JP4821358B2 - 信号出力回路及び半導体集積回路 - Google Patents

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Description

本発明は信号出力回路及び半導体集積回路に係り、特に、第1の基準電位を基準として駆動される第1の回路からの出力信号を前記第2の基準電位を基準として駆動される第2の回路に出力する信号出力回路及び半導体集積回路に関する。
IIL(integrated injection logic)回路は、バイポーラプロセスを使って低消費電力の論理回路を作成する技術である。IIL回路は、通常、アナログプロセスを使用して、アナログ回路と集積化することができる(特許文献1参照)。これにより、IIL論理回路の出力信号により、アナログ回路を制御するようなシステム構成を実現できる。この回路構成ではIIL回路の出力信号をアナログ回路に入力する必要がある。
図4は従来の一例のブロック構成図を示す。図4(A)は基準電圧V01を0Vとした場合の構成、図4(B)は基準電圧V02を−5Vとしたときの構成を示している。
第1の回路1は、例えば、IIL回路であり、図4(A)に示すように基準電圧V01を0Vとする場合には基準電圧V01を基準として信号を生成している。第1の回路1で生成された信号は、第2の回路2に供給される。
第2の回路2は、第1の回路1から供給される信号により制御されるアナログ回路であり、図4(A)に示すように基準電圧V01を0Vとする場合には基準電圧V01を基準として動作するように構成されている。
なお、図4(B)に示すように基準電圧V02を−5Vとするときには、図4(A)の構成と同様に、第1の回路1と第2の回路2とで基準電圧を基準電圧V02に共通化していた。
特開2000−244301号公報
しかるに、IIL回路の出力は、通常、ハイレベルが0.7V、ローレベルが0Vである。一方、アナログ回路には電源電圧Vccが+5V、基準電圧V02が−5Vで設計されたものが多く存在する。このため、図4に示すような回路構成の集積回路を作成する場合には、IIL論理回路又はアナログ回路を設計変更する必要があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、異なる基準電圧で駆動される複数の回路を容易に結合できる信号出力回路及び半導体集積回路を提供することを目的とする。
本発明は、電源電圧(Vcc)と第1の基準電圧(V01)で動作する第1の回路(112)からの第1の基準電圧(V01)を基準とする信号を、電源電圧(Vcc)と第1の基準電圧(V01)と異なる第2の基準電圧(V02)で動作する第2の回路(113)に出力する信号出力回路であって、第1の回路(112)からの出力信号に応じて第1の基準電圧(V01)に第1の定電流を引き込み、引き込まれた第1の定電流に応じて第2の定電流を出力する第1の制御回路(121、122、Q11、R11、Q12)と、第1の制御回路(121、122、Q11、R11、Q12)の出力を第2の基準電圧(V02)に引き込み第2の基準電圧(V02)を基準とする信号として第2の回路(113)に出力する第2の制御回路(Q13、R12)とを有することを特徴とする。
第1の制御回路(121、122、Q11、R11、Q12)は、第1の回路(112)からの出力信号に応じて第1の定電流を第1の基準電圧(V01)に引き込む第1のトランジスタ(Q11)と、第1のトランジスタ(Q11)により引き込まれる第1の定電流に応じて第2の定電流を出力する第2のトランジスタ(Q12)とを有することを特徴とする。
第2の制御回路(Q13、R12)は、第1の制御回路(121、122、Q11、R11、Q12)の出力を第2の基準電圧(V02)に引き込み第2の基準電圧(V02)を基準とする信号を第2の回路(113)に出力する第3のトランジスタ(Q13)を有することを特徴とする。
第1の基準電圧(V01)は接地電圧であり、第2の基準電圧(V02)は負電圧であることを特徴とする。
第1の回路(112)は電源電圧(Vcc)と第1の基準電圧(V01)で動作するIIL回路であり、第2の回路(113)は電源電圧(Vcc)と第2の基準電圧(V02)で動作するアナログ回路であることを特徴とする。
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、特許請求の範囲が限定されるものではない。
本発明によれば、第1の回路と第2の回路との間に、第1の回路からの出力信号に応じて第1の基準電圧に電流を引き込み、引き込まれた電流に応じて第2の回路に信号を供給する第1の制御回路と、第2の回路から第2の基準電圧に電流を引き込む第2の制御回路とを介在させることにより、第1の基準電圧を基準として駆動される第1の回路からの信号を第2の基準電圧を基準として駆動される第2の回路に供給することができる。
〔構成〕
図1は本発明の一実施例のブロック構成図、図2は信号処理回路111の回路構成図を示す。
本実施例の信号出力回路111は、第1の回路112から供給される第1の基準電圧V01、例えば、0Vを基準する信号を第2の基準電圧V02、例えば、−5Vを基準とする信号に変換して第2の回路113に供給する回路である。第1の回路112は、例えば、IIL回路、TTL回路であり、電源電圧Vcc、例えば、+5Vと第1の基準電圧V01、例えば、0Vとが印加されている。これにより、第1の回路112は、電源電圧Vccと第1の基準電圧V01との電圧差である5Vで駆動されている。第1の回路112の出力信号は、第1の基準電圧V01を基準とされており、ローレベルが0V、ハイレベルが+0.7Vとされている。
