JP4847995B2 - 駆動回路、光プリントヘッド及び画像形成装置 - Google Patents

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Description

本発明は、被駆動素子の群、例えば光源に発光ダイオード(以下「LED」という。)を用いた画像形成装置におけるLEDの列、サーマルプリンタにおける発熱抵抗体の列、表示装置における表示素子の列を選択的に且つサイクル毎に駆動する駆動回路と、それを用いたLEDプリントヘッド等の光プリントヘッド、及び電子写真プリンタ等の画像形成装置に関するものである。
従来、画像形成装置(電子写真プロセスを用いた電子写真プリンタ等)は、例えば、下記の特許文献1に記載されているように、光プリントヘッドとして発光素子(例えば、LED)を直線状に多数配列させたものを用い、個々のLEDを点滅させることにより画像を形成するものである。
このようなLEDプリントヘッドでは、個々のLEDを駆動するための駆動回路は、主にシリコンのモノリシック集積回路(以下「IC」という。)が用いられ、このシリコンICを、LEDの配列に対応させてプリント基板上に直線状に配列させ、熱硬化性の樹脂等を用いて固着させていた。
特開2008−44148号公報
しかしながら、従来のLEDプリントヘッドに用いられる基板ユニットは、それを構成する駆動回路IC(ドライバIC)とプリント基板とを熱硬化樹脂を用いて高温雰囲気中で固着して製造されているため、キュア条件に近い温度においては固着時の自然状態となって応力ゼロとなるものの、室温環境に戻した後にはプリント基板の側がより大きく収縮するため、ドライバICにはその配列方向に平行に収縮応力が働くことになる。収縮応力は各ドライバIC毎に作用する結果、ドライバICチップ中心付近と両端部のドットとで位置による差異を生じて駆動電流のばらつきとなって現れることになる。このような駆動電流のばらつきが生じると、それにより駆動されるLEDの光量むらを生じ、それを用いる電子写真プリンタの印刷結果に濃度むらとなって現れ、印刷品位を著しく低下させることとなって好ましくない。
本発明の駆動回路は、チップの配列方向に沿って配置された被駆動素子に対して駆動電流を供給する主駆動トランジスタ及び前記駆動電流の調整を行う補助駆動トランジスタを有し、前記主駆動トランジスタ及び前記補助駆動トランジスタは、並列に接続されている駆動回路において、前記主駆動トランジスタは、並列に接続された複数の第1のMOSトランジスタからなり、前記補助駆動トランジスタは、第2のMOSトランジスタからなる。前記複数の第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタは、前記チップの配列方向に略等しい向きに延設された第1のゲート部をそれぞれ有し、前記複数の第1のMOSトランジスタにおける複数の前記第1のゲート部のうちの1つの第1のゲート部には、前記第1のゲート部と同じ半導体層に形成された一体化ゲート部を構成し、前記第1のゲート部と略直交する方向に延設された第2のゲート部を有している。そして、前記複数の第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタにおける各チャネルは、前記チップの配列方向に対して略直交する方向となるように配置され、前記複数の第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタにおける前記各チャネルを流れる前記駆動電流は、加算されて前記略直交する方向に流れる構成になっていることを特徴とする。
本発明の光プリントヘッドは、基板と、前記基板上に形成された前記発明の駆動回路と、前記複数の被駆動素子としての発光素子アレイと、前記発光素子アレイが発する光を集光するレンズアレイとを備えたことを特徴とする。
本発明の画像形成装置は、前記発明の光プリントヘッドと、前記光プリントヘッドの発光方向に対向して設けられた感光体とを有することを特徴とする。
本発明の駆動回路、光プリントヘッド及び画像形成装置によれば、チップの配列方向における収縮応力とチップの配列と略直交する方向における収縮応力の違いに着目し、複数の第1のMOSトランジスタ第1のゲート部をチップ配列方向に延ばし、その複数の第1のゲート部のうちの1つの第1のゲート部には、これと略直交する方向に第2のゲート部を延設し、複数の第1のMOSトランジスタ及び第2のMOSトランジスタを流れる駆動電流を加算してチップ配列方向と略直交する方向に流すことにより、駆動電流を減少させて、チップの配列方向端部側と中央部側において生じる駆動電流のばらつきを抑制している。これにより、低温雰囲気中であっても複数の駆動回路間における駆動電流の差が小さくなり、駆動回路間での駆動電流のばらつきを改善することができる。従って、印刷濃度のむらを解消できて、印刷品位に優れた画像形成装置を実現できる。
本発明を実施するための最良の形態は、以下の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、明らかになるであろう。但し、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の範囲を限定するものではない。
(実施例1の画像形成装置)
図2は、本発明の実施例1における画像形成装置を示す概略の構成図である。
この画像形成装置1は、発光素子(例えば、LED)を用いた光プリントヘッド(例えば、LEDプリントヘッド)が搭載された電子写真カラープリンタであり、ブラック(K)、イエロー(Y)、マゼンタ(M)及びシアン(C)の各色の画像を各々に形成する4つのプロセスユニット10−1〜10−4を有し、これらが記録媒体(例えば、用紙)20の搬送経路の上流側から順に配置されている。各プロセスユニット10−1〜10−4の内部構成は共通しているため、例えば、マゼンタのプロセスユニット10−3を例にとり、これらの内部構成を説明する。
プロセスユニット10−3には、像担持体としての感光体ドラム11が図2中の矢印方向に回転可能に配置されている。感光体ドラム11の周囲には、この回転方向上流側から順に、感光体ドラム11の表面に電荷を供給して帯電させる帯電装置12と、帯電された感光体ドラム11の表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光装置(例えば、LEDプリントヘッド)13が配設されている。更に、静電潜像が形成された感光体ドラム11の表面に、マゼンタ(所定色)のトナーを付着させて顕像を発生させる現像装置14と、感光体ドラム11上のトナーの顕像を転写した際に残留したトナーを除去するクリーニング装置15が配設されている。なお、これら各装置に用いられているドラム又はローラは、図示しない駆動源からギア等を経由して動力が伝達され回転する。
画像形成装置1の下部には、用紙20を堆積した状態で収納する用紙カセット21が装着され、その上方に、用紙20を1枚ずつ分離させて搬送するためのホッピングローラ22が配設されている。用紙20の搬送方向におけるホッピングローラ22の下流側には、ピンチローラ23、24と共に用紙20を挟持することによってこの用紙20を搬送する搬送ローラ25と、用紙20の斜行を修正し、プロセスユニット10−1に搬送するレジストローラ26とが配設されている。これらのホッピングローラ22、搬送ローラ25及びレジストローラ26は、図示しない駆動源からギア等を経由して動力が伝達され回転する。
プロセスユニット10−1〜10−4の各感光体ドラム11に対向する位置には、それぞれ半導電性のゴム等によって形成された転写ローラ27が配設されている。各転写ローラ27には、感光体ドラム11上に付着されたトナーによる顕像を用紙20に転写する転写時に、各感光体ドラム11の表面電位とこれら各転写ローラ27の表面電位に電位差を持たせるための電位が印加されている。
プロセスユニット10−4の下流には、定着装置28が配設されている。定着装置28は、加熱ローラとバックアップローラとを有し、用紙20上に転写されたトナーを加圧・加熱することによって定着する装置であり、この下流に、排出ローラ29、30、排出部のピンチローラ31、32、及び用紙スタッカ部33が設けられている。排出ローラ29、30は、定着装置28から排出された用紙20を、排出部のピンチローラ31、32と共に挟持し、用紙スタッカ部33に搬送する。これら定着装置28及び排出口ーラ29等は、図示しない駆動源からギア等を経由して動力が伝達されて回転する。
このように構成される画像記録装置1は、次のように動作する。
先ず、用紙カセット21に堆積した状態で収納されている用紙20が、ホッピングローラ22によって、上から1枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この用紙20は、搬送ローラ25、レジストローラ26及びピンチローラ23、24に挟持されて、プロセスユニット10−1の感光体ドラム11と転写ローラ27の間に搬送される。その後、用紙20は、感光体ドラム61及び転写ローラ27に挟持され、その記録面にトナー像が転写されると同時に感光体ドラム10−1の回転によって搬送される。同様にして、用紙20は、順次プロセスユニット10−2〜10−4を通過し、その通過過程で、各光プリントヘッド13により形成された静電潜像を各現像装置14によって現像した各色のトナー像が、その記録面に順次転写されて重ね合わされる。
このようにして記録面上に各色のトナー像が重ね合わされた後、定着装置28によってトナー像が定着された用紙20は、排出ローラ29,30及びピンチローラ31,32に扶持されて、画像形成装置1の外部の用紙スタッカ部33に排出される。以上の過程を経て、カラー画像が用紙20上に形成される。
(LEDプリントヘッド)
図3は、図2中のLEDプリントヘッドの構成を示す概略の断面図である。
このLEDプリントヘッド13は、ベース部材13aを有し、このベース部材13a上にプリント基板13bが固定されている。プリント基板13b上には、駆動回路等が集積された複数個のチップ状のドライバIC100と複数個のチップ状のLEDアレイ200とが熱硬化性樹脂により固着され、それらの複数個のドライバIC100と複数個のLEDアレイ200とが、図示しないボンディングワイヤ等により相互に接続されている。複数個のLEDアレイ100上には、柱状の光学素子を多数配列してなるロッドレインズアレイ13cが配置され、このロッドレインズアレイ13cがホルダ13dにより固定されている。ベース部材13a、プリント基板13b及びホルダ13dは、クランプ部材13e,13fにより固定されている。
