JP4852349B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板上に半導体素子が形成されてなる半導体装置に係り、特には該半導体素子が封止構造体により封止された構造を有する半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。

近年、情報通信技術の急速な進歩発展により、データ通信速度の向上やデータ通信量の拡大が実現し、携帯電話やノートパソコンなどのモバイル系の電子機器にはＣＣＤ（電荷結合素子）イメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの半導体装置（撮像装置）が組み込まれているものが普及してきている。これらのモバイル機器は、文字データのほかに、上記の撮像装置により撮像した画像データを送受信することが可能になっている。

上記のモバイル機器に用いられる半導体装置（撮像装置）の構成の一例について図１に示す。

図１を参照するに、本図に示す半導体装置（撮像装置）１００の概要は、基板１０１上に、例えばＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの光電変換素子よりなる半導体素子１０２が設置され、当該半導体素子１０２を封止する封止構造体２０１が、当該基板１０１上に設置された構造となっている。

封止構造体２０１は、例えば、径の異なる略円筒形状が接続された構造を有する構造体本体２０２と、当該構造体本体２０２の開口部を塞ぐように設置された、例えばレンズなどの集光手段２０３より構成されている。

構造体本体２０２は、集光手段２０３が設置された側の反対側の開口部を、基板１０１上に接するようにして設置されている。また、構造体本体２０２と基板１０１は、熱硬化型の接着剤１０４で接着され、基板１０１上の、半導体素子１０２を含む内部空間１０３を封止している。このため、内部空間１０３は外気より隔絶され、例えば半導体素子１０２上に、ごみが付着するなどして半導体素子に入射する入射光がさえぎられることを防止している。

上記接着剤１０４を塗布した後は、加熱することで構造体本体２０２の内側及び外側に塗布された接着剤１０４を硬化させてして構造体本体２０２を基板１０１上に接着する。その際、上記加熱処理（キュア処理）において、内部空間１０３の圧力が上昇することを防止するため、構造体本体２０２の段部２０２Ａには、内部空間１０３の気体を外部に排出する通気孔２０４が貫通している。そのため、加熱処理の際は、温度上昇に伴う内部空間１０３の内外の圧力差により内部空間１０３の気体が通気孔２０４から外部に排出されて内部空間１０３の圧力上昇が防止される。

この通気孔２０４は、上記加熱処理が終了した後に紫外線硬化型の接着剤が滴下され、その後紫外線が照射されて接着剤が硬化することで閉塞される。
特開２００５−３９１５２号公報

しかし、上記の半導体装置１００において、通気孔２０４を閉塞する作業としては、紫外線硬化型の接着剤を通気孔２０４に流し込んで閉塞する方法が行われているが、上記半導体素子１０２及び構造体本体２０２の小型化により通気孔２０４の内径が小さく形成される傾向にある。一方、接着剤の供給量は、接着剤を供給するディスペンサーより一滴ずつ通気孔２０４に滴下するため、通気孔２０４の内径に比例して減少させることが難しい。

そのため、従来は、通気孔２０４に接着剤を滴下させた際、接着剤の一部が通気孔２０４から段部２０２Ａに溢れてしまい、構造体本体２０２の外壁面にはみ出してしまう問題が生じていた。

また、通気孔２０４から溢れた接着剤が段部２０２Ａから突出した状態で硬化した場合、例えば、段部２０２Ａを半導体装置１００が組み込まれるケースなどの位置合わせ面に当接させる際に段部２０２Ａが位置合わせ面から浮いてしまい、組み付け精度が低下するおそれがあった。

また、構造体本体２０２は、半導体素子１０２の電磁シールドの機能を兼ねているため、当該構造体本体２０２は接地されていることが好ましい。例えば、構造体本体２０２の接地を行う場合に、当該構造体本体２０２の外壁面を介して行う場合、外壁面に絶縁性の樹脂からなる接着剤が付着していると、接地回路の電気的な接続の信頼性に問題が生じる場合があった。このため、接地が不十分となって、電磁シールド効果が得られず、半導体素子にノイズの影響が生じる懸念があった。

そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを統括的課題としている。

本発明の具体的な課題は、基板上で半導体素子が封止された構造を有する半導体装置であって、半導体素子を封止する構造の信頼性が良好であり、電気的な接続の信頼性が高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明の第１の観点では、上記の課題を、半導体素子が設置された基板と、前記半導体素子を覆うように前記基板に接着剤により接合される封止構造体と、前記接着剤により前記封止構造体を前記基板に接合する際、当該接着剤の硬化に伴って発生する気体を外部に排気し、前記封止構造体と前記基板の接合後に外側から滴下される接着剤により閉塞される通気孔と、を有する半導体装置であって、前記封止構造体に他の部分より前記通気孔の延在方向に厚く、且つ前記封止構造体の内側に向けて形成された肉厚部を設け、前記通気孔の一端を前記封止構造体の外側に開口し、前記通気孔の他端を前記肉厚部の内側の前記基板近傍で開口するよう前記封止構造体の内側に延在形成することを特徴とする半導体装置により、解決する。

前記通気孔は、前記一端の開口を前記他端の開口よりも大きくすることが望ましい。

前記通気孔は、前記一端の内径が前記他端の内径よりも大径となるようテーパ状に形成されていることが望ましい。

前記通気孔は、前記一端の開口が前記他端の開口よりも大径となるよう異なる内径の孔を連通することが望ましい。

前記通気孔は、前記一端の開口が拡径されるテーパ状に形成され、前記他端の開口が前記一端よりも小径に形成されていることが望ましい。

また、前記半導体素子は光電変換素子であると、光電変換素子を封止する構造の信頼性が良好であり、電気的な接続の信頼性が高い半導体装置を提供することが可能となる。

また、前記封止構造体は、前記半導体素子に入射光を集光するための集光手段を有することで、電気的な接続の信頼性が高い撮像機能を有する半導体装置を提供することが可能となる。

また、前記封止構造体は、前記通気孔が設けられた構造体本体を有し、前記構造体本体は、導電材料を含み、当該構造体本体が前記半導体素子の電磁シールドとして機能する。

また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、基板上に半導体素子を設置する工程と、前記半導体素子を封止する封止構造体に通気孔を形成し、前記封止構造体に他の部分より前記通気孔の延在方向に厚く、且つ前記封止構造体の内側に向けて形成された肉厚部を設け、前記通気孔の一端を前記封止構造体の外側に開口し、前記通気孔の他端を前記肉厚部の内側の前記基板近傍で開口するよう前記封止構造体の内側に延在形成する工程と、前記封止構造体の縁部を接着剤により前記基板上に接着する工程と、前記接着剤を加熱して硬化させると共に、前記封止構造体の内部に形成された内部空間の気体を前記封止構造体に設けられた通気孔より排出させる工程と、前記通気孔の一端開口に接着剤を滴下して前記通気孔を閉塞する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決する。

また、前記半導体素子は光電変換素子であると、光電変換素子を封止する構造の信頼性が良好であり、電気的な接続の信頼性が高い半導体装置を提供することが可能となり、さらに封止構造体は、光電変換素子に入射光を供給するための集光手段を有することで、電気的な接続の信頼性が高い撮像機能を有する半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。

本発明によれば、封止構造体に他の部分より通気孔の延在方向に厚く、且つ封止構造体の内側に向けて形成された肉厚部を設け、通気孔の一端を封止構造体の外側に開口し、通気孔の他端を肉厚部の内側の基板近傍で開口するように封止構造体の内側に延在形成することより、接着剤が通気孔から溢れて封止構造体の段部や外側にはみ出すことを防止することができ、半導体装置の小型化により通気孔が小径化されても通気孔を閉塞する際に封止構造体の外側に絶縁性を有する接着剤が付着することを防止できるので、半導体素子を封止する構造の信頼性が良好であり、且つ電気的な接続の信頼性が高い半導体装置を提供することが可能となる。

次に、本発明の実施の形態について図面に基づき、以下に説明する。

図２は、本発明の実施例１による半導体装置１０を、模式的に示した断面図である。図２を参照するに、本実施例による半導体装置１０の概要は、基板１１上に、例えばＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの光電変換素子よりなる半導体素子１２が実装され、当該半導体素子１２を封止する封止構造体２１が、当該基板１１上に設置された構造となっている。

封止構造体２１は、例えば、径の異なる略円筒形状が接続されたキャップ状の構造を有する構造体本体２２と、当該構造体本体２２のレンズ取付部２２Ａに設けられた集光手段２３より構成されている。

