KR20040106580A - 간접 가열식 음극 이온 소스 - Google Patents
간접 가열식 음극 이온 소스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040106580A KR20040106580A KR10-2004-7018831A KR20047018831A KR20040106580A KR 20040106580 A KR20040106580 A KR 20040106580A KR 20047018831 A KR20047018831 A KR 20047018831A KR 20040106580 A KR20040106580 A KR 20040106580A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- filament
- cathode
- arc chamber
- shield
- ion source
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/26—Supports for the emissive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
Claims (44)
- 간접 가열식 음극 이온 소스에 사용하기 위한 음극 조립체이며,방출부와, 상기 방출부에 부착된 지지 봉재 및 상기 방출부의 외주부로부터 연장하며, 상기 방출부와 함께 공동을 형성하는 스커트부를 포함하는 음극부와,상기 음극부의 방출부 부근의 공동 내에 배치된, 상기 음극부의 방출부를 가열하기 위한 필라멘트와,상기 음극부와 필라멘트를 고정된 공간적 관계로 장착하고, 상기 음극부와 필라멘트에 전기 에너지를 도전하기 위한 클램프 조립체를 포함하는 음극 조립체.
- 제1항에 있어서, 상기 음극부의 방출부는 디스크 형상인 음극 조립체.
- 제2항에 있어서, 상기 디스크형 방출부는 전면 및 이면을 가지고,상기 지지 봉재는 방출부의 이면의 중심에 또는 그 부근에 부착되는 음극 조립체.
- 제3항에 있어서, 상기 스커트부는 원통형이며, 상기 방출부의 외주부로부터 후향 연장하는 음극 조립체.
- 제4항에 있어서, 상기 스커트부는 14.22 mm의 길이 및 1.27 mm의 벽 두께를갖는 음극 조립체.
- 제1항에 있어서, 상기 클램프 조립체는 음극부의 지지 봉재에 부착된 음극 클램프를 포함하는 음극 조립체.
- 제6항에 있어서, 상기 클램프 조립체는 상기 필라멘트의 제1 및 제2 접속 리드에 각각 부착된 제1 및 제2 필라멘트 클램프를 더 포함하는 음극 조립체.
- 제7항에 있어서, 상기 클램프 조립체는 절연체 블록을 더 포함하고,상기 음극 클램프와 제1 및 제2 필라멘트 클램프는 절연체 블록에 고정된 위치로 장착되는 음극 조립체.
- 제1항에 있어서, 상기 음극부의 스커트부는 음극부의 방출부에만 접촉하는 음극 조립체.
- 간접 가열식 음극 이온 소스에 사용하기 위한 음극부이며,전면, 이면 및 외주부를 갖는 방출부와,상기 방출부의 이면에 부착된 지지 봉재와,상기 방출부의 외주부로부터 연장하는 스커트부를 포함하는 음극부.
- 제10항에 있어서, 상기 음극부의 방출부는 디스크 형상인 음극부.
- 제11항에 있어서, 상기 지지 봉재는 디스크형 방출부의 이면의 중심으로부터 후향 연장하는 음극부.
- 제12항에 있어서, 상기 스커트부는 원통형 외피를 포함하는 음극부.
- 제11항에 있어서, 상기 스커트부 및 방출부는 컵형 공동을 형성하는 음극부.