(プリンタ制御回路)
図4は、図2の電子写真プリンタにおけるプリンタ制御回路の構成を示すブロック図である。
このプリンタ制御回路は、電子写真プリンタにおける印字部の内部に配設された印刷制御部40を有している。印刷制御部40は、マイクロプロセッサ、読み出し専用メモリ(ROM)、随時読み書き可能なメモリ(RAM)、信号の入出力を行う入出力ポート、タイマ等によって構成され、図示しない上位コントローラからの制御信号SGl、及びビデオ信号(ドットマップデータを一次元的に配列したもの)SG2等によってプリンタ全体をシーケンス制御して印刷動作を行う機能を有している。印刷制御部40には、プロセスユニット10−1〜10−4の4つのLEDプリントヘッド13、定着装置28の加熱ローラ28a、ドライバ41、43、用紙吸入口センサ45、用紙排出口センサ46、用紙残量センサ47、用紙サイズセンサ48、定着装置用温度センサ49、帯電用高圧電源50、及び転写用高圧電源51等が接続されている。ドライバ41には現像・転写プロセス用モータ(PM)42が、ドライバ43には用紙送りモータ(PM)44G、帯電用高圧電源50には現像装置14が、転写用高圧電源51には転写ローラ27が、それぞれ接続されている。
このような構成のプリンタ制御回路では、次のような動作を行う。
印刷制御部40は、上位コントローラからの制御信号SGlによって印刷指示を受信すると、先ず、温度センサ49によって定着装置28内の加熱ローラ28aが使用可能な温度範囲にあるか否かを検出し、温度範囲になければ加熱ローラ28aに通電し、使用可能な温度まで定着装置28を加熱する。次に、ドライバ41を介して現像・転写プロセス用モータ42を回転させ、同時にチャージ信号SGCによって帯電用高圧電源50をオンにし、現像装置14の帯電を行う。
そして、セットされている図2中の用紙20の有無及び種類が用紙残量センサ47、用紙サイズセンサ48によって検出され、その用紙20に合った用紙送りが開始される。ここで、用紙送りモータ44はドライバ43を介して双方向に回転させることが可能であり、最初に逆転させて、用紙吸入口センサ45が検知するまで、セットされた用紙20を予め設定された量だけ送る。続いて、正回転させて用紙20をプリンタ内部の印刷機構内に搬送する。
印刷制御部40は、用紙20が印刷可能な位置まで到達した時点において、上位コントローラに対してタイミング信号SG3(主走査同期信号、副走査同期信号を含む)を送信し、ビデオ信号SG2を受信する。上位コントローラにおいてページ毎に編集され、印刷制御部40に受信されたビデオ信号SG2は、印刷データ信号HD−DATA3〜HD−DATAOとして各LEDプリントヘッド13に転送される。各LEDプリントヘッド13は、それぞれ1ドット(ピクセル)の印字のために設けられたLEDを複数個線上に配列したものである。
印刷制御部40は1ライン分のビデオ信号SG2を受信すると、各LEDプリントヘッド13にラッチ信号HD−LOADを送信し、印刷データ信号HDDATAを各LEDプリントヘッド13内に保持させる。又、印刷制御部40は、上位コントローラから次のビデオ信号SG2を受信している最中においても、各LEDプリントヘッド13に保持した印刷データ信号HD−DATA3〜HDDATAOについて印刷することができる。
なお、印刷制御部40から各LEDプリントヘッド13に送信されるクロック信号HD−CLK、主走査同期信号HD−HSYNC−N、及びストローブ信号HD−STB−Nの内、クロック信号HD−CLKは、印刷データ信号HDDATA3〜HD−DATAOをLEDプリントヘッド13へ送信するための信号である。
ビデオ信号SG2の送受信は、印刷ライン毎に行われる。各LEDプリントヘッド13によって印刷される情報は、マイナス電位に帯電された図示しない各感光体ドラム11上において電位の上昇したドットとして潜像化される。そして、現像装置14において、マイナス電位に帯電された画像形成用のトナーが、電気的な吸引力によって各ドットに吸引され、トナー像が形成される。
その後、トナー像は転写ローラ27へ送られ、一方、転写信号SG4によってプラス電位に転写用高圧電源51がオン状態になり、転写ローラ2728は感光体ドラム11と転写ローラ27との間隔を通過する用紙20上にトナー像を転写する。転写されたトナー像を有する用紙20は、加熱ローラ28aを内蔵する定着装置28に当接して搬送され、この定着装置28の熱によって用紙20に定着される。この定着された画像を有する用紙20は、更に搬送されてプリンタの印刷機構から用紙排出口センサ46を通過してプリンタ外部へ排出される。
印刷制御部40は、用紙サイズセンサ48、及び用紙吸入口45の検知に対応して、用紙20が転写装置28を通過している間だけ転写用高圧電源51からの電圧を転写装置28に印加する。印刷が終了し、用紙20が用紙排出口センサ46を通過すると、帯電用高圧電源50による現像装置14への電圧の印加を終了し、同時に現像・転写プロセス用モータ42の回転を停止させる。以後、上記の動作を繰り返す。
(LEDプリントヘッド)
図5は、図4中の各プロセッサユニット10−1〜10−4における各LEDプリントヘッド13を示す構成図である。
このLEDプリントヘッド13は、例えば、A4サイズの用紙に1インチ当たり600ドットの解像度で印刷可能な構成になっている。LED(CHP)201,202,・・・の総数は4992ドットであり、これを構成するために26個のLEDアレイ200−1,200−2,・・・が配列されている。各LEDアレイ200−1,200−2,・・・は、各々192個のLED201,202,・・・を有し、各LEDアレイ200−1,200−2,・・・内の各LED201,202,・・・において、奇数(ODD)番目のLED201,・・・のカソード同士、偶数(EVEN)番目のLED202,・・・のカソード同士が接続され、隣接して配置される2個のLED201,202,・・・のアノード端子同士が接続されており、奇数番目のLED201,・・・と偶数番目のLED202,・・・とは時分割に駆動される。
26個のLEDアレイ200−1,200−2,・・・に対応して、26個のドライバIC(IC)100−1,100−2,・・・が配列されている。これらの26個のドライバIC200−1,200−2,・・・は、同一の回路により構成され、隣接するドライバIC200−1,200−2,・・・がカスケード接続(縦続接続)されている。
LEDアレイ200−1,200−2,・・・の近傍には、奇数(ODD)側と偶数(EVEN)側の2個のパワーMOSトランジスタ(例えば、NチャネルMOSトランジスタ(以下「NMOS」という。)211,212が設けられている。奇数(ODD)側のNMOS211のドレインは、奇数側のLED31,・・・のカソードと共通に接続され、偶数(EVEN)側の212NMOSのドレインは、偶数側のLED32,・・・のカソードと共通に接続されている。各NMOS211,212のソースは、グランドに接続されている。NMOS211のゲートは、ドライバIC100−1のKDRV端子と接続され、NMOS212のゲートは、ドライバIC100−2のKDRV端子と接続されている。
次に、図5のLEDプリントヘッド13における動作を説明する。
図5に示す構成においては、印刷データ信号HD−DATA3〜HD−DATA0は4本であり、隣接するLED8個のうち、奇数番目同士あるいは偶数番目同士の4画素分のデータをクロック信号HD−CLK毎に同時に送出する構成になっている。このため、図4の印刷制御部40から出力される印刷データ信号HD−DATA3〜HD−DATA0は、クロック信号HD−CLKと共にドライバIC100−1に入力され、前記の4992ドット分のビットデータDATAI0〜DATAI3,・・・が後述する各ドライバIC100−1,・・・内のフリッププロップ回路(以下「FF」という、)から成るシフトレジスタ中を順次転送される。
次に、ラッチ信号HD−LOADが全ドライバIC100−1,・・・に入力され、前記の4992ドット分のビットデータDATAI0〜DATAI3,・・・が後述する各ドライバIC100−1,・・・内の各FFに対応して設けられたラッチ回路にラッチされる。続いて、ビットデータDATAI0〜DATAI3,・・・と印刷駆動信号HD−STB−Nとによって、LED201,02,・・・の内、高レベル(以下「Hレベル」という。)であるドットデータDO1,DO2,・・・に対応するものが点灯される。
なお、全ドライバIC100−1,100−2,・・・には、電源電圧VDD、グランド電圧GND、時分割駆動において奇数番目のLED駆動であるか偶数番目のLED駆動であるかの初期状態を設定するための同期信号HD−HSYNC−N、及び、LED駆動のための駆動電流値を指令するための基準電圧VREFがそれぞれ供給される。基準電圧VREFは、LEDヘッド13内に設けられた図示しない基準電圧発生回路により発生される。
(ドライバIC)
図6は、図5中のチップ状のドライバIC100(=100−1、1002,・・・)における構成を示す平面図である。この図6には、1チップ分のドライバIC100におけるの端子パッド部と内部回路の配置状況が示されている。
ドライバIC100には、端子パッド列101、シフトレジスタ及びラッチ回路等の論理回路列102、駆動回路の前段回路103、電源配線104、駆動回路列105、及び、駆動回路のドットデータDO1〜DO96用のパッド列が設けられている。端子パッド列101は、電源電圧VDD、ビットデータDATAIO〜DATAI3、同期信号HSYNC、ラッチ信号LOAD、クロック信号CLK、電源電圧VDD、グランド電圧GND、基準電圧VREF、印刷駆動信号STB、ゲート信号KDRV、ビットデータDATAO3〜DATAO0、電源電圧VDDの各端子パッドを有し、これらが順に配列されている。電源配線104は、駆動回路列105の上層に配置され、端子パッド列101の内の3箇所に設けられたVDD端子と接続されている。
(ドライバICの全体構成)
図7は、図5中のドライバIC100の詳細な構成を示すブロック図である。
このドライバIC100は、カスケード接続された複数のFFから成るシフトレジスタ101を有している。シフトレジスタ101は、クロック信号CLKに同期してビットデータDATAI3〜DATAI0を取り込んでシフトする回路であり、この出力側に、セレクタ102、ラッチ回路103及びメモリ回路104が接続されている。セレクタ102は、シフトレジスタ101の出力を選択してビットデータDATAO3〜DATAO0を出力する回路である。ラッチ回路103は、ラッチ信号LOADによりシフトレジスタ101の出力をラッチする回路である。