また、第2の回路113は、例えば、IIL回路により制御されるアナログ回路であり、電源電圧Vcc、例えば、+5Vと第2の基準電圧V02、例えば、−5Vが印加されている。これにより、第2の回路113は電源電圧Vccと第2の基準電圧V02との電圧差である10Vにより駆動される。
信号出力回路111は、第1の回路112から第2の回路113に供給する信号の基準電圧を第1の基準電圧V01から第2の基準電圧V02に変換する回路であり、電源電圧Vcc、例えば、+5V及び第1の基準電圧V01、例えば、0V並びに第2の基準電圧V02、例えば、−5Vが印加されている。
信号出力回路111は、図2に示すように定電流源121、122、トランジスタQ11、Q12、Q13、抵抗R11、R12から構成されている。
定電流源121、122、トランジスタQ11、Q12、抵抗R11は、第1の回路112からの出力信号に応じて第1の基準電圧V01に電流を引き込み、引き込まれた電流に応じて第2の回路113に電流を供給する第1の制御回路を構成しており、トランジスタQ13、抵抗R12は第2の回路113から第2の基準電圧V02に電流を引き込む第2の制御回路を構成している。
定電流源121、122には、電源電圧Vccが印加されている。定電流源121,122は、電源電圧Vccにより定電流を生成し、出力する。
定電流源121から出力された定電流は、抵抗R11を介してトランジスタQ11のコレクタに供給される。トランジスタQ11は、NPNトランジスタから構成されており、エミッタが第1の基準電圧V01に接続されて、ベースに論理出力信号が供給される。第1の基準電圧V01は、例えば、接地レベル、0Vである。また、論理出力信号は、ローレベルが接地レベルであり、ハイレベルが略0.7Vである。トランジスタQ11は、ベースに供給される論理出力信号がローレベルのときにはオフし、ハイレベルのときにはオンする。
また、定電流源122から出力された定電流は、トランジスタQ12のエミッタに供給される。トランジスタQ12は、PNPトランジスタから構成され、ベースが定電流源121と抵抗R11との接続点に接続されており、コレクタが出力端子Tout及びトランジスタQ13のコレクタ及びベースに接続されている。
トランジスタQ13は、NPNトランジスタのベースとコレクタとを接続した構成とされており、コレクタ及びベースがトランジスタQ12のコレクタに接続され、エミッタが抵抗R12を介して第2の基準電圧V02に接続された構成とされている。トランジスタQ13は、トランジスタQ12がオフのときには、コレクタ及びベースに電流が供給されず、オフする。これによって、トランジスタQ12がオフのときには、ベース電圧が略第2の基準電圧V02程度となる。なお、第2の基準電圧V02は、例えば、電圧Vee=−5Vである。このトランジスタQ13のコレクタ、及び、ベースが信号出力回路111の出力となる。
なお、抵抗R11は、トランジスタQ11、Q13がオンのときにトランジスタQ12が飽和領域に入らないように電流を抑制するための抵抗である。
〔動作〕
図3は本発明の一実施例の動作波形図を示す。図3(A)は信号出力回路111の入力信号、図3(B)は信号出力回路111の出力信号波形を示す。
図3(A)に示す期間T1では、第1の回路112の出力信号がローレベル、0Vとなる。このとき、トランジスタQ11のベース電圧が0Vとなるので、トランジスタQ11はオフする。
トランジスタQ11がオフすると、定電流源121からの電流がトランジスタQ12のベースに供給され、トランジスタQ12のベース電位が上昇する。トランジスタQ12は、ベース電位が上昇することによりオフする。
トランジスタQ12がオフすると、トランジスタQ13のコレクタ及びベースに定電流源122から電流が供給されなくなる。トランジスタQ13に定電流源122から電流が供給されなくなると、トランジスタQ13のベースは、略第2の基準電圧V02、−5Vとなる。トランジスタQ13のベースは、信号出力回路111の出力となるので、図3(B)に示すように信号出力回路111の出力は略−5Vとなる。
また、図3(A)に示す期間T2では、第1の回路112の出力信号がハイレベル、0.7Vとなる。この期間では、トランジスタQ11のベース電圧が0.7Vとなるので、トランジスタQ11はオンする。
トランジスタQ11がオンすると、トランジスタQ12のベースから電流を引き込み、トランジスタQ12のベース電位が低減する。トランジスタQ12はベース電位が低減することによりオンする。
トランジスタQ12がオンすると、定電流源122からトランジスタQ13のベースに電流が供給される。これによって、トランジスタQ13のベース電圧が上昇し、ハイレベルとなる。
このとき、トランジスタQ13のベース電圧には、第2の基準電圧、−5Vからトランジスタのベース−エミッタ間電圧、略0.7Vだけ上昇した電圧、−4.3Vとなる。トランジスタQ13のベースは、信号出力回路111の出力となるので、図3(B)に示すように信号出力回路111の出力は略−4.3Vとなる。
トランジスタQ13のベースは信号出力回路111の出力であり、第2の回路113の入力回路を構成するトランジスタQ21のベースに接続されている。トランジスタQ21は、NPNトランジスタから構成されており、コレクタが定電流源131に接続され、エミッタが第2の基準電圧V02に接続されている。
