JPS6197968A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6197968A JPS6197968A JP21962284A JP21962284A JPS6197968A JP S6197968 A JPS6197968 A JP S6197968A JP 21962284 A JP21962284 A JP 21962284A JP 21962284 A JP21962284 A JP 21962284A JP S6197968 A JPS6197968 A JP S6197968A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0821—Collector regions of bipolar transistors
-
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- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1004—Base region of bipolar transistors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はトランジスタの構造、詳しくは、トランジスタ
とダイオードとの両方を具備したパワートランジスタに
関するものである。
とダイオードとの両方を具備したパワートランジスタに
関するものである。
従来例の構成とその問題点
パワートランジスタの許容電力損失は周知のように、大
きなものであるにもかかわらずサージやスイッチング時
の異常電圧によってしばしば破壊する。この破壊からパ
ワートランジスターを保護するために、パワートランジ
スタのコレクタ、ベース間にツェナダイオードを挿入し
、異常電圧をクリップしたり、またその時のエネルギー
をダイオードで吸収きせる対策が講じられている。
きなものであるにもかかわらずサージやスイッチング時
の異常電圧によってしばしば破壊する。この破壊からパ
ワートランジスターを保護するために、パワートランジ
スタのコレクタ、ベース間にツェナダイオードを挿入し
、異常電圧をクリップしたり、またその時のエネルギー
をダイオードで吸収きせる対策が講じられている。
トランジスタとツェナダイオードとの両方を具備したパ
ワートランジスターの構造としては従来第１図あるいは
第２図の各断面図に示す様な構造のものが知られている
。
ワートランジスターの構造としては従来第１図あるいは
第２図の各断面図に示す様な構造のものが知られている
。
第１図で示す構造はダイオードをパワートランジスタの
ベース領域内へ独立して形成したものである。この場合
ベース領域は低濃度にする事が必要で、第１図において
は、１はコレクタ領域となるＮ型シリコン基板、２はＮ
型シリコン基板内へ、Ｎ型不純物を高濃度に拡散して形
成した高濃度コレクタコンタクト領域、３はＰ型のベー
ス領域、４はＮ型のエミッタ領域、５はＰ型不純物を高
濃度に拡散して形成したベースコンタクト用高濃度領域
、６はダイオードのカンード領域となる高濃度領域、７
は二酸化硅素膜、そし７て８．９．１０および１１は電
極、２３はチャンネルストッパ領域である。かかる構造
を有する従来のパワートランジスタにおいては、ベース
領域３を形成するにあたり、その不純物濃度を低下させ
ておかないと、ダイオードの耐圧を必要値に維持するこ
とができない。すなわち、ベース領域３の不純物濃度は
、１×１０ α 以下にしなければ、同ベース領域３と
ｒ領域６との間に形成されたダイオードに必要な耐圧の
絶対値（２０Ｖ以上）が得られない。
ベース領域内へ独立して形成したものである。この場合
ベース領域は低濃度にする事が必要で、第１図において
は、１はコレクタ領域となるＮ型シリコン基板、２はＮ
型シリコン基板内へ、Ｎ型不純物を高濃度に拡散して形