集光手段２３は、レンズ部２３Ａと取り付け部２３Ｂを含む構造を有しており、取り付け部２３Ｂには、ねじ部が形成してある。また、取り付け部２３Ｂが接する構造体本体２２の内壁面には、取り付け部２３Ｂの雄ねじ部に対応する雌ねじ部が形成されている。このため、集光手段２３を回転させることにより、集光手段２３と、半導体素子１２の距離ｆを調整することが可能な構造とされている。よって、集光手段２３は、光電変換素子である半導体素子１２に対する焦点距離が調節可能となっている。

また、集光手段２３の下方には、赤外線を吸収または反射して入射光の赤外線領域を遮断するＩＲカットガラス２４が取り付けられている。

構造体本体２２は、レンズ取付部２２Ａと反対側の下部周縁部２２Ｂを、基板１１上に接するようにして設置されている。構造体本体２２の下部周縁部２２Ｂと基板１１は、接着剤１４で接着され、基板１１上の、半導体素子１２を含む内部空間１３を封止している。このため、内部空間１３は外気より隔絶され、例えば半導体素子１２上に、ごみが付着するなどして半導体素子に入射する入射光が遮られることを防止している。

さらに、構造体本体２２は、レンズ取付部２２Ａの外周側に形成された段部２２Ｃを有しており、この段部２２ＣにはＺ軸方向に延在する通気孔２５が貫通している。また、段部２２Ｃの下方には、Ｚ軸方向の肉厚部２２Ｄが形成されている。通気孔２５は、一端２５ａが段部２２Ｃに開口し、他端２５ｂが肉厚部２２Ｄの下面に開口しており、基板１１の近傍で開口するように封止構造体２２の内側に延在形成されている。

この肉厚部２２ＤのＺ軸方向寸法Ｌ１は、他の段部２２ＣのＺ軸方向寸法Ｌ２（従来の長さ）よりも長く（厚く）なっている（Ｌ１>Ｌ２）。そのため、通気孔２５もＺ軸方向寸法Ｌ１の長さで形成されており、通気孔２５の内部容積が増大されている。本実施例では、Ｚ軸方向寸法Ｌ１がＺ軸方向寸法Ｌ２の２倍以上に設定されているので、通気孔２５の内部に注入可能な接着剤の注入量も２倍以上となる。

通気孔２５は、接着剤１４を加熱して硬化させる際に内部空間１３の気体を外部に排出させて内部空間１３の圧力上昇を防止するものである。そして、加熱処理が終了して接着剤１４が硬化すると、通気孔２５に紫外線硬化型の接着剤を滴下して閉塞する。

図３は通気孔２５を閉塞した状態を示す縦断面図である。図３に示されるように、構造体本体２２を基板１１上に接合した後、通気孔２５に紫外線硬化型の接着剤２６（梨地模様で示す）を注入する。接着剤２６は、接着剤を供給するディスペンサーのノズル（図示せず）の先端口から一滴が滴下される。半導体装置１０は小型化されており、通気孔２５の孔径も小径（例えば、内径＝２００μｍ程度）になっており、一滴以上滴下された場合には、接着剤２６が通気孔２５から溢れる可能性がある。しかしながら、本実施例では、通気孔２５のＺ軸方向の全長が寸法Ｌ１に延長されているため、通気孔２５の全体の内部容積が増大している分、接着剤２６の収納可能量が増大しているので、接着剤２６が通気孔２５から溢れることが防止される。

このため、接着剤１４は、構造体本体２２の外壁面にはみ出すことがなく、当該外壁面が接着剤で覆われることがない。また、本実施例による半導体装置では、接着剤２６が通気孔２５から溢れることがないので、上記段部２２Ｃを位置合わせ面に当接させる際の位置合わせが正確に行える。また、構造体本体２２の外壁面が汚れることが防止されるのみならず、高密度に半導体装置を実装することが可能になっている。例えば、はみ出した接着剤が、他の電子部品等に干渉することを防止できるため、半導体装置１０を、マザーボード上などに高密度に設置することが可能になっている。

また、構造体本体２２は、例えばポリカーボネード樹脂に、導電性材料（Ｎｉとカーボンの粒子）を添加して、射出成型して形成している。このため、構造体本体２２は、半導体素子１２の電磁シールドの機能を有し、半導体素子１２がノイズの影響を受けることを抑制している。また、射出成型により形成されるため、例えばねじ部などの微細な加工に対応することが可能になっている。

