き情報を復元する処理と、
   復元された焼き付き情報を揮発性記憶装置に保存する処理、
   とを行う焼き付き情報の復元方法。
10. 電源オフ操作前の各自発光素子の焼き付き情報を復元する処理は、圧縮変換とは逆の変換処理を実行すことで、圧縮変換前の焼き付き情報を復元する処理である
    請求項９に記載の焼き付き情報の復元方法。
11. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置された自発光装置における自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報を保存する焼き付き情報保存装置であって、
    揮発性記憶装置に記憶されている各自発光素子の焼き付き情報のうちの最大値を検出する最大値検出部と、
    焼き付き情報の最大値を不揮発性記憶装置で保存可能な数値の最大値に圧縮変換するのに必要な変換用数値を算出する変換用数値算出部と、
    変換用数値を用いた演算処理により、各自発光素子の焼き付き情報を保存用の焼き付き情報に圧縮変換する情報変換部と、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを、揮発性記憶装置よりもビット幅の狭い記憶容量を持つ不揮発性記憶装置に保存する保存処理部、
    とを有し、
    各自発光素子の焼き付き情報は、自発光素子の駆動条件に関する入力信号に基づいて算出され、揮発性記憶装置に保存されており、
    最大値検出部、変換用数値算出部、情報変換部、及び、保存処理部の各動作が、電源オフ操作が実行されることで行われる焼き付き情報保存装置。
12. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置された自発光装置における自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報を復元する焼き付き情報復元装置であって、
    不揮発性記憶装置に保存された変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを読み出す情報読み出し部と、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを用い、電源オフ操作前の各自発光素子の焼き付き情報を復元する情報復元部と、
    復元された焼き付き情報を揮発性記憶装置に保存する保存処理部、
    とを有し、
    請求項１１に記載の焼き付き情報保存装置によって、変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とが不揮発性記憶装置に保存されており、
    情報読み出し部、情報復元部、及び、保存処理部の各動作が、電源オン操作が実行されることで行われる焼き付き情報復元装置。
13. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置された自発光装置であって、
    各自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報を保存する揮発性記憶装置と、
    揮発性記憶装置よりもビット幅の狭い記憶容量を持つ不揮発性記憶装置と、
    揮発性記憶装置に記憶されている各自発光素子の焼き付き情報のうちの最大値を検出する最大値検出部と、
    焼き付き情報の最大値を不揮発性記憶装置で保存可能な数値の最大値に圧縮変換するのに必要な変換用数値を算出する変換用数値算出部と、
    変換用数値を用いた演算処理により、各自発光素子の焼き付き情報を保存用の焼き付き情報に圧縮変換する情報変換部と、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを不揮発性記憶装置に保存する保存処理部、
    とを有し、
    各自発光素子の焼き付き情報は、自発光素子の駆動条件に関する入力信号に基づいて算出され、揮発性記憶装置に保存されており、
    最大値検出部、変換用数値算出部、情報変換部、及び、保存処理部の各動作が、電源オフ操作が実行されることで行われ、
    更に、
    各自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報を保存する揮発性記憶装置と、
    揮発性記憶装置よりもビット幅の狭い記憶容量を持つ不揮発性記憶装置と、
    不揮発性記憶装置に保存された変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを読み出す情報読み出し部と、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを用い、電源オフ操作前の各自発光素子の焼き付き情報を復元する情報復元部と、
    復元された焼き付き情報を揮発性記憶装置に保存する保存処理部、
    とを有し、
    情報読み出し部、情報復元部、及び、保存処理部の各動作が、電源オン操作が実行されることで行われる自発光装置。
14. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置された自発光装置であって、
    各自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報を保存する揮発性記憶装置と、
    揮発性記憶装置よりもビット幅の狭い記憶容量を持つ不揮発性記憶装置と、
