JP4842986B2

JP4842986B2 - セラミックス成形体の乾燥方法

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Publication number: JP4842986B2
Application number: JP2008072073A
Authority: JP
Inventors: 周一高木; 正樹吉田; 康弘堀場
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2008-03-19
Filing date: 2008-03-19
Publication date: 2011-12-21
Anticipated expiration: 2028-03-19
Also published as: CN101538147A; US20090235552A1; JP2009226633A

Description

本発明は、含水率の高いセラミックス成形体を乾燥する方法に関する。

セラミックス製のハニカム構造体は、触媒担体や各種フィルタ等に広く用いられている。近時では、ディーゼルエンジンから排出される粒子状物質（パティキュレートマター（ＰＭ））を捕捉するためのディーゼルパティキュレートフィルタ（ＤＰＦ）として、特に注目を集めている。

このようなハニカム構造体は、一般に、セラミックス材料に、水、バインダ等の各種添加剤を加えて得られた原料を混練し、坏土とした後、押出成形して、ハニカム形状の成形体（ハニカム成形体）を作製し、このハニカム成形体を乾燥した後に、焼成して、得ることが出来る。

従来、ハニカム成形体を乾燥する手段としては、単に室温条件下に放置する自然乾燥法、ガスバーナで発生させた熱風を導入して乾燥を行う熱風乾燥法、ハニカム成形体の上方と下方とに設けた電極間に電流を流すことによって発生させた高周波エネルギーを利用して乾燥を行う誘電乾燥法、マイクロ波を利用したマイクロ波乾燥法等が知られている（例えば、特許文献１を参照）。

特開２００２−２８３３２９号公報

しかしながら、自然乾燥法では、十分な乾燥状態とするのに多くの時間が必要とされる。そのため、特に、ハニカム成形体が大型である場合には、乾燥させるのに相当な長期間を要するという問題があった。

一方、熱風乾燥法では、自然乾燥方法に比して短時間で乾燥が完了するという利点がある。しかしながら、クラックが発生し易く、品質や歩留まりの低下を招くという問題があった。

誘電乾燥法では、乾燥が進みハニカム成形体の水分が減少すると、インピーダンスが上昇し、電圧も上昇し、電極間や高周波回路内で放電、絶縁破壊を起こし、設備故障が発生するおそれがある。そのため、電圧（出力）に制限があり、特に、水分が減少した乾燥の中期から後期にかけては、乾燥効率が低下するという問題があった。

マイクロ波乾燥法では、ハニカム成形体の含有水分が多く成形体サイズが大きくなると、中心部までマイクロ波が浸透し難くなる。そのため、中心部の乾燥が遅れ、ハニカム成形体全体を均一な速度で乾燥することが困難であるという問題があった。

本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、乾燥対象であるセラミックス成形体が大型で水分が多いものであっても、クラックや変形を生じさせることなく、短時間で、ムラなく均一に、乾燥させて、高品質な乾燥したセラミックス成形体を、効率よく、歩留まり良好に得ることが可能な、セラミックス成形体の乾燥手段を提供することにある。研究が重ねられた結果、以下の手段によって、上記課題を達成することが可能であることが見出され、本発明の完成に至った。

即ち、本発明によれば、セラミックス材料を主原料として形成された未焼成のセラミックス成形体に、誘電乾燥を行った後に、マイクロ波乾燥を行う工程を有するセラミックス成形体の乾燥方法が提供される。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法においては、マイクロ波乾燥を行った後に、更に熱風乾燥を行うことが好ましい。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法においては、セラミックス成形体の含水率が、３０質量％超以下、１０質量％以上の範囲において、上記誘電乾燥を行うことが好ましい。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法においては、セラミックス成形体の含水率が、３０質量％以下、５質量％以上の範囲において、上記マイクロ波乾燥を行うことが好ましい。

