JP4813113B2 - 発光素子試験装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光素子試験装置関する。
半導体レーザの信頼性試験を行う際には、複数のレーザダイオードをエージング装置と言われる装置内に配置し、各レーザダイオードに通電すると共に、各レーザダイオード毎に、出力をモニタ用ホトダイオードで受光していた。近年、レーザダイオードは高出力化(〜1W)されているが、ホトダイオード側では測定対象となるレーザダイオード出力光の入射光強度が強いと、信号出力が飽和してしまい、正確なレーザダイオード光強度の検出ができないという問題がある。
そこで、従来、ホトダイオード側での検出出力の飽和を防止し、リニアリティを十分確保して正確なモニタリングを行う為に、ホトダイオードの前にNDフィルタを介在させて、モニタ光を検出していた。
特許文献1の装置は、このような試験装置の一つであり、光検出素子の出力飽和対策のために半導体レーザ素子と光検出素子との間にNDフィルタを挿入している。
特開平10−19663号公報
しかしながら、NDフィルタをレーザダイオードの光軸に対して垂直な面に配置すると、NDフィルタ表面でレーザダイオード光が反射して、その反射光がレーザダイオードに戻ってレーザダイオードの動作が不安定になり、特性評価試験を精度よく行うことができないという問題が生じる。したがって、NDフィルタの表面に対する法線が、レーザダイオードのレーザ光出射面から出射されるレーザ光の光軸に対して所定角度傾けられて配置している。このような構成とすることで、NDフィルタの表面で反射されたモニタ光が、戻り光としてレーザ光出射面に入射するのを防止することができる。
このような構成では、NDフィルタを斜めにして配置させる為の空間がレーザダイオード−ホトダイオード間に必要であり、装置が大型化してしまう。また、NDフィルタを傾ける必要があり、固定用治具等を備える必要からアセンブリが複雑になるという欠点も有していた。
特に、複数のレーザダイオードを並列配置して同時に試験を行う為、フィルタが所定角度で傾斜している為に、フィルタ表面での反射された反射光が隣接するチャンネルのレーザダイオードに戻ってしまってレーザダイオードの動作が不安定になり、特性評価試験を精度よく行うことができないという問題があった。
そこで、本発明は、特性評価試験を精度よく行うことができるとともに、小型化が可能な発光素子試験装置提供することを目的とする。
本発明は、光検出素子を複数備えた発光素子試験装置において、各光検出素子は、第1導電型の基板と、基板の上面の一部分に形成された第2導電型の不純物領域と、不純物領域上に絶縁層を介して蒸着又はスパッタにより形成されたAl-Si-Cu層及びTiN層の積層体とを備え、積層体は複数の微細孔を有し、前記発光素子試験装置は、複数の前記光検出素子が受光するべきモニタ光を出射する複数の発光素子を配置する場合に、前記光検出素子と前記発光素子とを収容する恒温槽と、前記発光素子への駆動電流又は前記光検出素子の光電流をモニタする手段と、を備えることを特徴とする。また前記絶縁層は、シリコン酸化物又はシリコン窒化物を含むことを特徴とする。また前記微細孔は、前記積層体を前記絶縁層まで貫通していることを特徴とする。
この光検出素子は、複数の前記微細孔の面積の合計によって規定される開口率は、1〜30%に設定されることを特徴とする。
上記の如く、本発明に係る発光素子試験装置は、上記光検出素子を複数備え、これらの光検出素子が受光するべきモニタ光を出射する複数の発光素子を配置する場合に、光検出素子と発光素子とを収容する恒温槽と、発光素子への駆動電流又は光検出素子の光電流をモニタする手段とを備えることを特徴とする。
このような発光素子試験装置の光検出素子は、発光素子から出射されたモニタ光を受光して光電流を出力するが、駆動電流又は光電流をモニタすることで発光素子の特性評価試験を行うことができる。
光検出素子の光入射面にはAl-Si-Cu及びTiNの積層体が設けられており、積層体には、モニタ光の一部を光入射面にて受光させるための複数の微細孔を有している。微細孔を有する積層体を光検出素子の光入射面に設けるので、発光素子から出射されたモニタ光は積層体に照射される。積層体の微細孔以外の部分に入射したモニタ光はAl-Si-Cu層及びTiN層の積層体によって遮られ、微細孔内に入射したモニタ光は光検出素子の光入射面に到達する。Al-Si-Cu層及びTiN層の積層体は、反射光の発生を低減することができる。