また、上記の電磁シールド機能を良好とするために、構造体本体２２は、接地されていることが好ましい。本実施例による半導体装置１０では、構造体本体２２の外壁面での接着剤のはみ出しが抑制されているため、当該外壁面を用いて当該構造体本体２２を接地する場合の接地回路の電気的な接続の信頼性が良好となる。このため、十分な電磁シールド効果を得ることが可能となり、半導体素子に対するノイズの影響を排除して信頼性の高い半導体装置を構成することが可能となっている。

また、構造体本体２２の表面の電気抵抗値をさらに低減するために、当該構造体本体表面に、金属材料よりなる導電性の薄膜（例えばＡｌ膜など）を、例えばスパッタリングなどの方法により、形成するとさらに好ましい。

例えば、図４は、上記の半導体装置１０が実装される構造の一例を模式的に示した図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図４を参照するに、半導体装置１０は、例えば金属製の保持容器（ソケット）３１に収納されるようにして当該保持容器３１を介してマザーボート４０に設置される。保持容器３１は、金属の弾性力によって半導体装置１０を挟持するようにして保持する接地部３１Ａを有している。接地部３１Ａは、弾性力によって構造体本体２２を保持すると共に、構造体本体２２に接触することで構造体本体２２を接地している。

この場合、本実施例による構造体本体２２では、接着剤１４のはみ出しが抑制されているため、接地回路の接続の信頼性が良好となって、構造体本体２２の電磁シールド効果が良好となっている。また、溝部２２Ａは、接地部３１Ａと構造本体２２との電気的な接続に干渉しないように、接触部３１Ａと構造本体２２の接触部よりも基板１１の側に形成されていることが好ましい。

また、保持容器３１の底部には、例えば接続ピン３３が形成された基板３２が設置され、前記半導体素子１２とマザーボード４０の回路が接続可能に構成されている。

次に、上記の半導体装置１０の製造方法の一例について、図５Ａ〜図５Ｆに基づき、手順を追って説明する。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

まず、図５Ａに示す工程では、前記基板１１上に、半導体素子１２を実装する。例えば、半導体素子１２は、ボンディングワイヤ（図示せず）で、基板１１の配線と電気的に接続される。

次に、図５Ｂに示す工程において、前述した封止構造体２１（図２参照）を用意する。この封止構造体２１は、構造体本体２２と、集光手段２３とより構成されており、構造体本体２２は樹脂成型法により一体成型される。そして、構造体本体２２の段部２２Ｃ及び肉厚部２２Ｄを貫通する通気孔２５を貫通させる。また、通気孔２５は、構造体本体２２を成型した後に機械加工により切削しても良いし、あるいは構造体本体２２を成型する金型に通気孔２５を成型するためのピンを設けることで構造体本体２２を成型する過程で同時に成型する方法を用いて良い。

また、構造体本体２２の下部周縁部２２Ｂには、基板１１の凹部（図示せず）に嵌合する突起２２Ｅが突出している。この突起２２Ｅは、基板１１上の構造体本体２２の取付位置を位置決めするものである。

次に、図５Ｃに示す工程では、基板１１上の所定位置にディスペンサーＤを用いて接合用の接着剤１４を配設する。この接着剤１４の配設位置は、構造体本体２２の下端の形状と対応するようにされている。また、接合用の接着剤１４としては、接合性が良好であって接合信頼性の高い熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。

次に、図５Ｄに示す工程において、構造体本体２２の下部周縁部２２Ｂを接着剤１４の配設位置に押し付け、これにより構造体本体２２の下部周縁部２２Ｂを基板１１に接着する。その際、上記下部周縁部２２Ｂの突起２２Ｅを基板１１の凹部（図示せず）に嵌合させて構造体本体２２の取付位置が位置決めされる。

次に、図５Ｅに示す工程において、構造体本体２２が接着された基板１１をキュア装置に装着し、加熱処理（キュア処理）をすることにより、接着剤１４を硬化させて接着力を良好とする。尚、加熱処理の加熱温度は、接着剤１４の材質に応じた硬化温度に応じた加熱温度となるように設定されている。その際、構造体本体２２の内部空間１３においては、温度上昇に伴う内部空間１３の内外の圧力差により内部空間１０３の気体が通気孔２５から外部に排出されて内部空間１３の圧力上昇が防止される。

