JP4830074B2 - 圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法に関するものである。

電子デバイスには、内蔵電子部品を搭載したパッケージベースおよび蓋体を備えたものがある。この電子デバイスの製造工程の一例は、次のようになっている。すなわち凹陥部を設けたパッケージベースに内蔵電子部品を搭載した後、このパッケージベースの上面に低融点ガラスを介して透明な蓋体を載せる。そしてパッケージベースおよび蓋体に向かってハロゲンランプから光を照射して、ハロゲンランプから照射される赤外線で低融点ガラスが溶融する。これによりパッケージベースと蓋体が接合して、電子デバイスが製造される。なお、このような製造方法について開示したものとしては特許文献１がある。
特開２００４−６６８１号公報

前述したパッケージベースと蓋体の接合方法では、パッケージベースや蓋体にハロゲンランプから照射した光が当たるので、パッケージベースや内蔵電子部品、蓋体の全体が加熱される。そして内蔵電子部品として集積回路（ＩＣ）チップをパッケージベースに搭載している場合は、ＩＣチップがこの熱に耐えられず壊れて動作しなくなってしまう。

また電子デバイスの生産効率を向上するためには、低融点ガラスを早く溶融して、パッケージベースと蓋体を接合する時間を少しでも短縮する必要がある。ところが蓋体に光透過性の基板を用いた場合は、ハロゲンランプから照射される赤外線が蓋体を透過してしまい、この赤外線を効率良く使用することができないでいた。

本発明は、パッケージベースと蓋体の接合時に内蔵電子部品が高温になるのを防止するとともに、蓋体に供給される赤外線を効率的に使用する圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る圧電デバイスは、凹陥部を備えたパッケージベースと、前記凹陥部に搭載した圧電振動片と、前記圧電振動片に導通し、前記凹陥部に搭載したＩＣチップと、接合材を介して前記パッケージベースに接合し、凹陥部を封止する光透過性の蓋体とを有し、前記蓋体は、実質的に前記凹陥部の方に向いた表面のみに赤外線反射膜を備えたことを特徴としている。圧電デバイスの内部に向いた蓋体表面に赤外線反射膜を設けているので、圧電振動片やＩＣチップに赤外線が当たるのを防止でき又は圧電振動片やＩＣチップに当たる赤外線の量を削減することができ、ＩＣチップが高温になって壊れるのを防止できる。また蓋体は、外部から照射された赤外線及びその下面にある赤外線反射膜で反射された赤外線によって加熱されるので赤外線を効率的に使用できる。よって蓋体は、短時間で加熱される。
前記赤外線反射膜は、可視光の少なくとも一部を透過することを特徴としている。

また本発明に係る圧電デバイスは、凹陥部とは反対に向いた蓋体の表面に赤外線反射防止膜を設けたことを特徴としている。圧電デバイスの外部に向いた蓋体表面に赤外線反射防止膜を設けているので、この蓋体表面で赤外線が反射するのを防止できる。これにより蓋体は、照射される赤外線を効率的に使用でき、短時間で加熱される。
前記蓋体にレンズが配置されていることを特徴としている。

そして前述した接合材は、照射された赤外線によって溶融する、蓋体よりも融点の低い低融点ガラスであることを特徴としている。これにより照射された赤外線によって低融点ガラスを溶融して、蓋体とパッケージベースを接合できる。

