JP2001068577A - 電子部品用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

電子部品用パッケージ及びその製造方法

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JP2001068577A
JP2001068577A JP2000179900A JP2000179900A JP2001068577A JP 2001068577 A JP2001068577 A JP 2001068577A JP 2000179900 A JP2000179900 A JP 2000179900A JP 2000179900 A JP2000179900 A JP 2000179900A JP 2001068577 A JP2001068577 A JP 2001068577A
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康治 渡邊
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化及び低廉化を図ることができる電子部
品用パッケージ及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 電子部品用パッケージ30は、電子部品
を収納するためのベース部31と、前記電子部品が前記
ベース部に収納された状態で前記ベース部を密封するた
めの蓋部32とを備えている。そして、前記蓋部と対向
する前記ベース部の面に、表面が平坦化された金属膜3
3を成膜し、前記蓋部と前記ベース部を前記金属膜を介
して封止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を収納す
るためのベース部及びこのベース部を密封するための蓋
部を有する電子部品用パッケージ及びその製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、モバイルコンピュータ、ハードデ
ィスク装置あるいはICカード等の情報機器や、携帯電
話、自動車電話あるいはページングシステム等の移動通
信機器においては、小型薄型化がめざましく、それらに
用いられる圧電振動子、圧電発振器、SAWデバイス等
の圧電デバイス(圧電装置)も小型薄型化が要求されて
いる。また、それとともに、各機器の回路基板に表面実
装が可能な表面実装型の圧電装置が求められている。こ
のため、圧電振動素子を電子部品用パッケージに収納し
た構成の圧電装置が開発されている。
【0003】図19は、一般的な電子部品用パッケージ
に圧電振動素子及びIC(Integrated Ci
rcuit)が収納された構成の圧電発振器を示す一部
断面斜視図、図20は、その概略断面側面図である。
【0004】この圧電発振器10Aの電子部品用パッケ
ージ10は、板状の圧電振動素子14を収納する空間部
11a及びIC15を収納する一段低い空間部11bが
形成された箱状のベース部11と、各空間部11a、1
1bを密封するようにシームリング13を介してベース
部11に接合された板状の蓋部12を備えている。
【0005】ベース部11は、蓋部12との接合面に例
えばタングステン(W)メタライズ膜とニッケル(N
i)メッキ膜で成る金属被覆層が積層成膜されたアルミ
ナ等のセラミック体で成り、このセラミックのシートを
積層等することにより形成されている。
【0006】蓋部12は、全表面に封止材として例えば
ニッケルメッキ膜が成膜された鉄(Fe)、ニッケル、
コバルト(Co)の合金であるコバール金属板で成り、
この金属の板材を打ち抜くことにより形成されている。
【0007】シームリング13は、図22(A)及び
(B)の平面図及びA−A線断面側面図に示すような矩
形環状の例えばコバールや鉄、ニッケルの合金である4
2アロイの金属板13aに、銀(Ag)等のロー材13
bが圧延接合されて成り、この所謂クラッド材を打ち抜
くことにより形成されている。なお、金属板とロー材を
別々に打ち抜いてもよい。
【0008】このような構成のシームリング13は、ロ
ー材13b側がベース部11の接合面に向くようにして
ベース部11上に載置されて約400°Cに加熱され
る。これにより、シームリング13のロー材13bが溶
融され、シームリング13とベース部11とが接合され
る。続いて、電気的接続を良好にするための金メッキ膜
