JP4836895B2 - 反応器カスケードにおいて酢酸を製造する方法 - Google Patents
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Description
1) 反応域から排出したガス状生成物を冷却し
2) この流出ガスから、殆どの液状酢酸を回収し、及び
3) 循環されたガスから、一部の流れを除去する、
段階も含む。
1. 渦動層反応器の流体力学上の特性に基づき、反応器中でのガスの逆混合(Rueckvermischung)が促進され、それゆえ酢酸への選択性が、エチレン形成の犠牲の下に促進される。
2. 反応性ガスであるエタン及び酸素と不活性の反応生成物である二酸化炭素を混合することにより、渦動層反応器中では固定床反応器の場合よりもより高い酸素濃度を出発ガス中に使用して作業することが可能になる。これによって、反応器中に一回の通過当たり、より高いエタン転化率が達成される。
1. 渦動層反応器中では反応ガスが逆混合されるため、所望とする生成物(この場合は酢酸)が更に酸化されて二酸化炭素及び一酸化炭素を生成し、その結果収率が低減し、また
2. 触媒の機械的な摩損が激しいため、触媒に要される費用が高い、
という欠点を有する。
a) 固定床触媒を含む反応器中にエタン、酸素もしくは含酸素ガス及び循環され たガスを導入し、
b) 段階a)で得られた反応器排ガスを、前もって水及び酢酸を分離することなく、酸素または含酸素ガスと混合し、
c) 段階b)で得られたガス混合物を、固定床触媒を含む更に別の反応器に導入し、
d) 段階c)で得られた反応器排ガスを冷却し、
e) 段階d)で得られたガス流から、そこに含まれる二酸化炭素の全部もしくは一 部を除去し、そして
f) 段階e)で得られたガス流を、段階a)への循環ガスとして使用する、
ことを特徴とする上記方法である。
記号X 、Y は以下の意味を有する:
X = Cr、Mn、Nb、B 、Ta、Ti、V 及び/またはW
Y = Bi、Ce、Co、Te、Fe、Li、K 、Na、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、P 、Pb、Sb、Si、Sn、Tl及び/またはU 。指数a 、b 、c 、d 及びe は、対応する元素のグラム原子比を表し、ここで
a = 1; b > 0; c > 0; d = 0.05 〜2; 及びe = 0 〜3である。
記号X 、Y は以下の意味を有する:
X = Cr、Mn、Nb、Ta、Ti、V 、Te及び/またはW
Y = B 、Al、Ga、In、Pt、Zn、Cd、Bi、Ce、Co、Cu、Rh、Ir、Au、Ag、Fe、Ru、Os、K 、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Zr、Hf、Ni、P 、Pb、Sb、Si、Sn、Tl及び/またはU 。指数a 、b 、c 及びd は、対応する元素のグラム原子比を表し、ここで
a = 1; b > 0; C > 0; d = 0〜2である。
ここで、
X は、Pd、Pt、Ag及び/またはAuの群から選択される一種またはそれ以上の元素であり、
Y は、V 、Nb、Cr、Mn、Fe、Sn、Sb、Cu、Zn、U 、Ni及び/またはBiの群から選択される一種またはそれ以上の元素であり、
Z は、Li、Na、K 、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y 、La、Ti、Zr、Hf、Ru、Os、Co、Rh、Ir、B 、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Pb、P 、As及び/またはTeの群から選択される一種またはそれ以上の元素であり、
a は、1であり、
b は、0よりも大きい数であり、
c は、0よりも大きい数であり、そして
d は、0〜2の数である。
Claims (6)
- 固定床触媒上で、エタン及び酸素もしくは含酸素ガスから酢酸を製造する方法であって、
a) エタン、酸素もしくは含酸素ガス及び循環ガスを、固定床触媒を含む反応器中に導入し、
b) 段階a)で得られた反応器排ガスを、水または酢酸を前もって分離することなく、酸素もしくは含酸素ガスと混合し、
c) 段階b)で得られたガス混合物を、固定床触媒を含む更に別の反応器に導入し、
d) 段階c)で得られた反応器排ガスを冷却し、
e) 段階d)で得られたガス流から、そこに含まれる二酸化炭素を完全にもしくは部分的に除去し、
f) 段階e)で得られたガス流を、段階a)への循環ガスとして使用し、
及び
W a X b Y c Z d (I)
[ 式中、
X は、Pd、Pt、Ag及び/またはAuの群から選択される一種またはそれ以上の元素を意味し、
Y は、V 、Nb、Cr、Mn、Fe、Sn、Sb、Cu、Zn、U 、Ni及び/またはBiの群から選択される一種またはそれ以上の元素を意味し、
Z は、Li、Na、K 、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y 、La、Ti、Zr、Hf、Ru、Os、Co、Rh、Ir、B 、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Pb、P 、As及び/またはTeの群から選択される一種またはそれ以上の元素であり、
a は、1であり、
b は、0よりも大きい数であり、
c は、0よりも大きい数であり、そして
d は、0〜2の数である]
としてa:b:c:d のグラム原子比で元素W 、X 、Y 及びZ を、酸素との組み合わせで含むタングステン含有触媒を使用すること、
を特徴とする、上記方法。 - 段階c)で得られた反応器排ガスを、段階d)において冷却する前に、一つまたはそれ以上の更に別の反応器中に導入し、この際、各々の反応器に導入する前に、反応器排ガスを酸素もしくは含酸素ガスと混合することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 反応器への投入ガスが、1〜50容量%の量で水蒸気を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 反応器への投入ガス中のエタン:酸素のモル比が2:1 〜10:1であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つに記載の方法。
- 反応を、150 〜500 ℃の温度で行うことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つに記載の方法。
- 反応を、1〜50bar の圧力下に行うことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つに記載の方法。
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