また前述した圧電振動片は、ジャイロセンサ用の圧電振動片であることを特徴としている。これによりジャイロ用圧電振動片やＩＣチップ等に赤外線が照射されるのを防止でき又はジャイロ用圧電振動片やＩＣチップ等に照射される赤外線の量を削減できる。また、この圧電ジャイロのパッケージに用いた蓋体は、照射される赤外線を効率的に使用して短時間で接合材の溶融温度に到達するので、蓋体とパッケージベースとの接合時間を短縮できる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法は、実質的に表面のみに赤外線反射膜が形成された光透過性の蓋体を用意し、パッケージベースに形成された凹陥部に圧電振動片を搭載し、接合材を介してパッケージベース上に、前記凹陥部の方に向いた表面に前記赤外線反射膜が配置されるように蓋体を載せて、凹陥部を蓋体で覆い、ハロゲンランプから赤外線を照射して接合材を溶融し、パッケージベースと蓋体を接合することを特徴としている。これにより蓋体は、照射される赤外線を効率的に使用して短時間で高温になる。また蓋体に赤外線反射膜を設けた場合は、この蓋体によって内蔵電子部品に赤外線が照射されるのを防止でき又は内蔵電子部品に照射される赤外線の量を削減できる。

以下に、本発明に係る圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法の実施形態について説明する。なお以下の実施形態では、電子デバイスとして圧電デバイスを用いた形態について説明する。まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る圧電デバイスの断面図である。圧電デバイスの概略構成は、次のようになっている。すなわち圧電デバイス１０はパッケージ３０を有している。このパッケージ３０は、凹陥部３６を備えたパッケージベース３２と、このパッケージベース３２の上面に接合して凹陥部３６を封止した蓋体２０とを有している。パッケージベース３２は、圧電振動片７０、中間基板５０およびＩＣチップ１４を凹陥部３６に搭載している。そしてパッケージベース３２と蓋体２０は、ハロゲンランプを用いて接合材６６を溶融して固着している。

具体的に説明すると、蓋体２０は、光を透過する基板２２（光透過性基板）を有している。また蓋体２０は、基板２２の下面にレンズ２４を備えている。このレンズ２４は、圧電振動片７０のバランス調整用のレーザ光を通すものである。そしてレンズ２４は、球面レンズや非球面レンズ、シリンドリカルレンズ、フレネルレンズ等であればよい。さらに基板２２は、その表面に赤外線反射膜２６を備えている。

赤外線反射膜２６は、ハロゲンランプから照射される赤外線を反射するものであり、凹陥部３６の方に向いた蓋体２０（基板２２）の表面（下面）に設けられている。なお赤外線反射膜２６は、パッケージベース３２と蓋体２０の接合箇所に設けられてなく、この接合箇所よりも蓋体２０の中央側に設けられている。そして赤外線反射膜２６は、高屈折率の物質や低屈折率の物質、高屈折率と低屈折率の間にある中間屈折率の物質の中から任意の物質を適宜選択し、この物質を所定の膜厚で積層した構成である。なお屈折率の高低は、可視光域の光学薄膜材料を対象に考えると次のような目安となる。すなわち屈折率は、１．９以上が高屈折率であり、１．６以下が低屈折率であり、１．６より大きく１．９未満が中間屈折率であると便宜的に分けることができる。

この赤外線反射膜２６の一例としては、次の構成であればよい。なお以下に示すλｃは中心波長を示し、基板２２の屈折率や赤外線反射膜２６で反射させる光の波長に応じて中心波長を適宜設定している。まず基板２２の下面に、低屈折率物質を光学的膜厚λｃ／８設ける。次に、この低屈折率物質上に高屈折率物質を光学的膜厚λｃ／４設ける。次に、この高屈折率物質上に低屈折率物質を光学的膜厚λｃ／８設ける。そしてこの３層をＰ回繰り返す。ここで、低屈折率物質の光学的膜厚λｃ／４をＬで表すとともに、高屈折率物質の光学的膜厚λｃ／４をＨで表すと、赤外線反射膜２６の構成は（Ｌ／２ＨＬ／２）^Ｐ／基板となる。このような構成の赤外線反射膜２６は、可視光域を透過して、赤外域を反射・阻止する長波長カットフィルタとなる。