また、光入射面上でモニタ光の反射が生じた場合であっても、微細孔の壁面はレーザダイオード方向への戻り反射率を低減することができる。このように、反射光が発光素子に戻る可能性は低くなるため、発光素子の特性評価試験を精度よく行うことが可能となる。なお、恒温槽があるため、発光素子及び光検出素子を所望の温度に保った状態で、発光素子の特性評価を行うことができる。
また、微細孔を有するAl-Si-Cu及びTiNの積層体からなる膜を光検出素子の光入射面に設けることにより、モニタ光を遮光してモニタ光の一部だけを光検出素子に入力させることで光電流を下げ、光検出素子の飽和をより高い入射パワーまで伸ばすために必要となる光学フィルタ(NDフィルタ)を、使用しないこともできる。
この場合、光学フィルタの設置スペースが不要となるため、小型化が可能となる。また、光学フィルタは、その厚さで光の減衰率を調整するため、製造に厳密さを要するのに対して、Al-Si-Cu層及びTiN層の積層体は、材料で反射率を、微細孔(穴)の数や大きさ等で光の減衰率を調整することができる。また、この加工はフォトリソグラフィで行うので、非常に精密かつばらつきなく実施できる。
また、複数の微細孔は、それぞれ所定の面積を有していることが好ましい。微細孔の面積を規定すると、光検出素子の光入射面においてモニタ光が入射する部分の面積は、微細孔の数に応じて変化することとなる。モニタ光が入射する部分の面積が変化すると、光検出素子の受光感度も変化するため、検出素子の受光感度を調整することが可能となる。
複数の微細孔の面積の合計によって規定される開口率は、1〜30%に設定されることが好ましい。開口率を100%とした場合と比べて、開口率を30%とした場合には飽和特性を約3倍改善でき、開口率を1%とした場合には飽和特性を約100倍改善することができる。なお、飽和特性の改善とは、飽和時における光入力がより大きくなることを指す。
本発明によれば、特性評価試験を精度よく行うことができるとともに、小型化が可能となる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
図1は、本実施形態に係る発光素子試験装置の構成を示す図である。
発光素子試験装置1は、温度制御装置4による内部温度制御が可能な恒温槽2を備えている。
恒温槽2内の温度は比較的高め(50〜100℃)に設定することができ、寿命測定試験などに利用することができる。恒温槽2内には、複数枚の半導体レーザ基板14が設けられている。各半導体レーザ基板14には、複数の半導体レーザダイオード(発光素子)6が装着可能となっている。
なお、恒温槽2内を比較的高温にするのは劣化を早めて試験の期間を短縮するためである。ACC(Automatic Current Control)試験、APC(Automatic Power Control)試験、いずれの場合でも半導体レーザダイオード6の光出力をモニタし、1%以下の光出力変化を正確にモニタできるホトダイオードが必要である。
恒温槽2内には、半導体レーザ基板14の他に、複数のホトダイオード基板16が設けられている。ホトダイオード基板16には、複数のホトダイオード(光検出素子)10が装着されている。本例のホトダイオード10は、シリコンからなり、半導体レーザ基板14に装着された各半導体レーザダイオード6と対向するように配置されている。
なお、図4に示すように、半導体レーザダイオード6の光出射端面TSと、ホトダイオード10の光入射面ISは対向している。また、光出射端面TSは、半導体レーザダイオード6の活性層ACに垂直である。
詳説すれば、ホトダイオード10は光出力をモニタするのであるから、原則的には半導体レーザダイオード6の出力光の全部を受光しなければならない。図4に示すように、半導体レーザダイオード6からのモニタ光Lのビ−ム径は、光出射面端面TSから離れるに従って拡がる。この広がり角は比較的大きいので、半導体レーザダイオード6とホトダイオード10が離れるとビ−ム径は大きくなる。
このビ−ム径は、半導体レーザダイオード6の遠視野像の広がり角と、半導体レーザダイオードのチップ面からの距離の積に等しい。したがって、半導体レーザの光のビ−ム径を小さくするため、ホトダイオード10を半導体レーザダイオード6に対して対向配置し、これらを接近させている。
発光素子試験装置1の半導体レーザ制御部8は、各半導体レーザダイオード6へ供給される駆動電流が一定となるよう制御することができる。半導体レーザ基板14に装着された各半導体レーザダイオード6は、半導体レーザ制御部8から駆動電流が供給されると、モニタ光を出射する。
各半導体レーザダイオード6から出射されたモニタ光はそれぞれに対向配置された各光検出素子10によって検出される。