３０質量％超以下とは、例えば４０質量％以下、５０質量％以下等である。即ち、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法においては、例えば、セラミックス成形体の含水率が、（３０質量％超の）４０質量％から（１０質量％以上である）１５質量％の範囲において誘電乾燥を行い、（３０質量％以下である）１５質量％から（５質量％以上である）５質量％の範囲においてマイクロ波乾燥を行い、５質量％から０質量％に至るまで熱風乾燥を行うことが出来る。又、例えば、セラミックス成形体の含水率が、（３０質量％超の）５０質量％から（１０質量％以上である）２０質量％の範囲において誘電乾燥を行い、（３０質量％以下である）２０質量％から（５質量％以上である）１０質量％の範囲においてマイクロ波乾燥を行い、１０質量％から０質量％に至るまで熱風乾燥を行うことが出来る。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、セラミックス成形体が、隔壁によって区画された、流体の流路となる複数のセルを有する、ハニカム形状の構造体である場合に、好適に用いられる。この場合において、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、セラミックス成形体が、円柱状を呈し、その軸方向に垂直な断面に現れる円の直径が、φ１５０ｍｍ以上、φ６００ｍｍ以下である場合に、好適に用いられる。

但し、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、セラミックス成形体が円柱状を呈するものである場合にのみ用いられる手段ではない。セラミックス成形体は、例えば角柱状、板状、環状、不定形状等の任意の形状であってもよい。又、セラミックス成形体がハニカム形状の構造体である場合に、セルの軸方向（流路方向）と直行する断面形状、セル密度、隔壁の厚さ等は、特に限定されるものではない。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法において、誘電乾燥、マイクロ波乾燥、必要な熱風乾燥をさせるのに要する時間は、セラミックス成形体の寸法、形状、表面積、含水率等によって異なる。通常、数十秒〜数十分程度である。一般に、それぞれの乾燥に長時間かければ、発生するクラックの数は少なくなるが、生産性に劣るため有効であるとはいえない。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、未焼成のセラミックス成形体に対し、乾燥を行う工程を有するものである。よって、この本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、乾燥していないセラミックス成形体から乾燥したセラミックス成形体を製造する手段である、と捉えることが出来る。

即ち、本発明によれば、セラミックス材料を主原料として形成された未焼成のセラミックス成形体に、誘電乾燥を行った後に、マイクロ波乾燥を行って、乾燥セラミックス成形体を得る工程を有する乾燥セラミックス成形体の製造方法が提供される。

本発明に係る乾燥セラミックス成形体の製造方法においては、セラミックス成形体の含水率が、３０質量％超以下、１０質量％以上の範囲において、上記誘電乾燥を行うことが好ましい。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、セラミックス成形体の含水率が高い状態において、先に、電磁波を深く浸透させ易く、均一な乾燥に適する、誘電乾燥を行う。一方、乾燥させ始めのセラミックス成形体の含水率が高い状態においては、電磁波を深く浸透させ難く、表面近傍と内部とで含水率の差が生じ易い、マイクロ波乾燥を行うことはない。よって、セラミックス成形体が大型で含水率の高いものであっても、クラックや変形を生じさせることなく、且つ、ムラなく、乾燥させることが出来る。即ち、高品質な大型の乾燥セラミックス成形体を、高い歩留まりで、得ることが可能である。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、先に誘電乾燥を行って、セラミックス成形体の含水率が下がった後に、水分が少なくても電磁波の出力低下が起こらず、水分が存在すれば、それを吸収し得る、マイクロ波乾燥を行う。一方、乾燥が進んでセラミックス成形体の含水率が低い状態においては、インピーダンスの上昇に伴って電圧（出力）に制限が生じる、誘電乾燥は行わない。よって、短時間で、効率よく、完全にセラミックス成形体を乾燥させることが出来る。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、その好ましい態様において、マイクロ波乾燥を行った後に、更に熱風乾燥を行うので、誘電乾燥又はマイクロ波乾燥によって完全に（含水率が０質量％になるまで）乾燥させる場合に比して、乾燥にかかるコストを下げることが出来る。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、その好ましい態様において、セラミックス成形体の含水率が、３０質量％超以下、１０質量％以上の範囲において、誘電乾燥を行い、その好ましい態様において、セラミックス成形体の含水率が、３０質量％以下、５質量％以上の範囲において、マイクロ波乾燥を行うので、上記効果を確実に享受することが出来る。

即ち、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法では、品質上の影響が大きい収縮完了まで（含水率が５質量％程度に低下するまで）は、均一な乾燥（定率乾燥）を目的として内部加熱（誘電乾燥及びマイクロ波乾燥）を行い、品質上の影響が小さい収縮完了の後（含水率が５質量％程度に低下した後、完全に乾燥するまで）は、減率乾燥を目的として、低コストである外部加熱（熱風乾燥）を行う。加えて、内部加熱を行うに際しても、既述の通り、含水率が高い状態に適した誘電乾燥を先に行い、含水率が低い状態に適したマイクロ波乾燥を後で行う。よって、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、品質と効率のバランスがとれた乾燥手段であるということが出来る。