なお、この３層積層系で得られる赤外線反射域が狭い場合、すなわち反射させる波長領域を広げたい場合は、前述した３層積層系よりも光学的膜厚を厚くした３層積層系を追加すればよい。また、このように３層積層系を追加すると、可視光域において反射率が高くなってしまう部分が生じることが有るが、後述するレーザ光を透過できればよいので、この部分は問題にならない。
またハロゲンランプは、可視光から近赤外域までの波長、すなわち約１．５μｍまでの波長の光を照射できる。このため赤外線反射膜２６は、このハロゲンランプから照射される赤外線を少なくとも反射するように設計されている。

そして圧電デバイス１０を構成するパッケージベース３２は、その裏面に外部端子３４を備えている。またパッケージベース３２は、底面上の周縁に側壁を形成することにより、上方に向けて開口した凹陥部３６を有している。さらにパッケージベース３２は、凹陥部３６の側面を階段状に形成してなる階段部３８を有している。この階段部３８の上面にマウント電極４０を設けるとともに、凹陥部３６の底面にボンディング電極４２を設ける。このボンディング電極４２は複数有り、そのうちの一部がマウント電極４０と導通し、他が外部端子３４と導通している。このようなパッケージベース３２の底面にＩＣチップ１４を搭載して、ＩＣチップ１４とマウント電極４０が導通している。このＩＣチップ１４は、圧電振動片７０に電気信号を供給するとともに、圧電振動片７０から出力された信号を入力するものである。

そしてパッケージベース３２に形成された階段部３８の上に中間基板５０を設ける。図２は圧電振動片および中間基板の説明図である。ここで図２（Ａ）は圧電振動片の概略平面図であり、図２（Ｂ）は中間基板の概略平面図である。中間基板５０は、図２（Ｂ）に示すように、樹脂等で形成した絶縁基板５２を備えている。この絶縁基板５２は枠型であり、その中央部にデバイスホール５４を設けている。この絶縁基板５２の下面に複数のリード５６が固着している。リード５６は、絶縁基板５２の周縁部からデバイスホール５４の中央付近まで延びており、デバイスホール５４の部分で上方に向かって折り曲げられている（図１参照）。そして、この折り曲げられたリード５６の先端部５６ａに圧電振動片７０が接合している。この接合には、例えばバンプ６０を用いればよい。またリード５６の基端部５６ｂは、導電性接着剤６２等を用いてマウント電極４０と接合している。

また図２（Ａ）に示す圧電振動片７０は圧電ジャイロ用であり、その中央部に基部７２を備えている。この基部７２には、左右方向に延びる支持部７４が接続している。すなわち支持部７４は、基部７２の外形を形成する左右それぞれの辺の中央から突き出ている。そして支持部７４の先端部に、上下方向に延びる駆動アーム７６を設けている。各駆動アーム７６の先端部に、これらのバランスを取るためのバランス調整部７８を設けている。このバランス調整部７８は、錘となる金属であればよい。また基部７２には、上下方向に延びる検出アーム８０が接続している。すなわち検出アーム８０は、基部７２の外形を形成する上下それぞれの辺の中央から、駆動アーム７６に対して平行に突き出ている。

そして駆動アーム７６に駆動電極（図示せず）を設けるとともに、検出アーム８０に検出電極（図示せず）を設けている。そして基部７２の裏面には、前記駆動電極と導通する接続電極（図示せず）を設けるとともに、前記検出電極と導通する接続電極（図示せず）を設けている。これらの接続電極は、バンプ６０を介してリード５６の先端部５６ａに接合している。これにより中間基板５０等を介して圧電振動片７０とＩＣチップ１４が導通する。

そしてパッケージベース３２の上面に前述した蓋体２０が接合している。このとき圧電デバイス１０の内側に向いた蓋体２０の下面に赤外線反射膜２６を設けている。このパッケージベース３２と蓋体２０の間に、接合材６６として低融点ガラスを設けている。この低融点ガラスは、蓋体２０を構成する基板２２よりも融点が低いものである。