ホトダイオード制御部12は、駆動電流を一定とした場合における各ホトダイオード10の光電流の変化を測定し、モニタすることができる(ACC試験)。また、ホトダイオード制御部12は、ホトダイオード10から出力される光電流が一定となるように駆動電流を制御した場合における駆動電流の変化を測定し、モニタすることができる(APC試験)。
例えば、ある条件下で、ACC試験を行う場合、光電流がA%低下するまでの時間を寿命として計測し、APC試験を行う場合、駆動電流がB%増加するまでの時間を寿命として計測する。
かかる試験を正確に実行するためには、ホトダイオード10への入射光量と光電流(出力電流)とが線形の関係を有していることが必要であり、入射光量の増加に対して光電流が飽和した場合には、駆動電流を変化させても光電流は変化せず、また、光電流を一定とするように駆動電流は複数の値をとり得ることとなり、正確な試験を行うことができない。
本装置では、特定の入射光量の範囲内においては入射光量に対する出力電流の線形性を維持することができる。
図2は、ホトダイオード10の動作について説明するための図である。
ホトダイオード10は、対向する半導体レーザダイオード6から出射されたモニタ光Lを受光すると、その入射光量に応じた値を有する光電流をホトダイオード制御部12に出力する。なお、ホトダイオード10のカソード10a側にはバイアス電圧VRが直列に接続され、アノード10b側には負荷抵抗RLが接続されている。
このように、発光素子試験装置1は、半導体レーザダイオード6から出射されたモニタ光を受光して光電流を出力するホトダイオード10を備え、半導体レーザダイオード6への駆動電流又はホトダイオード10からの光電流に基づいて半導体レーザダイオード6の特性評価試験を行う。また、恒温槽2は、半導体レーザダイオード6及びホトダイオード10を収容しており、半導体レーザダイオード6及びホトダイオード10を所望の温度に保った状態で、半導体レーザダイオード6の特性評価を行うことができる。すなわち、上述の装置は、半導体レーザダイオードの特性試験の中で、光出力を一定になるように制御しながら恒温槽の中で特性(スクリーニング)試験をする際に使用することができる。
図3は、ホトダイオード10の平面図である。
ホトダイオード10の光入射面の全面におけるアノード10bよりも内側の領域には、電極パッド(カソード10a,アノード10b)を除いて、Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体が設けられている。TiN層10mを含む積層体は、モニタ光の一部を光入射面にて受光させるための複数の微細孔(微小開口)10cを有している。なお、アノード10bはホトダイオード10のチップの周囲を囲むように設けられている。
半導体レーザダイオード6から出射されたモニタ光は、Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体に入射する。Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体の微細孔10c以外の部分に入射したモニタ光は、Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体で遮られ、微細孔10c内に入射したモニタ光はホトダイオード10の光入射面に到達する。したがって、Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体は反射光の発生を低減する。
複数の微細孔10cは、それぞれ所定の面積(Sとする)を有する。微細孔10cの面積Sを規定すると、ホトダイオード10の光入射面においてモニタ光が入射する部分の面積は、微細孔10cの数N(S×N)に応じて変化することとなる。
微細孔10cの形状を多角形とする場合、その重心位置から各辺の構成点までの距離の平均値の2倍を微細孔の径とすることができ、多角形の頂点数が無限の場合、すなわち、微細孔10cの形状が円の場合には、面積S=πrである(r=R/2、Rは微細孔の直径)。
本例では、全ての微細孔10cの面積Sは等しく、内壁面による反射光の吸収量を考慮して、数Nを設定する。
一例として、微細孔の形状を円形とし、その直径Rを20μm、光入射面内の開口率α(=微細孔の総面積(S×N)/光入射面面積T)を10%、20%、30%に設定する。この場合には、光入射面における微細孔の重心位置間距離はそれぞれ約50μm、約40μm、約30μmとなる。
モニタ光が入射する部分の面積(S×N)が変化すると、ホトダイオード10の受光感度も変化するため、ホトダイオード10の受光感度と飽和特性とを調整することが可能となる。