次に、図５Ｆに示す工程において、ディスペンサーＤのノズルを通気孔２５の上方に移動させ、紫外線硬化型の接着剤２６を滴下する。通気孔２５は、小径であるが、毛管現象により液状の接着剤２６が流入する。そして、接着剤２６は、構造体本体２２の段部２２Ｃに開口する通気孔２５の一端から通気孔２５の内部に流入して下方の他端へ降下する。また、通気孔２５は、前述したようにＺ軸方向の長さが寸法Ｌ１に延長されており、通気孔２５の内部容積が増大されている。そのため、構造体本体２２の段部２２Ｃに滴下された接着剤２６は、全て通気孔２５に浸透される。

次に、図５Ｇに示す工程において、構造体本体２２が接着された基板１１を紫外線照射装置に装着し、構造体本体２２に対して紫外線灯５０から紫外線を照射して紫外線照射処理をすることにより、通気孔２５に注入された接着剤２６を硬化させて通気孔２５を閉塞する。このようにして、図２に示す半導体装置１０を形成することができる。

図６は実施例２による半導体装置を示す縦断面図である。尚、図６において、上記実施例１と同一部分には、同一符号を付してその説明を省略する。

図６に示されるように、通気孔１２５は、一端１２５ａの内径が他端１２５ｂの内径よりも大径となるようテーパ状に形成されている。このように、テーパ状に形成された通気孔１２５は、一端１２５ａの開口面積が大きくなっているため、ディスペンサーＤのノズルの位置が若干ずれたとしても吐出された接着剤２６が外れることがないので、ディスペンサーＤのノズルの位置制御が容易に行える。

さらに、通気孔１２５は、半径方向の容積も拡大されているので、例えディスペンサーＤのノズルから２滴の接着剤２６が滴下されてとしても接着剤２６が通気孔１２５から溢れることが防止される。

図７は実施例３による半導体装置を示す縦断面図である。尚、図７において、上記実施例１と同一部分には、同一符号を付してその説明を省略する。

図７に示されるように、通気孔２２５は、一端２２５ａの内径が他端２２５ｂの内径よりも大径となるよう異なる孔径に形成されている。このように、内部が段差形状に形成された通気孔２２５は、一端２２５ａの開口面積が大きくなっているため、ディスペンサーＤのノズルの位置が若干ずれたとしても吐出された接着剤２６が外れることがないので、ディスペンサーＤのノズルの位置制御が容易に行える。

さらに、通気孔２２５は、一端２２５ａの半径方向の容積も拡大されているので、例えディスペンサーＤのノズルから２滴の接着剤２６が滴下されてとしても接着剤２６が通気孔２２５から溢れることが防止される。

図８は実施例４による半導体装置を示す縦断面図である。図９は実施例４による半導体装置を示す平面図である。尚、図８及び図９において、上記実施例１と同一部分には、同一符号を付してその説明を省略する。

図８及び図９に示されるように、通気孔３２５は、一端３２５ａが上方からみると円弧状に幅広凹部形状に形成されている。従って、通気孔３２５の一端３２５ａは、孔よりも大幅に拡大された開口であり、且つ内面が擂り鉢状に湾曲しているので、滴下された接着剤２６を幅広凹部の傾斜面により他端３２５ｂへ導くことが可能である。
そして、通気孔３２５の他端３２５ｂは小径な孔としてＺ方向に延在形成されている。

このように、通気孔３２５の一端３２５ａが幅広凹部形状に形成されているため、ディスペンサーＤのノズルの位置が若干ずれたとしても吐出された接着剤２６が外れることがないので、ディスペンサーＤのノズルの位置制御が容易に行える。

さらに、通気孔３２５は、一端３２５ａの半径方向（面方向）の容積も拡大されているので、例えディスペンサーＤのノズルから２滴の接着剤２６が滴下されてとしても接着剤２６が通気孔３２５から溢れることが防止される。

また、上記に示した半導体装置の構造およびその製造方法は、本発明の一例であり、様々に変形・変更することが可能である。例えば、前記構造体本体２２を構成する樹脂材料は、ポリカーボネート樹脂に限定されず、他の樹脂材料を用いることが可能である。同様に、当該樹脂材料に添加される導電材料や、また表面に形成される金属膜は、上記の実施例に記載した材料に限定されず、様々な材料を用いて形成することが可能である。