次に、圧電デバイス１０の製造方法について説明する。まず蓋体２０の製造方法は次のようになっている。蓋体２０の形状に倣う金型を用意する。そして基板２２がガラス基板の場合は、この金型内にガラスを入れて、金型に配設してある加熱装置でガラスを加熱する。ガラスを軟化点程度まで加熱したら、ガラスに圧力を加えて成形する。この後加熱を止めて、ガラスを金型から取り出せばレンズ２４付きの蓋体２０が得られる。

この後、赤外線反射膜２６を形成するために、この蓋体２０を成膜装置内に入れる。この成膜装置には、例えば物理的気相成長法を利用する真空蒸着装置、スパッタ装置、イオンプレーティング装置またはイオンビームアシスト真空蒸着装置等や、化学気相成長法を利用する装置、液相からの成膜を行う装置を用いることができる。そして成膜装置の材料供給源から蓋体２０に材料を供給して、前述した赤外線反射膜２６の膜構成になるように成膜する。これにより赤外線反射膜２６が基板２２に形成される。

また圧電デバイス１０の製造方法は次のようになっている。凹陥部３６を備えたパッケージベース３２の底面にＩＣチップ１４を搭載して、ＩＣチップ１４とボンディング電極４２を導通する。また圧電振動片７０と中間基板５０を接合する。具体的な一例としては、まず圧電振動片７０の裏面に形成した前記接続電極にバンプ６０を形成する。次に、中間基板５０を構成しているリード５６の先端部５６ａと前記接続電極が平面視して重なるように圧電振動片７０と中間基板５０を上下に配置する。そして中間基板５０から圧電振動片７０に向かってボンディングツールを移動する。このときボンディングツールはデバイスホール５４を通過するので、前記ボンディングツールでリード５６を折り曲げつつ、リード５６の先端部５６ａを圧電振動片７０の前記接続電極（バンプ６０）に接合する。なおこの接合は、加熱圧着や超音波を用いて行えばよい。そしてパッケージベース３２に形成したマウント電極４０に前記導電性接着剤６２を塗布する。この後、圧電振動片７０が接合された中間基板５０をマウント電極４０の上に搭載する。このときマウント電極４０とリード５６が導電性接着剤６２を介して１対１に導通している。

この後、パッケージベース３２（凹陥部３６を形成する前記側壁）の上面に蓋体２０を接合する。この接合は、例えば次のようにして行う。パッケージベース３２の上面および蓋体２０の下面周縁部の少なくともいずれか一方に接合材６６を設けておき、接合材６６を介してパッケージベース３２の上面に蓋体２０を載せる。そしてハロゲンランプから光を照射して蓋体２０を加熱する。

このとき蓋体２０の下面に赤外線反射膜２６が形成してあるので、蓋体２０内（基板２２）を透過してきた赤外線を蓋体２０内に戻している。これにより凹陥部３６内に赤外線が当たることがなく、又は凹陥部３６内に当たる赤外線の量が減少するので、ＩＣチップ１４が高温になって壊れることはない。またハロゲンランプから照射された赤外線を効率的に使用して蓋体２０を加熱し、接合材６６を溶融しているので、蓋体２０とパッケージベース３２とが接合する。なお蓋体２０の周縁部では基板２２が表面に露出しているので、蓋体２０とパッケージベース３２とが確実に接合する。このときパッケージベース３２と蓋体２０の接合を真空中で行い、またはパッケージベース３２に貫通孔を設けておき、パッケージベース３２と蓋体２０を接合した後に凹陥部３６を真空にして、前記貫通孔に孔封止材を設ければ、圧電振動片７０は真空封止される。