メモリ回路104は、各LEDの光量ばらつき補正のための補正データ(ドット補正データ)やLEDアレイチップ毎の光量補正データ(チップ補正データ)あるいはドライバIC毎の固有データをそれぞれ格納する回路であり、この出力側に、マルチプレクサ105が接続されている。マルチプレクサ105は、メモリ回路104から出力されているドット補正データにおいて、隣接したLEDドットのうち、奇数番目ドットの補正データと偶数番目ドット補正データとを切り替える回路であり、この出力側に、LEDを駆動するための複数個(例えば、96個)の駆動回路110−1〜110−96が接続されている。各駆動回路110−1〜110−96は、制御電圧Vが印加され、オン/オフ制御信号Sによりオン状態になると、ラッチ回路103の出力ビットデータE及びマルチプレクサ105の出力補正データQ3〜Q0を入力し、LEDを点灯するための出力信号DOを出力する回路である。
ドライバIC100には、制御回路130及び制御電圧発生回路131が設けられている。制御回路130は、電源電圧VDD、印刷駆動STB、同期信号HSYNC、及びラッチ信号LOADを入力し、印刷駆動信号STB及びラッチ信号LOADに基づきオン/オフ制御信号Sを生成して駆動回路110−1〜110−96へ供給する機能と、補正データをメモリ回路104に対して書き込みする時の書き込み指令信号を発生する機能と、マルチプレクサ105に対し奇数ドットデータと偶数ドットデータとのデータ切り替え指令信号を発生する機能等とを有している。制御電圧発生回路131は、基準電圧VREFに基づき、LED駆動のための制御電圧Vを発生する回路である。
このドライバIC100では、クロック信号CLKにより、前記の4992ドット分のビットデータDATAI0〜DATAI3,・・・がシフトレジスタ101中を順次転送される。次に、ラッチ信号LOADにより、前記の4992ドット分のビットデータDATAI0〜DATAI3,・・・がラッチ回路103にラッチされる。続いて、ビットデータDATAI0〜DATAI3,・・・及び補正データQ3〜Q0と印刷駆動信号STBとによって、駆動回路110−1〜110−96からドットデータDO1〜DO96に対応する駆動電流が出力され、HレベルのドットデータDO1,・・・に対応するLEDが点灯される。
(LED駆動回路)
図8は、図7中のLEDの駆動回路110(=110−1〜110−96)を示す回路図である。
素子駆動回路110は、ラッチ回路103からのビットデータEと制御回路130からのオン/オフ制御信号Sとの否定論理和(以下「NOR」という。)を求めるNOR回路111を有している。NOR回路111の出力側には、4個の否定論理積回路(以下「NAND回路」という。)112〜115の入力側と、インバータを構成するPチャネルMOSトランジスタ(以下「PMOS」という。)116及びNチャネルMOSトランジスタ(以下「NMOS」という。)117の各ゲートとが接続されている。各NAND回路112〜115は、NOR回路111の出力データと、マルチプレクサ105からの補正データとの否定論理和を求める回路である。NOR回路111及びNAND回路112〜115において、各電源端子は図示しない電源電圧VDDの端子と接続され、各グランド端子は制御電圧Vの端子と接続されて制御電圧Vcontに保持されている。インバータを構成するPMOS116及びNMOS117は、電源電圧VDDの端子と制御電圧Vの端子との間に直列に接続され、NOR回路111の出力信号を反転して出力するトランジスタである。
各NAND回路112〜115の出力側には、各PMOS118〜121のゲートが接続され、更に、PMOS116及びNMOS117のドレインにも、PMOS122のゲートが接続されている。各PMOS118〜112のソースは、電源電圧VDDの端子に共通に接続され、ドレインは、ドットデータDO用の駆動電流出力端子に共通に接続されている。この駆動電流出力端子は、後述する薄膜配線等によりLEDのアノードと接続されている。
後述するように電源電圧VDDと電圧Vcontとの電位差は、PMOS118〜122がオンする時のゲート・ソース間電圧に略等しく、この電圧を変化させることでPMOS118〜122のドレイン電流を調整することが可能となる。図7の制御電圧発生回路131は、基準電圧Vrefを受けて、PMOS118〜122等のドレイン電流が所定値となるように制御電圧Vcontを制御するために設けられている。
次に、この駆動回路110の機能を説明する。
印刷データであるラッチ回路103からのビットデータEがオン(即ち、低レベル(以下「Lレベル」という。)であり、制御回路130からのオン/オフ制御信号SがLレベルとなって駆動オンを指令している時、NOR回路111の出力はHレベルとなる。この時、マルチプレクサ105からの補正データQ3〜QOに従い、NAND回路112〜115の出力信号と、PMOS116及びNMOS117により構成されるインバータの出力とは、電源電圧VDDレベルあるいは制御電圧Vcontレベルとなる。
PMOS122は、LEDに主たる駆動電流を供給する主駆動トランジスタであり、PMOS118〜121は、LEDの駆動電流をドット毎に調整して光量補正するための補助駆動トランジスタである。主駆動トランジスタのPMOS122は、印刷データに従って駆動される。補助駆動トランジスタのPMOS118〜121は、NOR回路111の出力がHレベルである時に、マルチプレクサ105からの補助データQ3〜Q0に従って選択的に駆動される。補助データQ3〜Q0は、LEDの各ドットの発光ばらつきを補正するためのデータであり、図7中のメモリ回路104に格納されていて、マルチプレクサ105により選択されて供給される。
つまり、主駆動トランジスタであるPMOS122と共に、補正データに従って補助駆動トランジスタであるPMOS118〜121が選択的に駆動され、主駆動トランジスタであるPMOS122のドレイン電流に、選択された補助駆動トランジスタであるPMOS118〜121の各ドレイン電流が加算された駆動電流が、ドットデータDO用の駆動電流出力端子から出力されてLEDに供給される。
PMOS118〜121が駆動されている時、NAND回路112〜115の出力はLレベル(即ち、略制御電圧Vcontに等しいレベル)にあるので、PMOS118〜121のゲート電位は、略制御電圧Vcontに等しくなる。この時、PMOS205はオフ状態にあり、NMOS117はオン状態にあって、PMOS122のゲート電位も又略制御電圧Vcontに等しくなる。そのため、PMOS118〜122のドレイン電流値を、制御電圧Vcontにより一括して調整することができる。この時、NAND回路112〜115は電源電圧VDDと制御電圧Vcontを、それぞれ電源、グランド電位として動作しているので、その入力信号の電位も電源電圧VDDと制御電圧Vcontに即したものであって良く、Lレベルは必ずしも0Vであることを必要としない。
(駆動トランジスタの構成)
図1(a)、(b)は、本発明の実施例1における図8中の駆動トランジスタであるPMOS118〜122を示す構成図であり、同図(a)は平面図、及び、同図(b)は同図(a)中のA1−A2線断面図である。
図1(a)中のX軸は、図6におけるドライバIC100の長辺方向を示し、これは図5における各ドライバIC100−1、100−2,・・・の配列方向に等しい。Y軸はX軸と直交する方向であるドライバIC100の短辺方向を示している。又、図1(a)では、駆動トランジスタであるPMOS118〜122と、ドットデータDO用の駆動電流出力端子とが示されている。
破線で示されるトランジスタ領域125には、第2のMOSトランジスタとしての4個のPMOS118〜121と、並列接続された第1のMOSトランジスタとしての4個のPMOS122−1〜122−4から成る1個のPMOS122とが形成されている。各PMOS118〜121,122−1〜122−4におけるゲート118G〜121G,122−1G〜122−4Gと、これらのゲートを接続する配線部とは、例えば、N型不純物を含むシリコン基材126上において、ポリシリコンにより形成されている。なお、各ゲート間の接続方法はこれに限定されず、例えば、ポリシリコンからなるゲート同士をメタル配線を用いて接続しても良い。シリコン基材126内において、各ゲート118G〜121G,122−1G〜122−4Gの両側には、これらのゲートをマスクにして注入されたP型不純物イオンを含むP型ソース領域(S)及びP型ドレイン領域(D)から成るソース及びドレインが形成され、PMOS118〜121,122−1〜122−4が構成されている。
なお、図1では、図示を簡略化するために、ゲート酸化膜、メタル配線、ソース領域、ドレイン領域とのコンタクト部、及びパッシベーション保護膜等が省略されているが、図1(a)におけるソース領域S、及びドレイン領域Dのそれぞれは、図示しないメタル配線を用いて、ソース領域SはVDD端子と、ドレイン領域DはドットデータDO用の駆動電流出力端子とそれぞれ接続されている。
又、各ゲート118G,119G,・・・のゲート長Lは同一であるが、ゲート118Gのゲート幅W0、ゲート119GのゲートW1、ゲート120Gのゲート幅W2、及びゲート121Gのゲート幅W3は、次のように設定されている。
Wl=2*WO
W2=4*WO
W3=8*WO
(LEDプリントヘッド基板ユニット)
図9(a)〜(c)は、図3中のLEDプリントヘッド基板ユニットを示す構成図であり、同図(a)は平面図、同図(b)はその平面図の一部の拡大図、及び、同図(c)は同図(b)に対比するように描かれた断面図である。
図9(a)において、プリント基板13bの平面(即ち、上面)上には、複数個(例えば、26個)のドライバIC(IC)100(=100−1〜100−26)がそのプリント基板13bの長辺方向であるX軸に沿って配列されると共に、これらのドライバIC100に隣接して、複数個(例えば、26個)のLEDアレイ(CHP)200(=200−1〜200−26)がX軸に沿って配列されている。更に、プリント基板13bの上面上に、LEDプリントヘッド基板ユニットを制御する制御信号端子や電源端子、及びグランド端子等を含んだコネクタ220が搭載されている。
図9(b)において、プリント基板13bの上面上には、ドライバIC200−1,200−2,200−3,・・・に隣接して、端子パッド列101が形成され、この端子パッド列101における所要箇所間が配線221により接続されている。
