JP4855959B2 - 定電流回路 - Google Patents
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Description
一方、図11は、従来の定電流回路の回路例を示した図であり(例えば、特許文献2参照。)、図12は、出力短絡時における図11の各部の波形例を示した図である。
図11の定電流回路100において、負荷回路(図示せず)へ供給する出力電流IOUTの大部分はPMOSトランジスタであるドライバトランジスタQ101から供給され、該ドライバトランジスタQ101と並列に電流検出回路が接続されている。電流検出回路は、ドライバトランジスタQ101と並列に接続された出力電流検出用抵抗R101とPMOSトランジスタである出力電流検出用トランジスタQ103との直列回路、所定の基準電圧VR1を生成して出力する基準電圧発生回路103、及び演算増幅回路104で構成されている。
ゲートに入力された制御信号に応じた電流を前記出力端子に出力する、PMOSトランジスタからなるドライバトランジスタと、
該ドライバトランジスタから出力される出力電流の検出を行い、該検出した出力電流に応じた電圧が所定の基準電圧になるように前記ドライバトランジスタの動作制御を行う制御回路部と、
を備え、
前記制御回路部は、
前記出力電流に応じた電圧と前記基準電圧が対応する入力端に入力された差動増幅段、並びに該差動増幅段の出力信号を増幅して前記ドライバトランジスタのゲートに出力する、PMOSトランジスタからなる出力トランジスタ及び該出力トランジスタに定電流を供給する定電流源からなるソース接地増幅段で構成された増幅回路と、
ドレイン及びゲートが前記出力トランジスタのドレイン及びゲートに対応して接続されたPMOSトランジスタからなる第1トランジスタと、
前記出力トランジスタのソース電圧を所定の電圧だけ低下させて該第1トランジスタのソースに入力する電圧生成回路と、
を備えるものである。
前記ドライバトランジスタから出力される出力電流の検出を行い、該検出した出力電流に応じた電圧を生成して出力する電流検出回路を備え、
前記電流検出回路は、前記ドライバトランジスタに並列に接続された、出力電流検出用抵抗と、ゲートが前記ドライバトランジスタのゲートに接続されたPMOSトランジスタからなる出力電流検出用トランジスタとの直列回路からなり、該出力電流検出用抵抗と出力電流検出用トランジスタとの接続部から前記出力電流に応じた電圧を出力するようにした。
ゲートに入力された制御信号に応じた電流を前記出力端子に出力する、NMOSトランジスタからなるドライバトランジスタと、
該ドライバトランジスタから出力される出力電流の検出を行い、該検出した出力電流に応じた電圧が所定の基準電圧になるように前記ドライバトランジスタの動作制御を行う制御回路部と、
を備え、
前記制御回路部は、
前記出力電流に応じた電圧と前記基準電圧が対応する入力端に入力された差動増幅段、並びに該差動増幅段の出力信号を増幅して前記ドライバトランジスタのゲートに出力する、NMOSトランジスタからなる出力トランジスタ及び該出力トランジスタに定電流を供給する定電流源からなるソース接地増幅段で構成された増幅回路と、
ドレイン及びゲートが前記出力トランジスタのドレイン及びゲートに対応して接続されたNMOSトランジスタからなる第1トランジスタと、
前記出力トランジスタのソース電圧を所定の電圧だけ上昇させて該第1トランジスタのソースに入力する電圧生成回路と、
を備えるものである。
前記ドライバトランジスタから出力される出力電流の検出を行い、該検出した出力電流に応じた電圧を生成して出力する電流検出回路を備え、
前記電流検出回路は、前記ドライバトランジスタに並列に接続された、出力電流検出用抵抗と、ゲートが前記ドライバトランジスタのゲートに接続されたNMOSトランジスタからなる出力電流検出用トランジスタとの直列回路からなり、該出力電流検出用抵抗と出力電流検出用トランジスタとの接続部から前記出力電流に応じた電圧を出力するようにした。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における定電流回路の回路例を示した図である。
図1において、定電流回路1は、所定の定電流を生成して出力端子OUTから出力電流IOUTとして出力する。定電流回路1は、PMOSトランジスタからなるドライバトランジスタQ1と、ドライバトランジスタQ1から出力される電流を検出するための電流検出回路2と、所定の基準電圧VR1を生成して出力する基準電圧発生回路3と、演算増幅回路4と、電源電圧VDDを降圧して所定の電圧VNAを生成して出力する電圧生成回路5と、PMOSトランジスタQ2とを備えている。