この後、蓋体２０を通してレーザ光を圧電振動片７０のバランス調整部７８に照射し、圧電振動片７０のチューニングを行う。具体的には、バランス調整部７８の上方にレンズ２４を配置しているので、圧電デバイス１０の外側からこのレンズ２４に向けてレーザ光を照射する。そしてレンズ２４が凸レンズの場合は、このレンズ２４でレーザ光を集光し、この集光したレーザ光でバランス調整部７８を形成する金属を蒸散することにより質量を削減して駆動アーム７６のバランスを調整する。なおレンズ２４の焦点距離は、レンズ２４からバランス調整部７８までの距離である。またレンズ２４が凹レンズの場合は、このレンズ２４でレーザ光を平行光にし、この平行光となったレーザ光でバランス調整部７８を形成する金属を蒸散することにより質量を削減して駆動アーム７６のバランスを調整する。このようなチューニングにより駆動アーム７６のバランスが取れるので、圧電デバイス１０が静止しているときにノイズを出力することがない。なおレーザ光には、可視光域の波長を用いればよい。このような方法により圧電デバイス１０（圧電ジャイロ）が完成する。

このような蓋体２０によれば、赤外線を下面で反射できるので、蓋体２０の上面から下面方向に赤外線が透過するのを防止できる。このため蓋体２０は、ハロゲンランプから照射された赤外線を効率的に使用でき、短時間で接合材６６の溶融温度に到達できる。

またこのような蓋体２０を設けた圧電デバイス１０によれば、接合材６６を短時間で溶融できるので、パッケージベース３２と蓋体２０の接合時間を短縮できる。また圧電デバイス１０に搭載したＩＣチップ１４に赤外線が当たらなくなり、または赤外線の照射量が減少するので、ＩＣチップ１４が高温になって壊れるのを防止できる。

また蓋体２０に設けられたレンズ２４が凸レンズであれば、レーザ光をバランス調整部７８に集光できるので、圧電振動片７０以外の部分にレーザ光が当たるのを防止できる。したがってパッケージベース３２の底面がレーザ光によって損傷を受けて、この損傷を受けた箇所で生じた微粒子が凹陥部３６の内部に飛散し、凹陥部３６の真空度が悪化するのを防止できる。また蓋体２０に設けられたレンズ２４が凹レンズであれば、レーザ光をバランス調整部７８に均等に照射できるので、バランス調整部７８を削る時間を短縮できる。

また圧電振動片７０とパッケージベース３２の底面との間に中間基板５０があり、バランス調整部７８の下方に中間基板５０があるので、仮にレーザ光がバランス調整部７８を透過したとしても、この透過レーザ光を中間基板５０で吸収できる。よってパッケージベース３２が損傷するのを防止できる。なお中間基板５０（絶縁基板５２）は樹脂等で形成されているので、レーザ光が照射されたとしても微粒子を発生させることはない。

次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態に係る圧電デバイスは、第１の実施形態で説明した圧電デバイスの構成に加えて、蓋体（基板）の表面に赤外線反射防止膜を設けた構成である。このため第２の実施形態では、第１の実施形態で説明した箇所の説明を省略する。

図３は第２の実施形態に係る圧電デバイスの断面図である。まず基板２２の表面は光を反射する。例えば、基板２２の屈折率が１．５であれば１面あたり約４％の光を反射し、基板２２の屈折率が１．７であれば１面あたり約７％の光を反射する。このため基板２２の表面において、ハロゲンランプから照射された赤外線が反射するのを防止するために、赤外線反射防止膜２８を設けてある。すなわち凹陥部３６とは反対に向いた蓋体２０（基板２２）の表面（上面）に赤外線反射防止膜２８を設けている。

この赤外線反射防止膜２８は、高屈折率物質や低屈折率物質、中間屈折率物質の中から任意の物質を選択し、この物質を所定の膜厚で積層した構成であればよい。赤外線反射防止膜２８の一例としては、次の構成であればよい。すなわち基板２２の上面に、第１層として高屈折率物質を設ける。次に第２層として、第１層と異なる高屈折率物質を設ける。次に第３層として、第１層と同じまたは異なる高屈折率物質を設ける。次に第４層として、中間屈折率物質を設ける。なお第１層から第４層の各光学的膜厚は、ハロゲンランプから照射される赤外線を反射するように適宜設定すればよい。

