JP4843984B2 - ジアセトキシアリル化合物の異性化方法 - Google Patents
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Description
(2) 3,4−ジアセトキシアリル化合物含有液が、共役ジエン類のジアセトキシ化反応により製造されたものであることを特徴とする上記(1)に記載の方法。
(3) 固体塩基が陰イオン交換樹脂であることを特徴とする上記(1)又は(2)に記載の方法。
(4) 触媒が液相均一系パラジウム触媒であり、ホスファイトを配位子として有する触媒であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載の方法。
(5) ブタジエンのジアセトキシ化反応により得られた1,4−ジアセトキシ−2−ブテン及び3,4−ジアセトキシ−1−ブテンを含む液を、蒸留により塔底から1,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液を、塔上部から3,4−ジアセトキシ−1−ブテン含有液を得、3,4−ジアセトキシ−1−ブテン含有液を固体塩基と接触させた後、ホスファイトを配位子として有する液相均一系パラジウム触媒により3,4−ジアセトキシ−1−ブテンを1,4−ジアセトキシ−2−ブテンに異性化する方法。
(6) パラジウム固体触媒を用いたブタジエンのジアセトキシ化反応により製造した1,4−ジアセトキシ−2−ブテン及び3,4−ジアセトキシ−1−ブテンを含む液を、蒸留により塔底から1,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液を、塔上部から3,4−ジアセトキシ−1−ブテン含有液を得、3,4−ジアセトキシ−1−ブテン含有液を、固体塩基と接触させた後、酢酸溶媒中で2座ホスファイト配位子を有する液相均一系パラジウム触媒により3,4−ジアセトキシ−1−ブテンを1,4−ジアセトキシ−2−ブテンに異性化し、得られた1,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液を、蒸留により塔底から1,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液を、塔上部から未反応の3,4−ジアセトキシ−1−ブテン含有液を得、3,4−ジアセトキシ−1−ブテン含有液を1,4−ジアセトキシ−2−ブテンに異性化する工程にリサイクルする1,4−ジアセトキシ−2−ブテンの製造方法。
本発明は回分、半回分、連続方式のいずれの形式にも使用することができる。以下、その詳細について説明する。
「3,4−ジアセトキシアリル化合物を触媒により1,4−ジアセトキシアリル化合物に異性化する方法」とは、例えば「3,4−ジアセトキシアリル化合物を触媒と接触させて1,4−ジアセトキシアリル化合物に異性化して、1,4−ジアセトキシアリル化合物を得る方法」や、「3,4−ジアセトキシアリル化合物と1,4−ジアセトキシアリル化合物の混合物を触媒と接触させて混合物中の3,4−ジアセトキシアリル化合物を1,4−ジアセトキシアリル化合物に異性化し、1,4−ジアセトキシアリル化合物純度を上げる方法」が挙げられる。
ジアセトキシアリル化合物を製造する共役ジエン類のジアセトキシ化反応は様々な方法で実施できる。最も一般的には、パラジウム系触媒の存在下、ブタジエン、酢酸及び酸素を反応させてジアセトキシアリル化合物である1,4−ジアセトキシ−2−ブテン及び3,4−ジアセトキシ−1−ブテンを得ることができる。またそれらジアセトキシアリル化合物の加水分解物である1−ヒドロキシ−4−アセトキシ−2−ブテン、3−ヒドロキシ−4−アセトキシ−1−ブテン、4−ヒドロキシ−3−アセトキシ−1−ブテンなども併せて生成する。本発明で使用可能な共役ジエン類として例えば、ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、1,3−シクロヘキサジエン、1,3−シクロペンタジエン、1,3−シクロヘプタジエン、1,3−シクロオクタジエン、1,3−ペンタジエン、1,3−ヘキサジエン、2,4−ヘキサジエンなどが挙げられ、好ましくはブタジエン、イソプレン、1,3−シクロヘキサジエン、1,3−ジクロペンタジエンであり、特に好ましくはブタジエン、イソプレンである。ブタジエン、イソプレンのような置換基の少ない共役ジエン類が、最も高い反応活性を示すことが好ましい理由である。共役ジエン類のジアセトキシ化反応に用いる触媒としては、共役ジエン類をジアセトキシアリル化合物に変換する能力を有する触媒であれば何でも使用できるが、好ましくは第8〜10族遷移金属を含有する固体触媒であり、特に好ましくはパラジウム固体触媒である。パラジウム固体触媒は、パラジウム金属またはその塩からなり、助触媒としてビスマス、セレン、アンチモン、テルル、銅などの金属またはその塩の使用が好ましく、特に好ましくはテルルである。パラジウムとテルルの組み合わせが好ましい理由は、触媒活性の高さ、及びジアセトキシアリル化合物選択率の高さである。そのため、パラジウム及びテルルを活性成分として担持する固体触媒であることが好ましい。該パラジウム固体触媒は、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、活性炭、グラファイトなどの担体に担持させて使用することが好ましく、特に好ましくは強度的に優れているためにシリカである。担体の物性として多孔質が好ましく、特にその平均細孔直径が1nm〜100nmである多孔質が好ましい。担体付触媒の場合、パラジウム金属は通常0.1〜20重量%、他の助触媒金属は0.01〜30重量%の範囲で選定される。この値が小さすぎると、触媒活性の低下によるコスト競争力が低下し、またこの値が大きすぎると、触媒コストの甚大化による競争力が低下してしまう。