図9(c)において、プリント基板13bの端子パッド列101と各ドライバIC100−1,・・・の制御端子パッドとが、ボンディングワイヤ222により接続され、各ドライバIC100−1,・・・の駆動端子パッドと各LEDアレイ200−1,・・・の図示しないアノードパッドとが、ボンディングワイヤ223により接続され、各LEDアレイ200−1,・・・の図示しないカソードパッドとプリント基板13b上の電極パッドとが、ボンディングワイヤ224により接続されている。
(駆動トランジスタに応力が加わった場合の特性変化)
図10(a)、(b)は、図1、図8及び図9における駆動トランジスタであるPMOS118〜122に応力が加わった場合の特性変化(ドレイン電流の変動)を説明するための図であり、同図(a)は、シリコンウェハ上にドライバIC100を形成する時のドライバIC100の配列方向を示す図、及び同図(b)は、その関係式及びその数値を示す図である。
図10(a)において、シリコンウェハ230上に、1個のドライバIC100が図示されている。ドライバIC100は、X軸方向が長辺方向であり、これに直交するY軸方向が短辺方向である。下記の式(1)、式(2)、及び図11(b)は、参考文献1に記載されている関係式及びその数値である。
Figure 0004847995






参考文献1;池田他“チップスタック形マルチチップ実装におけるMOSFETの移動度の変動について”電子情報通信学会論文誌C、Vol.J88−C、No.11、ppl−8(11−2005)
ここで、式(1)、式(2)における
Figure 0004847995

等は、図11(b)に記載されるピェゾ抵抗係数、σ11,σ22は図11(a)におけるY軸方向、X軸方向への応力であって、圧縮力の場合には応力σは負の値をとる。又、IはPMOSのドレイン電流、式(1)に示される[ΔI/Iはチャネルに流れるドレイン電流がY軸方向と平行な場合の電流変化率、式(2)に示される[△I/I90はチャネルに流れる電流がX軸方向と平行な場合の電流変化率である。
そこで、[△I/I90,[ΔI/Iをあらためて[ΔI/I,[ΔI/Iと記号し、σ11,σ22をσ,σと記号して図11(b)の数値を代入して整理すると、次式(3)、(4)を得る。
Figure 0004847995






一般に、物体が引張力又は圧縮力を受けると、力の方向には伸び又は縮むが、それと直交する方向には逆に縮み又は伸びる。ここで、例えば、直径d、長さLの丸棒を考え、その軸方向に力Pで引張ったとしよう。この時、丸棒は力の方向に△Lだけ伸びるが、その断面方向には最初の直径dよりも縮んで直径d’となる。力の方向へのひずみεは、
ε=△L/L
であるが、力と直交する方向のひずみε’は、
ε’=(d−d’)/d
である。力の方向のひずみεと、力と直交する方向のひずみε’との比は、物質により定まる定数であって、ポアソソン比νと呼ばれ、
Figure 0004847995

で表される。εとε’とは、いずれか一方が伸びると他方は縮むことになるので、εとε’の比はマイナスの値となり、材料力学的な考察から、ポアソン比νの数値は絶対値で0.5以下となることが知られている。ここで、σとεの間には、
σ=Eε
の関係があり、Eはヤング率とよばれ、図11(a)のX軸方向、Y軸方向について、
E≒170[GPa]
であることが知られている。
今、シリコンのポアソン比を0.066として応力の符号も考慮すると、次式(5)が得られる。
Figure 0004847995

これを式(3)、(4)に代入して整理することで、次式(6)、(7)を得る。
Figure 0004847995






なお、シリコン材料のポアソン比の値として0.28とする実験値も知られているが、この場合でも以下の議論の結果には大差がない。
式(6)、(7)として記された[△I/I,[ΔI/Iの両式に現れる符号の違い、圧縮時には応力σが負の値となることに注意すると、X軸方向へ圧縮力を加えた場合に、PMOSのチャネルをX軸方向となるように配置する場合には、[△I/Iの値はプラスとなってドレイン電流が増加するのに対して、PMOSのチャネルをY軸方向となるように配置する場合には、[ΔI/Iの値はマイナスとなってドレイン電流が減少することが判る。又、式(6)、(7)の比を計算すると、次式(8)が得られ、PMOSのチャネルをX軸方向とする場合と比べY軸方向に配置することで、ドレイン電流の変化率は約0.93倍、即ち7%小さくできることが判る。
Figure 0004847995





そこで、本実施例1の図1、図8、図9に示すLEDプリントヘッド13では、ドライバIC100(=100−1〜100−26)において、図1(a)に示すように、各ドットデータDO用の駆動電流出力端子にそれぞれ接続される駆動トランジスタであるPMOS118〜122のゲート118G〜121G,122−1G〜122−4Gを、LEDアレイ200(=200−1〜200−26)の配列方向と等しいX軸方向に配置している。そのため、印刷データであるビットデータが、PMOS118〜122のゲート118G〜121G,122−1G〜122−4Gに印加され、そのビットデータのLレベルによりPMOS118〜122がオン状態になると、X軸方向と直交するY軸方向に配列されたソース・ドレイン間に、ドレイン電流がY軸方向に流れ、ドットデータDO用の駆動電流出力端子から駆動電流が出力されてLEDが駆動される。
LEDプリントヘッド13は、図9に示すように、それを構成する複数個のチップ状のドライバIC100(=100−1〜100−26)及びチップ状のLEDアレイ200(=200−1〜200−26)とプリント基板13bとを、熱硬化樹脂を用いて高温雰囲気中で固着して製造される。そのため、前記キュア条件に近い温度においては固着時の自然状態となって応力ゼロとなるものの、室温環境に戻した後にはプリント基板13bの側がX軸方向により大きく収縮する結果、各ドライバIC100にはその配列方向であるX軸方向に収縮応力が働く。収縮応力はチップ状の各ドライバIC100毎に作用し、特に、チップ両端部に比べて中心付近に最大応力が作用するため、チップ両端部に比べて中心付近においてドレイン電流の変動(即ち、増加)が大きくなる。
そこで、本実施例1では、この対策として、PMOS118〜122のゲート118G〜121G,122−1G〜122−4GをX軸方向に並列に配置してチャネルがY軸方向となるように配置し、ドレイン電流をY軸方向に流すことにより、ドレイン電流を減少させている。これにより、各ドライバIC100においてチップ両端部と中央付近との間において生じるドレイン電流(即ち、駆動電流)のばらつきを抑制し、印刷濃度むらをなくしている。
(LEDプリントヘッドの測定結果)
図11−1(a)〜(d)及び図11−2(a)〜(d)は、従来の構成である比較例と本実施例1のLEDプリントヘッドにおける測定結果を示す図であり、図11−1(a)〜(d)は、比較例のLEDプリントヘッドにおいてドット毎の駆動電流を周囲温度を変えて測定した結果を模式的に示す図、図11−2(a)〜(d)は、本実施例1における図9及び図10の構成を備えるLEDプリントヘッド13においてドット毎の駆動電流を周囲温度を変えて測定した結果を模式的に示す図である。
図11−1(a)は、比較例のLEDプリントヘッドのブロック図である。この比較例では、例えば、図1において、駆動トランジスタであるPMOS118〜122のゲート118G〜121G,122−1G〜122−4Gが、LEDアレイ200(=200−1〜200−26)の配列方向(X軸方向)に対して直交するY軸方向に配置されている。これに対し、図11−2(a)は、本実施例1の図9(a)に対応するLEDプリントヘッド13のブロック図である。
図11−1(b)及び図11−2(b)は、LEDプリントヘッドの雰囲気温度を100℃とする高温状態での各駆動電流値を示すグラフである。同様に、図11−1(c)及び図11−2(c)は、LEDプリントヘッドの雰囲気温度を25℃とする室温状態での各駆動電流値を示すグラフ、図11−1(d)及び図11−2(d)は、LEDプリントヘッドの雰囲気温度を−20℃とする低温状態での各駆動電流値を示すグラフである。
なお、図11−1(b)〜(d)及び図11−2は、図11−1(a)及び図11−2(a)のブロック図と対比するように描かれており、チップ状の各ドライバIC100の境目を破線を付して表示している。
比較例の図11−1(b)、実施例1の図11−2(b)においては、僅かな電流ばらつきを生じているものの、各駆動トランジスタの駆動出力が一様で、略平坦な駆動出力特性を示しているのに対し、比較例の図11−1(c)、実施例1の図11−2(c)においては、非常に僅かながら波打った特性グラフが現れ出している。比較例の図11−1(d)においては、各ドライバIC100の中心部付近での駆動電流が大きく上昇して、突形状を成した特性を示している。これに対し、実施例1の図11−2(d)においては、各ドライバIC100の中心部付近での駆動電流が僅かに低下して、ドライバIC両端部での駆動電流が僅かに大きく、僅かながら凹形状を成した特性を示している。
比較例の図11−1と実施例1の図11−2とを比較して明らかなように、比較例による低温雰囲気中での駆動電流分布は、ドライバIC端部と比べて中心部のそれが大きい凸形状であったのに対して、実施例1においてはドライバIC端部と比べて中心部のそれが小さい凹形状であって、ドライバIC端部とドライバIC中心部との駆動電流の差が小さくなっていて、各ドライバIC100内での駆動電流のばらつきが改善された特性となっており、前述した図10での試算結果をよく反映したものとなっている。
(実施例1の効果)
温度変化によってドライバIC100における駆動電流にばらつきが生じると、ドライバIC100により駆動されるLEDの光量むらを生じ、それを用いる画像形成装置の印刷結果に濃度むらとなって現れ、印刷品位を著しく低下させることとなって好ましくない。それに加えて、LEDプリントヘッド13においては、各LEDの製造ばらつきに起因して発光効率がばらつくため、これをLEDプリントヘッド13の製造段階で補正するための光量補正機能を備えるのが通例である。
ところが、前述したような温度による収縮応力は温度によって変動し、LEDプリントヘッド13が比較的高温の環境にある場合には軽減されるものの、温度低下すると著しく増大してしまう。この結果、比較例のLEDプリントヘッドにおいては、光量補正を行ったのと等しい温度においては光量むらを生じないものの、特に低温雰囲気中においては駆動電流の分布がドライバIC端部と比べて中心部のそれが大きい凸形状となるのを反映して、ドライバIC端部付近の印刷濃度が濃くなってしまい、前述した光量補正機能を備えるLEDプリントヘッドをもってしても印刷濃度むらをなくすことが困難であった。