すなわち、複数の微細孔10cそれぞれの面積S及び数Nは、半導体レーザダイオード6によるモニタ光の出射光量で光電流が飽和しないように設定される。例えば、負荷抵抗RLの抵抗値100Ω、バイアス電圧VR=2Vとした場合に、開口率が100%であるホトダイオードはモニタ光の出射光量が4×10−2W付近で飽和するのに対して、開口率を10%としたホトダイオード10ではモニタ光の出射光量は3×10−1W付近まで飽和せず、ホトダイオードの飽和特性を改善することができる。
さらに、微細孔のピッチ(重心位置間距離)は、できるだけ小さいことが好ましく、この場合には、感度均一性を向上させることができる。
それぞれの微細孔10cの面積S及び数Nをこのように設定することで、モニタ光の出射光量の変化に応じて、ホトダイオード10が出力する光電流と飽和特性とを制御することができる。
なお、半導体レーザダイオードは、高出力化が急速に進んでおり、今後は単一の半導体レーザの出力が1Wを越えるものも商品化されていくと思われる。通常、半導体レーザダイオードからの出力光はホトダイオードで検出されるが、許容の受光強度を超えた入射光強度に対しては受光出力が飽和してしまい、正確なモニタができなかったが、積層体(10e,10m)を用いて開口率を調整することで、このような不具合も解消することができる。
また、本装置では、微細孔10cを有する積層体(10e,10m)をホトダイオード10の光入射面に設けているので、モニタ光を減光するための光学フィルタ(NDフィルタ)を使用する必要はない。
ここで、NDフィルタの問題について付記しておく。
すなわち、従来、ホトダイオードの前方にNDフィルタを介在させていたが、NDフィルタを半導体レーザダイオードの光軸に対して垂直な面に配置すると、NDフィルタ表面で半導体レーザダイオード光が反射して、その反射光が半導体レーザダイオードに戻って誤動作を起こす。
このような場合、NDフィルタの表面に対する法線が、半導体レーザダイオードのレーザ光出射端面から出射されるレーザ光の光軸に対して所定角度傾ければよい。このような構成とすることで、NDフィルタの表面で反射されたモニタ用レーザ光は、戻り光としてレーザ光出射端面に入射するのを防止することができる。
この場合、NDフィルタを斜めにして配置させる為の空間が半導体レーザダイオードとホトダイオードとの間に必要であり、装置が大型化してしまう。また、NDフィルタを傾ける必要があり、固定用治具等を備える必要からアセンブリが複雑になる。
また、上述の複数の半導体レーザダイオードを並列配置して同時に試験を行う場合、フィルタが所定角度で傾斜している為に、フィルタ表面で反射された反射光が隣接する半導体レーザダイオードに戻ってしまう場合がある。
上述の装置では、NDフィルタの設置スペースが不要となるため、小型化が可能となる。すなわち、半導体レーザダイオードを高密度で配置することができる。すなわち、ホトダイオード10の光入射面をXZ面とした場合、半導体レーザダイオード6とホトダイオード10の対は、XZ面に対して垂直な方向(Y軸方向)にも並べることができる。X軸方向のホトダイオード10(半導体レーザダイオード6)の数をx、Y軸方向の数をy、Z軸方向の数をzとすると、半導体レーザダイオード6とホトダイオード10の対の数はx×y×zとなり、三次元集積が可能となる。
また、NDフィルタは、その厚さで光の減衰率を調整するため、製造に厳密さを要するのに対して、Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体は、材料で反射率を、穴の数や大きさ等で光の減衰率を調整することができる。この穴の加工はフォトリソグラフィで行うので、非常に精密かつばらつき無く実施することができる。よって、ホトダイオードの製造が容易となる。
Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体について説明する。
図5は、Al-Si-Cu及びTiNの積層体からなる膜を備えたホトダイオード10の断面図である。
ホトダイオード10は、第1導電型のシリコンからなる半導体基板10fと、基板10fの上面の一部分に形成された高濃度の第2導電型の不純物領域10gと、不純物領域10g上に形成された絶縁膜(SiO)10hとを有しており、Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体は、絶縁層10k上に形成されている。第2導電型の不純物領域10gの周囲には、高濃度の第1導電型の不純物領域10iが形成されており、それぞれに電極パッド10b及び電極パッド10aが設けられている。基板10fの裏面には高濃度の第1導電型の不純物層10jが形成されている。