成した高濃度コレクタコンタクト領域、３はＰ型のベー
ス領域、４はＮ型のエミッタ領域、５はＰ型不純物を高
濃度に拡散して形成したベースコンタクト用高濃度領域
、６はダイオードのカンード領域となる高濃度領域、７
は二酸化硅素膜、そし７て８．９．１０および１１は電
極、２３はチャンネルストッパ領域である。かかる構造
を有する従来のパワートランジスタにおいては、ベース
領域３を形成するにあたり、その不純物濃度を低下させ
ておかないと、ダイオードの耐圧を必要値に維持するこ
とができない。すなわち、ベース領域３の不純物濃度は
、１×１０ α 以下にしなければ、同ベース領域３と
ｒ領域６との間に形成されたダイオードに必要な耐圧の
絶対値（２０Ｖ以上）が得られない。
ところでベース領域３を低濃度（１×１０１７１ニア７
１−３以下）で形成するための不純物拡散のコントロー
ルは高濃度（１×１０１８ｆｆｉ”−’以上）の不純物
拡散のコントロールに比べ困難であるばかりでなく、ベ
ース濃度によってトランジスタの電流増幅率とダイオー
ドの耐圧との双方が決定されるため、性能面のコントロ
ールも困難である。またベース領域３を低濃度で形成す
るため、ベース電極形成に際して、このままでは接触抵
抗を下げることができない。この念め追加の拡散を施す
ことによってベース電極を形成する直下のペース濃度を
高濃度とが出来、第１図に示した構造に比べ、性能面の
コントロールが容易になる。しかし、この場合でもダイ
オードの耐圧は不純物拡散のコントロール面（１×１ｏ
１５以下）から上限が規制され、必らずしも、自在にコ
ントロールできるものではない。
１−３以下）で形成するための不純物拡散のコントロー
ルは高濃度（１×１０１８ｆｆｉ”−’以上）の不純物
拡散のコントロールに比べ困難であるばかりでなく、ベ
ース濃度によってトランジスタの電流増幅率とダイオー
ドの耐圧との双方が決定されるため、性能面のコントロ
ールも困難である。またベース領域３を低濃度で形成す
るため、ベース電極形成に際して、このままでは接触抵
抗を下げることができない。この念め追加の拡散を施す
ことによってベース電極を形成する直下のペース濃度を
高濃度とが出来、第１図に示した構造に比べ、性能面の
コントロールが容易になる。しかし、この場合でもダイ
オードの耐圧は不純物拡散のコントロール面（１×１ｏ
１５以下）から上限が規制され、必らずしも、自在にコ
ントロールできるものではない。
発明の目的
本発明は、ダイオード耐圧を十分に高くし、トランジス
タの安全動作領域が広げ得る構造の半導体装置を提供す
るものである。
タの安全動作領域が広げ得る構造の半導体装置を提供す
るものである。
発明の構成
本発明は、コレクタ領域内にベース領域、同ベース領域
内にエミッタ領域が、それぞれ選択的に作シ込まれ、前
記ベース領域に隣接する前記コレクタ領域に高濃度コレ
クタ領域が選択的に作り込まれ、さらに前記高濃度コレ
クタ領域の表面部分に反対導電型の高濃度領域が設けら
れた構造゛をそなえた半導体装置であり、これによれば
、縦型トランジスタのベース領域の濃度と前記ベース領
域の隣接する高濃度コレクタ領域の任意の深さの濃度と
の濃度比によってダイオードの耐圧を規制することかで
きるものである。
内にエミッタ領域が、それぞれ選択的に作シ込まれ、前
記ベース領域に隣接する前記コレクタ領域に高濃度コレ
クタ領域が選択的に作り込まれ、さらに前記高濃度コレ
クタ領域の表面部分に反対導電型の高濃度領域が設けら
れた構造゛をそなえた半導体装置であり、これによれば
、縦型トランジスタのベース領域の濃度と前記ベース領
域の隣接する高濃度コレクタ領域の任意の深さの濃度と
の濃度比によってダイオードの耐圧を規制することかで
きるものである。
実施例の説明
次に本発明を実施例でもって詳細に説明する。
第３図（−）〜（ｄ）に一実施例装置を詳細な工程順断
面図によって示す。
面図によって示す。
まず、第３図０のように、燐を添加したＮ型５０Ωαの
