JPH1019663A - 半導体レーザー素子の試験装置 - Google Patents
半導体レーザー素子の試験装置Info
- Publication number
- JPH1019663A JPH1019663A JP17324996A JP17324996A JPH1019663A JP H1019663 A JPH1019663 A JP H1019663A JP 17324996 A JP17324996 A JP 17324996A JP 17324996 A JP17324996 A JP 17324996A JP H1019663 A JPH1019663 A JP H1019663A
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- Japan
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- semiconductor laser
- board
- socket
- test
- light receiving
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザー素子が実装されるボードと、
受光素子が実装されるボードが別々であり、各ボード間
の位置精度の調整は難しく、試験装置の稼働率の低下要
因となっていた。 【解決手段】 試験ボードの構成をソケット化して１枚
とし、ソケット１０はフレキシブル基板９上に設置さ
れ、リードフレーム状の半導体レーザー素子１２をソケ
ット１０のソケット台１３上の載置台１４に搭載して、
ソケット１０のフタ１５を閉じることができる構成を有
している。したがって、フタ１５を閉じた際には、半導
体レーザー素子１２の真上に受光素子１６が配置される
ように構成されており、フタ１５を閉じた状態では半導
体レーザー素子と受光素子との距離を短くすることが可
能であり、精度よく位置合わせでき、位置ズレも防止す
ることができる。
受光素子が実装されるボードが別々であり、各ボード間
の位置精度の調整は難しく、試験装置の稼働率の低下要
因となっていた。 【解決手段】 試験ボードの構成をソケット化して１枚
とし、ソケット１０はフレキシブル基板９上に設置さ
れ、リードフレーム状の半導体レーザー素子１２をソケ
ット１０のソケット台１３上の載置台１４に搭載して、
ソケット１０のフタ１５を閉じることができる構成を有
している。したがって、フタ１５を閉じた際には、半導
体レーザー素子１２の真上に受光素子１６が配置される
ように構成されており、フタ１５を閉じた状態では半導
体レーザー素子と受光素子との距離を短くすることが可
能であり、精度よく位置合わせでき、位置ズレも防止す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー素
子の特性試験の中で、光出力を一定になるように制御し
ながら恒温炉の中で特性（スクリーニング）試験をする
際に使用する半導体レーザー素子の試験装置に関するも
のである。
子の特性試験の中で、光出力を一定になるように制御し
ながら恒温炉の中で特性（スクリーニング）試験をする
際に使用する半導体レーザー素子の試験装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザー素子のスクリーニ
ング試験では、素子の発光した光パワーを一定になるよ
うに制御するＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔ
ｒｏｌ）駆動方式が主流であるが、この方式は、試験ボ
ード上に半導体レーザー素子を実装した状態で、その素
子の出射面に受光素子を設けて光出力を計測し、その結
果に基づいて駆動電流にフィードバックし、一定時間、
一定の光出力における電流変化量により被試験物である
半導体レーザー素子の特性を試験するものである。図４
は従来の半導体レーザー素子の試験装置の構成を示す断
面図である。
ング試験では、素子の発光した光パワーを一定になるよ
うに制御するＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔ
ｒｏｌ）駆動方式が主流であるが、この方式は、試験ボ
ード上に半導体レーザー素子を実装した状態で、その素
子の出射面に受光素子を設けて光出力を計測し、その結
果に基づいて駆動電流にフィードバックし、一定時間、
一定の光出力における電流変化量により被試験物である
半導体レーザー素子の特性を試験するものである。図４
は従来の半導体レーザー素子の試験装置の構成を示す断
面図である。
【０００３】図４に示すように、従来の半導体レーザー
素子の試験装置は、被試験物である半導体レーザー素子