又、完全に乾燥させた後に、マイクロ波乾燥を継続すると燃焼のおそれがあるが、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法の好ましい態様によれば、５質量％以上の範囲においてマイクロ波乾燥を行うので、このような問題は回避することが出来る。

以下、本発明について、適宜、図面を参酌しながら、実施形態を説明するが、本発明はこれらに限定されて解釈されるべきものではない。本発明の要旨を損なわない範囲で、当業者の知識に基づいて、種々の変更、修正、改良、置換を加え得るものである。例えば、図面は、好適な本発明の実施形態を表すものであるが、本発明は図面に表される態様や図面に示される情報により制限されない。本発明を実施し又は検証する上では、本明細書中に記述されたものと同様の手段若しくは均等な手段が適用され得るが、好適な手段は、以下に記述される手段である。

先ず、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法が乾燥する対象である、セラミックス成形体について説明する。図１及び２に示されるハニカム成形体１は、隔壁２によって区画された流体の流路となる複数のセル３を有するハニカム形状の構造体であり、セラミックス成形体の一例である。このハニカム成形体１には、複数のセル３を囲繞するように、外周に、コート層４が配設され、外形形状は円柱状である。ハニカム成形体１では、セル３の軸方向（流路方向）と直行する断面形状は、四角形である。

ハニカム成形体１は、例えば、セラミックスに対して、水、バインダ等の各種添加剤加えて得られたセラミックス原料によって形成されたものである。

セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、ジルコニア、コージェライト等の酸化物系セラミックス、あるいは、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ等の非酸化物系セラミックス等を挙げることが出来る。又、炭化珪素／金属珪素複合材や炭化珪素／グラファイト複合材等を用いることも出来る。

バインダとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、澱粉、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸ソーダ、ポリアクリルアミド、ポリビニルブチラール、エチルセルロース、酢酸セルロース、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル系樹脂、ポリアミド樹脂、グリセリン、ポリエチレングリコール、ジブチルフタレート等を挙げることが出来る。

又、ハニカム成形体１は、含水率が３０質量％超以下、１０質量％以上の未焼成のもの（未焼成体という）である。未焼成体とは、使用したセラミックスの粒子が、成形時の粒子形状を維持したままでの状態で存在しており、且つ、セラミックスが焼結していない状態のものをいう。

ハニカム成形体１の外周に配設されるコート層４は、骨材としてのセラミックス粉末と水を少なくとも含有するコート材を層状に塗布することによって形成されたものである。コート材に含有されるセラミックス粉末を構成するセラミックスの具体例としては、上記したセラミックスと同様のものを挙げることが出来る。

コート材には、セラミックス粉末と水以外に、例えば、シリカゾルやアルミナゾル等のコロイド状酸化物（無機バインダ）を強化材として含有させてもよい。又、メチルセルロースやポリビニルアルコール等の有機バインダを強化材として含有させてもよい。更に、骨材として、非晶質のムライトやシリカ−アルミナ等から構成されるセラミックスファイバをコート材に含有させてもよい。これらの手段を採ることで、乾燥にあたり、コート層におけるクラック発生をより効果的に抑制することが可能である。

次に、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法について、上記したハニカム成形体１を乾燥させる場合を例にとって説明する。本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法においては、誘電乾燥を行った後に、マイクロ波乾燥を行い、更に好ましくは熱風乾燥を行う。例えば、ハニカム成形体１を、誘電乾燥装置、マイクロ波乾燥装置、熱風乾燥装置へ、順次、連続的に、搬入、搬出する連続装置としてもよいし、バッチ型の装置としてもよい。

誘電乾燥装置（誘電乾燥法）では、図３に示されるように、ハニカム成形体１の上方と下方に相対する電極３１，３２間に、２ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以下程度の高周波電流を通電させ、ハニカム成形体１内部の誘電損失によって、内部から加熱して乾燥させる。即ち、誘電乾燥装置においては、ハニカム成形体１は、自らの内部の電界分布に比例して、加熱されて乾燥する。