が、シームリング13から金属被覆層にかけて成膜され
る。そして、蓋部12が、シームリング13上に載置さ
れて通電される。これにより、蓋部12のニッケルメッ
キ膜がジュール熱により溶融され、ベース部11の金メ
ッキと共晶状態を形成し、蓋部12とシームリング13
とが接合、即ちシーム溶接される。尚、ロー材13b
は、シームリング13に形成せずに、ベース部11上に
形成してもよい。
【0009】圧電振動素子14は、表裏面に励振電極1
4a及び接続電極14bが設けられた例えば水晶で形成
されている。この圧電振動素子14は、一端部側の接続
電極14bが空間部11a内に配設されている電極11
c上に導電性接着剤16を介して接続固定され、他端部
側が自由端とされている。これにより、接続電極14b
を介して励振電極14aに印加される駆動電圧によっ
て、所定の周波数で振動できるようになっている。
【0010】IC15は、空間部11bの底部に形成さ
れている導電パターン上にマウントされ、さらに空間部
11b内に配設されている電極と接続されている。これ
により、圧電振動素子14に所定の駆動電圧を与えて振
動させ、その出力をIC15に入力することにより、所
定の周波数の信号を取り出すようになっている。
【0011】図21は、一般的な電子部品用パッケージ
に圧電振動素子が収納された構成の圧電振動子の構造を
示す概略断面側面図である。
【0012】この圧電振動子20Aの電子部品用パッケ
ージ20は、電極上に導電性接着剤26を介して接続固
定された圧電振動素子24が、ベース部21の空間部2
1a内に収納され、シームリング23を介して蓋部22
で密封されており、図20の電子部品用パッケージ10
とはIC15が収納されていない点を除き、概略的には
同じ構成である。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電子部
品用パッケージ10、20では、ベース部11、21と
蓋部12、22の接合にシームリング13、23を使用
しているため、非常に高価なものとなっていた。また、
シームリング13、23は、一定の厚みを有するので、
電子部品用パッケージ10、20の低背化にも限界があ
った。このような欠点を解消するため、特開平9−24
6415号公報や特開平11−40690号公報に開示
されているような、シームリングを用いずに、ロー材が
直接設けられている蓋部をベース部上に載置し、電子ビ
ームの照射によりロー材を溶融させて蓋部とベース部を
接合する電子部品用パッケージが提案されている。
【0014】ところが、このような電子部品用パッケー
ジでも、なおロー材が必要になるため、高価なものとな
っていた。さらに、一般に電子ビーム装置はシーム溶接
装置よりも格段に高価であるため、電子ビームが必須で
ある電子部品用パッケージでは、製造コストが上昇し、
高価なものとなっていた。このような欠点を解消するた
め、特開平8−274203号公報に開示されているよ
うな、ニッケル層とタングステン、モリブデン、マンガ
ンの少なくとも1種から成るメタライズ層とを介して蓋
部とベース部を接合する電子部品用パッケージが提案さ
れている。
【0015】しかし、このような電子部品用パッケージ
では、ニッケル層の厚みが5μm〜30μm必要とな
る。一般に、ニッケル層は電解メッキにより形成される
が、5μm以上と厚くメッキすると、場所によって厚み
にバラツキが生じ、封止条件が安定しないという問題が
あった。さらに、5μm以上と厚くメッキすると、処理
時間が長くなり、製造コストが上昇し、高価なものにな
るという問題があった。
【0016】本発明の目的は、上記課題を解消して、小
型化及び低廉化を図ることができる電子部品用パッケー
ジ及びその製造方法を提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、電子
部品を収納するためのベース部と、前記電子部品が前記
ベース部に収納された状態で前記ベース部を密封するた
めの蓋部とを備えた電子部品用パッケージにおいて、前
記蓋部と対向する前記ベース部の面に、表面が平坦化さ
れた金属膜が成膜されていることを特徴とする電子部品
用パッケージである。
【0018】請求項6の発明は、電子部品をベース部の
収納部の開口から内部に収納し、前記開口を蓋部で覆っ
て前記収納部を密封する電子部品用パッケージの製造方
法において、前記蓋部と対向する前記ベース部の面に、
