JP4836543B2 - シフトレバーユニット - Google Patents

Description

本発明は、シフト・バイ・ワイヤシステムを採用した自動車に適用するシフトレバーユニットに関する。

従来より、シフトポジション毎に電気的なポジション信号を出力するように構成したシフトレバーユニットがある。このようなシフトレバーユニットとしては、例えば、各シフトポジション毎にセンサを配設したものがある。このシフトレバーユニットでは、上記各シフトポジションに対応するセンサの検知信号を上記ポジション信号として出力している（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、上記従来のシフトレバーユニットでは、次のような問題がある。すなわち、上記センサのいずれかに生じたトラブルが、シフトポジションの誤検出に直結するおそれがあり、動作信頼性を確保するための構成が別途、必要となるという問題がある。

特開２００４−３５３８２８号公報

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、動作信頼性を確保し易く構成したシフトレバーユニットを提供しようとするものである。

本発明は、シフトレバーの操作位置であるシフトポジションを表すポジション信号を出力するように構成したシフトレバーユニットであって、
上記各シフトポジションに応じてオンあるいはオフの出力信号を出力するように構成した２以上の複数のセンサと、
上記センサが検出してオンの上記出力信号を出力する反応領域、及び上記各センサが検出してオフの上記出力信号を出力する非反応領域を組み合わせたセンシング領域を上記センサ毎に設けた反応板と、
上記各センサの上記出力信号を組み合わせて上記ポジション信号を出力する信号出力部とを有しており、
上記複数のセンサは、それぞれ、対応するセンシング領域の上記反応領域及び上記非反応領域のうちの何れかをシフトポジション毎に択一的に検出し、
上記反応板においては、少なくとも何れか２つのセンサにそれぞれ対応すると共に隣り合って位置する２つのセンシング領域の間に、互いに他方と重なり合う一部であって、上記反応領域あるいは上記非反応領域が少なくとも２領域以上含まれる重複部分が設けられており、
当該重複部分に属する上記反応領域あるいは上記非反応領域は、いずれの領域も、上記シフトレバーが何れかのシフトポジションにあるときに上記２つのセンサのうちの一方のセンサにより検出され、上記何れかのシフトポジション以外の他のシフトポジションのうちの何れかのシフトポジションに上記シフトレバーが位置するときに他方のセンサにより検出されることを特徴とするシフトレバーユニットにある（請求項１）。

本発明のシフトレバーユニットにおける上記反応板は、上記反応領域と非反応領域とを組み合わせた上記センシング領域を上記各センサ毎にそれぞれ有している。そして、上記各センサは、オンあるいはオフの上記出力信号を上記シフトポジション毎に、出力するように構成してある。そして、上記シフトレバーユニットが出力する上記ポジション信号は、上記各センサの出力信号を組み合わせたものである。

そのため、上記シフトレバーユニットでは、いずれかの上記センサにトラブルを生じた場合であっても、他の上記センサによってバックアップできる可能性がある。すなわち、上記ポジション信号に冗長性を持たせれば、上記センサのトラブルに対するフェイルセーフ機能を高め、動作信頼性を確保できる。

ここで、一般的に、上記センシング領域を上記各センサ毎に確保しようとすると、上記反応板が大型化してしまうおそれがある。そして、それに起因して、シフトレバーユニット全体の体格が大型化するおそれがある。これに対して、本発明のシフトレバーユニットにおいては、隣り合う上記センシング領域の間で上記反応領域及び上記非反応領域のうちのいずれか、すなわち、センシング領域の一部を共有している。そのため、上記シフトレバーユニットでは、上記センシング領域を上記各センサ毎に確保したにも関わらず、上記反応板の大型化を抑制することができる。それ故、上記シフトレバーユニットは、体格の大型化を抑えた搭載性の高いものとなり得る。