この誘電乾燥装置（誘電乾燥法）による乾燥では、図４に示されるように、円柱状のハニカム成形体１の中心側と外周側とで、含水率に差が生じない。図４の例では、最大の含水率比（＝乾燥後含水率／乾燥前含水率）の差は、０．２（２０％）以内に留まる。そのため、収縮による内部応力差が殆ど生じず、含水率が３０質量％超の未焼成のハニカム成形体１を乾燥させても、それに伴ってクラックは発生し難い。

これに対し、マイクロ波乾燥装置（マイクロ波乾燥法）では、図５に示されるように、円柱状のハニカム成形体１の中心側と外周側とで、含水率に大きな差が生じる。図５の例では、最大の含水率比（＝乾燥後含水率／乾燥前含水率）の差は、０．６（６０％）にも上る。従って、含水率が３０質量％超の未焼成のハニカム成形体１を、いきなりマイクロ波乾燥装置で処理すると、収縮による内部応力差が大きくなり、乾燥に伴ってクラックが発生し易い。そのため、ハニカム成形体１を乾燥させるにあたっては、誘電乾燥装置で含水率を下げた後に、マイクロ波乾燥装置で乾燥させることが肝要である。

マイクロ波乾燥装置（マイクロ波乾燥法）では、波長が１ｃｍ以上、１ｍ以下程度（周波数が３００ＭＨｚ以上、３０ＧＨｚ以下程度）のマイクロ波をハニカム成形体１に照射し、マイクロ波の電磁エネルギーによってハニカム成形体１を加熱し乾燥する。

既述のように、マイクロ波乾燥装置（マイクロ波乾燥法）では、ハニカム成形体１の中心側と外周側とで含水率に大きな差が生じるが、これは、マイクロ波の周波数が高い（大きい）ことによる。マイクロ波（電磁波）の浸透深さＬ_１／２は、次の（１）式で示される。この（１）式において、ｆは周波数であり、εｒは誘電率であり、ｔａｎδは誘電損失である。浸透深さＬ_１／２は、周波数ｆに反比例するので、周波数が高くなると、マイクロ波が、ハニカム成形体１の内部（中心側）にまで届かず乾燥せず、他方、マイクロ波が届く外周側では乾燥して、含水率に大きな差が生じるのである。

又、図６に示されるように、セラミックスを主原料とするハニカム成形体１のマイクロ波誘電特性は、√εｒ（＝（εｒ）^１／２）とｔａｎδとの積と、含水率とが、比例関係にある。一方、上記（１）式に示されるように、マイクロ波の浸透深さＬ_１／２は、√εｒとｔａｎδの積に反比例する。従って、含水率が大きくなると、マイクロ波がハニカム成形体１の内部（中心側）にまで届かず中心側では乾燥せず、マイクロ波が届く外周側では乾燥して、ハニカム成形体１の中心側と外周側とにおいて、含水率に大きな差が生じる。

ハニカム成形体１の中心側と外周側とで含水率に大きな差が生じると、既述のように、収縮による内部応力差が大きくなり、乾燥に伴ってクラックが発生し易い。そのため、ハニカム成形体１を乾燥させるにあたっては、含水率が３０質量％超（図６において破線で丸囲いした部分）では、マイクロ波乾燥装置で乾燥させないことが好ましい。換言すれば、ハニカム成形体１の含水率が、３０質量％以下において、マイクロ波乾燥を行うことが好ましい。

一方、図７に示されるように、ハニカム成形体１の含水率が低下すると、誘電乾燥装置（誘電乾燥法）では、インピーダンスが急に上昇する。誘電乾燥装置において、高周波電流Ｉ、電極３１，３２間の電圧Ｖ、インピーダンスＲ（図３を参照）としたとき、出力Ｐは、次の（２）式で求められる。（２）式において、インピーダンスＲは出力Ｐに反比例するところ、電圧Ｖには装置上の制約があるからこれを一定とすれば、インピーダンスＲが大きくなれば、出力Ｐは低下し、効率が悪くなる。そのため、ハニカム成形体１を乾燥させるにあたっては、含水率が１０質量％未満では、誘電乾燥装置で乾燥させないことが好ましい。換言すれば、ハニカム成形体１の含水率が、１０質量％以上において、誘電乾燥を行うことが好ましい。
Ｐ＝Ｉ・Ｖ＝Ｖ^２／Ｒ・・・（２）