１を実装する試験ボードであるＤＵＴボードと称される
第１のボード２と、受光素子３および光学フィルタ４を
有したディテクタボードと称される第２のボード５とを
一対として扱い、それぞれの信号はドライバボード６に
取り込まれて制御される。これらにより、半導体レーザ
ー素子１を恒温炉７内において、恒温条件の中で一定光
出力になるように半導体レーザー素子１に印加する電流
を制御しながら一定時間発光させ、この間の電流変化量
により特性試験を行なっていた。
素子の試験装置は、被試験物である半導体レーザー素子
１を実装する試験ボードであるＤＵＴボードと称される
第１のボード２と、受光素子３および光学フィルタ４を
有したディテクタボードと称される第２のボード５とを
一対として扱い、それぞれの信号はドライバボード６に
取り込まれて制御される。これらにより、半導体レーザ
ー素子１を恒温炉７内において、恒温条件の中で一定光
出力になるように半導体レーザー素子１に印加する電流
を制御しながら一定時間発光させ、この間の電流変化量
により特性試験を行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザー
素子の試験装置では、図４に示したように、半導体レー
ザー素子１の光出力を一定にして駆動するために使用す
る受光素子３は、上下二つに独立した一対のプリント基
板よりなるボード（第１のボード２、第２のボード５）
の上部の第２のボード５に実装されているが、半導体レ
ーザー素子１の発光の光は一定の広がりを持って放射さ
れるために、第１のボード２と第２のボード５との間を
できるだけ近づける必要がある。しかし、従来は２つの
ボードより構成されているため、第１のボード２と第２
のボード５との間の位置精度の調整は難しかった。また
第１のボード２は半導体レーザー素子１の交換時ごとに
抜き差ししなければならないために、現状では第１のボ
ード２の抜き差しをボード単位で行なっており、試験装
置の稼働率低下の原因となっている。また第１のボード
２が上部の第２のボード５と接触しないように、精度の
良い強固な支持装置でもって、その第１のボード２を保
持しなければならないという装置上の課題もあった。さ
らに測定精度を維持するために、第１のボード２と第２
のボード５とは一対で使用されており、別の第１のボー
ドと組み合わせる場合には都度、ボードどうしの調整が
必要であり、試験装置の稼働率低下の原因となってい
た。
素子の試験装置では、図４に示したように、半導体レー
ザー素子１の光出力を一定にして駆動するために使用す
る受光素子３は、上下二つに独立した一対のプリント基
板よりなるボード（第１のボード２、第２のボード５）
の上部の第２のボード５に実装されているが、半導体レ
ーザー素子１の発光の光は一定の広がりを持って放射さ
れるために、第１のボード２と第２のボード５との間を
できるだけ近づける必要がある。しかし、従来は２つの
ボードより構成されているため、第１のボード２と第２
のボード５との間の位置精度の調整は難しかった。また
第１のボード２は半導体レーザー素子１の交換時ごとに
抜き差ししなければならないために、現状では第１のボ
ード２の抜き差しをボード単位で行なっており、試験装
置の稼働率低下の原因となっている。また第１のボード
２が上部の第２のボード５と接触しないように、精度の
良い強固な支持装置でもって、その第１のボード２を保
持しなければならないという装置上の課題もあった。さ
らに測定精度を維持するために、第１のボード２と第２
のボード５とは一対で使用されており、別の第１のボー
ドと組み合わせる場合には都度、ボードどうしの調整が
必要であり、試験装置の稼働率低下の原因となってい
た。
【０００５】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
であり、試験時の測定精度を維持し、またＡＰＣ駆動の
安定化を実現できる半導体レーザーの試験装置を提供す
ることを目的とする。
であり、試験時の測定精度を維持し、またＡＰＣ駆動の
安定化を実現できる半導体レーザーの試験装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の半導体レーザーの試験装置は、試験ボード
上に設置した半導体レーザー素子からの光出力を前記半
導体レーザーの出射面に設けた受光素子により計測し、
前記半導体レーザー素子に印加する電流を制御しながら
一定時間発光させ、一定時間内の電流変化量により特性
試験を行なう半導体レーザーの試験装置において、前記
試験ボードは、半導体レーザー素子が載置される載置台
と、前記載置台を搭載するソケット台と、前記半導体レ
ーザー素子から出射された光出力を計測制御する受光素
子が組み込まれたフタ部とよりなるソケットを有してい