以上のように、本発明のシフトレバーユニットは、複数の上記センサの出力信号を組み合わせて上記ポジション信号を出力するものである。このシフトレバーユニットでは、上記ポジション信号に冗長性を持たせることにより、動作信頼性を確保し易い。加えて、本発明のシフトレバーユニットでは、隣り合う上記センシング領域の間で該センシング領域の一部を共有している。そのため、本発明のシフトレバーユニットは、上記各センサ毎に上記センシング領域を設けるという構成を採用しながら、体格の大型化を抑えた搭載性の高いものとなる。

上記反応板の上記各センシング領域は、上記反応領域及び上記非反応領域を２以上の行と２以上の列とよりなる２次元アレイ状に組み合わせたものであり、
行方向に隣り合う２つのセンシング領域は、他方のセンシング領域側に位置する１列の上記反応領域及び上記非反応領域の配置が共通し、当該１列が上記重複部分となっていることが好ましい（請求項２）。
この場合には、上記反応板の隣り合う上記センシング領域において、上記行あるいは上記列に沿って並ぶ上記反応領域あるいは上記非反応領域を共有することで、上記反応板における上記センシング領域の配置間隔を狭くできる。上記行を共有した際には、上記センシング領域の配置間隔を上記列方向に狭くでき、上記列を共有した際には、上記センシング領域の配置間隔を上記行方向に狭くすることができる。そして、このように上記センシング領域の配置間隔を狭くできれば、上記反応板の上記行方向又は上記列方向の寸法を小さくすることができる。

また、上記反応板の上記各センシング領域は、上記反応領域及び上記非反応領域を２以上の行と２以上の列とよりなる２次元アレイ状に組み合わせたものであり、
列方向に隣り合う２つのセンシング領域は、他方のセンシング領域側に位置する１行の上記反応領域及び上記非反応領域の配置が共通し、当該１行が上記重複部分となっていることが好ましい（請求項３）。
この場合には、上記行方向に隣り合う上記センシング領域について、上記列に沿って並ぶ上記反応領域あるいは上記非反応領域を共有できる。さらに、上記列方向に隣り合う上記センシング領域について、上記行に沿って並ぶ上記反応領域あるいは上記非反応領域を共有できる。それ故、上記反応板における上記行方向及び上記列方向の寸法を小さくすることができる。

また、上記各センサは、磁界を検知するものであり、上記反応板の上記反応領域は上記各センサが磁界を検知するように形成した領域であり、上記非反応領域は上記各センサが磁界を検知しないように形成した領域であることが好ましい（請求項４）。
この場合には、上記各センサは、上記磁界を検知するか否かによって、オンあるいはオフの出力信号を精度良く出力することができる。それ故、上記シフトレバーユニットでは、上記各シフトポジションを表す上記ポジション信号を信頼性高く出力することができる。さらに、上記各センサは、一方向の磁界のみを検知するものであっても良い。この場合には、当該一方向の磁界を上記各センサに作用するようにした上記反応領域を形成する一方、逆方向の磁界を上記各センサに作用するようにした上記非反応領域を形成することで、該各センサの検知精度を高めることができる。

また、上記各センサは、光を検知するものであり、上記反応板における上記反応領域は上記各センサが光を検知するように形成した領域であり、上記非反応領域は上記各センサが光を検知しないように形成した領域であることも良い（請求項５）。
この場合には、上記各センサは、光を検知するか否かによって、オンあるいはオフの出力信号を精度良く出力することができる。それ故、上記シフトレバーユニットでは、上記各シフトポジションを表す上記ポジション信号を信頼性高く出力することができる。

また、上記各センサは、電気的な導通を検知するものであり、上記反応板における上記反応領域は上記各センサが電気的な導通を検知するように形成した領域であり、上記非反応領域は上記各センサが電気的な導通を検知しないように形成した領域であることが好ましい（請求項６）。
この場合には、上記各センサは、電気的な導通を検知するか否かによって、オンあるいはオフの出力信号を精度良く出力することができる。それ故、上記シフトレバーユニットでは、上記各シフトポジションを表す上記ポジション信号を信頼性高く出力することができる。