本発明によれば、基板上で半導体素子が封止された構造を有する半導体装置であって、半導体素子を封止する構造の信頼性が良好であり、電気的な接続の信頼性が高い半導体装置を提供することが可能となる。

また、上記実施例では、半導体素子としてＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの光電変換素子を例示したが、これに限らず、他の半導体素子あるいは光を受光すると信号を出力するように構成された光電変換素子にも適用することができるのは勿論である。

従来の半導体装置の構造を示す図である。 実施例１による半導体装置の構造を示す図である。 実施例１による半導体装置の通気孔を閉塞した状態を示す図である。 図２の半導体装置の実装の一例である。 図２の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。 図２の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。 図２の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。 図２の半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。 図２の半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。 図２の半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。 図２の半導体装置の製造方法を示す図（その７）である。 実施例２による半導体装置を示す縦断面図である。 実施例３による半導体装置を示す縦断面図である。 実施例４による半導体装置を示す縦断面図である。 実施例４による半導体装置を示す平面図である。

符号の説明

１０ 半導体装置
１１ 基板
１２ 半導体素子
１３ 内部空間
１４，２６ 接着剤
２１ 封止構造体
２２ 構造体本体
２２Ａ レンズ取付部
２２Ｂ 下部周縁部
２２Ｃ 段部
２２Ｄ 肉厚部
２３ 集光手段
２３Ａ レンズ部
２３Ｂ 取り付け部
２５ 通気孔
２５ａ 一端
２５ｂ 他端
３１ 保持容器
３１Ａ 接地部
３２ 基板
３３ ピン
４０ マザーボード

Claims (10)

1. 半導体素子が設置された基板と、
   前記半導体素子を覆うように前記基板に接着剤により接合される封止構造体と、
   前記接着剤により前記封止構造体を前記基板に接合する際、当該接着剤の硬化に伴って発生する気体を外部に排気し、前記封止構造体と前記基板の接合後に外側から滴下される接着剤により閉塞される通気孔と、を有する半導体装置であって、
   前記封止構造体に他の部分より前記通気孔の延在方向に厚く、且つ前記封止構造体の内側に向けて形成された肉厚部を設け、
   前記通気孔の一端を前記封止構造体の外側に開口し、前記通気孔の他端を前記肉厚部の内側の前記基板近傍で開口するよう前記封止構造体の内側に延在形成することを特徴とする半導体装置。
2. 前記通気孔は、前記一端の開口を前記他端の開口よりも大きくすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記通気孔は、前記一端の内径が前記他端の内径よりも大径となるようテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
4. 前記通気孔は、前記一端の開口が前記他端の開口よりも大径となるよう異なる内径の孔を連通することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
5. 前記通気孔は、前記一端の開口が拡径されるテーパ状に形成され、前記他端の開口が前記一端よりも小径に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
6. 前記半導体素子は光電変換素子であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
7. 前記封止構造体は、前記光電変換素子に入射光を集光するための集光手段を有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
8. 前記封止構造体は、前記通気孔が設けられた構造体本体を有し、
   前記構造体本体は、導電材料を含み、当該構造体本体が前記半導体素子の電磁シールドとして機能することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
9. 基板上に半導体素子を設置する工程と、
   前記半導体素子を封止する封止構造体に通気孔を形成し、前記封止構造体に他の部分より前記通気孔の延在方向に厚く、且つ前記封止構造体の内側に向けて形成された肉厚部を設け、前記通気孔の一端を前記封止構造体の外側に開口し、前記通気孔の他端を前記肉厚部の内側の前記基板近傍で開口するよう前記封止構造体の内側に延在形成する工程と、
   前記封止構造体の縁部を接着剤により前記基板上に接着する工程と、
   前記接着剤を加熱して硬化させると共に、前記封止構造体の内部に形成された内部空間の気体を前記封止構造体に設けられた通気孔より排出させる工程と、
   前記通気孔の一端開口に接着剤を滴下して前記通気孔を閉塞する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 前記半導体素子は光電変換素子であり、
    前記封止構造体は、前記光電変換素子に入射光を供給するための集光手段を有することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。

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