るものである。
に、本発明の半導体レーザーの試験装置は、試験ボード
上に設置した半導体レーザー素子からの光出力を前記半
導体レーザーの出射面に設けた受光素子により計測し、
前記半導体レーザー素子に印加する電流を制御しながら
一定時間発光させ、一定時間内の電流変化量により特性
試験を行なう半導体レーザーの試験装置において、前記
試験ボードは、半導体レーザー素子が載置される載置台
と、前記載置台を搭載するソケット台と、前記半導体レ
ーザー素子から出射された光出力を計測制御する受光素
子が組み込まれたフタ部とよりなるソケットを有してい
るものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】前記構成の通り、本発明の半導体
レーザーの試験装置は、ソケットを用いて試験ボードを
１枚構成とし、ソケットにフタを設けて、このフタに受
光素子を実装し、フレキシブル基板を介して試験ボード
に信号を伝えるという構成を有しており、この構成によ
り、フタをした状態では半導体レーザー素子と受光素子
との距離を短く、しかも精度よく距離合わせすることが
可能であり、位置ズレも防止することができ、精度のよ
い試験ができるものである。またボード上に複数個のソ
ケットを配置し、そのボードの複数枚を恒温炉内に挿入
して試験することにより、試験装置の稼働率を向上する
ことができる。すなわち、本発明は、従来の２枚の試験
ボードによる試験装置ではなく、ディテクタボードを廃
止することで、複数枚実装可能なボードラックでの搬送
を可能にし、稼働率を向上させるとともに、校正データ
をコンピュータ等で管理することにより恒温炉内のどの
スロットル位置にでも実装することができ、かつ試験ボ
ードの保存管理を簡素化できるものである。
レーザーの試験装置は、ソケットを用いて試験ボードを
１枚構成とし、ソケットにフタを設けて、このフタに受
光素子を実装し、フレキシブル基板を介して試験ボード
に信号を伝えるという構成を有しており、この構成によ
り、フタをした状態では半導体レーザー素子と受光素子
との距離を短く、しかも精度よく距離合わせすることが
可能であり、位置ズレも防止することができ、精度のよ
い試験ができるものである。またボード上に複数個のソ
ケットを配置し、そのボードの複数枚を恒温炉内に挿入
して試験することにより、試験装置の稼働率を向上する
ことができる。すなわち、本発明は、従来の２枚の試験
ボードによる試験装置ではなく、ディテクタボードを廃
止することで、複数枚実装可能なボードラックでの搬送
を可能にし、稼働率を向上させるとともに、校正データ
をコンピュータ等で管理することにより恒温炉内のどの
スロットル位置にでも実装することができ、かつ試験ボ
ードの保存管理を簡素化できるものである。
【０００８】以下、本発明の半導体レーザー素子の試験
装置の一実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。図１は本実施形態の半導体レーザー素子の試験装置
の試験ボードであるＤＵＴボードと称される第１のボー
ドを示す構成図であり、図１（ａ）は平面図であり、図
１（ｂ）はその側面図である。
装置の一実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。図１は本実施形態の半導体レーザー素子の試験装置
の試験ボードであるＤＵＴボードと称される第１のボー
ドを示す構成図であり、図１（ａ）は平面図であり、図
１（ｂ）はその側面図である。
【０００９】図１に示すように、第１のボード８は、フ
レキシブル基板９上に複数個のソケット１０が設置され
たものであり、ソケット１０は、ソケット体にフタを付
けて、そのフタに受光素子を実装し、フレキシブル基板
９を介して信号を伝えるものである。この構成により、
フタを閉じた状態では半導体レーザー素子と受光素子と
の距離を短くすることが可能であり、精度よく位置合わ
せでき、位置ズレも防止することができる。なお、図中
のハンドル１１は、第１のボード８自体をボードラック
に挿入する際に使用するものである。
レキシブル基板９上に複数個のソケット１０が設置され
たものであり、ソケット１０は、ソケット体にフタを付
けて、そのフタに受光素子を実装し、フレキシブル基板
９を介して信号を伝えるものである。この構成により、
フタを閉じた状態では半導体レーザー素子と受光素子と
の距離を短くすることが可能であり、精度よく位置合わ
せでき、位置ズレも防止することができる。なお、図中
のハンドル１１は、第１のボード８自体をボードラック
に挿入する際に使用するものである。
【００１０】次に本実施形態で示したソケット１０につ
いて説明する。図２は本実施形態のソケットを示す断面