シリコン基板（厚み２３０μ）１２の片面から燐を拡散
し、表面濃度Ｉ Ｘ １０２１ｃｍ−３，拡散深さ１５
０μ口の高濃度（Ｎ ＋ ＋ ）のコレクタ領域１３を
形成する。
シリコン基板（厚み２３０μ）１２の片面から燐を拡散
し、表面濃度Ｉ Ｘ １０２１ｃｍ−３，拡散深さ１５
０μ口の高濃度（Ｎ ＋ ＋ ）のコレクタ領域１３を
形成する。
なお１４はＳ ｚ Ｏ２膜である。その後、ホトエツチ
ングによってコレクタ領域１３０面とは逆の面のＳｉ○
２膜１４にダイオード用の窓開けを行ない、この窓を通
して、Ｎ型不純物のであるヒ素を選択的に拡散すること
によって、第３図（ｂ）のように、表面濃度Ｉ Ｘ １
０１８ｃｍ−’、拡拡散源５μｍのダイオード領域１５
が形成てれる。次に、第３図（Ｃ）のように、ホトエツ
チングによって、ベース拡散用の窓開けを行ない、この
窓を通して、Ｐ型不純物源であるボロンを選択的に拡散
することによって、表面濃度６×１ｏ ｃｒｎ 、拡散
深で１膜μｍのベース領域１６を形成し、つづいて、再
び、ホトエツチングによって、ベース領域１６上のＳ
１０２膜１４にエミッタ領域の窓開けを行ない、この窓
を通して、燐を選択的に拡散することによって、表面濃
度Ｓ×１ｏ２０□−３拡蔽深さ８μｍのＮ′＋“型エミ
ッタ領域１７を形成する。しかるのちダイオード領域１
５上に高濃度領域形成用の窓開けを行ない、この窓を通
して、ボロンを選択的に拡散することによって、第３図
（ｄ）のように、表面濃度２ Ｘ １０２０ｃｍ−’
、拡散深さ５μｍのダイオードアノード用Ｐ＋“型領域
１９を形成する。以上で、トランジスタの形成に必要な
拡散工程が完了したのち、コレクタ、ベースならびにエ
ミッタの各領域に電極２０〜２２を形成することによっ
て、トランジスタとダイオードとを有するパワートラン
ジスタが形成される。かかる構造によるとパワートラン
ジスタは半導体基板面に対して垂直方向の構造（縦型）
であるのに対して、ダイオードは水平方向の構造（横型
）となる。
ングによってコレクタ領域１３０面とは逆の面のＳｉ○
２膜１４にダイオード用の窓開けを行ない、この窓を通
して、Ｎ型不純物のであるヒ素を選択的に拡散すること
によって、第３図（ｂ）のように、表面濃度Ｉ Ｘ １
０１８ｃｍ−’、拡拡散源５μｍのダイオード領域１５
が形成てれる。次に、第３図（Ｃ）のように、ホトエツ
チングによって、ベース拡散用の窓開けを行ない、この
窓を通して、Ｐ型不純物源であるボロンを選択的に拡散
することによって、表面濃度６×１ｏ ｃｒｎ 、拡散
深で１膜μｍのベース領域１６を形成し、つづいて、再
び、ホトエツチングによって、ベース領域１６上のＳ
１０２膜１４にエミッタ領域の窓開けを行ない、この窓
を通して、燐を選択的に拡散することによって、表面濃
度Ｓ×１ｏ２０□−３拡蔽深さ８μｍのＮ′＋“型エミ
ッタ領域１７を形成する。しかるのちダイオード領域１
５上に高濃度領域形成用の窓開けを行ない、この窓を通
して、ボロンを選択的に拡散することによって、第３図
（ｄ）のように、表面濃度２ Ｘ １０２０ｃｍ−’
、拡散深さ５μｍのダイオードアノード用Ｐ＋“型領域
１９を形成する。以上で、トランジスタの形成に必要な
拡散工程が完了したのち、コレクタ、ベースならびにエ
ミッタの各領域に電極２０〜２２を形成することによっ
て、トランジスタとダイオードとを有するパワートラン
ジスタが形成される。かかる構造によるとパワートラン
ジスタは半導体基板面に対して垂直方向の構造（縦型）
であるのに対して、ダイオードは水平方向の構造（横型
）となる。
他の実施例装置を、第４図の詳細な工程断面図によって
示す。
示す。
まず第４図（ｄ）のように、燐を添加しｆｃＮ型６０Ｑ
αのンリコン基板（厚み２３０μｍ）１２の片面から燐
を拡散し、表面濃度１×１０２１ｃｒｎ−’、拡拡散式
１６０μｍの高濃度（Ｎ＋＋）のコレクタ領域１３を形
成する。
αのンリコン基板（厚み２３０μｍ）１２の片面から燐