蒸留塔としては充填塔、棚段塔のいずれもが使用できるが、多段蒸留が好ましい。3,4−ジアセトキシアリル化合物含有液と1,4−ジアセトキシアリル化合物含有液を分離するには、蒸留塔理論段を3段以上、特に10段〜50段とするのが好ましい。50段を越える蒸留塔は、蒸留塔建設の経済性、運転難易度、及び安全管理のためには好ましくない。また段数が小さすぎると分離が困難となる。
該異性化反応を行う際の反応温度は40℃〜200℃が好ましく、より好ましくは80℃〜180℃であり、特に好ましくは100℃〜160℃である。反応温度が低すぎると反応速度が低下し長大な反応器が必要となり、高すぎると触媒劣化が進行してしまう。
また配位子以外にも助触媒として別のリン化合物またはアミン化合物を添加することで触媒の安定性、または反応の速度が向上する。更にリン化合物、及びアミン化合物の両方を添加しても差し支えない。ここで使用するリン化合物はリン原子に3つの置換基が結合したものであれば特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ(2−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(4−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(2−メトキシフェニル)ホスフィン、トリ(4−メトキシフェニル)ホスフィンなどのトリアリールホスフィン類、ジフェニルメチルホスフィン、ジフェニルエチルホスフィン、ジフェニルプロピルホスフィンなどのジアリールアルキルホスフィン類、ジメチルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィンなどのジアルキルアリールホスフィン類、トリオクチルホスフィン、トリブチルホスフィンなどのトリアルキルホスフィン類が好ましく、更に好ましくはトリフェニルホスフィン、トリ(2−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(4−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(2−メトキシフェニル)ホスフィン、トリ(4−メトキシフェニル)ホスフィンなどのトリアリールホスフィン類であり、特に好ましくはトリフェニルホスフィンである。
また固体塩基は3,4−ジアセトキシアリル化合物含有液に対して重量比で0.00000001〜1の範囲で使用することが可能であり、より好ましくは0.0000001〜0.01であり、特に好ましくは0.00001〜0.001である。この重量比で3,4−ジアセトキシアリル化合物含有液と固体塩基とを接触することができる。
異性化後の反応液は溶媒を蒸留などで除去した後、更に3,4−ジアセトキシアリル化合物含有液と1,4−ジアセトキシアリル化合物含有液とに分離する。得られた3,4−ジアセトキシアリル化合物含有液はそのまま、あるいは更に蒸留などで精製した後、異性化反応器へとリサイクル使用することが望ましい。また分離して得られた1,4−ジアセトキシアリル化合物含有液は、そのまま、あるいは更なる蒸留などによる精製を経た後。遷移金属触媒存在下、水素化され置換基を有しても良い1,4−ジアセトキシブタン化合物へと変換される。ここで使用する遷移金属触媒は通常の市販の水素化触媒で差し支えないが、好ましくはパラジウムまたはルテニウムなどの貴金属を含有する触媒、あるいはニッケル触媒である。これら水素化触媒の存在下、40〜180℃の温度範囲で、水素と1,4−ジアセトキシアリル化合物含有液とを接触させ、常圧〜15MPaの圧力範囲条件で実施することができる。反応温度が高すぎると触媒劣化が迅速に進行してしまい、温度が低すぎると反応速度が低下してしまう。圧力が低すぎると反応速度が低下してしまい、圧力が高すぎると高価な反応器が必要となってしまう。
参考例1:ブタジエンのアセトキシ化反応工程及び分離工程
Pd−Te触媒1kgの存在下に、ブタジエン0.21kg/hr、酢酸2.94kg/hr、6%酸素/94%窒素混合ガス0.34kg/hrを流通させ、80℃、6MPaの条件でアセトキシ化反応させて、1,4−ジアセトキシ−2−ブテンが80重量%、3,4−ジアセトキシ−2−ブテンが9重量%、3−ヒドロキシ−4−アセトキシ−2−ブテンが2重量%、酢酸4重量%、その他3,4−ジアセトキシ−2−ブテンよりも軽沸分3重量%、3,4−ジアセトキシ−2−ブテンよりも高沸分2重量%を含む混合液を得た。この混合液5.0kgを回分蒸留により3,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液と、1,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液とに分離した。尚、蒸留は30段のオルダーショウ蒸留塔を使用した。また塔頂圧力は20mmHg、還流比は3、塔頂温度は98〜104℃、塔底温度は140〜160℃の温度範囲において500gの留出液が得られた。塔頂から3,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液を留出液として得た。本留出液中の3,4−ジアセトキシ−2−ブテン組成は78重量%であった。また本留出液の1,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有量は1重量%以下であった。