そこで、本実施例1の駆動回路110及びLEDプリントヘッド13によれば、駆動トランジスタであるPMOS118〜122のゲート118G〜121G,122−1G〜122−4GをX軸方向に並列に配置してチャネルがY軸方向となるように配置し、ドレイン電流をY軸方向に流す構成にしている。そのため、低温雰囲気中であってもドライバIC端部と比べて中心部のそれが僅かに小さい凹形状であって、ドライバIC端部とドライバIC中心部との駆動電流の差が比較例のものより小さくなって、ドライバIC内での駆動電流のばらつきが改善された特性を得ることができる。
しかも、本実施例1の画像形成装置1では、前記LEDプリントヘッド13を用いているので、印刷濃度のむらを解消できて印刷品位を向上できる。従って、スペース効率及び光取り出し効率に優れた高品位の画像形成装置(プリンタ、コピー機等)を提供することができる。即ち、前記LEDプリントヘッド13を用いることにより、上記説明したフルカラーの画像形成装置1に限らず、モノクロ、マルチカラーの画像形成装置においても効果が得られるが、特に露光装置を数多く必要とするフルカラーの画像形成装置1において一層大きな効果が得られる。
本発明の実施例2は、実施例1を示す図1の駆動トランジスタに代えて、これとは構成の異なる図12の駆動トランジスタを設けている。その他の構成は実施例1と同様であるので、以下、実施例1とは構成の異なる駆動トランジスタのみを説明する。
(駆動トランジスタの構成)
図12は、図8中の駆動トランジスタであるPMOS118〜122の平面図を示す本発明の実施例2の構成図であり、実施例1の駆動トランジスタの平面図を示す図1(a)中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
本実施例3の図12中のX軸は、実施例1の図1と同様に、図6におけるドライバIC100の長辺方向を示し、これは図5における各ドライバIC100−1、100−2,・・・の配列方向に等しい。Y軸はX軸と直交する方向であるドライバIC100の短辺方向を示している。図13では、実施例1の図1(a)と同様に、駆動トランジスタであるPMOS118〜122と、ドットデータDO用の駆動電流出力端子とが示されている。
破線で示される2つのトランジスタ領域125−1,125−2には、補助駆動トランジスタである第2のMOSトランジスタとしての4個のPMOS118〜121と、主駆動トランジスタである並列接続された第1のMOSトランジスタとしての5個のPMOS122−1〜122−5から成る1個のPMOS122とが形成されている。各PMOS118〜121,122−1〜122−5におけるゲート118G〜121G,122−1G〜122−5Gと、これらのゲートを接続する配線部とは、例えば、実施例1の図1(b)に示されるように、N型不純物を含むシリコン基材126上において、ポリシリコンにより形成されている。配線部の形成材料は、ポリシリコンに限定されず、メタル等の他の形成材料を用いても良い。シリコン基材126内において、各ゲート118G〜121G,122−1G〜122−5Gの両側には、これらのゲートをマスクにして注入されたP型不純物イオンを含むP型ソース領域(S)及びP型ドレイン領域(D)から成るソース及びドレインが形成され、PMOS118〜121,122−1〜122−5が構成されている。
本実施例2では、実施例1と同様の平面形状の4個のゲート118G,119G,120G,121Gと、実施例1とは異なる平面形状の5個のゲート122−1G〜122−5Gとを有している。5個のゲート122−1G〜122−5Gの内、4個のゲート122−1G〜122−4Gは、実施例1のものとはゲート幅が異なるが、実施例1と同様にX軸方向に対して所定間隔にて平行に延設されて第1のゲート部を構成している。残る1個のゲート122−5Gは、LEDアレイ200の配列方向とは異なる向き(例えば、ゲート122−4Gに対して略直交するY軸方向)に、ゲート122−4Gの一端から延設されて第2のゲート部を構成している。第1のゲート部を構成するゲート122−4Gと、第2のゲート部を構成するゲート122−5Gとは、同じ半導体層に形成された一体化ゲート部を構成し、この一体化ゲート部が略L字状の形状をしている。
なお、図12では、実施例1の図1(a)と同様に、図示を簡略化するために、ゲート酸化膜、メタル配線、ソース領域、ドレイン領域とのコンタクト部、及びパッシベーション保護膜等が省略されているが、実施例1と同様に、ソース領域S、及びドレイン領域Dのそれぞれは、図示しないメタル配線を用いて、ソース領域SはVDD端子と、ドレイン領域DはドットデータDO用の駆動電流出力端子とそれぞれ接続されている。
又、実施例1と同様に、各ゲート118G,119G,・・・のゲート長Lは同一であるが、ゲート118Gのゲート幅W0、ゲート119GのゲートW1、ゲート120Gのゲート幅W2、及びゲート121Gのゲート幅W3は、次のように設定されている。
Wl=2*WO
W2=4*WO
W3=8*WO
以上のような駆動トランジスタを有する図7の駆動回路110を備えた図4のLEDプリントヘッド13は、実施例1と略同様の動作を行う。しかし、本実施例2のLEDプリントヘッド13では、実施例1のものと作用が異なるので、以下、本実施例2におけるLEDプリントヘッド13の測定結果を説明する。
(LEDプリントヘッドの測定結果)
図13(a)〜(d)は、本発明の実施例2のLEDプリントヘッドにおいて低温雰囲気中(約20℃)におけるドット毎の駆動電流の測定結果を模式的に示す図であり、実施例1を示す図11−2(a)〜(d)中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
図13(a)は、本実施例2の図10(a)に対応するLEDプリントヘッド13のブロック図であり、複数個のドライバIC(IC)100(=100−1〜100−26)と複数個のLEDアレイ(CHP)200(=200−1〜200−26)とが対向して配置されている。
図13(b)は、LEDプリントヘッド13の低温雰囲気中における各駆動電流値を示すグラフであって、図12におけるPMOS118〜121,122(122−1〜122−5)の内、ゲート122−1G〜122−4Gによって構成されるPMOS122−1〜122−4のドレイン電流成分の合計を示している。なお、図13(b),(c),(d)は、図13(a)のブロック図と対比するように描かれており、各ドライバIC100の境目を破線を付して表示している。
図13(b)においては、各ドライバIC100(100−1〜100−26)の中心部付近での駆動電流が僅かに低下して、各ドライバIC両端部での駆動電流が僅かに大きく、僅かながら凹形状を成した特性を示している。
図13(c)も同様に、LEDプリントヘッド13の低温雰囲気中における各駆動電流値を示すグラフであって、図13におけるPMOS118〜121,122(122−1〜122−5)の内、ゲート122−5Gによって構成されるPMOS122−5のドレイン電流成分を示している。
図13(c)においては、各ドライバIC200の中心部付近での駆動電流が大きく、各ドライバIC両端部での駆動電流が小さくなって、僅かながら凸形状を成した特性を示している。これは以下のように解釈することができる。
即ち、図12を用いて説明したように、PMOS118〜121,122(122−1〜122−5)の内、ゲート122−1G〜122−4Gによって構成されるPMOS122−1〜122−4においては、図10に示したように、そのドレイン電流の流れる方向がY軸方向にあって、LEDプリントヘッド13が低温雰囲気中に置かれた時にプリント基板13bから受ける熱応力の方向(X)と直交する方向にある。このため、図11を用いて説明したように、その電流変化率は、式(7)で記述されるようにプラス係数を持ち、応力σxは圧縮力時にマイナスの値であることに注意すると、低温雰囲気中でのドライバIC100のドット電流の分布はドライバIC中心部のそれがやや低下した凹形状のものとなる。これは図13(b)のグラフと略等しい。
又、図12におけるPMOS118〜121,122(122−1〜122−5)の内、ゲート122−5Gによって構成されるPMOS122−5においては、図11に示したように、そのドレイン電流の流れる方向がX軸方向にあって、LEDプリントヘッド13が低温雰囲気中に置かれた時にプリント基板13bからうける熱応力の方向(X)と平行な方向にある。このため、図10を用いて説明したように、その電流変化率は式(6)で記述されるようにマイナスの係数を持ち、応力σxは圧縮力時にマイナスの値であることに注意すると、応力による電流の変化率はプラスの値となって低温雰囲気中でのドライバIC100のドット電流の分布はドライバIC中心部のそれがやや高い凸形状のものとなる。これは図13(c)のグラフと略等しい。
図13(d)は、前述したPMOS118〜121,122(122−1〜122−5)の内、ゲート122−1G〜122−5Gからの駆動電流の総計を示しており、図13(b)、(c)で示される各ドット電流を合算したしたものに対応している。
図13(c)においては、各ドライバIC100の中心部付近での駆動電流が僅かに低下して、各ドライバIC両端部での駆動電流が僅かに大きく、僅かながら凹形状を成した特性を示しており、図13(d)においては各ドライバIC100の中心部付近での駆動電流が僅かに大きく、各ドライバIC両端部での駆動電流が僅かに小さく、僅かながら凸形状を成した特性を示しているため、前記両者を合算した図13(d)の特性においては、各KドライバIC中心部と端部付近での電流値が略等しく、平坦な特性が得られる。
本実施例2の図13と比較例の図11−1とを比較して明らかなように、本実施例2の構成とすることで、ドライバIC100内での駆動電流のばらつきが改善された特性となって、本構成のLEDを備えた画像形成装置1においては良好な印刷品位を得ることができる。
(実施例2の効果)
本実施例2における図7中の駆動回路110及びこれを用いた図4中のLEDプリントヘッド13によれば、低温雰囲気中であっても各ドライバIC端部と各ドライバIC中心部との駆動電流の差が比較例のものより小さくなり、ドライバIC内での駆動電流のばらつきを改善することができる。従って、実施例1と略同様に、印刷濃度のむらを解消できて、印刷品位に優れた画像形成装置1を実現できる。
(実施例2の駆動トランジスタの変形例)
図14は、実施例2における図12の駆動トランジスタの構成の変形例を示す平面図であり、図12中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