また赤外線反射防止膜２８は、次のような構成であってもよい。すなわち赤外線反射防止膜２８は、低屈折率物質と高屈折率物質を基板２２の上面に設けた２層構造や、低屈折率物質と中間屈折率物質を基板２２の上面に設けた２層構造であってもよい。また赤外線反射防止膜２８は、低屈折率物質、高屈折率物質および中間屈折率物質を基板２２の上面に設けた３層構造または４層構造であってもよい。より具体的な構成の一例を示すと、Ｌ２Ｈ／基板、ＬＭ／基板、Ｌ２Ｍ／基板、ＬＨ_１Ｈ_２Ｍ／基板等である。なおＭは、中間屈折率物質の光学的膜厚λｃ／４を表している。またＨ_１とＨ_２は、異なる高屈折率物質を光学的膜厚λｃ／４設けたものを表している。そしてこの場合、中心波長λｃは、ハロゲンランプから照射される赤外線を反射するように適宜設定されればよい。

さらに赤外線反射防止膜２８は、屈折率が基板２２よりも小さい物質を基板２２の表面に単層設けた構成であってもよい。具体的には、基板２２よりも屈折率が小さい低屈折率物質を光学的膜厚λｃ／４だけ基板２２の上面に設ける。すなわち赤外線反射防止膜２８をＬ／基板という構成にする。この場合においても、中心波長λｃは、ハロゲンランプから照射される赤外線を反射するように適宜設定されればよい。
なおハロゲンランプは、可視光から近赤外域までの波長、すなわち約１．５μｍまでの波長の光を照射できる。このため赤外線反射防止膜２８は、このハロゲンランプから照射される赤外線を少なくとも反射防止するように設計されている。

そして赤外線反射防止膜２８は、第１の実施形態で説明した赤外線反射膜２６と同様に形成できる。すなわち赤外線反射膜２６および赤外線反射防止膜２８を蓋体２０に形成するために、まず蓋体２０を成膜装置内に入れる。そして赤外線反射膜２６および赤外線反射防止膜２８のうちいずれか一方を形成するために、成膜装置の材料供給源から蓋体２０に材料を供給して前述した膜構成になるように成膜する。この後、基板を反転して、赤外線反射膜２６および赤外線反射防止膜２８のうちの他方を形成するために、成膜装置の材料供給源から蓋体２０に材料を供給して前述した膜構成になるように成膜する。これにより赤外線反射膜２６および赤外線反射防止膜２８が基板２２に形成される。

そして赤外線反射膜２６および赤外線反射防止膜２８を備えた蓋体２０は、赤外線反射膜２６が設けられた面を圧電デバイス１０の内側に向けるとともに、赤外線反射防止膜２８が設けられた面を圧電デバイス１０の外側に向けて、パッケージベース３２の上面に接合している。

なお蓋体２０をパッケージベース３２に接合する時において、赤外線反射防止膜２８は、ハロゲンランプから照射された光（赤外線）が蓋体２０の表面で反射するのを防止している。これにより蓋体２０には、赤外線が効率的に供給される。また赤外線反射膜２６は、蓋体２０内（基板２２）を透過してきた赤外線を蓋体２０内に戻している。これにより凹陥部３６内に赤外線が当たることがなく、又は凹陥部３６内に当たる赤外線の量が減少するので、ＩＣチップ１４が高温になって壊れることがない。また蓋体２０には、赤外線が効率的に供給される。よって、この蓋体２０を用いると、ハロゲンランプから照射された赤外線を効率的に使用でき、短時間で接合材６６の溶融温度に到達できる。

そして前述した第１および第２の実施形態は蓋体２０にレンズ２４を設けた形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはない。すなわち蓋体２０は、平板であってもよい。そしてレンズ２４を設けていない平板の蓋体２０であっても、前述した赤外線反射膜２６および赤外線反射防止膜２８を形成すればよい。なお蓋体２０の材料としては、例えばガラスや水晶、サファイア等を用いることができる。