また、上記信号出力部が出力する上記ポジション信号は、上記センサの数に相当する複数ビットよりなり、かつ、誤り訂正符号をなすデジタル信号であることが好ましい（請求項７）。
この場合には、上記センサのいずれかのトラブルに起因した上記ポジション信号の誤りを訂正できる可能性がある。それ故、上記センサのトラブル等に対するフェイルセーフ機能を高め、上記シフトレバーユニット全体の動作信頼性を高く確保できる。なお、上記誤り訂正符号としては、例えばハミング符号、ＢＣＨ符号等がある。例えば、ハミング符号によれば、２ビットまでの誤りを検出することができ、１ビットまでの誤りを訂正することができる。

（実施例１）
本例は、動作信頼性を高めたシフトレバーユニット１に関する例である。この内容について、図１〜図１１を用いて説明する。
本例のシフトレバーユニット１は、図１、図２及び図４に示すごとく、シフトレバー１１の操作位置である各シフトポジションを表すポジション信号を出力するように構成したものである。
このシフトレバーユニット１は、各シフトポジションに応じてオンあるいはオフの出力信号を出力するように構成した２以上の複数のセンサ１３１と、各センサ１３１がオンの出力信号を出力する反応領域１２１ａ、及び各センサがオフの出力信号を出力する非反応領域１２１ｂよりなるセンシング領域１２１を各センサ１３１毎に設けた反応板１２と、各センサ１３１の出力信号を組み合わせてポジション信号を出力する信号出力部とを有している。
上記反応板１２においては、隣り合うセンシング領域１２１の間で、反応領域１２１ａ及び非反応領域１２１ｂのうちのいずれかを共有している。
以下に、この内容について詳しく説明する。

本例のシフトレバーユニット１は、図１及び図２に示すごとく、先端にグリップハンドル１１１を有すると共に他方の端部にピボット１１２を設けた軸状のシフトレバー１１と、図示しないリンク機構を介在してシフトレバー１１に係合するに反応板１２と、上記反応板１２に対面するセンサ基板１３と、上記ポジション信号を出力する上記信号出力部（図示略）とを有している。

本例のシフトレバーユニット１は、図３に示すごとく、各シフトポジションが「Ｈ」パターンに配置された、いわゆるＨゲート式のものである。このシフトレバーユニット１では、パーキングレンジ（Ｐレンジ）１１ｐ、ニュートラルレンジ（Ｎレンジ）１１ｎ、及びリバースレンジ（Ｒレンジ）１１ｒが略一直線状に配置され、ドライブレンジ（Ｄレンジ）１１ｄ、シフトアップレンジ（＋レンジ）１１ａ、及びシフトダウンレンジ（−レンジ）１１ｓが略一直線状に配置されている。

センサ基板１３は、図１、図２及び図４に示すごとく、略平板状部材の表面にセンサ番号１〜７の７つの上記センサ１３１を配設したものである。本例のセンサ１３１は、作用する磁界を検知する磁気センサ（以下、磁気センサ１３１と記載する。）である。各磁気センサ１３１は、所定の方向に作用する磁界のみを検知するように構成したものである。
各磁気センサ１３１は、当該所定の方向の磁界を検出したときのオン信号あるいは、非検出のときのオフ信号を上記信号出力部に向けて出力する。なお、本例では、上記磁気センサ１３１としてホール効果ＩＣを用いた。これに代えて、磁気抵抗素子、ホール素子、リードスイッチ等の磁気センサを採用することもできる。

反応板１２は、図１、図２、図４及び図５に示すごとく、センサ基板１３の各センサ１３１に対応して７領域のセンシング領域１２１を略平板状部材の表面に設けたものである。なお、図５では、センサ番号２の磁気センサ１３１に対応するセンシング領域１２１のみを抜き出して示してある。各センシング領域１２１は、反応領域１２１ａと非反応領域１２１ｂとを３行２列の２次元アレイ状に配置したものである。反応領域１２１ａは、センサ側がＳ極となるように着磁した領域であり、非反応領域１２１ｂは、センサ側がＮ極となるように着磁した領域である。これに対して、本例の磁気センサ１３１は、上記反応領域１２１ａに対面したときにオン信号を出力し、上記非反応領域１２１ｂに対面したときにオフ信号を出力する。