図14では、図12と同様に、駆動トランジスタであるPMOS118〜122と、ドットデータDO用の駆動電流出力端子とが示されている。
破線で示される3つのトランジスタ領域125−1〜125−3には、補助駆動トランジスタである4個のPMOS118〜121と、主駆動トランジスタである並列接続された3個のPMOS122−1〜122−3及び並列接続された3個のPMOS122−4〜122−6から成る1個のPMOS122とが形成されている。各PMOS118〜121,122−1〜122−6におけるゲート118G〜121G,122−1G〜122−6Gと、これらのゲートを接続する配線部とは、例えば、実施例1の図1(b)に示されるように、N型不純物を含むシリコン基材126上において、ポリシリコンにより形成されている。配線部の形成材料は、ポリシリコンに限定されず、メタル等の他の形成材料を用いても良い。シリコン基材126内において、各ゲート118G〜121G,122−1G〜122−6Gの両側には、これらのゲートをマスクにして注入されたP型不純物イオンを含むP型ソース領域(S)及びP型ドレイン領域(D)から成るソース及びドレインが形成され、PMOS118〜121,122−1〜122−6が構成されている。
本変形例では、実施例2と同様の平面形状の4個のゲート118G,119G,120G,121Gと、実施例2とは異なる平面形状の6個のゲート122−1G〜122−6Gとを有している。6個のゲート122−1G〜122−6Gの内、4個のゲート122−1G〜122−4Gは、実施例2のものとはゲート幅が異なるが、実施例2と同様にX軸方向に対して所定間隔にて平行に延設されて第1のゲート部を構成している。残る2個のゲート122−5G,122−6Gは、LEDアレイ200の配列方向とは異なる向き(例えば、ゲート122−4Gに対して略直交するY軸方向)に、ゲート122−4Gの両端から延設されて第2のゲート部を構成している。第1のゲート部を構成するゲート122−4Gと、第2のゲート部を構成するゲート122−5G,122−6Gとは、同じ半導体層に形成された一体化ゲート部を構成し、この一体化ゲート部が略U字状の形状をしている。
なお、図14では、実施例2と同様に、図示を簡略化するために、ゲート酸化膜、メタル配線、ソース領域、ドレイン領域とのコンタクト部、及びパッシベーション保護膜等が省略されているが、実施例2と同様に、ソース領域S、及びドレイン領域Dのそれぞれは、図示しないメタル配線を用いて、ソース領域SはVDD端子と、ドレイン領域DはドットデータDO用の駆動電流出力端子とそれぞれ接続されている。
又、実施例2と同様に、各ゲート118G,119G,・・・のゲート長Lは同一であるが、ゲート118Gのゲート幅W0、ゲート119GのゲートW1、ゲート120Gのゲート幅W2、及びゲート121Gのゲート幅W3は、次のように設定されている。
Wl=2*WO
W2=4*WO
W3=8*WO
以上のような構成の駆動トランジスタは、実施例2と略同様の作用効果を奏する。
本発明の実施例3は、実施例1を示す図9の駆動トランジスタに代えて、これとは構成の異なる図15の駆動トランジスタを設けている。その他の構成は実施例1と同様であるので、以下、実施例1とは構成の異なる駆動トランジスタのみを説明する。
(駆動トランジスタの構成)
図15は、図8中の駆動トランジスタであるPMOS118〜122の平面図を示す本発明の実施例3の構成図であり、実施例1の駆動トランジスタの平面図を示す図1(a)中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
本実施例3の図15中のX軸は、実施例1の図9と同様に、図6におけるドライバIC100の長辺方向を示し、これは図5における各ドライバIC100−1、100−2,・・・の配列方向に等しい。Y軸はX軸と直交する方向であるドライバIC100の短辺方向を示している。図15では、実施例1の図9(a)と同様に、駆動トランジスタであるPMOS118〜122と、ドットデータDO用の駆動電流出力端子とが示されている。
破線で示される2つのトランジスタ領域125−1,125−2には、補助駆動トランジスタである4個のPMOS118〜121と、主駆動トランジスタである24個のPMOSから成る1個のPMOS122とが形成されている。各PMOS118〜121,・・・におけるゲート118G〜121G,122−1G〜122−8Gと、これらのゲートを接続する配線部とは、例えば、実施例1の図9(b)に示されるように、N型不純物を含むシリコン基材126上において、ポリシリコンにより形成されている。配線部の形成材料は、ポリシリコンに限定されず、メタル等の他の形成材料を用いても良い。シリコン基材126内において、各ゲート118G〜121G,122−1G〜122−8Gの両側には、これらのゲートをマスクにして注入されたP型不純物イオンを含むP型ソース領域(S)及びP型ドレイン領域(D)から成るソース及びドレインが形成され、PMOS118〜121,・・・が構成されている。
本実施例3では、実施例1と同様の平面形状の4個のゲート118G,119G,120G,121Gと、実施例1とは異なる平面形状の8個のゲート122−1G〜122−8Gとを有している。8個のゲート122−1G〜122−8Gの内、4個のゲート122−1G〜122−4Gは、実施例1のものと略同様のゲート幅を有し、実施例1と同様にX軸方向に対して所定間隔にて平行に延設されて第1のゲート部を構成している。残る4個のゲート122−5G〜122−8Gは、LEDアレイ200の配列方向とは異なる向き(例えば、ゲート122−1G〜122−4Gに対して略直交するY軸方向)に対して所定間隔にて平行に延設されて第2のゲート部を構成している。第1のゲート部を構成するゲート122−1Gと、第2のゲート部を構成するゲート122−5G〜122−8Gとは、略櫛形状をしている。即ち、第1のゲート部を構成するゲート122−1G〜122−4Gと、第2のゲート部を構成するゲート122−5G〜122−8Gとは、同じ半導体層に形成された一体化ゲート部を構成している。この一体化ゲート部は、第1のゲート部と第2のゲート部とにより例えば「口」の字状に囲まれる閉領域を有している。又、この閉領域は、第1のゲート部、あるいは、第2のゲート部により分離された複数の領域(例えば、「田」、「日」、「目」の字状等)から形成されている。
なお、図15では、実施例1の図9(a)と同様に、図示を簡略化するために、ゲート酸化膜、メタル配線、ソース領域、ドレイン領域とのコンタクト部、及びパッシベーション保護膜等が省略されているが、実施例1と同様に、ソース領域S、及びドレイン領域Dのそれぞれは、図示しないメタル配線を用いて、ソース領域SはVDD端子と、ドレイン領域DはドットデータDO用の駆動電流出力端子とそれぞれ接続されている。
又、実施例1と同様に、各ゲート118G,119G,・・・のゲート長Lは同一であるが、ゲート118Gのゲート幅W0、ゲート119GのゲートW1、ゲート120Gのゲート幅W2、及びゲート121Gのゲート幅W3は、次のように設定されている。
Wl=2*WO
W2=4*WO
W3=8*WO
以上のような駆動トランジスタを有する図8の駆動回路110を備えた図4のLEDプリントヘッド13は、実施例1と略同様の動作を行う。しかし、本実施例3のLEDプリントヘッド13では、実施例1のものと作用が異なるので、以下、本実施例3におけるLEDプリントヘッド13の測定結果を説明する。
(LEDプリントヘッドの測定結果)
図16(a)〜(d)は、本発明の実施例3のLEDプリントヘッドにおいて低温雰囲気中(約−20℃)におけるドット毎の駆動電流の測定結果を模式的に示す図であり、実施例1を示す図11−2(a)〜(d)中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
図16(a)は、本実施例3の図9(a)に対応するLEDプリントヘッド13のブロック図であり、複数個のドライバIC100(=100−1〜100−26)と複数個のLEDアレイ200(=200−1〜200−26)とが対向して配置されている。
図16(b)は、LEDプリントヘッド13の低温雰囲気中における各駆動電流値を示すグラフであって、図15におけるPMOS118,119,・・・の内、ゲート122−1G〜122−4G等のようにX軸に平行にゲートが配置されたPMOSのドレイン電流成分の合計を示している、なお、図16(b)、(c)、(d)は、図16(a)のブロック図と対比するように描かれており、各ドライバIC100(=100−1〜100−26)の境目を破線を付して表示している。
図16(b)においては、各ドライバIC100の中心部付近での駆動電流が僅かに低下して、各ドライバIC両端部での駆動電流が僅かに大きく、僅かながら凹形状を成した特性を示している。
図16(c)も同様に、LEDプリントヘッド13の低温雰囲気中における各駆動電流値を示すグラフであって、図16におけるPMOSのうち、ゲート122−5G〜122−8G等のY軸に平行にゲートが配置されたPMOSのドレイン電流成分を示している。
図16(c)においては、各ドライバIC100の中心部付近での駆動電流が大きく、各ドライバIC両端部での駆動電流が小さくなって、僅かながら凸形状を成した特性を示している。これは以下のように解釈することができる。
即ち、図10を用いて説明したように、図15におけるPMOSの内、ゲート122−1G〜122−4G等によって構成されるPMOSにおいては、図10に示したように、そのドレイン電流の流れる方向がY軸方向にあって、LEDプリントヘッド13が低温雰囲気中に置かれた時にプリント基板13bから受ける熱応力の方向(X)と直交する方向にある。このため、図10を用いて説明したように、その電流変化率は、式(7)で記述されるようにプラス係数を持ち、応力σxは圧縮力時にマイナスの値であることに注意すると、低温雰囲気中でのドライバIC100のドット電流の分布はドライバIC中心部のそれがやや低下した凹形状のものとなる。これは図13(b)のグラフと略等しい。
又、図15におけるPMOSの内、ゲート122−5G〜122−8G等によって構成されるPMOSにおいては、図10に示したように、そのドレイン電流の流れる方向がX軸方向にあって、LEDプリントヘッド13が低温雰囲気中に置かれた時に、プリント基板13bから受ける熱応力の方向(X)と平行な方向にある。このため、図10を用いて説明したように、その電流変化率は式(6)で記述されるようにマイナスの係数を持ち、応力σxは圧縮力時にマイナスの値であることに注意すると、応力による電流の変化率はプラスの値となって低温雰囲気中でのドライバIC100のドット電流の分布は、ドライバIC中心部のそれがやや高い凸形状のものとなる。これは図13(c)のグラフと略等しい。