図2において、時間t1になるまではドライバトランジスタQ1がオンすると共に出力端子OUTがオープンになっており、出力電流IOUTは0Aに、演算増幅回路4の出力電圧VN2は0Vに、電圧VN1は電源電圧VDDの5Vにそれぞれなっている。時間t1で、出力端子OUTが接地電圧に短絡され、このとき、出力電流IOUTが最大になるのと同時に、電圧VN1は最小値になる。電圧VN1が最小値になることにより、ドライバトランジスタQ1から出力される電流は最大になる。電圧VN2が上昇して出力電流IOUTがある値まで減少する時間t2時に、電圧VSENSは基準電圧VR1と同じ電圧になり、出力電流IOUTは2Aで安定する。時間t3で出力端子OUTの短絡が取り除かれ、出力電流IOUTは減少し、電圧VN2がNMOSトランジスタQ17の電流で決まる傾きで低下する。
図3において、基準電圧発生回路3は、1.2V程度の電圧VREFを発生するバンドギャップ基準電圧発生回路21、演算増幅回路22、NMOSトランジスタQ21及び抵抗R21,R22を備えている。電源電圧VDDと接地電圧との間には抵抗R21、NMOSトランジスタQ21及び抵抗R22が直列に接続されており、NMOSトランジスタQ21のゲートは演算増幅回路22の出力端に接続されている。演算増幅回路22の反転入力端は、NMOSトランジスタQ21と抵抗R22との接続部に接続され、演算増幅回路22の非反転入力端には電圧VREFが入力されている。演算増幅回路22は、NMOSトランジスタQ21と抵抗R22との接続部の電圧が電圧VREFになるようにNMOSトランジスタQ21の動作を制御し、抵抗R21とNMOSトランジスタQ21の接続部から基準電圧VR1が出力される。
図4において、電圧生成回路5は、演算増幅回路25で構成されている。演算増幅回路25において、非反転入力端には基準電圧VR1が入力され、反転入力端は出力端に接続されており、演算増幅回路25の出力端から電圧VNAが出力される。
図5において、電圧生成回路5は、演算増幅回路31、PMOSトランジスタQ31及び抵抗R31で構成されている。電源電圧VDDと接地電圧との間にはPMOSトランジスタQ31と抵抗R31が直列に接続され、PMOSトランジスタQ31のゲートは演算増幅回路31の出力端に接続されている。演算増幅回路31の反転入力端には基準電圧VR1が入力されており、PMOSトランジスタQ31と抵抗R31との接続部は演算増幅回路31の非反転入力端に接続され、該接続部から電圧VNAが出力される。
図4及び図5の回路は、図3の回路よりも電流供給能力が大きい。
前記第1の実施の形態では、ドライバトランジスタQ1にPMOSトランジスタを使用した場合を示したが、ドライバトランジスタQ1にNMOSトランジスタを使用してもよくこのようにした場合を本発明の第2の実施の形態とする。
図6は、本発明の第2の実施の形態における定電流回路の回路例を示した図である。なお、図6では、図1と同じもの又は同様のものは同じ符号で示している。
図6において、定電流回路51は、所定の定電流を生成して出力端子OUTから出力電流IOUTとして出力する。定電流回路51は、NMOSトランジスタからなるドライバトランジスタQ51と、ドライバトランジスタQ51から出力される電流を検出するための電流検出回路52と、所定の基準電圧VR1を生成して出力する基準電圧発生回路3と、増幅回路54と、所定の電圧VNBを生成して出力する電圧生成回路55と、NMOSトランジスタQ52とを備えている。
図7において、時間t1になるまではドライバトランジスタQ51がオンすると共に出力端子OUTがオープンになっており、出力電流IOUTは0Aに、増幅回路54の出力電圧VN52は8Vに、電圧VN51は0Vにそれぞれなっている。時間t1で、出力端子OUTが接地電圧に短絡され、このとき、出力電流IOUTが最大になるのと同時に、電圧VN51も最大値になる。電圧VN51が最大値になることにより、ドライバトランジスタQ51から出力される電流は最大になる。
図8において、電圧生成回路55は、演算増幅回路71と、所定の基準電圧VR2を生成して出力する基準電圧発生回路72とで構成されている。演算増幅回路71において、非反転入力端には基準電圧VR2が入力され、反転入力端は出力端に接続されており、演算増幅回路71の出力端から電圧VNBが出力される。