センシング領域１２１は、図４に示すごとく、磁気センサ１３１がシフトポジション毎のオンあるいはオフの出力信号を出力するよう、磁気センサ１３１毎に形成したものである。ここで、センサ番号２の磁気センサ１３１を例として、対応するセンシング領域１２１の構成について図５を用いて説明する。同図のセンシング領域１２１は、４領域の反応領域１２１ａと２領域の非反応領域１２１ｂをシフトポジションに対応して配置したものである。なお、図５における磁気センサ１３１の位置は、シフトレバー１１がＮレンジ１１ｎ（図３参照。）に位置したときのものである。

センシング領域１２１は、図５に示すごとく、固定的に配置された磁気センサ１３１（図５では、「２」により位置を示してある。）に対して全体的に変位するものである。例えば、図３及び図５に示すごとく、Ｎレンジ１１ｎからＤレンジ１１ｄに切り替えるようにシフトレバー１１を図３中の右方向に操作すると、それに伴って、磁気センサ１３１に対してセンシング領域１２１全体が図５中の右方向に変位する。これにより、磁気センサ１３１に対面する領域は、行番号２、列番号２の非反応領域１２１ｂから行番号２、列番号１の反応領域１２１ａに切り替わる。また、例えば、Ｎレンジ１１ｎからＲレンジ１１ｒに切り替えるようにシフトレバーを手前側（図３中の下方向。）に操作すると、それに伴って、磁気センサ１３１に対してセンシング領域１２１全体が図５中の下方向に変位する。これにより、磁気センサ１３１に対面する領域は、行番号２、列番号２の非反応領域から行番号１、列番号２の反応領域１２１ａに切り替わる。

このように、図５のセンシング領域１２１では、行番号２、列番号２の非反応領域１２１ｂがＮレンジ１１ｎ（図３参照。）に対応し、行番号１、列番号２の反応領域１２１ａがＲレンジ１１ｒに対応し、行番号３、列番号２の反応領域１２１ａがＰレンジ１１ｐに対応し、行番号２、列番号１の反応領域１２１ａがＤレンジ１１ｄに対応し、行番号１、列番号１の反応領域１２１ａが−レンジ１１ｓに対応し、行番号３、列番号１の非反応領域１２１ｂが＋レンジ１１ａに対応している。

ここで、本例の反応板１２では、図６に示すごとく、行方向（同図中の水平方向。）に隣り合うセンシング領域１２１について、隣接する列の反応領域１２１ａ及び非反応領域１２１ｂの並びが同じになるように設定してある。例えば、センサ番号２の磁気センサ１３１に対応するセンシング領域１２１、及びセンサ番号５の磁気センサ１３１対応するセンシング領域１２１については、隣接する列である同図中の第２列及び第３列の並びを全く同じに設定してある。さらに、列方向（図６中の垂直方向。）に隣り合う各センシング領域１２１について、隣接する行の反応領域１２１ａ及び非反応領域１２１ｂの並びが同じになるよう設定してある。例えば、センサ番号２の磁気センサ１３１に対応するセンシング領域１２１、及びセンサ番号１の磁気センサ１３１に対応するセンシング領域１２１については、隣接する行である同図中の第３行及び第４行の並びを全く同じに設定してある。

そして、本例の反応板１２では、図６及び図７に示すごとく、上記のように各センシング領域１２１を構成することにより、行方向に隣り合うセンシング領域１２１について隣接する列を共有し、かつ、列方向に隣り合うセンシング領域１２１について隣接する行を共有している。すなわち、この反応板１２では、隣り合う他のセンシング領域１２１に対して、重複して各センシング領域１２１を配置してある。それ故、本例の反応板１２は、各磁気センサ１３１に対応するセンシング領域１２１を個別に確保しつつ、大型化（大面積化）を抑制したものとなる。