金属膜を成膜し、前記金属膜の表面を平坦化することを
特徴とする電子部品用パッケージの製造方法である。こ
の請求項1または6の発明では、ベース部に形成された
金属膜と蓋部とを直接溶融接合して封止するパッケージ
としているので、従来必要であったシームリングを不要
とすることができる。さらに、金属膜の平坦面と蓋部が
密着するので、安定した接合を行うことができる。
【0019】請求項2の発明は、請求項1に記載の構成
において、前記金属膜が、複数回の印刷により形成され
ている電子部品用パッケージである。
【0020】請求項3の発明は、請求項1または2に記
載の構成において、前記金属膜の厚さが、50μm以上
である電子部品用パッケージである。
【0021】請求項7の発明は、請求項6に記載の構成
において、複数回印刷することにより前記金属膜を形成
する電子部品用パッケージの製造方法である。
【0022】請求項8の発明は、請求項6または7に記
載の構成において、50μm以上の厚さに前記金属膜を
形成する電子部品用パッケージの製造方法である。
【0023】この請求項2、3、7または8の発明で
は、印刷体の上に印刷体を重ねて形成するようにしてい
るので、金属膜の厚さを50μm以上と厚くして、溶融
接合時のベース部に伝わる熱衝撃を緩和することができ
る。
【0024】請求項4の発明は、請求項1、2または3
に記載の構成において、前記蓋部の表面に、無電解メッ
キによるメッキ膜が成膜されている電子部品用パッケー
ジである。
【0025】請求項5の発明は、請求項4に記載の構成
において、前記メッキ膜の厚さが、5μm以下である電
子部品用パッケージである。
【0026】請求項9の発明は、請求項6、7または8
に記載の構成において、前記蓋部の表面に、無電解メッ
キによりメッキ膜を成膜する電子部品用パッケージの製
造方法である。
【0027】請求項10の発明は、請求項9に記載の構
成において、5μm以下の厚さに前記メッキ膜を形成す
る電子部品用パッケージの製造方法である。
【0028】この請求項4、5、9または10の発明で
は、蓋部とベース部との接合材に用いるメッキ膜を無電
解メッキにより形成して低融点化しているので、接合温
度を低下させることができる。また、メッキ膜を5μm
以下と薄くしているので、メッキ処理時間を短縮させる
ことができる。
【0029】請求項11の発明は、請求項1乃至5に記
載の構成において、前記蓋部が42アロイあるいはFe
−28Crである電子部品用パッケージである。
【0030】この請求項11の発明では、蓋部が42ア
ロイあるいはFe−28Crであるので、溶接の際、蓋
部に流れる電流が蓋部材としてコバール用いる場合より
小さくなり、表面が平坦化された金属膜に流れる電流を
大きくできるので、電流が大き過ぎることにより蓋部が
焼けたりパッケージ内の電子部品に悪影響が及ぶことを
回避することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
【0032】尚、以下では、本発明の電子部品用パッケ
ージとして圧電発振器に適用した場合を説明するが、本
発明は、圧電振動子、SAWデバイス等の圧電装置やC
PU(Central Processing Uni
t)等の半導体装置全般に対して適用可能である。
【0033】図1は、本発明の電子部品用パッケージの
実施形態に圧電振動素子及びICが収納された構成の圧
電発振器を示す一部断面斜視図、図2は、その概略断面
側面図である。
【0034】この圧電発振器30Aの電子部品用パッケ
ージ30は、板状の圧電振動素子34を収納する空間部
31a及びIC35を収納する一段低い空間部31bが
形成された箱状のベース部31と、各空間部31a、3
1bを密封するようにメタライズ膜33を介してベース
部31に接合された板状の蓋部32を備えている。
【0035】この電子部品用パッケージ30は、従来の
電子部品用パッケージ10の金属板13aとロー材13
bで成るシームリング13の代わりに、メタライズ膜3
3を用いて封止する点に特徴がある。
【0036】ベース部31は、蓋部32との接合面にメ
タライズ膜33が積層成膜されたアルミナ等のセラミッ
ク体で成り、このセラミックのシートを積層等すること
により形成されている。このメタライズ膜33は、図3
に示す図2のA部分の拡大図のように、順次下から例え
ば厚さが50μm以上の複数層(この例では2層)に積
層され、かつ表面が平坦化されたタングステンメタライ