- 간접 가열식 음극 이온 소스이며,아크 챔버를 형성하는 아크 챔버 하우징과,전면, 이면 및 외주부를 가지는 방출부와, 상기 방출부의 이면에 부착된 지지 봉재 및 방출부의 외주부로부터 연장하는 스커트부를 포함하며, 상기 아크 챔버 내에 배치된 간접 가열식 음극부와,상기 간접 가열식 음극부를 가열하기 위한 필라멘트를 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제15항에 있어서, 상기 음극부 및 필라멘트를 고정된 공간적 관계로 장착하고, 상기 음극부와 필라멘트에 전기 에너지를 도전하기 위한 클램프 조립체를 더 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제16항에 있어서, 상기 클램프 조립체는 음극부의 지지 봉재에 부착된 음극 클램프와, 상기 필라멘트의 제1 및 제2 접속 리드에 각각 부착된 제1 및 제2 필라멘트 클램프 및 절연체 블록을 포함하고,상기 음극 클램프 및 제1 및 제2 필라멘트 클램프는 절연체 블록에 고정된 위치로 장착되는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제15항에 있어서, 상기 스커트부 및 방출부는 공동을 형성하고,상기 필라멘트는 공동 내에 배치되어 아크 챔버 내의 플라즈마에 대한 노출에 대해 보호되는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제15항에 있어서, 상기 필라멘트를 가열하기 위한 전류를 제공하는 필라멘트 전력 공급부와,상기 필라멘트와 음극부 사이에 연결된 바이어스 전력 공급부와,상기 음극부와 아크 챔버 하우징 사이에 연결된 아크 전력 공급부를 더 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 간접 가열식 음극 이온 소스이며,아크 챔버를 형성하는 아크 챔버 하우징과,상기 아크 챔버 내에 배치된 간접 가열식 음극부와,상기 간접 가열식 음극부를 가열하기 위해 아크 챔버 외측에 배치된 필라멘트와,상기 필라멘트 및 간접 가열식 음극부에 인접하게 아크 챔버 외측에 배치된 차폐부를 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제20항에 있어서, 상기 아크 챔버, 간접 가열식 음극부, 필라멘트 및 차폐부를 수납하는 진공 용기를 더 포함하고,상기 필라멘트 및 간접 가열식 음극부는 차폐부의 한 쪽에 배치되고, 상기 진공 용기의 인접한 부분은 차폐부의 반대 쪽에 배치되는 차폐부의 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제21항에 있어서, 상기 아크 챔버 하우징 및 진공 용기는 공통 전위에 있고,상기 차폐부는 필라멘트 전위에 있는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제21항에 있어서, 상기 진공 용기는 기준 전위에 접속되고,상기 차폐부는 전기적으로 부유상태가 되는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제20항에 있어서, 상기 음극부 및 필라멘트를 고정된 공간적 관계로 장착하고, 상기 필라멘트 및 음극부에 전기 에너지를 도전하기 위한 클램프 조립체를 더 포함하고,상기 차폐부는 클램프 조립체에 장착되는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제24항에 있어서, 상기 클램프 조립체는 필라멘트의 제1 및 제2 접속 리드에 각각 부착된 제1 및 제2 필라멘트 클램프를 포함하고,상기 차폐부는 제1 및 제2 필라멘트 클램프 중 하나에 기계적 및 전기적으로 연결되는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제24항에 있어서, 상기 클램프 조립체는 필라멘트의 제1 및 제2 접속 리드에 부착된 제2 및 제2 필라멘트 클램프를 포함하고,상기 차폐부는 전기 절연체에 의해 제1 및 제2 필라멘트 클램프 중 하나에 기계적으로 장착되는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제24항에 있어서, 상기 클램프 조립체는 절연체 블록을 포함하고,상기 이온 소스는 절연체 블록상의 오염물의 누적을 억제하기 위한 절연체 차폐부를 더 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제20항에 있어서, 상기 차폐부는 하나 이상의 측부가 없는 금속 박스를 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제20항에 있어서, 상기 차폐부는 내화 금속을 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제20항에 있어서, 상기 필라멘트를 가열하기 위한 전류를 제공하는 필라멘트 전력 공급부,상기 필라멘트와 음극부 사이에 연결된 바이어스 전력 공급부와,상기 음극부와 아크 챔버 하우징 사이에 연결된 아크 전력 공급부를 더 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 간접 가열식 음극 이온 소스이며,아크 챔버를 형성하는 아크 챔버 하우징과,상기 아크 챔버 내에 배치된 간접 가열식 음극부와,상기 아크 챔버 내에 플라즈마를 생성하기 위한 전자를 제공하는 간접 가열식 음극부를 가열하기 위해 아크 챔버 외측에 배치된 필라멘트와,상기 필라멘트와 간접 가열식 음극부에 인접한 아크 챔버 외측의 영역으로부터 플라즈마 및 전자의 탈출을 억제하기 위한 수단을 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제31항에 있어서, 상기 탈출을 억제하기 위한 수단은 필라멘트와 간접 가열식 음극부에 인접한 아크 챔버 외측에 배치된 차폐부를 포함하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제32항에 있어서, 상기 아크 챔버, 간접 가열식 음극부, 필라멘트 및 차폐부를 수납하는 진공 용기를 더 포함하고,상기 필라멘트 및 간접 가열식 음극부는 차폐부의 한 쪽에 배치되고, 진공 용기의 인접한 부분은 차폐부의 반대 쪽에 배치되는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제33항에 있어서, 상기 아크 챔버 하우징 및 진공 용기는 공통 전위에 있고,상기 차폐부는 필라멘트 전위에 있는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제33항에 있어서, 상기 진공 용기는 기준 전위에 접속되고,상기 차폐부는 전기적으로 부유상태가 되는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제32항에 있어서, 상기 아크 챔버, 간접 가열식 음극부, 필라멘트 및 차폐부를 수납하는 진공 용기를 더 포함하고,상기 차폐부는 한 쪽의 필라멘트 및 진공 가열식 음극부와, 다른 쪽의 진공 용기 사이에 장벽을 형성하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 제32항에 있어서, 상기 아크 챔버로부터 이온 빔을 추출하기 위한 추출 시스템의 구성요소를 더 포함하고,상기 차폐부는 한쪽의 필라멘트 및 간접 가열식 음극부와, 다른 쪽의 추출시스템의 구성요소 사이에 장벽을 형성하는 간접 가열식 음극 이온 소스.