を拡散し、表面濃度１×１０２１ｃｒｎ−’、拡拡散式
１６０μｍの高濃度（Ｎ＋＋）のコレクタ領域１３を形
成する。
なお１４はＳ １０２膜である。その後、ホトエツチン
グによってコレクタ領域１３の面とは逆の面のＳ ｚ
Ｏ２膜１４にダイオード用の窓開けを行ない、この窓を
通して、Ｎ型不純物源である燐を選択的に拡散すること
によって、第４図（ｂ）のように、表面濃度１ Ｘ １
０１８ｃｍ−’、拡拡散式６μｍのダイオード領域１５
が形成される。次に、第４図（Ｃ）のように、ホトエツ
チングによってベース拡散用の窓開けを行ない、この窓
を通して、Ｐ型不純物源であるボロンを選択的に拡散す
ることによって、表面濃度５ Ｘ １０”’ ｃｍ−’
、拡拡散式１０μｍのベース領域１６を形成し、つづい
て、再び、ホトエツチングによってベース領域１６上の
ＳｉＯ２膜１４にエミッタ領域形成用の窓開けを行ない
、この窓を通して、燐を選択的に拡散することによって
、表面濃度５×１０２０（７）−５，拡散深さ８μｍの
Ｎ＋“型エミッタ領域１７を形成する。しかるのち、ダ
イオード領域１５上のＳ ｉ Ｏ２膜１４に窓開けを行
ない、この窓を通して、ボロンを選択的に拡散すること
によって、第４図（ｄ）のように、表面濃度１×１０１
０２Ｏ１’ 、拡散深さ９μｍのダイオードアノード用
ｐ ＋ ＋型頭域１９を形成する。以上で、トランジス
タの形成に必要な拡散工程が完了したのち、第４図（ｄ
）の図中に示すコレクター、ベースならびにエミッタの
各領域上に電極２０〜２２を形成することによって、ト
ランジスタとダイオードとを有するパワートランジスタ
が形成される。かかる構造によると、パワートランジス
タは半導体基板面に対して垂直方向の構造（縦型）であ
るのに対して、ダイオードは水平方向の構造（横型）と
なる。
グによってコレクタ領域１３の面とは逆の面のＳ ｚ
Ｏ２膜１４にダイオード用の窓開けを行ない、この窓を
通して、Ｎ型不純物源である燐を選択的に拡散すること
によって、第４図（ｂ）のように、表面濃度１ Ｘ １
０１８ｃｍ−’、拡拡散式６μｍのダイオード領域１５
が形成される。次に、第４図（Ｃ）のように、ホトエツ
チングによってベース拡散用の窓開けを行ない、この窓
を通して、Ｐ型不純物源であるボロンを選択的に拡散す
ることによって、表面濃度５ Ｘ １０”’ ｃｍ−’
、拡拡散式１０μｍのベース領域１６を形成し、つづい
て、再び、ホトエツチングによってベース領域１６上の
ＳｉＯ２膜１４にエミッタ領域形成用の窓開けを行ない
、この窓を通して、燐を選択的に拡散することによって
、表面濃度５×１０２０（７）−５，拡散深さ８μｍの
Ｎ＋“型エミッタ領域１７を形成する。しかるのち、ダ
イオード領域１５上のＳ ｉ Ｏ２膜１４に窓開けを行
ない、この窓を通して、ボロンを選択的に拡散すること
によって、第４図（ｄ）のように、表面濃度１×１０１
０２Ｏ１’ 、拡散深さ９μｍのダイオードアノード用
ｐ ＋ ＋型頭域１９を形成する。以上で、トランジス
タの形成に必要な拡散工程が完了したのち、第４図（ｄ
）の図中に示すコレクター、ベースならびにエミッタの
各領域上に電極２０〜２２を形成することによって、ト
ランジスタとダイオードとを有するパワートランジスタ
が形成される。かかる構造によると、パワートランジス
タは半導体基板面に対して垂直方向の構造（縦型）であ
るのに対して、ダイオードは水平方向の構造（横型）と
なる。
第６図は以上説明してきた本発明実施例（典型例）のパ
ワートランジスタと従来のパワートランジスタとのコレ
クター耐圧（ツェナ耐圧）について、そのバラツキを比
較検討した結果を示す特性分布図（ヒストグラムの包絡
曲線図）であり、図示するように本発明のパワートラン
ジスタのバラツキは、従来のものに比べて、著しく小さ
い結果が得られた。また、ダイオードを付加することに
よる効果確認のため、第６図で示すような誘導性負荷（
Ｌ負荷）回路を準備し、テンプサイズが４゜ｍ口で、耐
圧が４００ｖ級のパワートランジスタの各種について耐