図16(d)は、前述したPMOSの内、ゲート部122−1G〜122−8Gからの駆動電流の総計を示しており、図16(b)、(c)で示される各ドット電流を合算したしたものに対応している。
図16(c)においては、各ドライバIC100の中心部付近での駆動電流が僅かに低下して、各ドライバIC両端部での駆動電流が僅かに大きく、僅かながら凹形状を成した特性を示しており、図16(d)においては、各ドライバIC100の中心部付近での駆動電流が僅かに大きく、各ドライバIC両端部での駆動電流が僅かに小さく、僅かながら凸形状を成した特性を示しているため、前記両者を合算した図16(d)の特性においては、ドライバIC中心部と端部付近での電流値が略等しく、平坦な特性が得られることになる。
このように、実施例3の構成とすることで、各ドライバIC端部と各ドライバIC中心部との駆動電流の差が小さくなり、ドライバIC100内での駆動電流のばらつきが改善された特性となって、本構成をLEDを備えた画像形成装置1においては濃度むらのない良好な印刷品位を得ることができる。
(実施例3の効果)の説明
本実施例3における図7中の駆動回路110及びこれを用いた図4中のLEDプリントヘッド13によれば、低温雰囲気中であっても各ドライバIC端部と各ドライバIC中心部との駆動電流の差が比較例のものより小さくなり、ドライバIC内での駆動電流のばらつきを改善することができる。従って、実施例1と略同様に、印刷濃度のむらを解消できて、印刷品位に優れた画像形成装置1を実現できる。
本発明の実施例4は、実施例1を示す図9の駆動トランジスタと同様の構成の図18の駆動トランジスタを設けている。その他の構成は実施例1と同様であるので、以下、実施例1と異なる構成みを説明する。
(駆動トランジスタの構成)
図17は、図8中の駆動トランジスタであるPMOS118〜122の平面図を示す本発明の実施例4の構成図であり、実施例1の駆動トランジスタの平面図を示す図1(a)中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
本実施例4の図17中のX軸は、実施例1の図1と同様に、図6におけるドライバIC100の長辺方向を示し、これは図5における各ドライバIC100−1,100−2,・・・の配列方向に等しい。Y軸はX軸と直交する方向であるドライバIC100の短辺方向を示している。図17では、実施例1の図1(a)と同様に、駆動トランジスタであるPMOS118〜122と、ドットデータDO用の駆動電流出力端子とが示されている。
実施例1と同様に、破線で示されるトランジスタ領域125には、補助駆動トランジスタである4個のPMOS118〜121と、主駆動トランジスタである4個のPMOSから成る1個のPMOS122とが形成されている。
本実施例4では、実施例1と同様に、平面形状の4個のゲート118G〜121Gと、平面形状の4個のゲート122−1G〜122−4Gとを有しているが、これらのゲート部(=118G〜121G,122−1G〜122−4G)が、実施例1とは異なり、LEDアレイ200(=200−1〜200−26)の配列方向(X軸方向)に対して所定角度θ(例えば、0<θ<90°)傾斜した方向に延設されている。その他の構成は、実施例1と同様である。
以上のような駆動トランジスタを有する図8の駆動回路110を備えた図4のLEDプリントヘッド13は、実施例1と略同様の動作を行う。しかし、本実施例4のLEDプリントヘッド13では、実施例1のものと作用が異なるので、以下、本実施例4におけるLEDプリントヘッド13の測定結果を説明する。
(LEDプリントヘッドの測定結果)
図18(a)〜(d)は、本発明の実施例4のLEDプリントヘッドにおいて低温雰囲気中(約−20℃)におけるドット毎の駆動電流の測定結果を模式的に示す図であり、実施例1を示す図11−2(a)〜(d)中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
図18(a)は、本実施例4の図9(a)に対応するLEDプリントヘッド13のブロック図であり、複数個のドライバIC100(=100−1〜100−26)と複数個のLEDアレイ200(=200−1〜200−26)とが対向して配置されている。
図18(b)は、LEDプリントヘッド13の各駆動電流値を示すグラフであって、各ドッドの補正状態を最小とした場合を示す。なお、図18(b)、(c)、(d)は、図18(a)のブロック図と対比するように描かれており、各ドライバIC100(=100−1〜100−26)の境目を破線を付して表示している。
同様に、図18(c)は、LEDプリントヘッド13の各駆動電流値を示すグラフであって、各ドットの補正状態を中心(標準)とした場合を示す。同様に、図18(d)は、LEDプリントヘッド13の各駆動電流値を示すグラフであって、各ドットの補正状態を最大とした場合を示す。
図18(b)、(c)、(d)ともに僅かな電流ばらつきを生じているものの、各駆動トランジスタの駆動出力が一様で、略平坦な駆動出力特性を示している。これは以下のように解釈することができる。
即ち、図10を用いて説明したように、図17のゲート118G〜121G,122−1G〜122−4Gによって構成されるPMOS118〜121,122−1〜122−4においては、そのドレイン電流の流れる方向がX軸もしくはY軸に対して所定角度θ(例えば、0<θ<90°)斜めに配置されており、LEDプリントヘッド13が低温雰囲気中に置かれた時にプリント基板13bから受ける熱応力の方向(X)と角度を持った方向にある。
このため、例えば、PMOSのチャネル方向がY軸方向とする時、ゲートの方向はX軸方向であって前記角度はθ=0°であるが、この時、図10を用いて説明したように、その電流変化率は式(7)で記述されるようにプラス係数をもち、応力σxは圧縮力時にマイナスの値であることに注意すると、低温雰囲気中でのドライバIC100のドット電流の分布はドライバIC中心部のそれがやや低下した凹形状のものとなる。
又、例えば、PMOSのチャネル方向がX軸方向にある時、ゲートの方向はY軸方向であって前記角度はθ=90°であるが、図10を用いて説明したように、その電流変化率の式は式(6)で記述されるようにマイナスの係数をもち、応力σxは圧縮力時にマイナスの値であることに注意すると、低温雰囲気中でのドライバIC100のドット電流の分布は、ドライバIC中心部のそれがやや増加した凸形状のものとなる。
この結果、前述した角度をθ=0°やθ=90°とは異なる中間の角度とすることで、電流変化率の式の係数が式(6)と式(7)の中間の値となって、応力の影響を実質的に低減された特性を得ることができる。
本実施例4における図18の測定結果と比較例における図11−1の測定結果とを比較して明らかなように、比較例による低温雰囲気中での駆動電流分布は、ドライバIC端部と比べてドライバIC中心部のそれが大きい凸形状であったのに対して、本実施例4においては、ドライバIC端部とドライバIC中心部との駆動電流の差が小さくなっていて、ドライバIC100内での駆動電流のばらつきが改善された特性となっており、前述した図10での試算結果をよく反映したものとなっている。
それに加えて、図17の構成においては、LEDを駆動するトランジスタのうち、主たる駆動電流を供給する主駆動トランジスタであるPMOS122−1〜122−4と、LEDの光量補正のために設けられた補正トランジスタであるPMOS118〜121とが共に、そのゲート部(=118G〜121G,122−1G〜122−4G)の配置方向が、ドライバIC100の長辺方向と角度θ(0°<θ<90°)で配置されており、前述したような熱応力の影響は各118〜121,122−1〜122−4共に同率の影響を受けることになり、又各118〜121,122−1〜122−4共にその影響は著しく低減されたものとなる。
この結果、ドライバIC100による光量補正の程度によらず、即ち、図8におけるPMOS118〜121のオン、オフの状態が如何なるものであったとしても、熱応力による合計されたドレイン電流の変化率は小さく、実質的な影響がほとんど無視できる程度に軽減され得るのである。
このように、本実施例4における構成とすることで、ドライバIC端部とドライバIC中心部との駆動電流の差が小さくなって、ドライバIC100内での駆動電流のばらつきが改善された特性となり、本構成のLEDを備えた画像形成装置1において印刷濃度むらのない良好な印刷品位を得ることができる。
(実施例4の効果)
本実施例4における図17中の駆動回路110及びこれを用いた図4中のLEDプリントヘッド13によれば、低温雰囲気中であっても各ドライバIC端部と各ドライバIC中心部との駆動電流の差が比較例のものより小さくなり、ドライバIC内での駆動電流のばらつきを改善することができる。従って、実施例1と略同様に、印刷濃度のむらを解消できて、印刷品位に優れた画像形成装置1を実現できる。
(その他の変形例)
本発明は、上記実施例1〜4に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の(a)〜(d)のようなものがある。
(a) LEDを光源として用いられる発光素子に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、他の被駆動素子(例えば、有機EL素子や発熱抵抗体等)への電圧印加制御を行う場合にも適用可能である。例えば、有機EL素子のアレイで構成される有機ELヘッドを供えたプリンタや、発熱抵抗体の列で構成されるサーマルプリンタにおいて利用することができる。更に、表示素子(例えば、列状あるいはマトリクス状に配列された表示素子等)の駆動にも適用可能である。
(b) 本発明は、又、2端子構造を備えたLED等の被駆動素子に限らず、3端子構造を備えた発光サイリスタの他、第1と第2の2つのゲート端子を備えた4端子サイリスタSCS(Silicon Semiconductor Controlled Switch)を駆動する場合にも適用可能である。
(c) 本発明の趣旨及び技術思想を考察して明らかなように、本発明は同一構成要素の連続的配置から成る被駆動素子列の駆動回路に限定されるものではなく、複数の駆動端子出力を備えたICチップ等に広く応用することが可能なことは勿論である。