- 이온 소스를 동작하는 방법이며,아크 챔버를 형성하는 아크 챔버 하우징을 제공하는 단계와,상기 아크 챔버 내에 간접 가열식 음극부를 배치하는 단계와,상기 아크 챔버 내에 플라즈마를 형성하기 위한 전자를 제공하도록 아크 챔버 외측에 배치된 필라멘트로 간접 가열식 음극부를 가열하는 단계와상기 필라멘트와 간접 가열식 음극부에 인접한 아크 챔버 외측의 영역으로부터 전자 및 플라즈마의 탈출을 억제하는 단계를 포함하는 이온 소스 동작 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 전자 및 플라즈마의 탈출을 억제하는 단계는 필라멘트 및 간접 가열식 음극부에 인접한 아크 챔버 외측에 차폐부를 배치하는 단계를 포함하는 이온 소스 동작 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 아크 챔버, 간접 가열식 음극부, 필라멘트 및 차폐부를 진공 용기 내에 수납하는 단계와, 상기 진공 용기 및 아크 챔버를 공통 전위로 유지하는 단계와, 상기 차폐부를 필라멘트의 전위로 유지하는 단계를 더 포함하는 이온 소스 동작 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 아크 챔버, 간접 가열식 음극부, 필라멘트 및 차폐부를 진공 용기 내에 수납하는 단계와, 상기 진공 용기를 기준 전위로 유지하는 단계 및 차폐부가 전기적으로 부유상태가 되게 하는 단계를 더 포함하는 이온 소스 동작 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 전자 및 플라즈마의 탈출을 억제하는 단계는 필라멘트와 진공 용기 사이에 장벽을 제공하는 단계를 포함하는 이온 소스 동작 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 전자 및 플라즈마의 탈출을 억제하는 단계는 필라멘트와 추출 시스템의 구성요소 사이에 장벽을 제공하는 단계를 포함하는 이온 소스 동작 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 전자 및 플라즈마의 탈출을 억제하는 단계는 필라멘트와 간접 가열식 음극부에 근접한 아크 챔버 외측의 영역을 실질적으로 포위하는 단계를 포함하는 이온 소스 동작 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/154,232 | 2002-05-23 | ||
US10/154,232 US7138768B2 (en) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | Indirectly heated cathode ion source |
PCT/US2003/016153 WO2003100806A1 (en) | 2002-05-23 | 2003-05-22 | Indirectly heated cathode ion source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040106580A true KR20040106580A (ko) | 2004-12-17 |
KR100944291B1 KR100944291B1 (ko) | 2010-02-24 |
Family
ID=29548827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047018831A KR100944291B1 (ko) | 2002-05-23 | 2003-05-22 | 간접 가열식 음극 이온 소스 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7138768B2 (ko) |
EP (1) | EP1506559A1 (ko) |
JP (2) | JP4817656B2 (ko) |
KR (1) | KR100944291B1 (ko) |
TW (2) | TWI391975B (ko) |
WO (1) | WO2003100806A1 (ko) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7838850B2 (en) | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | External cathode ion source |
TW521295B (en) * | 1999-12-13 | 2003-02-21 | Semequip Inc | Ion implantation ion source, system and method |
GB0505856D0 (en) * | 2005-03-22 | 2005-04-27 | Applied Materials Inc | Cathode and counter-cathode arrangement in an ion source |
US7491947B2 (en) * | 2005-08-17 | 2009-02-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving performance and extending lifetime of indirectly heated cathode ion source |
KR101297964B1 (ko) | 2005-08-30 | 2013-08-19 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 대안적인 불화 붕소 전구체를 이용한 붕소 이온 주입 방법, 및 주입을 위한 대형 수소화붕소의 형성 방법 |
US20100112795A1 (en) * | 2005-08-30 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of forming ultra-shallow junctions for semiconductor devices |
KR100688573B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 이온소스부, 이를 구비하는 이온주입장치 및 그 변경 방법 |
WO2008020855A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving performance and extending lifetime of inductively heated cathode ion sources |
US8072149B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-12-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Unbalanced ion source |
US20110021011A1 (en) | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon materials for carbon implantation |
US8062965B2 (en) * | 2009-10-27 | 2011-11-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8796131B2 (en) | 2009-10-27 | 2014-08-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ion implantation system and method |
US8138071B2 (en) * | 2009-10-27 | 2012-03-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8598022B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-12-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
