JP4817656B2 - 間接的に加熱されるカソードイオン源 - Google Patents
間接的に加熱されるカソードイオン源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4817656B2 JP4817656B2 JP2004508365A JP2004508365A JP4817656B2 JP 4817656 B2 JP4817656 B2 JP 4817656B2 JP 2004508365 A JP2004508365 A JP 2004508365A JP 2004508365 A JP2004508365 A JP 2004508365A JP 4817656 B2 JP4817656 B2 JP 4817656B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- filament
- arc chamber
- shield
- ion source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/26—Supports for the emissive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Description
イオン源はイオン注入器の重要な要素である。イオン源はイオン注入器のビームラインにそって進むイオンビームを発生させ、種々の異なるイオン種および抽出電圧に対して、よく形成された適切なビームを発生させるために必要となる。半導体製造の業界で、イオン源を含むイオン注入器は、維持管理または修理を必要とせずに、長期間運転できるように要求されている。
Claims (21)
- 間接的に加熱されるカソードイオン源であって、
アークチェンバーを定めるアークチェンバーハウジングと、
前記アークチェンバー内に配置される、間接的に加熱されるカソードと、
前記間接的に加熱されるカソードを加熱するための、前記アークチェンバーの外側に配置されるフィラメントと、
前記アークチェンバーの外側で、前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードに近接して配置されるシールドと、
前記アークチェンバー、前記間接的に加熱されるカソード、前記フィラメントおよび前記シールドを包含する真空容器と、
を含み、
前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードが前記シールドの一方の側に位置し、前記真空容器の隣接した部分が前記シールドの他方の側に位置する、カソードイオン源。 - 前記アークチェンバーハウジングおよび前記真空容器が共通電位にあり、前記シールドが前記フィラメントの電位にある、請求項1に記載のカソードイオン源。
- 前記真空容器は基準電位に接続され、前記シールドは電気的に浮遊状態にある、請求項1に記載のカソードイオン源。
- さらに、前記カソードおよび前記フィラメントを固定した空間関係で取り付け、電気的エネルギーを前記カソードおよび前記フィラメントに伝えるクランプ組立体を含み、
前記シールドが前記クランプ組立体に取り付けられる、
請求項1に記載のカソードイオン源。 - 前記クランプ組立体が、前記フィラメントの第一および第二の接続線にそれぞれ、取り付けられる第一および第二のフィラメントクランプを含み、前記シールドが前記第一および第二のフィラメントクランプの一つに機械的かつ電気的に取り付けられる、請求項4に記載のカソードイオン源。
- 前記クランプ組立体が、前記フィラメントの第一および第二の接続線にそれぞれ、取り付けられる第一および第二のフィラメントクランプを含み、前記シールドが前記第一および第二のフィラメントクランプの一つに、電気的絶縁体により機械的に取り付けられる、請求項4に記載のカソードイオン源。
- 前記クランプ組立体が絶縁体ブロックを含み、前記イオン源がさらに、前記絶縁体ブロック上への汚染物の付着を防止するための絶縁体シールドを含む、請求項4に記載のカソードイオン源。
- 前記シールドが一つ以上の側面を持たない金属製箱からなる、請求項1に記載のカソードイオン源。
- 前記シールドが超硬金属からなる、請求項1に記載のカソードイオン源。
- さらに、
前記フィラメントを加熱するための電流を供給するフィラメント電源と、
前記フィラメントと前記カソードとの間に結合されるバイアス電源と、
前記カソードと前記アークチェンバーハウジングとの間に連結されるアーク電源と、
を含む、請求項1に記載のカソードイオン源。 - 間接的に加熱されるカソードイオン源であって、
アークチェンバーを定めるアークチェンバーと、
前記アークチェンバー内に配置される、間接的に加熱されるカソードと、
前記アークチェンバー内にプラズマを発生させるための電子を与えるために、前記間接的に加熱されるカソードを加熱するための、前記アークチェンバーの外側に配置されるフィラメントと、
前記アークチェンバーの外側で、前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードの近傍の領域から、電子およびプラズマが逃げることを防止する逃げ防止手段と、
前記アークチェンバー、前記間接的に加熱されるカソード、前記フィラメントおよび前記シールドを包含する真空容器と、
を含み、
前記逃げ防止手段が、前記アークチェンバーの外側で、前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードの近傍に配置されるシールドを含み、
前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードが前記シールドの一方の側に位置し、前記真空容器の隣接部分が前記シールドの他方の側に位置する、
カソードイオン源。 - 前記アークチェンバーおよび前記真空容器が共通電位にあり、前記シールドが前記フィラメントの電位にある、請求項11に記載のカソードイオン源。
- 前記真空容器が基準電位に接続され、前記シールドが電気的に浮遊状態にある、請求項11に記載のカソードイオン源。
- さらに、前記アークチェンバー、前記間接的に加熱されるカソード、前記フィラメントおよび前記シールドを包含する真空容器を含み、
前記シールドが、一方の側にある前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードと、他方の側にある前記真空容器との間に障壁を形成する、請求項11に記載のカソードイオン源。 - さらに、イオンビームを前記アークチェンバーから抽出するための抽出システムの要素を含み、
前記シールドが、一方の側にある前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードと、他方の側にある前記抽出システムの要素との間に障壁を形成する、請求項11に記載のカソードイオン源。 - イオン源を操作する方法であって、
アークチェンバーを定めるアークチェンバーハウジングを用意する工程と、
前記アークチェンバー内に、間接的に加熱されるカソードを配置する工程と、
前記アークチェンバー内にプラズマを発生させるための電子を与えるために、前記アークチェンバーの外側に配置されるフィラメントで、前記間接的に加熱されるカソードを加熱する工程と、
前記アークチェンバーの外側で、前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードの近傍の領域から、電子およびプラズマが逃げることを防止する工程と、
を含み、
前記電子およびプラズマが逃げることを防止する工程が、前記フィラメントと前記真空容器との間に障壁を与える工程を含む、方法。 - 前記電子およびプラズマが逃げることを防止する工程が、前記アークチェンバーの外側で、前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードの近傍にシールドを配置する工程を含む、請求項16に記載の方法。
- さらに、前記アークチェンバー、前記間接的に加熱されるカソード、前記フィラメントおよび前記シールドを真空容器に包含する工程と、前記真空容器および前記アークチェンバーを共通電位に維持する工程と、前記シールドを前記フィラメントの電位に維持する工程とを含む、請求項17に記載の方法。
- さらに、前記アークチェンバー、前記間接的に加熱されるカソード、前記フィラメントおよび前記シールドを真空容器に包含する工程と、前記真空容器を基準電位に維持する工程と、前記シールドを電気的に浮遊状態にする工程とを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記電子およびプラズマが逃げることを防止する工程が、前記フィラメントと抽出システムの要素との間に障壁を与える工程を含む、請求項16に記載の方法。