図9において、電圧生成回路55は、基準電圧発生回路72と、演算増幅回路75、NMOSトランジスタQ71及び抵抗R71で構成されている。電源電圧VDDと接地電圧との間には抵抗R71とNMOSトランジスタQ71が直列に接続され、NMOSトランジスタQ71のゲートは演算増幅回路75の出力端に接続されている。演算増幅回路75の反転入力端には基準電圧VR2が入力されており、抵抗R71とNMOSトランジスタQ71との接続部は演算増幅回路75の非反転入力端に接続され、該接続部から電圧VNBが出力される。
図8及び図9の回路は、図3の回路よりも電流供給能力が大きい。
なお、基準電圧発生回路3の回路例は、図3と同じであるのでその説明を省略する。
2,52 電流検出回路
3 基準電圧発生回路
4,61 演算増幅回路
5,55 電圧生成回路
54 増幅回路
62 チャージポンプ回路
Q1,Q51 ドライバトランジスタ
Q2,Q13 PMOSトランジスタ
Q3,Q53 出力電流検出用トランジスタ
Q17,Q52,Q63 NMOSトランジスタ
R1,R51 出力電流検出用抵抗
Claims (5)
- 所定の定電流を生成して出力端子から出力する定電流回路において、
ゲートに入力された制御信号に応じた電流を前記出力端子に出力する、PMOSトランジスタからなるドライバトランジスタと、
該ドライバトランジスタから出力される出力電流の検出を行い、該検出した出力電流に応じた電圧が所定の基準電圧になるように前記ドライバトランジスタの動作制御を行う制御回路部と、
を備え、
前記制御回路部は、
前記出力電流に応じた電圧と前記基準電圧が対応する入力端に入力された差動増幅段、並びに該差動増幅段の出力信号を増幅して前記ドライバトランジスタのゲートに出力する、PMOSトランジスタからなる出力トランジスタ及び該出力トランジスタに定電流を供給する定電流源からなるソース接地増幅段で構成された増幅回路と、
ドレイン及びゲートが前記出力トランジスタのドレイン及びゲートに対応して接続されたPMOSトランジスタからなる第1トランジスタと、
前記出力トランジスタのソース電圧を所定の電圧だけ低下させて該第1トランジスタのソースに入力する電圧生成回路と、
を備えることを特徴とする定電流回路。 - 前記制御回路部は、
前記ドライバトランジスタから出力される出力電流の検出を行い、該検出した出力電流に応じた電圧を生成して出力する電流検出回路を備え、
前記電流検出回路は、前記ドライバトランジスタに並列に接続された、出力電流検出用抵抗と、ゲートが前記ドライバトランジスタのゲートに接続されたPMOSトランジスタからなる出力電流検出用トランジスタとの直列回路からなり、該出力電流検出用抵抗と出力電流検出用トランジスタとの接続部から前記出力電流に応じた電圧を出力することを特徴とする請求項1記載の定電流回路。 - 所定の定電流を生成して出力端子から出力する定電流回路において、
ゲートに入力された制御信号に応じた電流を前記出力端子に出力する、NMOSトランジスタからなるドライバトランジスタと、
該ドライバトランジスタから出力される出力電流の検出を行い、該検出した出力電流に応じた電圧が所定の基準電圧になるように前記ドライバトランジスタの動作制御を行う制御回路部と、
を備え、
前記制御回路部は、
前記出力電流に応じた電圧と前記基準電圧が対応する入力端に入力された差動増幅段、並びに該差動増幅段の出力信号を増幅して前記ドライバトランジスタのゲートに出力する、NMOSトランジスタからなる出力トランジスタ及び該出力トランジスタに定電流を供給する定電流源からなるソース接地増幅段で構成された増幅回路と、
ドレイン及びゲートが前記出力トランジスタのドレイン及びゲートに対応して接続されたNMOSトランジスタからなる第1トランジスタと、
前記出力トランジスタのソース電圧を所定の電圧だけ上昇させて該第1トランジスタのソースに入力する電圧生成回路と、
を備えることを特徴とする定電流回路。 - 前記制御回路部は、
前記ドライバトランジスタから出力される出力電流の検出を行い、該検出した出力電流に応じた電圧を生成して出力する電流検出回路を備え、
前記電流検出回路は、前記ドライバトランジスタに並列に接続された、出力電流検出用抵抗と、ゲートが前記ドライバトランジスタのゲートに接続されたNMOSトランジスタからなる出力電流検出用トランジスタとの直列回路からなり、該出力電流検出用抵抗と出力電流検出用トランジスタとの接続部から前記出力電流に応じた電圧を出力することを特徴とする請求項3記載の定電流回路。 - 前記出力トランジスタ及び第1トランジスタは、しきい値電圧及びトランジスタ長がそれぞれ同じであることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の定電流回路。
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