なお、本例では、第1導電型をn型とし、第2導電型をp型とするが、この逆も可能である。基板10fと不純物領域10gとの界面は、PN接合を構成し、PN接合は光検出領域を構成し、この領域の上に位置する半導体表面を光入射面とする。
Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体の下に絶縁膜10kを設けることにより、第2導電型の不純物領域10gを保護することができる。また、絶縁層10kは反射防止膜としても機能するため、積層体(10e,10m)の微細孔10cに入射したモニタ光Lが反射する可能性をより低くすることができる。
なお、ホトダイオード10の光入射面は近赤外域及び可視域の光を遮るAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体で被覆されているが、このAl-Si-Cu層10eおよびTiN層10mの積層体は電極パッド(カソード10a,アノード10b)と同時に形成され、電極パッドについては、TiN層10mがエッチングにより除去され、Al-Si-Cu層10eが露出することで形成される。ホトダイオード10の光入射面上に形成されたAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体には、ホトダイオード10表面の絶縁膜10kまで貫通する複数の微細孔10cが、一例として、ドット径20μmで開口率10%となるように均一に配置される。
半導体レーザダイオード6から出射されるモニタ光Lは、ほとんどがAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体に遮られ、一部のみ微細孔10cを介して光入射面に到達し、ホトダイオード10内部で光電流に変換される。この為、許容の受光強度を超えた入射光強度に対して受光出力が飽和することはなく、半導体レーザダイオード6の出力の正確なモニタが可能となる。しかも、積層体(10e,10m)は反射率が小さい為、積層体(10e,10m)表面での反射光は少なく,半導体レーザダイオード6の光出射端面への戻り光を抑制することができる。
なお、光入射面とAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体との間にSiO(シリコン酸化物)やSi(シリコン窒化物)等からなる反射防止膜等を形成することで、更に半導体レーザダイオード6の光出射端面への戻り光を抑制することができる。
次に、ホトダイオード10の製造方法について説明する。
図6は、Al-Si-Cu層及びTiN層の積層体を用いた場合のホトダイオード10の製造方法を説明するための図である。
まず、図6(a)に示すように、第1導電型のシリコンからなる5mm×5mmの矩形の半導体基板10fを用意する。ここでは、第1導電型をn型とし、基板10fの厚みを0.3mmとする。なお、実際には、半導体基板10fは半導体ウェハであり、半導体ウェハの表面上に5mm×5mmの矩形状形成領域が設定される。
次に、図6(b)に示すように、半導体基板10fの表面の周辺領域(平面矩形環状)が開口するように、中央領域上にマスクを形成し、マスク上からn型不純物(本例では燐)を半導体基板10fの周辺領域(平面矩形環状)内に添加し、基板10fの表面側の周辺領域に不純物領域10iを形成する。また、半導体基板10fの裏面の全面にもn型不純物(本例では燐)を半導体基板10f内に添加し、裏面側に不純物層10jを形成する。基板10fの表面及び裏面上には絶縁膜10h’及び10xをそれぞれ形成する。本例では、シリコンを熱酸化することにより絶縁膜10h’及び10xを形成する。
不純物領域10i及び不純物層10jは、それぞれ表面抵抗率ρ=12Ω/sq、深さxj=1.5μmに設定した。
しかる後、図6(c)に示すように、表面側の絶縁膜10h’の中央領域を除去して矩形環状のマスクパターン領域10hを形成し、半導体基板10fの表面の中央領域内に第2導電型の不純物を添加し、平面矩形状に不純物領域10gを形成する。ここでは、第2導電型をp型とする。本例の添加物はボロンであり、表面抵抗率ρ=44Ω/sq、接合深さxj=0.55μmに設定した。p型不純物は絶縁膜10hを介してイオン注入法で添加することもできる。なお、添加後、熱酸化を行い、絶縁層10kを更に基板露出面上に形成する。また、必要に応じてCVDやスパッタによってSi(シリコン窒化物)を絶縁膜10kとして基板表面上に形成してもよい。