    不揮発性記憶装置に保存された変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを読み出す情報読み出し部と、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを用い、電源オフ操作前の各自発光素子の焼き付き情報を復元する情報復元部と、
    復元された焼き付き情報を揮発性記憶装置に保存する保存処理部、
    とを有し、
    各自発光素子の焼き付き情報は、自発光素子の駆動条件に関する入力信号に基づいて算出され、揮発性記憶装置に保存されており、
    電源オフ操作が実行されることで、
    揮発性記憶装置に記憶されている各自発光素子の焼き付き情報のうちの最大値が検出され、
    焼き付き情報の最大値を不揮発性記憶装置で保存可能な数値の最大値に圧縮変換するのに必要な変換用数値が算出され、
    変換用数値を用いた演算処理により、各自発光素子の焼き付き情報が保存用の焼き付き情報に圧縮変換され、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とが不揮発性記憶装置に保存されており、
    情報読み出し部、情報復元部、及び、保存処理部の各動作が、電源オン操作が実行されることで行われる自発光装置。
15. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置されており、各自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報を保存する揮発性記憶装置と、揮発性記憶装置よりもビット幅の狭い記憶容量を持つ不揮発性記憶装置とを備えた自発光装置に搭載したコンピュータに焼き付き情報の保存処理を実行させるプログラムであって、
    各自発光素子の焼き付き情報は、自発光素子の駆動条件に関する入力信号に基づいて算出され、揮発性記憶装置に保存されており、
    揮発性記憶装置に記憶されている各自発光素子の焼き付き情報のうちの最大値を検出する処理と、
    焼き付き情報の最大値を不揮発性記憶装置で保存可能な数値の最大値に圧縮変換するのに必要な変換用数値を算出する処理と、
    変換用数値を用いた演算処理により、各自発光素子の焼き付き情報を保存用の焼き付き情報に圧縮変換する処理と、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを不揮発性記憶装置に保存する処理、
    とを、電源オフ操作に起因して実行させるプログラム。
16. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置されており、各自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報を保存する揮発性記憶装置と、揮発性記憶装置よりもビット幅の狭い記憶容量を持つ不揮発性記憶装置とを備えた自発光装置に搭載したコンピュータに焼き付き情報の復元処理を実行させるプログラムであって、
    請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の焼き付き情報の保存方法、請求項１１に記載の焼き付き情報保存装置、請求項１５に記載のプログラム、の何れかによって、変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とが不揮発性記憶装置に保存されており、
    不揮発性記憶装置に保存された変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを読み出す処理と、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを用い、電源オフ操作前の各自発光素子の焼き付き情報を復元する処理と、
    復元された焼き付き情報を揮発性記憶装置に保存する処理、
    とを、電源オン操作に起因して実行させるプログラム。
17. 複数の自発光素子がマトリクス状に配置されており、各自発光素子の発光特性の劣化を表す焼き付き情報を保存する揮発性記憶装置と、揮発性記憶装置よりもビット幅の狭い記憶容量を持つ不揮発性記憶装置とを備えた自発光装置に搭載したコンピュータに焼き付き情報の復元処理を実行させるプログラムであって、
    各自発光素子の焼き付き情報は、自発光素子の駆動条件に関する入力信号に基づいて算出され、揮発性記憶装置に保存されており、
    電源オフ操作が実行されることで、
    揮発性記憶装置に記憶されている各自発光素子の焼き付き情報のうちの最大値が検出され、
    焼き付き情報の最大値を不揮発性記憶装置で保存可能な数値の最大値に圧縮変換するのに必要な変換用数値が算出され、
    変換用数値を用いた演算処理により、各自発光素子の焼き付き情報が保存用の焼き付き情報に圧縮変換され、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とが不揮発性記憶装置に保存されており、
    不揮発性記憶装置に保存された変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを読み出す処理と、
    変換用数値と各自発光素子の保存用の焼き付き情報とを用い、電源オフ操作前の各自発光素子の焼き付き情報を復元する処理と、
    復元された焼き付き情報を揮発性記憶装置に保存する処理、
    とを、電源オン操作に起因して実行させるプログラム。

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