ズ膜33a、33bと、ニッケルメッキ膜33cと、金
メッキ膜33dでなっている。尚、タングステンメタラ
イズ膜33a、33bは、高融点金属であれば例えばモ
リブデン等のメタライズ膜でもよい。
【0037】蓋部32は、全表面に封止材として例えば
厚さが5μm以下の無電解ニッケルメッキ膜32aが成
膜された鉄、ニッケル、コバルトの合金であるコバール
金属板32bで成り、この金属の板材を打ち抜くことに
より形成されている。尚、蓋部32の金属板32bの材
料としては、アルミナ等のセラミックの線膨張係数に近
いコバールが多用されるが、その他に例えば42アロイ
やFe−28Cr等が用いられる。
【0038】この蓋部32は、ベース部31上に載置さ
れて通電される。これにより、蓋部32の無電解ニッケ
ルメッキ膜32aがジュール熱により溶融され、ベース
部31の金メッキと共晶状態を形成し、蓋部32とベー
ス部31とが接合、即ちシーム溶接される。ここで、タ
ングステンメタライズ膜33a、33bは2層と厚く形
成されているので、シーム溶接時の熱衝撃がベース部3
1に伝わり難く、ベース部31の割れを防止することが
できる。さらに、タングステンメタライズ膜33a、3
3bの表面が平坦化されているので、蓋部32との接触
面積が増大してタングステンメタライズ膜33a、33
bに流れるシーム溶接時の電流が増大し、蓋部32とベ
ース部31との接合度合いを高めることができる。
【0039】また、無電解ニッケルメッキ膜32aは薄
く形成されているので、メッキ時間を短縮させることが
できる。さらに、無電解ニッケルメッキ膜32aが無電
解のメッキ処理で形成されているので、電解ニッケルメ
ッキよりも融点が低くなり、蓋部32とベース部31と
の接合を低温で容易に行うことができる。
【0040】圧電振動素子34は、表裏面に励振電極3
4a及び接続電極34bが設けられた例えば水晶で形成
されている。この圧電振動素子34は、一端部側の接続
電極34bが空間部31a内に配設されている電極31
c上に導電性接着剤36を介して接続固定され、他端部
側は自由端とされている。これにより、接続電極34b
を介して励振電極34aに印加される駆動電圧によっ
て、所定の周波数で振動できるようになっている。
【0041】IC35は、空間部31bの底部に形成さ
れている導電パターン(図示せず)上にマウントされ、
さらに空間部31b内に配設されている導電パターン
(図示せず)と接続されている。これにより、圧電振動
素子34に所定の駆動電圧を与えて振動させ、その出力
をIC35に入力することにより、所定の周波数の信号
を取り出すようになっている。
【0042】図4ないし図18は、上記電子部品用パッ
ケージ30を有する圧電発振器30Aの製造過程を示し
ており、以下に各工程を順次説明する。
【0043】先ず、図4に示すように、ベース部31を
作成するためのシート状に形成されたアルミナ等のセラ
ミック原料粉末を含むグリーンシート40を所定の形状
に打ち抜く。このグリーンシート40は、ベース部31
を構成する複数層のうちの1層を多数個取りするための
ものである。これにより、グリーンシート40には、例
えばIC35を入れるための穴41、他の層との導通を
確保するためのビアホール42、内面に電極が形成され
るキャスタレーション形成のための穴43、個片に分割
する際にクラックが隣接する個片に伝わらないようにす
るための穴44が設けられる。そして、図5に示すよう
に、グリーンシート40上にタングステンやモリブデン
等の高融点金属を含む金属ペーストをスクリーン印刷機
を用いて所定の形状にスクリーン印刷する。これによ
り、グリーンシート40上には、例えば電極パターンに
応じた電極45が形成される。
【0044】以上の工程は、ベース部31を構成する各
層毎に行うが、本発明の特徴的な部分である最上層のグ
リーンシートについて、以下に詳細に説明する。
【0045】最上層のグリーンシートを打ち抜き成形し
た後、最終的なタングステンメタライズ膜33a、33
bの厚さを40μm〜50μm程度にするために、グリ
ーンシート上にタングステンやモリブデン等の高融点金
属を含む金属ペーストをスクリーン印刷機を用いて2回
スクリーン印刷する。この理由は、1回のスクリーン印
刷では、最大30μmの厚さに印刷することが限界であ
り、このままでは上述したように、シーム溶接時の熱衝
撃がベース部31に伝わり易く、ベース部31に割れが