次に、図6(d)に示すように、表面側の絶縁層10k,10hに複数のコンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホール内に、不純物領域10i及び10gにそれぞれ接触する電極パッド10a、10bを形成すると同時に光入射面(受光領域)にAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mを、それぞれ厚み0.6μm、0.05μmで形成する。これらのコンタクトホールの形成は、コンタクトホールの形成位置以外の領域をホトレジスト等のマスクで被覆し、このマスクの開口内の絶縁膜10k,10hをフッ酸水溶液等でエッチングすることにより行う。
電極パッド10a、10b及び受光面上に形成するAl-Si-Cu層10eは、ターゲット材料としてのAl-Si-Cuを130℃で蒸着(スパッタ)で形成し、更に、この上に形成されるTiN層10mはTiNを常温で蒸着(スパッタ)で形成することができる。なお、Al-Si-Cu層10eとTiN層10mとの界面の共晶化は抑制されており、遮光機能と反射防止機能が好適に達成される。すなわち、Al-Si-Cu層10eの遮光機能と、TiN層10mの低反射機能が共に達成される。
電極パッド10a、10bと受光面上に形成するAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mとは同じフォトマスクを用いて形成される。そして、電極パッド10a、10bの表面に形成したTiN層10mのみをドライエッチングにより除去することで、そのAl-Si-Cu面を露出させる。
次に、基板表面の中央領域上にのみ複数の微細孔10cを有するAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mが残るように、基板上にマスクを形成し、このマスクを介して基板をドライエッチングする。すなわち、基板表面のTiN層10m上にホトレジストを塗布し、これを露光及び現像して、複数の微細孔を不純物領域10g上に有し、且つ、基板表面の周辺領域が開口したパターンのマスクを形成した後、エッチングを行う。
最後に、図6(e)に示すように、基板裏面側に形成しておいた保護用の絶縁膜10xを剥離し、ホトダイオード10が完成する。
なお、上述の実施形態では絶縁層(SiO2膜)上にAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体を形成する例を説明したが、Al-Si-Cu層及びTiN層の積層体がアノード部及びカソード部と電気的に分離されておれば、必ずしも絶縁層(SiO2)は必須ではない。
また、TiN層上にSiO2等の絶縁層を更に形成し、ARコート膜等を形成することも可能であるが、その場合は下のAl-Si-Cu層及びTiN層の膜厚を含めて、各層の膜厚を最適化することが好ましい。
図7は、Al-Si-Cu層及びTiN層からなる積層体の分光反射率を示すグラフである。
波長400nmから600nmの範囲における反射率は20%以下に抑制されており、特に、可視域の450nmから560nmの波長範囲においては、反射率は10%に低減されており、レーザダイオードへの戻り光の影響を低減することができる。
以上、説明したように、上述の装置を用いたAPC試験の場合では、ホトダイオード10の出力電流(光電流)を検出し、半導体レーザダイオード6の光出力が一定出力、例えば1Wになるように、半導体レーザダイオード6の駆動電流を制御し、ある時間毎に、半導体レーザダイオード6の駆動電流を測定する。これにより,半導体レーザダイオード6の出力特性の変化の有無を測定することができる。なお、ホトダイオード10の開口率を低く設定することで、入射光量が1W程度までの広い範囲で飽和しないようにすることは十分可能である。
なお、本例では、恒温槽2の温度は85℃に設定するが、これは半導体レーザダイオード6信頼性試験の標準的な温度である。このような試験の場合、ホトダイオードのバイアス電圧は1〜5Vの範囲内で行われ、積層体の開口率αの条件は以下のものが好適である。
開口率αが10%、20%、30%においてはホトダイオードの通常使用領域で線形性が維持され、且つ、飽和しないが、開口率αが100%の場合には、入射光量が数〜数十mW以上の所定値以上では光電流が飽和する。このように、複数の微細孔の面積の合計によって規定される開口率αは、1〜30%に設定されることが好ましい。開口率を100%とした場合と比べて、開口率を30%とした場合には飽和特性を約3倍改善でき、開口率を1%とした場合には飽和特性を約100倍改善することができる。なお、飽和特性の改善とは、飽和時における光入力がより大きくなることを指す。