熱風乾燥装置（熱風乾燥法）では、熱風の温度を１００℃以上、１３０℃以下とすることが好ましい。１００℃未満であると、ハニカム成形体１の乾燥における最後の仕上げで時間がかかってしまう。１３０℃超であると、ハニカム成形体１に含まれる水以外の有機バインダ等が蒸発し、ハニカム成形体１が変形したり、有機バインダ等が燃焼するおそれが高まる。

ハニカム成形体１の寸法は、特に限定されるものではない。但し、本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法の効果は、大型のハニカム成形体１を乾燥する場合に、特に顕著に奏される。具体的には、円柱状を呈するハニカム成形体１の軸方向に垂直な断面に現れる円の直径が、φ１５０ｍｍ以上、φ６００ｍｍ以下である場合に効果的である。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（実施例１）［ハニカム成形体］セラミック原料としてアルミナ、カオリン及びタルクを混合したコージェライト原料を用い、有機バインダを含む結合材、造孔材、分散媒として水（３３質量％）を混合し、混練して坏土を得た。得られた坏土を押出成形し、直径４３０ｍｍ、長さ（軸長）６００ｍｍであり、外形が円柱状であり、セルの中心軸に直交する断面形状が正方形である、ハニカム成形体を得た。得られたハニカム成形体のセル密度は３００セル／ｉｎ^２（ｉｎはインチでありＳＩ単位系で２．５４ｃｍ）であり、隔壁の厚さは３１０μｍであり、質量は５８ｋｇであった。

［乾燥方法］得られたハニカム成形体に対して、図８に示される誘電乾燥装置を使用して、周波数１３ＭＨｚ、出力１０ｋＷ、加熱時間３０分間として、バッチで誘電乾燥を行った。図８に示される誘電乾燥装置は、誘電乾燥炉８１、高周波発振器８２、高周波回路調整器８３、電極盤８４、ＵＶセンサ８５、熱風発生装置８６、排気ファン８７、及びアルミパンチングプレート８８（孔開板）で構成されるものである。

その後、図９に示されるマイクロ波乾燥装置を使用して、周波数２．４５ＧＨｚ、出力２４ｋＷ、加熱時間３０分間として、バッチでマイクロ波乾燥を行った。図９に示されるマイクロ波乾燥装置は、マイクロ波乾燥炉９１、マイクロ波発振器９２、ターンテーブル９３、乾燥パレット９４、ＵＶセンサ９５、熱風発生装置９６、及び排気ファン９７で構成されるものである。ターンテーブル９３の回転速度は２．７ｒｐｍとした。

［含水率］誘電乾燥の後のハニカム成形体の含水率を、初期含水率３３質量％-（誘電乾燥前質量−誘電乾燥後の質量）÷誘電乾燥前質量×１００、によって求めたところ、２６％であった。又、マイクロ波乾燥の後のハニカム成形体の含水率を、初期含水率３３質量％-（誘電乾燥前質量−マイクロ波乾燥後の質量）÷誘電乾燥前質量×１００、によって求めたところ、４％であった。

［評価］乾燥を終えたハニカム成形体におけるクラックの有無を、目視で確認した。又、乾燥中の放電の有無を、ＵＶセンサ８５，９５（浜松ホトニクス社製のＲ２８６８）で検知した。更に、乾燥中の有機バインダの燃焼による自己着火（現象）の有無を、目視及びファイバー温度計（安立計器社製のＦＸ８０００）でハニカム成形体の内部温度を測定して内部温度が有機バインダーの着火温度１５０℃以上になるか否かで判断した。

クラックの有無、放電の有無、自己着火の有無からなる評価の結果を、ハニカム成形体の仕様（直径、長さ、質量）、乾燥方法（工程、出力、加熱時間）、乾燥後の含水率とともに、表１に示す。

（実施例２、３、比較例１〜４）ハニカム成形体の仕様及び乾燥方法のうち何れか又は両方を変更し、実施例１に準じて、ハニカム成形体を作製し、乾燥を行うとともに、含水率を測定し、併せて評価を行った。評価の結果を、ハニカム成形体の仕様、乾燥方法、乾燥後の含水率とともに、表１に示す。