定電流源131は、電源電圧Vccから定電流を生成し、トランジスタQ21のコレクタ及びトランジスタQ22のコレクタ、ベース及びトランジスタQ23のベースに供給する。トランジスタQ22のエミッタは、抵抗R21を介して第2の基準電圧V02に接続されており、トランジスタQ23のエミッタは、抵抗R22を介して第2の基準電圧V02に接続されている。
トランジスタQ22及びトランジスタQ23は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタQ22のコレクタに流れる電流に応じた電流をトランジスタQ23から引き込む。
トランジスタQ21は、トランジスタQ13のベースがハイレベルのときに、オンし、定電流源131から第2の基準電圧V02に電流を引き込み、トランジスタQ13のベースがローレベルのときに、オフする。
トランジスタQ21がオンのときには、定電流源131からの電流は、トランジスタQ21を通して第2の基準電圧V02に流れる。このとき、トランジスタQ22、Q23から構成されるカレントミラー回路には定電流源131から電流は供給されず、トランジスタQ23のコレクタから電流は引き込まれることはない。
また、トランジスタQ21がオフのときには、定電流源131からの電流は、トランジスタQ22、Q23から構成されるカレントミラー回路に供給され、トランジスタQ22、Q23から構成されるカレントミラー回路を駆動する。これによって、トランジスタQ23のコレクタから電流が引き込まれる。
このように、第1の回路112からの信号に応じてトランジスタQ23のコレクタ電流が制御されて、第2の回路113が制御される。
本実施例によれば、第1の基準電圧V01、0Vを基準として駆動されている第1の回路112の出力信号を信号出力回路111に通すことにより第2の基準電圧V01、−5Vを基準として駆動されている第2の回路に供給することができる。よって、第1の回路112、及び、第2の回路113の構成を既存の回路構成から変更することなく用いることができる。信号出力回路111を介在させることによって、例えば、既存のハイレベルが0.7V、ローレベルが0VのIIL回路と既存の基準電圧V02が−5Vのアナログ回路とを設計を変更することなく、集積化することが可能となる。よって、異なる基準電圧で駆動される複数の回路を容易に結合できる。
また、このとき、信号出力回路111は電流源121、122及び3つのトランジスタQ11〜Q13並びに抵抗R11、R12からなる簡単な回路であるので、容易かつ安価に実現できる。
本発明の一実施例のブロック構成図である。 信号出力回路111の回路構成図である。 本発明の一実施例の動作波形図である。 従来の一例のブロック構成図である。
符号の説明
111 信号出力回路
112 第1の回路、113 第2の回路
121、122、131 定電流源
Q11、Q12、Q13 トランジスタ、R11、R12 抵抗

Claims (6)

  1. 電源電圧と第1の基準電圧で動作する第1の回路からの前記第1の基準電圧を基準とする信号を、前記電源電圧と前記第1の基準電圧と異なる第2の基準電圧で動作する第2の回路に供給する信号出力回路であって、
    前記第1の回路からの出力信号に応じて前記第1の基準電圧に第1の定電流を引き込み、該引き込まれた前記第1の定電流に応じて第2の定電流を出力する第1の制御回路と、
    前記第1の制御回路の出力を前記第2の基準電圧に引き込み前記第2の基準電圧を基準とする信号として前記第2の回路に出力する第2の制御回路とを有することを特徴とする信号出力回路。
  2. 前記第1の制御回路は、前記第1の回路からの出力信号に応じて前記第1の定電流を前記第1の基準電圧に引き込む第1のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタにより引き込まれる前記第1の定電流に応じて前記第2の定電流を出力する第2のトランジスタとを有することを特徴とする請求項1記載の信号出力回路。
  3. 前記第2の制御回路は、前記第1の制御回路の出力を前記第2の基準電圧に引き込み前記第2の基準電圧を基準とする信号を前記第2の回路に出力する第3のトランジスタを有することを特徴とする請求項1記載の信号出力回路。
  4. 前記第1の基準電圧は、接地電圧であり、
    前記第2の基準電圧は負電圧であることを特徴とする請求項1記載の信号出力回路。
  5. 前記第1の回路は、前記電源電圧と前記第1の基準電圧で動作するIIL回路であり、
    前記第2の回路は、前記電源電圧と前記第2の基準電圧で動作するアナログ回路であることを特徴とする請求項1記載の信号出力回路。
  6. 電源電圧と第1の基準電圧で動作する第1の回路と、前記電源電圧と前記第1の基準電圧と異なる第2の基準電圧で動作する第2の回路とを有する半導体集積回路であって、
    前記第1の回路からの前記第1の基準電圧を基準とする信号に応じて前記第1の基準電圧に第1の定電流を引き込み、該引き込まれた前記第1の定電流に応じて第2の定電流を出力する第1の制御回路と、
    前記第1の制御回路の出力を前記第2の基準電圧に引き込み前記第2の基準電圧を基準とする信号として前記第2の回路に出力する第2の制御回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。
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