本例のシフトレバーユニット１においては、図１、図２及び図４に示すごとく、シフトレバー１１の操作に伴って変位する反応板１２と、固定したセンサ基板１３とを対面して配置してある。このシフトレバーユニット１の各磁気センサ１３１は、反応板１２の反応領域１２１ａに対面している場合にオン信号を出力し、非反応領域１２１ｂに対面している場合にオフ信号を出力する。なお、本例の構成に代えて、反応板１２を固定する一方、センサ基板１３がシフトレバー１１の操作に伴って変位するように構成しても良い。

図示しない信号出力部は、図８に示すごとく、各磁気センサ１３１から取り込んだ出力信号を組み合わせて、上記ポジション信号を出力するよう構成してある。図８においては、各行にシフトポジションを表すと共に、各列に磁気センサ１３１のセンサ番号を示してある。そして、同図では、シフトポジション毎の各磁気センサ１３１の１（オン）、０（オフ）の出力信号を示している。本例のポジション信号は、各シフトポジションについて、各磁気センサ１３１の出力信号を組み合わせたものである。

次に、上記のように構成したシフトレバーユニット１の動作について説明する。図３、図４、図８及び図９に示すごとく、例えば、シフトレバー１１がＮレンジ１１ｎに位置すると、図４のごとくセンサ番号１、３、４、６の各磁気センサ１３１が反応領域１２１ａに対面し、センサ番号２、５、７の各磁気センサが非反応領域１２１ｂに対面する。これにより、Ｎレンジ１１ｎのポジション信号として「１０１１０１０」が出力される。

また、図３、図８及び図９に示すごとく、シフトレバー１１が図３中の上方向に操作されてＰレンジ１１ｐが選択されると、このシフトレバー１１の操作に応じて反応板１２全体が図４中の上方向に変位し、図９に示す状態となる。このとき、センサ番号１、２、４、７の各磁気センサが反応領域１２１ａに対面し、センサ番号３、５、６の各磁気センサが非反応領域１２１ｂに対面する。これにより、Ｐレンジ１１ｐのポジション信号として「１１０１００１」が出力される。さらにまた、図３及び図８に示すごとく、例えば、シフトレバーがＲレンジ１１ｒに位置すると、上記各磁気センサ１３１の出力信号を組み合わせた「１１００１１０」がＲレンジ１１ｒのポジション信号として出力される。

なお、本例では、ポジション信号がハミング符号をなすように各センシング領域１２１を構成してある。それ故、本例のシフトレバーユニット１では、１つの磁気センサ１３１にトラブルを生じた場合であってもポジション信号を訂正し、正しいポジション信号を出力できる。さらに、２つの磁気センサ１３１にトラブルを生じても、そのトラブルの発生を検知することができる。

ここで、一般に、本例のごとく、複数の磁気センサ１３１の出力信号を組み合わせたポジション信号を得るためには、図６あるいは図１０に示すごとく、上記各センサ１３１毎にセンシング領域１２１を独立して配置する必要がある。そのため、上記反応板１２の面積が大型化する傾向があり、シフトレバーユニット１の搭載性が阻害されるおそれがある。

これに対して、本例のシフトレバーユニット１では、図６及び図７に示すごとく、反応板１２における各センシング領域１２１の配置組み合わせを工夫してある。具体的には、上記のごとく、隣り合うセンシング領域１２１の境界において反応領域１２１ａ及び非反応領域１２１ｂの配置が同じになるように、各センシング領域１２１を組み合わせてある（図６参照。）。これにより、本例のシフトレバーユニット１の反応板１２では、図７に示すごとく、隣り合うセンシング領域１２１に対して一部重なるように各センシング領域１２１を設定できる。それ故、本例では、各磁気センサ１３１毎にセンシング領域１２１を設けながら、反応板１２の大型化を抑制できている。

以上のように、本例のシフトレバーユニット１では、複数の上記センサ１３１の出力信号を組み合わせて冗長なポジション信号を出力している。このシフトレバーユニット１は、ポジション信号に冗長性を持たせることにより、動作信頼性を確保したものである。さらに、反応板１２におけるセンシング領域１２１の配置組み合わせを工夫することにより、隣り合うセンシング領域１２１の間で一部を共有している。これにより、反応板１２の大型化を抑制し、搭載性に優れたシフトレバーユニット１を実現している。

なお、本例の磁気センサ１３１に代えて、光センサ１５１を採用することもできる。例えば、図１１に示すごとく、発光部１５２及び光センサ１５１を隣接して配置したセンサ基板１５と、光を反射する反応領域１４１ａ及び光を反射せず吸収する非反応領域１４１ｂを設けた反応板１４とを組み合わせることができる。この場合には、反応領域１４１ａで反射される発光部１５２の光を検知した光センサ１５１が、オンの出力信号を出力し、非反応領域１４１ｂに対面する光センサ１５１がオフの出力信号を出力する。

さらに、例えば、図１２に示すごとく、有機ＥＬなどの面発光基板１５３と光センサ１５１を配置したセンサ基板１５と、光を透過する反応領域１４１ａ及び光を遮断する非反応領域１４１ｂを設けた反応板１４とを組み合わせることもできる。この場合には、反応領域１４１ａに対面する光センサ１５１がオン信号を出力し、非反応領域１４１ｂに対面する光センサ１５１がオフ信号を出力する。

さらになお、本例の磁気センサに代えて、電気的な導通を検知するセンサ１３１を採用することもできる。例えば、図１３に示すごとく、メンブレンスイッチなどの押し込みスイッチ状のセンサ１３１を配設したセンサ基板１３と反応領域１２１ａとして凸形状を設けた反応板とを組み合わせることができる。この場合には、同図（Ａ）に示すごとく、凸形状の反応領域１２１ａがセンサ１３１を押し込むことにより電気的な導通を生じ、当該センサ１３１がオン信号を出力する。一方、同図（Ｂ）に示すごとく、凸形状でない非反応領域１２１ｂは、センサ１３１を押し込むことがなく電気的な導通を生じないため、当該センサ１３１がオフ信号を出力する。

さらに、上記押し込みスイッチ状のセンサ１３１を２個１対の電極端子に代えると共に、上記凸形状の反応領域１２１ａを導電領域に、非凸形状の非反応領域１２１ｂを絶縁領域に代えても良い。この場合には、２個１対の電極端子よりなるセンサが反応領域１２１ａに接触することにより電気的な導通を生じ、センサがオン信号を出力する。センサが非反応領域１２１ｂに接触しても電気的な導通を生じないため、当該センサはオフ信号を出力する。
また、図１４に示すごとく、センサ１３１として１個の電極端子を設けたセンサ基板１３と、反応領域１２１ａとして金属面を露出すると共に非反応領域１２１ｂとして絶縁層を設けた導電性金属よりなる反応板１２とを組み合わせることもできる。この場合には、同図（Ａ）に示すごとく、センサ１３１が反応領域１２１ａに接触することにより電気的な導通を生じ、当該センサ１３１がオン信号を出力する。一方、同図（Ｂ）に示すごとく、センサ１３１が非反応領域１２１ｂに接触したときには電気的な導通が生じず、当該センサ１３１はオフ信号を出力する。

実施例１における、シフトレバーユニットを示す側面図。 実施例１における、シフトレバーユニットを示す正面図。 実施例１における、シフトパターンを示す説明図。 実施例１における、センサ基板と反応板を示す説明図。 実施例１における、磁気センサとセンシング領域との関係を示す説明図。 実施例１における、センシング領域の組み合わせを示す説明図。 実施例１における、反応板上の各センシング領域の配置を示す説明図。 実施例１における、ポジション信号を示す説明図。 実施例１における、センサ基板と反応板との関係を示す説明図。 実施例１において比較する他のセンシング領域の組み合わせを示す説明図。 実施例１における、他のセンサ基板及び反応板を示す説明図。 実施例１における、他のセンサ基板及び反応板を示す説明図。 実施例１における、他のセンサ基板及び反応板を示す説明図。 実施例１における、他のセンサ基板及び反応板を示す説明図。

符号の説明

１ シフトレバーユニット
１１ シフトレバー
１２ 反応板
１２１ センシング領域
１２１ａ 反応領域
１２１ｂ 非反応領域
１３ センサ基板
１３１ センサ（磁気センサ）

Claims (7)

1. シフトレバーの操作位置であるシフトポジションを表すポジション信号を出力するように構成したシフトレバーユニットであって、
   上記各シフトポジションに応じてオンあるいはオフの出力信号を出力するように構成した２以上の複数のセンサと、
   上記センサが検出してオンの上記出力信号を出力する反応領域、及び上記各センサが検出してオフの上記出力信号を出力する非反応領域を組み合わせたセンシング領域を上記センサ毎に設けた反応板と、
   上記各センサの上記出力信号を組み合わせて上記ポジション信号を出力する信号出力部とを有しており、
   上記複数のセンサは、それぞれ、対応するセンシング領域の上記反応領域及び上記非反応領域のうちの何れかをシフトポジション毎に択一的に検出し、
   上記反応板においては、少なくとも何れか２つのセンサにそれぞれ対応すると共に隣り合って位置する２つのセンシング領域の間に、互いに他方と重なり合う一部であって、上記反応領域あるいは上記非反応領域が少なくとも２領域以上含まれる重複部分が設けられており、
   当該重複部分に属する上記反応領域あるいは上記非反応領域は、いずれの領域も、上記シフトレバーが何れかのシフトポジションにあるときに上記２つのセンサのうちの一方のセンサにより検出され、上記何れかのシフトポジション以外の他のシフトポジションのうちの何れかのシフトポジションに上記シフトレバーが位置するときに他方のセンサにより検出されることを特徴とするシフトレバーユニット。
2. 請求項１において、上記反応板の上記各センシング領域は、上記反応領域及び上記非反応領域を２以上の行と２以上の列とよりなる２次元アレイ状に組み合わせたものであり、
   行方向に隣り合う２つのセンシング領域は、他方のセンシング領域側に位置する１列の上記反応領域及び上記非反応領域の配置が共通し、当該１列が上記重複部分となっていることを特徴とするシフトレバーユニット。
3. 請求項１又は２において、上記反応板の上記各センシング領域は、上記反応領域及び上記非反応領域を２以上の行と２以上の列とよりなる２次元アレイ状に組み合わせたものであり、
   列方向に隣り合う２つのセンシング領域は、他方のセンシング領域側に位置する１行の上記反応領域及び上記非反応領域の配置が共通し、当該１行が上記重複部分となっていることを特徴とするシフトレバーユニット。
4. 請求項１〜３のいずれか１項において、上記各センサは、磁界を検知するものであり、上記反応板の上記反応領域は上記各センサが磁界を検知するように形成した領域であり、上記非反応領域は上記各センサが磁界を検知しないように形成した領域であることを特徴とするシフトレバーユニット。
5. 請求項１〜３のいずれか１項において、上記各センサは、光を検知するものであり、上記反応板における上記反応領域は上記各センサが光を検知するように形成した領域であり、上記非反応領域は上記各センサが光を検知しないように形成した領域であることを特徴とするシフトレバーユニット。
6. 請求項１〜３のいずれか１項において、上記各センサは、電気的な導通を検知するものであり、上記反応板における上記反応領域は上記各センサが電気的な導通を検知するように形成した領域であり、上記非反応領域は上記各センサが電気的な導通を検知しないように形成した領域であることを特徴とするシフトレバーユニット。
7. 請求項１〜６のいずれか１項において、上記信号出力部が出力する上記ポジション信号は、上記センサの数に相当する複数ビットよりなり、かつ、誤り訂正符号をなすデジタル信号であることを特徴とするシフトレバーユニット。

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