発生する場合があるからである。
【0046】その後、印刷された金属ペーストの表面を
平滑化するためにプレス機を用いて面押しする。この理
由は、印刷された金属ペーストの表面形状は、表面張力
により所謂かまぼこ状になっており、このままでは上述
したように、蓋部32との接触面積が小さくなり、シー
ム溶接時の電流が最終的なタングステンメタライズ膜に
ほとんど流れなくなり、蓋部32とベース部31との接
合度合いが低下するからである。
【0047】以上の工程で得られた各グリーンシートを
積層し、約1600°C程度の高温で焼成する。そし
て、この焼成体に電解ニッケルメッキを施し、その後に
電解金メッキを施し、タングステンメタライズ膜33
a、33b等の上に2μm〜5μmの厚さのニッケルメ
ッキ膜33cと、0.5μm〜1.3μmの厚さの金メ
ッキ膜33dを形成する。
【0048】以上の工程により、図6〜図9に示すよう
なベース部31が完成する。ここで、図6はベース部3
1の平面図、図7はそのA−A線断面図、図8は底面
図、図9は図1の右側面図である。
【0049】図7に示すように、このベース部31は、
上記グリーンシートの焼成体である基部材51の上に上
記グリーンシートの焼成体である支持部材52,53,
54が順次積層し固着され、さらに最上層の支持部材5
4の周縁部には、メタライズ膜33が固着されている。
図6に示すように、基部材51の上面には、その中心付
近にIC35が載置されて固定される導電パターン55
が形成されている。図8に示すように、基部材51の裏
側には、導電パターン56が形成され、外部と接続され
るようになっている。
【0050】図7に示すように、基部材51上に固着さ
れる支持部材52は、内側にIC35を収容できる大き
さの空間31bを形成するような形状とされている。図
6に示すように、この支持部材52の上面には、IC3
5の接続端子がワイヤボンディングされるべき導電パタ
ーン57及び58が形成されている。また、図7に示す
ように、支持部材53は、内部に空間部31dを形成す
るような形状とされている。図6に示すように、この支
持部材53の図において右側上面には、金メッキ等によ
る導電パターンで形成した電極31cが形成されてい
る。また、図7に示すように、支持部材54は、内側に
空間31aを形成するような形状とされており、この支
持部材54の上面の周縁部にメタライズ膜33が固着さ
れている。
【0051】次に、図10及び図11に示すように、基
部材51の導電パターン55の上に転写法により導電性
接着剤59を塗布してIC35を載置し、導電性接着剤
59を硬化させてIC35を固定する。そして、図12
及び図13に示すように、IC35の接続端子35a
と、対応する各導電パターン57及び58とを、直径約
25μmの金線60によりワイヤボンディングして電気
的に接続する。続いて、図14及び図15に示すよう
に、シリコン系導電性接着剤36を滴下し、接続電極3
4bが支持部材53の電極31cに導通するように圧電
振動素子34を載置し、硬化させて固定する。そして、
各導電性接着剤59、36から発生するガスを出し尽く
すために、真空中にて加熱処理する。
【0052】次に、図16に示すように、蓋部32をベ
ース部31のメタライズ膜33の上に配置して、図17
に示すように、蓋部32の上に一対のローラ電極70を
接触させる。そして、ローラ電極70間に電流を流すこ
とにより、蓋部32のニッケルメッキ32aを溶融させ
て、ベース部31の金メッキと共晶状態を形成し、蓋部
32とベース部31を接合、即ちシーム溶接する。
【0053】ここで、図18に示す図17のA部分の拡
大図のように、ローラ電極70から蓋部32へ流れる電
流は、図示矢印Aの方向に流れてから、図示矢印Bと図
示矢印Cの方向に分配される。しかし、上述したよう
に、蓋部32とメタライズ膜33との接触面積は大きい
ので、上記電流は図示矢印Bの方向よりも図示矢印Cの
方向に流れる。この結果、蓋部32とベース部31との
接合度合いを高めることができる。また、図示矢印Cの
方向に流れる電流による熱衝撃は、厚みのあるメタライ
ズ膜33にほとんど吸収され、ベース部31にはほとん
ど伝わらなくなる。この結果、ベース部31の割れを防
止することができる。また、無電解メッキで形成された
ニッケルメッキ膜32aは融点が比較的低いので、上記
電流値が比較的小さくても溶融する。この結果、蓋部3