- 前記電子およびプラズマが逃げることを防止する工程が、前記アークチェンバーの外側で、前記フィラメントおよび前記間接的に加熱されるカソードの近傍の領域を実質的に包含する工程を含む、請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/154,232 | 2002-05-23 | ||
US10/154,232 US7138768B2 (en) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | Indirectly heated cathode ion source |
PCT/US2003/016153 WO2003100806A1 (en) | 2002-05-23 | 2003-05-22 | Indirectly heated cathode ion source |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010091583A Division JP2010192454A (ja) | 2002-05-23 | 2010-04-12 | 間接的に加熱されるカソードイオン源に使用されるカソード組立体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005527952A JP2005527952A (ja) | 2005-09-15 |
JP4817656B2 true JP4817656B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=29548827
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004508365A Expired - Fee Related JP4817656B2 (ja) | 2002-05-23 | 2003-05-22 | 間接的に加熱されるカソードイオン源 |
JP2010091583A Pending JP2010192454A (ja) | 2002-05-23 | 2010-04-12 | 間接的に加熱されるカソードイオン源に使用されるカソード組立体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010091583A Pending JP2010192454A (ja) | 2002-05-23 | 2010-04-12 | 間接的に加熱されるカソードイオン源に使用されるカソード組立体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7138768B2 (ja) |
EP (1) | EP1506559A1 (ja) |
JP (2) | JP4817656B2 (ja) |
KR (1) | KR100944291B1 (ja) |
TW (2) | TWI391975B (ja) |
WO (1) | WO2003100806A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7838850B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | External cathode ion source |
JP4820038B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2011-11-24 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
GB0505856D0 (en) * | 2005-03-22 | 2005-04-27 | Applied Materials Inc | Cathode and counter-cathode arrangement in an ion source |
US7491947B2 (en) * | 2005-08-17 | 2009-02-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving performance and extending lifetime of indirectly heated cathode ion source |
US20100112795A1 (en) * | 2005-08-30 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of forming ultra-shallow junctions for semiconductor devices |
KR101297917B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2013-08-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 대안적인 불화 붕소 전구체를 이용한 붕소 이온 주입 방법,및 주입을 위한 대형 수소화붕소의 형성 방법 |
KR100688573B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 이온소스부, 이를 구비하는 이온주입장치 및 그 변경 방법 |
WO2008020855A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving performance and extending lifetime of inductively heated cathode ion sources |
US8072149B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-12-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Unbalanced ion source |
US20110021011A1 (en) | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon materials for carbon implantation |
US8138071B2 (en) * | 2009-10-27 | 2012-03-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8062965B2 (en) * | 2009-10-27 | 2011-11-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8598022B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-12-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
WO2011056515A2 (en) | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ion implantation system and method |
TWI689467B (zh) | 2010-02-26 | 2020-04-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備 |
US8779383B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-07-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
JP5318809B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2013-10-16 | 日本電子株式会社 | 電子銃 |
CN103201824B (zh) | 2010-08-30 | 2016-09-07 | 恩特格里斯公司 | 由固体材料制备化合物或其中间体以及使用该化合物和中间体的设备和方法 |
KR101149826B1 (ko) | 2011-01-11 | 2012-05-24 | (주)제이씨이노텍 | 반도체 제조장비의 소스 헤드 |