エネルギー量について比較検討した。第７図はこの比較
検討結果を示す、Ａはダイオードの付加されていない通
常の従来例パワートランジスタ、Ｂはダイオードを内蔵
する従来例のパワートランジスタ、Ｃは本発明実施例（
典型例）のパワートランジスタ、そして、Ｄは個別のダ
イオード（４００Ｖ級）と従来例の個別のパワートラン
ジスタとを準備し、これらを実体的に組み合せて、複合
素子としたものに関して、それぞれの耐工坏ルギー量を
示す。第７図から明らかなように、特性Ｃの本発明にか
かるパワートランジスタの耐エネルギー量は、特性への
ダイオードを挿入しない従来例パワートランジスタに比
べて約４倍、さらに、特性Ｂの同一半導体基板内にダイ
オードを挿入した従来構造のものに比べて約１．５倍で
あり、これは特性りの個別の・４００Ｖ耐圧ダイオード
を外付けしたものと同等の理想的特性であった。
ワートランジスタと従来のパワートランジスタとのコレ
クター耐圧（ツェナ耐圧）について、そのバラツキを比
較検討した結果を示す特性分布図（ヒストグラムの包絡
曲線図）であり、図示するように本発明のパワートラン
ジスタのバラツキは、従来のものに比べて、著しく小さ
い結果が得られた。また、ダイオードを付加することに
よる効果確認のため、第６図で示すような誘導性負荷（
Ｌ負荷）回路を準備し、テンプサイズが４゜ｍ口で、耐
圧が４００ｖ級のパワートランジスタの各種について耐
エネルギー量について比較検討した。第７図はこの比較
検討結果を示す、Ａはダイオードの付加されていない通
常の従来例パワートランジスタ、Ｂはダイオードを内蔵
する従来例のパワートランジスタ、Ｃは本発明実施例（
典型例）のパワートランジスタ、そして、Ｄは個別のダ
イオード（４００Ｖ級）と従来例の個別のパワートラン
ジスタとを準備し、これらを実体的に組み合せて、複合
素子としたものに関して、それぞれの耐工坏ルギー量を
示す。第７図から明らかなように、特性Ｃの本発明にか
かるパワートランジスタの耐エネルギー量は、特性への
ダイオードを挿入しない従来例パワートランジスタに比
べて約４倍、さらに、特性Ｂの同一半導体基板内にダイ
オードを挿入した従来構造のものに比べて約１．５倍で
あり、これは特性りの個別の・４００Ｖ耐圧ダイオード
を外付けしたものと同等の理想的特性であった。
発明の効果
本発明によれば、安全動作領域が広くなり、パワートラ
ンジスタの品質を大幅に向上することを可能にした。ま
たパワートランジスタを用いて構成されている各種回路
装置において、パワートランジスタの保護のために用い
られる個別のダイオードを排除することが可能となり、
部品点数の削減２回路の簡素化２組立工数の削減、信頼
性の向上などの効果を発揮することが出来る。
ンジスタの品質を大幅に向上することを可能にした。ま
たパワートランジスタを用いて構成されている各種回路
装置において、パワートランジスタの保護のために用い
られる個別のダイオードを排除することが可能となり、
部品点数の削減２回路の簡素化２組立工数の削減、信頼
性の向上などの効果を発揮することが出来る。
第１図および第２図はダイオードを内蔵する従来のパワ
ートランジスタの構造断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）、
第４図体）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明実施例のパワ
ートランジスタの製造工程断面図、第５図は本発明実施
例（典型例）のパワートランジスタと従来のパワートラ
ンジスタとのコレクター耐圧の比較検討結果を示す特性
分布図、第６図は耐エネルギー量測定用のＬ負荷回路図
、第７図は各種パワートランジスタの耐エネルギー量の
測定結果を示す特性図である。 １．１２・・・・・・シリコン基板、２．１３・・・・
・高濃度コレクター領域、３．１６・・・・・・ベース
領域、４゜１７・・・・・・エミッタ領域、５・・・・