窒素ガス雰囲気下、参考例1で合成した3,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液5.0ccに陰イオン交換樹脂(三菱化学社製:ダイヤイオンWA21J)1.0gをガラス製の50ccシュレンク内で添加し、室温で2時間攪拌を行なった。攪拌終了後、シリンジにより3,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液を抜き出し、別のシュレンク内に保存した。本液(3,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液)を原料液として3,4−ジアセトキシ−2−ブテンの異性化反応を以下に実施した。
窒素ガス雰囲気下、ガラス製シュレンク内で酢酸パラジウム5.1mg、ホスファイト配位子(L25)56mg、トリフェニルホスフィン25mgをトルエン8.8cc中に添加した。この混合液を120℃で5分間加熱し、完全に溶解させた。本液を触媒液として3,4−ジアセトキシ−2−ブテンの異性化反応を以下に実施した。
窒素雰囲気下、参考例2で調製した原料液1.5ccと酢酸1.5cc、トリフェニルホスフィン1.5mgをシュレンク内で混合し、オイルバスで120℃に昇温した。そこに参考例3で調製した触媒液を24μL添加し、120℃で加熱攪拌を2時間行なった(反応液中のパラジウム濃度1.8wtppm)。反応後の液をガスクロマトグラフィーにより分析した結果、1,4−ジアセトキシ−2−ブテン(シス体、トランス体合計)と3,4−ジアセトキシ−2−ブテンの重量比率は54:47(1,4−体:3,4−体)であった。尚、ドデカンを内部標準として使用した。
窒素雰囲気、参考例1で得られた3,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液1.5ccを参考例2の操作をすることなく、酢酸1.5cc、トリフェニルホスフィン1.5mgをシュレンク内で混合し、オイルバスで120℃に昇温した。そこに参考例3で調製した触媒液を120μL添加し、120℃で加熱攪拌を2時間行なった(反応液中のパラジウム濃度9.0wtppm)。反応後の液をガスクロマトグラフィーにより分析した結果、1,4−ジアセトキシ−2−ブテン(シス体、トランス体合計)と3,4−ジアセトキシ−2−ブテンの重量比率は6:94(1,4−体:3,4−体)であった。尚、ドデカンを内部標準として使用した。
「参考例2で調製した原料液」に代えて「参考例1で得られた3,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液(参考例2の操作はしていない)」を使用した以外は実施例1と同様にした。反応後の液をガスクロマトグラフィーにより分析した結果、1,4−ジアセトキシ−2−ブテン(シス体、トランス体合計)と3,4−ジアセトキシ−2−ブテンの重量比率は4:96(1,4−体:3,4−体)であった。尚、ドデカンを内部標準として使用した。
Claims (1)
- パラジウムを活性成分として担持するパラジウム固体触媒を用いて、溶媒としてカルボン酸を使用して、酸素雰囲気下でブタジエンのジアセトキシ化反応により得られた1,4−ジアセトキシ−2−ブテン及び3,4−ジアセトキシ−1−ブテンを含む液を蒸留塔に導入し、蒸留により塔底から1,4−ジアセトキシ−2−ブテン含有液を抜き出し、塔上部から3,4−ジアセトキシ−1−ブテン含有液を留出させ、得られた該3,4−ジアセ
トキシ−1−ブテン含有液を陰イオン交換樹脂と接触させた後、式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)及び(VI)で示される化合物の中の少なくとも一種の2座ホスファイトを配位子として有する液相均一系パラジウム錯体触媒により3,4−ジアセトキシ−1−ブテンを1,4−ジアセトキシ−2−ブテンに異性化して、1,4−ジアセトキシ−2−ブテンを得る方法。
(式(I)〜(VI)において、R10〜R21は、それぞれ独立してアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、アリーロキシ基、アルキルアリーロキシ基、アミノ基、又はアリール基を表す。Z1〜Z4及びA1〜A3はそれぞれ独立して炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜30のアリーレン基、又はAr1−(Q1)n−Ar2なる真中に二価の連結基を有していても良いジアリーレン基(但しAr1及びAr2はそれぞれ独立して、炭素数6〜18のアリーレン基を表す)を表す。Tは炭素原子、アルカンテトライル基、ベンゼンテトライル基、又はT1−(Q2)n−T2で表される四価の基であり、T1及びT2はそれぞれ独立して、炭素数1〜10のアルカントリイル基、及び炭素数6〜15のベンゼントリイル基から選ばれる三価の基を表す。Q1及びQ2はそれぞれ独立して、−CR22R23−、−O−、−S−、−CO−を表し、nは0又は1であり、R22及びR23は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基である。)
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