以上、説明したように、上述の発光素子試験装置においては、ホトダイオード10の受光出力を飽和させずに、かつ半導体レーザダイオード6への戻り光の問題を発生させず、半導体レーザダイオード6とホトダイオード10を近接配置することが可能となり、小型化、半導体レーザダイオード6の高密度化を実現することができる。
図8は、上述のホトダイオード10をモールドした光検出素子の断面図である。この場合には、光源は可視もしくは近赤外光に限定される。
マウントパッケージ31内には、ホトダイオード10が配置されており、ホトダイオード10は散乱材料32を分散させた半透明樹脂30で覆われている。
散乱材料32は、ホトダイオード10への入射光を散乱するため、感度均一性を向上させることができる。半透明樹脂30は、入射光に対して透明な材料で構成される。散乱材料32は、樹脂に分散することによって使用される。
入射光が赤外線の場合の(A)散乱材料32は、例えば、数μmサイズの透明シリカなどであり、(B)モールド樹脂30は、例えば、透明なシリコーン樹脂もしくはエポキシ樹脂である。
なお、ホトダイオードのパッケージとしては、ホトダイオード自体を樹脂でモールドしたもの、セラミックパッケージ内にホトダイオードを収容して樹脂モールドしたもの、金属パッケージ内にホトダイオードを収容して樹脂モールドしたものが考えられる。また、Al-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体の表面をプラズマ加工することによって、反射率を更に低減させることもできる。
また、上述の実施の形態に係るホトダイオード(発光素子試験装置用光検出素子)10は、光入射面に複数の微細孔を有するAl-Si-Cu層10e及びTiN層10mの積層体を備えており、半導体レーザダイオード6の特性評価試験を精度よく行うことができる。複数の微細孔の面積の合計によって規定される積層体(10e,10m)の開口率αは、1〜30%に設定されることが好ましく、この場合には、入射光量に対する光電流の飽和を抑制することができる。なお、好適な開口率αを1%以上としたのは、コンタクトホールなどの開口を構造的に除いて規定するためである。
なお、図7を参照すると、積層体の可視光の反射率は50%以下に抑制され、赤外では70%以下に抑制されている。
本発明は、発光素子試験装置利用することができる。
本実施形態に係る発光素子試験装置の構成を示す図である。 ホトダイオード10の動作について説明するための図である。 ホトダイオード10の平面図である。 半導体レーザダイオードとホトダイオードの位置関係を示す図である。 ホトダイオード10の断面図である。 ホトダイオード10の製造方法を説明するための図である。 Al-Si-Cu層及びTiN層からなる積層体の分光反射率を示すグラフである。 ホトダイオード10をモールドした光検出素子の断面図である。
符号の説明
1…発光素子試験装置、2…恒温槽、6…半導体レーザダイオード、8…半導体レーザ制御部、10…ホトダイオード、10c…微細孔、10f…半導体基板、10e…Al−Cu−Si層、10m…TiN層、10g…不純物領域、10h,10k…絶縁層、12…ホトダイオード制御部、14…半導体レーザ基板、16…ホトダイオード基板、IS…光入射面、L…モニタ光。

Claims (4)

  1. 光検出素子を複数備えた発光素子試験装置において、各光検出素子は、
    第1導電型の基板と、
    前記基板の上面の一部分に形成された第2導電型の不純物領域と、
    前記不純物領域上に絶縁層を介して蒸着又はスパッタにより形成されたAl-Si-Cu層及びTiN層の積層体と、
    を備え、
    前記積層体は複数の微細孔を有し、
    前記発光素子試験装置は、複数の前記光検出素子が受光するべきモニタ光を出射する複数の発光素子を配置する場合に、前記光検出素子と前記発光素子とを収容する恒温槽と、
    前記発光素子への駆動電流又は前記光検出素子の光電流をモニタする手段と、
    を備えることを特徴とする発光素子試験装置。
  2. 複数の前記微細孔の面積の合計によって規定される開口率は、1〜30%に設定されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子試験装置
  3. 前記絶縁層は、シリコン酸化物又はシリコン窒化物を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子試験装置
  4. 前記微細孔は、前記積層体を前記絶縁層まで貫通していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光素子試験装置
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