（考察）表１に示される結果より、乾燥の初期に誘電乾燥を用いることによって、クラックの発生をなくせることがわかる。誘電乾燥のみでは、放電を抑えるために、乾燥出力を下げる必要があり、そうすると加熱時間が長くなるが、誘電乾燥の後にマイクロ波乾燥を行うことによって、加熱時間を短縮することが可能である。又、誘電乾燥のみでは、有機バインダの燃焼による着火現象が発生するが、誘電乾燥の後にマイクロ波乾燥を行うことによって、自己着火現象をなくせることがわかる。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法は、触媒担体や、ＤＰＦをはじめとする各種フィルター等に広く用いられる高品質なハニカム構造体を製造する工程における乾燥手段として、好適に利用することが出来る。

本発明に係るセラミックス成形体の乾燥方法の乾燥対象であるセラミックス成形体（ハニカム成形体）の一例を示す正面図である。図１のＡ−Ａ断面図である。セラミックス成形体（ハニカム成形体）を収めた誘電乾燥装置の内部を表す模式図である。ハニカム成形体の水分分布を示す図であり、乾燥前の含水率が４０質量％で、直径がφ２８０ｍｍ×軸長２５０ｍｍの円柱状のハニカム成形体に対し、周波数が４０ＭＨｚ、出力密度が２４ｋＷ／８．５ｋｇの条件で、含水率１１質量％になるまで誘電乾燥を行った後の、ハニカム成形体の中心、外周、（それらの）中間における乾燥後含水率／乾燥前含水率の変化を表すグラフである。ハニカム成形体の水分分布を示す図であり、乾燥前の含水率が４０質量％で、直径がφ２８０ｍｍ×軸長３５０ｍｍの円柱状のハニカム成形体に対し、周波数が２．４５ＧＨｚ、出力密度が２０ｋＷ／１１．６ｋｇの条件で、含水率１０．７質量％になるまでマイクロ波乾燥を行った後の、ハニカム成形体の中心、外周、（それらの）中間における乾燥後含水率／乾燥前含水率の変化を表すグラフである。セラミックスを主原料とするハニカム成形体のマイクロ波誘電特性の性質を表す図であり、周波数２．４５ＧＨｚにおける誘電率εｒの平方根と誘電損失ｔａｎδとの積（√εｒ×ｔａｎδ）と、ハニカム成形体の含水率と、の関係を示すグラフである。直径がφ１０３ｍｍ×軸長１９５ｍｍの円柱状のハニカム成形体に対し、周波数が１３ＭＨｚ、出力が１．６ｋＷの条件で誘電乾燥を行ったときの、ハニカム成形体の含水率とインピーダンスとの関係を示すグラフである。実施例で使用された誘電乾燥装置を示す構成図である。実施例で使用されたマイクロ波乾燥装置を示す構成図である。

符号の説明

１ハニカム成形体
２隔壁
３セル
４コート層
３１，３２電極

Claims

セラミックス材料を主原料として形成された未焼成のセラミックス成形体に、周波数２ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以下の高周波電流を使用した誘電乾燥を行った後に、周波数３００ＭＨｚ以上、３０ＧＨｚ以下のマイクロ波を照射するマイクロ波乾燥を行う工程を有し、前記セラミックス成形体が、円柱状を呈し、その軸方向に垂直な断面に現れる円の直径が、φ１５０ｍｍ以上、φ６００ｍｍ以下であり、隔壁によって区画された、流体の流路となる複数のセルを有する、ハニカム形状の構造体である、セラミックス成形体の乾燥方法。
前記マイクロ波乾燥を行った後に、更に熱風乾燥を行う請求項１に記載のセラミックス成形体の乾燥方法。
セラミックス材料を主原料として形成された未焼成のセラミックス成形体に、周波数２ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以下の高周波電流を使用した誘電乾燥を行った後に、周波数３００ＭＨｚ以上、３０ＧＨｚ以下のマイクロ波を照射するマイクロ波乾燥を行って、乾燥セラミックス成形体を得る工程を有し、前記セラミックス成形体が、円柱状を呈し、その軸方向に垂直な断面に現れる円の直径が、φ１５０ｍｍ以上、φ６００ｍｍ以下であり、隔壁によって区画された、流体の流路となる複数のセルを有する、ハニカム形状の構造体である、乾燥セラミックス成形体の製造方法。