本発明の実施例1における図8中の駆動トランジスタを示す構成図である。 本発明の実施例1における画像形成装置を示す概略の構成図である。 図2中のLEDプリントヘッドの構成を示す概略の断面図である。 図2のプリンタ制御回路の構成を示すブロック図である。 図4中のLEDプリントヘッド13を示す構成図である。 図5中のドライバIC100における構成を示す平面図である。 図5中のドライバIC100の詳細な構成を示すブロック図である。 図7中のLEDの駆動回路を示す回路図である。 図3中のLEDプリントヘッド基板ユニットを示す構成図である。 駆動トランジスタに応力が加わった場合の特性変化を説明するための図であ。 比較例のLEDプリントヘッドにおける測定結果を示す図である。 本発明の実施例1のLEDプリントヘッドにおける測定結果を示す図である。 図8中の駆動トランジスタの平面図を示す本発明の実施例2の構成図である。 本発明の実施例2のLEDプリントヘッドにおいて低温雰囲気中におけるドット毎の駆動電流の測定結果を模式的に示す図である。 本発明の実施例2における図12の駆動トランジスタの変形例を示す平面図である。 図8中の駆動トランジスタの平面図を示す本発明の実施例3の構成図である。 本発明の本実施例3のLEDプリントヘッドにおいて低温雰囲気中におけるドット毎の駆動電流の測定結果を模式的に示す図である。 図8中の駆動トランジスタの平面図を示す本発明の実施例4の構成図である。 本発明の本実施例4のLEDプリントヘッドにおいて低温雰囲気中におけるドット毎の駆動電流の測定結果を模式的に示す図である。
符号の説明
1 画像形成装置
13 LEDプリントヘッド
13b プリント基板
13e ロッドレンズアレイ
100 ドライバIC
110,110−1〜110−96 駆動回路
118〜122 PMOS
200,200−1〜200−96 LEDアレイ

Claims (7)

  1. チップの配列方向に沿って配置された被駆動素子に対して駆動電流を供給する主駆動トランジスタ及び前記駆動電流の調整を行う補助駆動トランジスタを有し、前記主駆動トランジスタ及び前記補助駆動トランジスタは、並列に接続されている駆動回路において、
    前記主駆動トランジスタは、並列に接続された複数の第1のMOSトランジスタからなり、
    前記補助駆動トランジスタは、第2のMOSトランジスタからなり、
    前記複数の第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタは、前記チップの配列方向に略等しい向きに延設された第1のゲート部をそれぞれ有し、
    前記複数の第1のMOSトランジスタにおける複数の前記第1のゲート部のうちの1つの第1のゲート部には、前記第1のゲート部と同じ半導体層に形成された一体化ゲート部を構成し、前記第1のゲート部と略直交する方向に延設された第2のゲート部を有し、
    前記複数の第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタにおける各チャネルは、前記チップの配列方向に対して略直交する方向となるように配置され、前記複数の第1のMOSトランジスタ及び前記第2のMOSトランジスタにおける前記各チャネルを流れる前記駆動電流は、加算されて前記略直交する方向に流れる構成になっていることを特徴とする駆動回路。
  2. 前記一体化ゲート部は、略L字状であることを特徴とする請求項1記載の駆動回路。
  3. 前記一体化ゲート部は、略U字状であることを特徴とする請求項1記載の駆動回路。
  4. 前記一体化ゲート部は、略櫛形状であることを特徴とする請求項1記載の駆動回路。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の駆動回路は、
    前記略直交する方向に対して傾斜した方向に配置されていることを特徴とする駆動回路。
  6. 基板と、
    前記基板上に形成された請求項1〜5のいずれか1項に記載の駆動回路と、
    複数の前記被駆動素子としての発光素子アレイと、
    前記発光素子アレイが発する光を集光するレンズアレイと、
    を備えたことを特徴とする光プリントヘッド。
  7. 請求項6記載の光プリントヘッドと、
    前記光プリントヘッドの発光方向に対向して設けられた感光体と、
    を有することを特徴とする画像形成装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4796635B2 (ja) * 2009-01-22 2011-10-19 株式会社沖データ 駆動回路、光プリントヘッド及び画像形成装置
JP4988893B2 (ja) * 2010-03-26 2012-08-01 株式会社沖データ 駆動回路、駆動装置及び画像形成装置
ES2474175T3 (es) 2010-06-11 2014-07-08 Ricoh Company, Limited Dispositivo de almacenamiento de información, dispositivo retirable, recipiente de revelador y aparato de formación de imágenes
JP5585409B2 (ja) * 2010-11-17 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 画像形成システム
EP2722793B1 (en) * 2012-10-19 2015-04-01 Xeikon IP BV Linear LED array for digital printing apparatus
CN103279018B (zh) * 2013-06-17 2015-11-18 天津光电通信技术有限公司 办公设备用多硒鼓多转印打印系统
JP6822269B2 (ja) * 2017-03-29 2021-01-27 コニカミノルタ株式会社 光書き込み装置及び画像形成装置
JP7410676B2 (ja) * 2019-09-10 2024-01-10 キヤノン株式会社 駆動装置および記録装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975599A (en) * 1989-07-26 1990-12-04 International Business Machines Corporation Method and resulting devices for compensating for process variables in a CMOS device driver circuit
JPH03206667A (ja) * 1990-01-09 1991-09-10 Seiko Instr Inc Mosトランジスタ
JPH088306B2 (ja) * 1990-03-07 1996-01-29 株式会社東芝 半導体装置
JPH03257961A (ja) * 1990-03-08 1991-11-18 Matsushita Electron Corp 半導体装置
US5012162A (en) * 1990-04-13 1991-04-30 Unisys Corporation Light emitting diode transmitter circuit with temperature compensation
US5355008A (en) * 1993-11-19 1994-10-11 Micrel, Inc. Diamond shaped gate mesh for cellular MOS transistor array
JP3434959B2 (ja) * 1996-02-29 2003-08-11 京セラ株式会社 ヘッド駆動用ic
JP3784177B2 (ja) * 1998-09-29 2006-06-07 株式会社沖データ ドライバic
US6274896B1 (en) * 2000-01-14 2001-08-14 Lexmark International, Inc. Drive transistor with fold gate
TW447129B (en) * 2000-06-30 2001-07-21 United Microelectronics Corp Array type SOI transistor layout
JP2003101017A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6713823B1 (en) * 2002-03-08 2004-03-30 Volterra Semiconductor Corporation Conductive routings in integrated circuits
JP2005153372A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Seiko Epson Corp ラインヘッドおよびそれを用いた画像形成装置
JP4984316B2 (ja) * 2005-08-18 2012-07-25 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、電気光学装置及び電子機器
JP4428345B2 (ja) * 2006-02-03 2010-03-10 セイコーエプソン株式会社 光ヘッドおよび画像形成装置
JP2007210266A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2007212912A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
JP2007253451A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Seiko Epson Corp ラインヘッドモジュール、及びこれを備えた電子機器
JP2007329295A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Hitachi Ltd 半導体及びその製造方法
JP4963898B2 (ja) 2006-08-11 2012-06-27 株式会社沖データ 駆動装置、ledヘッド、及び画像形成装置
JP2008078469A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Texas Instr Japan Ltd 電界効果トランジスタ
JP4796635B2 (ja) * 2009-01-22 2011-10-19 株式会社沖データ 駆動回路、光プリントヘッド及び画像形成装置

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