2とベース部31との接合を容易に行うことができる。
【0054】以上により、圧電振動素子34及びIC3
5が封止された圧電発振器30Aが完成する。
【0055】なお、上述した各実施形態では、シーム封
止を例に説明したが、その他にエレクトロンビーム(E
B)封止やレーザ封止等の局部加熱封止でも使用可能で
ある。
【0056】図23を用いて、ローラ電極70間を流れ
る溶接時の電流を模式的に示す。ローラ電極70間を流
れる溶接時の電流は、蓋部32を流れる電流Ilとベース
部31のメタライズ膜33を流れる電流Ibとに概略大別
される。蓋部32を流れる電流Ilとメタライズ膜33を
流れる電流Ibを個別に制御することは、現実的には困難
である。従って、溶接に主に関与する電流Ibが大きくな
れば、電流Ilも大きくなり、溶接時の電流は大きなもの
となってしまう。大電流を流さずに小電流で封止を行う
ことができれば、省エネ,発熱によるダメージの回避あ
るいは使用機械の選択範囲の拡大等の面で、望ましい。
このためには、ローラ電極70−蓋部32(平面方向)
−ローラ電極70間の抵抗を抵抗Rl、ローラ電極70−
蓋部32(厚み方向)−メタライズ膜33−蓋部32
(厚み方向)−ローラ電極70間の抵抗を抵抗Rbとする
と、Rl/Rbが大きいことが望ましい。
【0057】本発明においては、従来必要であったシー
ムリングを用いる代わりに、表面が平坦化された金属膜
を用いるものである。金属膜の抵抗はシームリングの抵
抗よりも大きいので、蓋の材質を適切に選択することが
肝要である。溶接時の電流が小さ過ぎる場合には接合が
できないか十分な接合強度が得られない。又、溶接時の
電流が大き過ぎる場合には蓋部が焼け、パッケージ内の
電子部品に悪影響が及ぶ。従って、ここで言う溶接電流
範囲とは、良好なシーム封止ができる溶接時の電流範囲
である。
【0058】上記観点により実験した結果を表1に示
す。表中の△は蓋部とベース部間の接合ができなかった
状態を示し、○は実用上使用可能な状態を示し、◎は良
好な接合ができた状態を示し、▲は蓋部に焼けが発生し
た状態を示す。 表1
【0059】表1に示すように、蓋部材として従来使用
していたコバールを本発明に適用した場合の溶接電流範
囲よりも、蓋部材として42アロイを用いた場合の溶接
電流範囲、あるいは蓋部材としてFe−28Crを用い
た場合の溶接電流範囲の方がより広いことを見出した。
すなわち、溶接電流範囲として215〜240Aを用い
ることができ、より好ましくは220〜235Aであ
る。又、蓋部材として42アロイを用いた場合の溶接電
流範囲、あるいは蓋部材としてFe−28Crを用いた
場合の溶接電流範囲は、従来のシームリングを用いた場
合と比べ、ほぼ同等であることも確認できた。
【0060】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ベース
部上の金属膜が厚く形成されているので、蓋部との接合
溶接時の熱衝撃がベース部に伝わり難く、ベース部の割
れを防止することができる。これにより、パッケージの
歩留まりを向上させることができる。さらに、金属膜の
表面が平坦化されているので、蓋部との接触面積が増大
して金属膜に流れる接合溶接時の電流が増大し、蓋部と
ベース部との接合度合いを高めることができる。これに
より、パッケージの品質を向上させることができる。ま
た、蓋部表面の無電解メッキ膜は薄く形成されているの
で、メッキ時間を短縮させることができる。これによ
り、パッケージの加工コストを低減することができる。
さらに、メッキ膜が無電解のメッキ処理で形成されてい
るので、電解メッキよりも融点が低くなり、蓋部とベー
ス部との接合を低温で容易に行うことができる。これに
より、パッケージの加工効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子部品用パッケージの実施形態に圧
電振動素子及びICが収納された構成の圧電発振器を示
す一部断面斜視図。
【図2】図1の圧電発振器の概略断面側面図。
【図3】図2のA部分の拡大図。
【図4】図1の圧電発振器の製造工程を示す平面図。
【図5】図4の工程に続く工程の平面図。
【図6】図5の工程に続く工程の概略平面図。
【図7】図6の工程の概略側断面図。
【図8】図6の工程の概略底面図。
【図9】図6の工程の概略右側面図。
【図10】図6の工程に続く工程の概略平面図。
【図11】図10の工程の概略断面図。