US9076625B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-07-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Indirectly heated cathode cartridge design |
DE102011112759A1 (de) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Plasmaquelle |
TWI583442B (zh) | 2011-10-10 | 2017-05-21 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | B2f4之製造程序 |
KR20200098716A (ko) | 2012-02-14 | 2020-08-20 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 주입 빔 및 소스 수명 성능 개선을 위한 탄소 도판트 기체 및 동축류 |
US8933630B2 (en) | 2012-12-19 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Arc chamber with multiple cathodes for an ion source |
US11062906B2 (en) | 2013-08-16 | 2021-07-13 | Entegris, Inc. | Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor |
WO2015094381A1 (en) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | White Nicholas R | A ribbon beam ion source of arbitrary length |
JP6177123B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-08-09 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 支持構造およびそれを用いたイオン発生装置 |
WO2016036512A1 (en) | 2014-09-01 | 2016-03-10 | Entegris, Inc. | Phosphorus or arsenic ion implantation utilizing enhanced source techniques |
US9502207B1 (en) | 2015-08-26 | 2016-11-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Cam actuated filament clamp |
US10217600B1 (en) * | 2017-10-19 | 2019-02-26 | Ion Technology Solutions, Llc | Indirectly heated cathode ion source assembly |
US10818469B2 (en) * | 2018-12-13 | 2020-10-27 | Applied Materials, Inc. | Cylindrical shaped arc chamber for indirectly heated cathode ion source |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10188872A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
JPH10199430A (ja) * | 1996-12-31 | 1998-07-31 | Eaton Corp | イオン注入機に用いるためのイオン源、カソード、及びそのエンドキャップ |
JPH1125872A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオン発生装置 |
JP2001135253A (ja) * | 1999-10-11 | 2001-05-18 | Axcelis Technologies Inc | イオナイザーおよびイオン源 |
WO2001088946A1 (en) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Cathode assembly for indirectly heated cathode ion source |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH252249A (de) | 1946-07-11 | 1947-12-15 | Foerderung Forschung Gmbh | Anordnung mit einer Glühkathode. |
FR1053508A (fr) | 1952-04-07 | 1954-02-03 | Csf | Perfectionnements aux cathodes thermioniques |
US3621324A (en) | 1968-11-05 | 1971-11-16 | Westinghouse Electric Corp | High-power cathode |
FR2105407A5 (en) | 1970-09-04 | 1972-04-28 | Commissariat Energie Atomique | Indirectly heated cathode - for a source of high energy ions |
FR2251096B1 (ja) * | 1973-11-13 | 1977-08-19 | Thomson Csf | |
DE3222511C2 (de) * | 1982-06-16 | 1985-08-29 | Feinfocus Röntgensysteme GmbH, 3050 Wunstorf | Feinfokus-Röntgenröhre |
US4714834A (en) * | 1984-05-09 | 1987-12-22 | Atomic Energy Of Canada, Limited | Method and apparatus for generating ion beams |
US4754200A (en) | 1985-09-09 | 1988-06-28 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for ion source control in ion implanters |
US5204145A (en) * | 1991-03-04 | 1993-04-20 | General Electric Company | Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom |
US5262652A (en) | 1991-05-14 | 1993-11-16 | Applied Materials, Inc. | Ion implantation apparatus having increased source lifetime |
US5497006A (en) | 1994-11-15 | 1996-03-05 | Eaton Corporation | Ion generating source for use in an ion implanter |
US5811823A (en) | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Eaton Corporation | Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems |
US5763890A (en) * | 1996-10-30 | 1998-06-09 | Eaton Corporation | Cathode mounting for ion source with indirectly heated cathode |
KR100274599B1 (ko) * | 1997-04-14 | 2000-12-15 | 윤종용 | 반도체 이온주입설비의 패러데이 바이어스전압 공급 체크장치 |