・・ベースコンタクト用高濃度領域、６．６’、１６．
１９・・・・・・ダイオード領域、了、１４・・・・・
・Ｓ ｉＯ２膜、８〜１１．２０〜２２・・・・・・電
極、２３・・・・・・チャンネルしゃ新領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図 第 ３ 図 ＠４図 第５図 第７図 ハ １３ Ｃν 手続補正書 昭ｎ＋ｓｏ年１ 月／７日
ートランジスタの構造断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）、
第４図体）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明実施例のパワ
ートランジスタの製造工程断面図、第５図は本発明実施
例（典型例）のパワートランジスタと従来のパワートラ
ンジスタとのコレクター耐圧の比較検討結果を示す特性
分布図、第６図は耐エネルギー量測定用のＬ負荷回路図
、第７図は各種パワートランジスタの耐エネルギー量の
測定結果を示す特性図である。 １．１２・・・・・・シリコン基板、２．１３・・・・
・高濃度コレクター領域、３．１６・・・・・・ベース
領域、４゜１７・・・・・・エミッタ領域、５・・・・
・・ベースコンタクト用高濃度領域、６．６’、１６．
１９・・・・・・ダイオード領域、了、１４・・・・・
・Ｓ ｉＯ２膜、８〜１１．２０〜２２・・・・・・電
極、２３・・・・・・チャンネルしゃ新領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図 第 ３ 図 ＠４図 第５図 第７図 ハ １３ Ｃν 手続補正書 昭ｎ＋ｓｏ年１ 月／７日
Claims (1)
- コレクタ領域内にベース領域、同ベース領域内にエミ
ッタ領域が、それぞれ、選択的に作り込まれ、前記ベー
ス領域に隣接する前記コレクタ領域に高濃度コレクタ領
域が選択的に作り込まれ、さらに前記高濃度コレクタ領
域の表面部分に反対導電型の高濃度領域が設けられた構
造をそなえた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21962284A JPS6197968A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21962284A JPS6197968A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197968A true JPS6197968A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16738410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21962284A Pending JPS6197968A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567155U (ja) * | 1992-02-10 | 1993-09-03 | 株式会社三協精機製作所 | 回転電機 |
| JP2006196661A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP21962284A patent/JPS6197968A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567155U (ja) * | 1992-02-10 | 1993-09-03 | 株式会社三協精機製作所 | 回転電機 |
| JP2006196661A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
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