TWI386983B (zh) | 2010-02-26 | 2013-02-21 | Advanced Tech Materials | 用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備 |
US8779383B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-07-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
JP5318809B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2013-10-16 | 日本電子株式会社 | 電子銃 |
KR101902022B1 (ko) | 2010-08-30 | 2018-09-27 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 고체 물질로부터 화합물 또는 그의 중간체를 제조하기 위한 장치 및 방법, 및 이러한 화합물과 중간체를 사용하는 방법 |
KR101149826B1 (ko) | 2011-01-11 | 2012-05-24 | (주)제이씨이노텍 | 반도체 제조장비의 소스 헤드 |
US9076625B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-07-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Indirectly heated cathode cartridge design |
DE102011112759A1 (de) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Plasmaquelle |
TWI583442B (zh) | 2011-10-10 | 2017-05-21 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | B2f4之製造程序 |
EP3267470A3 (en) | 2012-02-14 | 2018-04-18 | Entegris, Inc. | Carbon dopant gas and co-flow for implant beam and source life performance improvement |
US8933630B2 (en) | 2012-12-19 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Arc chamber with multiple cathodes for an ion source |
SG10201801299YA (en) | 2013-08-16 | 2018-03-28 | Entegris Inc | Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor |
WO2015094381A1 (en) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | White Nicholas R | A ribbon beam ion source of arbitrary length |
JP6177123B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-08-09 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 支持構造およびそれを用いたイオン発生装置 |
CN110085499B (zh) | 2014-09-01 | 2022-03-04 | 恩特格里斯公司 | 利用增强源技术进行磷或砷离子植入 |
US9502207B1 (en) | 2015-08-26 | 2016-11-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Cam actuated filament clamp |
US10217600B1 (en) * | 2017-10-19 | 2019-02-26 | Ion Technology Solutions, Llc | Indirectly heated cathode ion source assembly |
US10818469B2 (en) * | 2018-12-13 | 2020-10-27 | Applied Materials, Inc. | Cylindrical shaped arc chamber for indirectly heated cathode ion source |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH252249A (de) | 1946-07-11 | 1947-12-15 | Foerderung Forschung Gmbh | Anordnung mit einer Glühkathode. |
FR1053508A (fr) | 1952-04-07 | 1954-02-03 | Csf | Perfectionnements aux cathodes thermioniques |
US3621324A (en) | 1968-11-05 | 1971-11-16 | Westinghouse Electric Corp | High-power cathode |
FR2105407A5 (en) | 1970-09-04 | 1972-04-28 | Commissariat Energie Atomique | Indirectly heated cathode - for a source of high energy ions |
FR2251096B1 (ko) * | 1973-11-13 | 1977-08-19 | Thomson Csf | |
DE3222511C2 (de) * | 1982-06-16 | 1985-08-29 | Feinfocus Röntgensysteme GmbH, 3050 Wunstorf | Feinfokus-Röntgenröhre |
US4714834A (en) * | 1984-05-09 | 1987-12-22 | Atomic Energy Of Canada, Limited | Method and apparatus for generating ion beams |
US4754200A (en) | 1985-09-09 | 1988-06-28 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for ion source control in ion implanters |
US5204145A (en) * | 1991-03-04 | 1993-04-20 | General Electric Company | Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom |
US5262652A (en) | 1991-05-14 | 1993-11-16 | Applied Materials, Inc. | Ion implantation apparatus having increased source lifetime |
US5497006A (en) | 1994-11-15 | 1996-03-05 | Eaton Corporation | Ion generating source for use in an ion implanter |
US5811823A (en) | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Eaton Corporation | Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems |
US5703372A (en) * | 1996-10-30 | 1997-12-30 | Eaton Corporation | Endcap for indirectly heated cathode of ion source |