GB2327513B (en) | 1997-07-16 | 2001-10-24 | Applied Materials Inc | Power control apparatus for an ion source having an indirectly heated cathode |
US6452338B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
US6777686B2 (en) * | 2000-05-17 | 2004-08-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Control system for indirectly heated cathode ion source |
US6348764B1 (en) * | 2000-08-17 | 2002-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Indirect hot cathode (IHC) ion source |
-
2002
- 2002-05-23 US US10/154,232 patent/US7138768B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-22 JP JP2004508365A patent/JP4817656B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-22 EP EP03755430A patent/EP1506559A1/en not_active Withdrawn
- 2003-05-22 KR KR1020047018831A patent/KR100944291B1/ko active IP Right Grant
- 2003-05-22 WO PCT/US2003/016153 patent/WO2003100806A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-05-23 TW TW098119339A patent/TWI391975B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-23 TW TW092113939A patent/TWI319590B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-04-12 JP JP2010091583A patent/JP2010192454A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10188872A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
JPH10199430A (ja) * | 1996-12-31 | 1998-07-31 | Eaton Corp | イオン注入機に用いるためのイオン源、カソード、及びそのエンドキャップ |
JPH1125872A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオン発生装置 |
JP2001135253A (ja) * | 1999-10-11 | 2001-05-18 | Axcelis Technologies Inc | イオナイザーおよびイオン源 |
WO2001088946A1 (en) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Cathode assembly for indirectly heated cathode ion source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201001477A (en) | 2010-01-01 |
JP2010192454A (ja) | 2010-09-02 |
TW200307304A (en) | 2003-12-01 |
KR100944291B1 (ko) | 2010-02-24 |
US20030218428A1 (en) | 2003-11-27 |
TWI391975B (zh) | 2013-04-01 |
KR20040106580A (ko) | 2004-12-17 |
WO2003100806A9 (en) | 2004-03-04 |
TWI319590B (en) | 2010-01-11 |
US7138768B2 (en) | 2006-11-21 |
EP1506559A1 (en) | 2005-02-16 |
JP2005527952A (ja) | 2005-09-15 |
WO2003100806A1 (en) | 2003-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4817656B2 (ja) | 間接的に加熱されるカソードイオン源 | |
US6777686B2 (en) | Control system for indirectly heated cathode ion source | |
JP2995388B2 (ja) | イオン注入機に使用するイオン発生装置とその方法 | |
US8702920B2 (en) | Repeller structure and ion source | |
JP3758667B1 (ja) | イオン源 | |
JPH10134728A (ja) | イオン注入機用のイオン源とそのカソード構造 | |
JP4803941B2 (ja) | 間接的に加熱される陰極イオン源のための陰極組立体 | |
US5543625A (en) | Filament assembly for mass spectrometer ion sources | |
JP2664094B2 (ja) | 金属イオン源および金属イオン生成方法 | |
US10468220B1 (en) | Indirectly heated cathode ion source assembly | |
US10217600B1 (en) | Indirectly heated cathode ion source assembly | |
KR100548930B1 (ko) | 이온원 | |
US6878946B2 (en) | Indirectly heated button cathode for an ion source | |
JP4271584B2 (ja) | イオン源の為の間接加熱ボタン型カソード | |
JP3021762B2 (ja) | 電子衝撃型イオン源 | |
JP2005519433A5 (ja) | ||
KR100778164B1 (ko) | 간접 가열식 음극 이온 소오스용 음극 조립체 | |
JP2024064927A (ja) | イオン源カソード | |
US20030168609A1 (en) | Indirectly heated button cathode for an ion source | |
JP2615895B2 (ja) | イオン源 | |
JPH11260275A (ja) | イオン源装置及びイオン注入装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060522 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101221 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110104 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110121 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110221 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110725 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110829 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110830 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4817656 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |