JP4834305B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1、2は、本発明の実施の形態1におけるツェナーダイオードを内蔵するトランジスタを示すもので、図1は断面を示しており、図2は製造過程に沿ったフローを断面で示している。
図3は、本発明の実施の形態2のツェナーダイオードを内蔵するトランジスタの上面と断面を現す図である。尚、上面図は半導体基板の上に形成された電極と配線と絶縁皮膜とを除去した状態である。
2、102 低濃度N型エピタキシャル層
3、103 P型半導体のベース層
4、104 高濃度N型半導体のエミッタ層
5 高濃度N型半導体のコンタクト層
6、105 高濃度N型半導体のカソード層
7 配線
8、109 エミッタ電極
9 絶縁皮膜
9a ベース拡散窓
9b エミッタ拡散窓
9c カソード拡散窓
9d 高濃度N型のコンタクト層拡散窓
9e エミッタコンタクト窓
9f カソードコンタクト窓
9g N型層コンタクト窓
10、110 コレクタ電極
100 トランジスタ(P型)
106 高濃度P型半導体のアノード層
107 SiO2層
108 ベース電極
111 コレクタ
112 エミッタ
113 ベース
114 ツェナーダイオード
Claims (1)
- 高濃度第一導電型半導体基板の第一主面側上に低濃度第一導電型半導体層が形成され、
該半導体層の表面から層内に延在した第二導電型半導体のベース層が選択的に形成され、
該ベース層の表面から層内に延在した高濃度第一導電型半導体のエミッタ層が選択的に形成され、
該エミッタ層から離間した前記第二導電型半導体のベース層の表面から層内に延在した高濃度第一導電型のカソード層が選択的に環状形成され、
前記第二導電型半導体のベース層から離間した前記低濃度第一導電型半導体層の表面から層内に延在した高濃度第一導電型のコンタクト層が前記高濃度第一導電型のカソード層から離間し選択的に環状形成され、
半導体基板の第一主面である前記低濃度第一導電型半導体層と前記第二導電型半導体のベース層と前記高濃度第一導電型半導体のエミッタ層と前記高濃度第一導電型のコンタクト層と前記高濃度第一導電型のカソード層とを含む表面を前記高濃度第一導電型半導体のエミッタ層の前記第二導電型半導体のベース層との境界を残した内側と前記高濃度第一導電型のコンタクト層の前記低濃度第一導電型半導体層との境界を残した内側と前記高濃度第一導電型のカソード層の前記第二導電型半導体のベース層との境界を残した内側とに窓を有する絶縁皮膜が覆って形成され、
前記高濃度第一導電型のカソード層の表面と前記高濃度第一導電型のコンタクト層の表面とを前記絶縁皮膜上面を経て繋いだ配線が形成され、
前記高濃度第一導電型半導体のエミッタ層の表面から前記絶縁皮膜表面周辺に延在したエミッタ電極が形成され、
前記高濃度第一導電型半導体基板の第二主面上にコレクタ電極が形成され、
前記高濃度第一導電型半導体基板の第一主面上に、前記高濃度第一導電型半導体のエミッタ層と該エミッタ層を中心とした同心な前記第二導電型半導体のベース層と前記高濃度第一導電型のカソード層と前記高濃度第一導電型のコンタクト層とを含む前記低濃度第一導電型半導体層が形成された事を特徴とする半導体装置。
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