US5763890A (en) * | 1996-10-30 | 1998-06-09 | Eaton Corporation | Cathode mounting for ion source with indirectly heated cathode |
JP3349642B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2002-11-25 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム加工装置の点検方法 |
KR100274599B1 (ko) * | 1997-04-14 | 2000-12-15 | 윤종용 | 반도체 이온주입설비의 패러데이 바이어스전압 공급 체크장치 |
JP3899161B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2007-03-28 | 株式会社 Sen−Shi・アクセリス カンパニー | イオン発生装置 |
GB2327513B (en) | 1997-07-16 | 2001-10-24 | Applied Materials Inc | Power control apparatus for an ion source having an indirectly heated cathode |
US6288403B1 (en) * | 1999-10-11 | 2001-09-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Decaborane ionizer |
US6452338B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
US6777686B2 (en) * | 2000-05-17 | 2004-08-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Control system for indirectly heated cathode ion source |
US7276847B2 (en) * | 2000-05-17 | 2007-10-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Cathode assembly for indirectly heated cathode ion source |
US6348764B1 (en) * | 2000-08-17 | 2002-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Indirect hot cathode (IHC) ion source |
-
2002
- 2002-05-23 US US10/154,232 patent/US7138768B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-22 EP EP03755430A patent/EP1506559A1/en not_active Withdrawn
- 2003-05-22 JP JP2004508365A patent/JP4817656B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-22 WO PCT/US2003/016153 patent/WO2003100806A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-05-22 KR KR1020047018831A patent/KR100944291B1/ko active IP Right Grant
- 2003-05-23 TW TW098119339A patent/TWI391975B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-23 TW TW092113939A patent/TWI319590B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-04-12 JP JP2010091583A patent/JP2010192454A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4817656B2 (ja) | 2011-11-16 |
KR100944291B1 (ko) | 2010-02-24 |
US20030218428A1 (en) | 2003-11-27 |
US7138768B2 (en) | 2006-11-21 |
WO2003100806A1 (en) | 2003-12-04 |
WO2003100806A9 (en) | 2004-03-04 |
TW201001477A (en) | 2010-01-01 |
TWI391975B (zh) | 2013-04-01 |
JP2010192454A (ja) | 2010-09-02 |
TW200307304A (en) | 2003-12-01 |
EP1506559A1 (en) | 2005-02-16 |
JP2005527952A (ja) | 2005-09-15 |
TWI319590B (en) | 2010-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100944291B1 (ko) | 간접 가열식 음극 이온 소스 | |
US8702920B2 (en) | Repeller structure and ion source | |
KR100261007B1 (ko) | 이온주입실에 이용되는 이온발생 소오스 | |
US5703372A (en) | Endcap for indirectly heated cathode of ion source | |
US7102139B2 (en) | Source arc chamber for ion implanter having repeller electrode mounted to external insulator | |
JP4925544B2 (ja) | 間接的に加熱されるカソードイオンソース用の制御装置 | |
JP3758667B1 (ja) | イオン源 | |
JPH10134728A (ja) | イオン注入機用のイオン源とそのカソード構造 | |
US8796649B2 (en) | Ion implanter | |
EP1299895B1 (en) | Cathode assembly for indirectly heated cathode ion source | |
US10468220B1 (en) | Indirectly heated cathode ion source assembly | |
US10217600B1 (en) | Indirectly heated cathode ion source assembly | |
KR100548930B1 (ko) | 이온원 | |
JP4271584B2 (ja) | イオン源の為の間接加熱ボタン型カソード | |
US11961696B1 (en) | Ion source cathode | |
JP2000340150A (ja) | 接地したシールドを有する電子ビーム銃 | |
JP2005519433A5 (ko) | ||
TW202418329A (zh) | 離子源陰極 | |
KR100672835B1 (ko) | 이온 임플랜터의 이온 발생 장치 | |
US20030168609A1 (en) | Indirectly heated button cathode for an ion source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140129 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150129 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161229 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180212 Year of fee payment: 9 |