【図12】図10の工程に続く工程の概略平面図。
【図13】図12の工程の概略断面図。
【図14】図12の工程に続く工程の概略平面図。
【図15】図14の工程の概略側面図。
【図16】図14の工程に続く最後の工程の概略平面
図。
【図17】図16の工程の概略側断面図。
【図18】図17のA部分の拡大図。
【図19】従来の電子部品用パッケージに圧電振動素子
及びICが収納された構成の圧電発振器を示す一部断面
斜視図。
【図20】図19の圧電発振器の概略断面側面図。
【図21】従来の電子部品用パッケージに圧電振動素子
が収納された構成の圧電振動子を示す概略断面側面図。
【図22】従来の電子部品用パッケージのシームリング
を示す平面図及び断面側面図。
【図23】ローラ電極間を流れる溶接時の電流を模式的
に示した図。
【符号の説明】
30A 圧電発振器 30 電子部品用パッケージ 31 ベース部 32 蓋部 32a 無電解ニッケルメッキ膜 32b コバール金属板 33 メタライズ膜 33a、33b タングステンメタライズ膜 33c ニッケルメッキ膜 33d 金メッキ膜 34 圧電振動素子 35 IC 36 導電性接着剤

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子部品を収納するためのベース部と、 前記電子部品が前記ベース部に収納された状態で前記ベ
    ース部を密封するための蓋部とを備えた電子部品用パッ
    ケージにおいて、 前記蓋部と対向する前記ベース部の面に、表面が平坦化
    された金属膜が成膜されていることを特徴とする電子部
    品用パッケージ。
  2. 【請求項2】 前記金属膜が、複数回の印刷により形成
    されている請求項1に記載の電子部品用パッケージ。
  3. 【請求項3】 前記金属膜の厚さが、50μm以上であ
    る請求項1または2に記載の電子部品用パッケージ。
  4. 【請求項4】 前記蓋部の表面に、無電解メッキによる
    メッキ膜が成膜されている請求項1、2または3に記載
    の電子部品用パッケージ。
  5. 【請求項5】 前記メッキ膜の厚さが、5μm以下であ
    る請求項4に記載の電子部品用パッケージ。
  6. 【請求項6】 電子部品をベース部の収納部の開口から
    内部に収納し、 前記開口を蓋部で覆って前記収納部を密封する電子部品
    用パッケージの製造方法において、 前記蓋部と対向する前記ベース部の面に、金属膜を成膜
    し、 前記金属膜の表面を平坦化することを特徴とする電子部
    品用パッケージの製造方法。
  7. 【請求項7】 複数回印刷することにより前記金属膜を
    形成する請求項6に記載の電子部品用パッケージの製造
    方法。
  8. 【請求項8】 50μm以上の厚さに前記金属膜を形成
    する請求項6または7に記載の電子部品用パッケージの
    製造方法。
  9. 【請求項9】 前記蓋部の表面に、無電解メッキにより
    メッキ膜を成膜する請求項6、7または8に記載の電子
    部品用パッケージの製造方法。
  10. 【請求項10】 5μm以下の厚さに前記メッキ膜を形
    成する請求項9に記載の電子部品用パッケージの製造方
    法。
  11. 【請求項11】 前記蓋部が42アロイあるいはFe−
    28Crである請求項1乃至5に記載の電子部品用パッ
    ケージ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007048798A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 電子部品収納用セラミックパッケージ
JP2007281370A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Epson Toyocom Corp 蓋体、圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法
JP2009010864A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Daishinku Corp 圧電振動デバイスの本体筐体部材、圧電振動デバイス、および圧電振動デバイスの製造方法

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