また第１および第２の実施形態では、ＩＣチップ１４を搭載した圧電デバイス１０について説明した。しかし圧電デバイスには、高温にも耐え得る内蔵電子部品、例えば圧電振動片７０のみを搭載した振動子タイプのものもある。このような場合には、赤外線反射膜２６および赤外線反射防止膜２８の少なくともいずれか一方を蓋体２０に設けることができる。これにより蓋体２０には、赤外線が効率的に供給されるので、短時間で接合材６６の溶融温度に到達できる。

また赤外線反射膜２６や赤外線反射防止膜２８は、レーザ光が透過する部分以外、すなわちレンズ２４付きの蓋体２０であればレンズ２４の部分以外に設けられた構成であってもよく、またレンズ２４が付いていない平板の蓋体２０であればレーザ光が透過する部分以外に設けられた構成であってもよい。なおこのような赤外線反射膜２６や赤外線反射防止膜２８は、蓋体２０におけるレーザ光が通過する部分にマスクを被せた後、このマスクに覆われていない部分に膜材料を成膜し、最後にマスクを除去して形成すればよい。これにより赤外線反射膜２６等の構成にかかわらず、蓋体２０を介してレーザ光を圧電振動片７０のバランス調整部７８に照射できる。そして、このような構成であっても、ＩＣチップ１４が高温になって壊れるのを防止できる。なお赤外線反射膜２６は、少なくともＩＣチップ１４の平面方向サイズと同じ大きさを有し、平面視してＩＣチップ１４と重なるように蓋体２０に設けてあればよい。

また前述した実施形態では、特にジャイロ用の圧電振動片７０を用いた圧電ジャイロを例にして説明したが、本発明はこれに限定されることはない。すなわち圧電振動片７０として、ＡＴカット圧電基板等を用いた圧電振動片や音叉型圧電振動片、弾性表面波共振片を用いることができる。このような圧電振動片を搭載した圧電デバイス（圧電振動子や圧電発振器等）であっても、本発明を適用することができる。また本発明は、圧電振動片７０等以外の他の内蔵電子部品をパッケージベース３２の凹陥部３６に搭載し、この凹陥部３６を蓋体２０で封止する構成に適用することができる。

第１の実施形態に係る圧電デバイスの断面図である。 圧電振動片および中間基板の説明図である。 第２の実施形態に係る圧電デバイスの断面図である。

符号の説明

１０………圧電デバイス、１４………ＩＣチップ、２０………蓋体、２２………光透過性基板、２６………赤外線反射膜、２８………赤外線反射防止膜、３２………パッケージベース、３６………凹陥部、５０………中間基板、６６………接合材、７０………圧電振動片。

Claims (7)

1. 凹陥部を備えたパッケージベースと、
   前記凹陥部に搭載した圧電振動片と、
   前記圧電振動片に導通し、前記凹陥部に搭載したＩＣチップと、
   接合材を介して前記パッケージベースに接合し、前記凹陥部を封止する光透過性の蓋体とを有し、
   前記蓋体は、実質的に前記凹陥部の方に向いた表面のみに赤外線反射膜を備えた、
   ことを特徴とする圧電デバイス。
2. 前記赤外線反射膜は、可視光の少なくとも一部を透過することを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記凹陥部とは反対に向いた前記蓋体の表面に赤外線反射防止膜を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の圧電デバイス。
4. 前記蓋体にレンズが配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
5. 前記接合材は、前記蓋体よりも融点の低い低融点ガラスであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
6. 前記圧電振動片は、ジャイロセンサ用の圧電振動片であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
7. 実質的に表面のみに赤外線反射膜が形成された光透過性の蓋体を用意し、
   パッケージベースに形成された凹陥部に圧電振動片を搭載し、
   接合材を介して前記パッケージベース上に、前記凹陥部の方に向いた表面に前記赤外線反射膜が配置されるように前記蓋体を載せて、前記凹陥部を前記蓋体で覆い、
   赤外線を照射して前記接合材を溶融し、前記蓋体と前記パッケージベースを接合する、
   ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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