図である。
いて説明する。図２は本実施形態のソケットを示す断面
図である。
【００１１】図２に示すように、本実施形態の半導体レ
ーザー素子の試験装置のソケット１０はフレキシブル基
板９上に設置され、リードフレーム状の半導体レーザー
素子１２をソケット１０のソケット台１３上の載置台１
４に搭載して、ソケット１０のフタ１５を閉じることが
できる構成を有している。したがって、フタ１５を閉じ
た際には、半導体レーザー素子１２の真上に受光素子１
６が配置されるように構成されており、光パワーの強い
半導体レーザー素子の場合は、光学フィルタ１７を半導
体レーザー素子１２と受光素子１６との間に挿入して制
御することができるものである。すなわち、ソケット１
０のフタ１５に受光素子１６を実装したものであり、フ
タ１５を閉じた状態では半導体レーザー素子１２と受光
素子１６との距離を短くすることが可能であり、それら
の位置ズレも防止することができる。そしてフレキシブ
ル基板９とともに、図１に示したようにＤＵＴボードと
称される第１のボード８に接続され、ボードの信号は試
験装置に設けたドライバボードに取り込まれて制御さ
れ、試験されるものである。
ーザー素子の試験装置のソケット１０はフレキシブル基
板９上に設置され、リードフレーム状の半導体レーザー
素子１２をソケット１０のソケット台１３上の載置台１
４に搭載して、ソケット１０のフタ１５を閉じることが
できる構成を有している。したがって、フタ１５を閉じ
た際には、半導体レーザー素子１２の真上に受光素子１
６が配置されるように構成されており、光パワーの強い
半導体レーザー素子の場合は、光学フィルタ１７を半導
体レーザー素子１２と受光素子１６との間に挿入して制
御することができるものである。すなわち、ソケット１
０のフタ１５に受光素子１６を実装したものであり、フ
タ１５を閉じた状態では半導体レーザー素子１２と受光
素子１６との距離を短くすることが可能であり、それら
の位置ズレも防止することができる。そしてフレキシブ
ル基板９とともに、図１に示したようにＤＵＴボードと
称される第１のボード８に接続され、ボードの信号は試
験装置に設けたドライバボードに取り込まれて制御さ
れ、試験されるものである。
【００１２】図３には、試験ボードであるＤＵＴボード
と称される第１のボード８自体をボードラック１８に挿
入した状態を示したものであり、このボードラック１８
とともに試験装置の恒温炉の中に入れる機構により、恒
温炉内に挿入する第１のボードの枚数を従来に比べてよ
り多くすることができ、また搬送効率を高めることがで
き、試験装置の稼働率の向上を実現できる。
と称される第１のボード８自体をボードラック１８に挿
入した状態を示したものであり、このボードラック１８
とともに試験装置の恒温炉の中に入れる機構により、恒
温炉内に挿入する第１のボードの枚数を従来に比べてよ
り多くすることができ、また搬送効率を高めることがで
き、試験装置の稼働率の向上を実現できる。
【００１３】本実施形態の半導体レーザー素子の試験装
置は、試験ボードである第１のボードであるＤＵＴボー
ドと第２のボードであるディテクタボードとの一体化を
ソケット化することにより実現したものであり、ディテ
クタボードの機能は受光素子を保持し、受光素子で変換
された出力信号をドライバボードに伝えることであり、
ＤＵＴボードでこのディテクタボードの機能が実現でき
れば、ディテクタボードは不要となる点に着目したもの
である。また、フタを有したソケット機構にすることに
より、安定して受光素子と半導体レーザー素子との位置
関係を一定に保つことができ、常に特定のソケット位置
と受光素子が一対で固定されているので、一度位置を校
正すればこのデータを管理することができ、恒温炉内の
どのスロットに設置しても、安定したＡＰＣ駆動の特性
試験を行なうことができる。
置は、試験ボードである第１のボードであるＤＵＴボー
ドと第２のボードであるディテクタボードとの一体化を
ソケット化することにより実現したものであり、ディテ
クタボードの機能は受光素子を保持し、受光素子で変換
された出力信号をドライバボードに伝えることであり、
ＤＵＴボードでこのディテクタボードの機能が実現でき
れば、ディテクタボードは不要となる点に着目したもの
である。また、フタを有したソケット機構にすることに
より、安定して受光素子と半導体レーザー素子との位置
関係を一定に保つことができ、常に特定のソケット位置
と受光素子が一対で固定されているので、一度位置を校
正すればこのデータを管理することができ、恒温炉内の
どのスロットに設置しても、安定したＡＰＣ駆動の特性
試験を行なうことができる。
【００１４】
【発明の効果】以上、本発明の半導体レーザー素子の試
験装置により、ＡＰＣ駆動の安定化、恒温炉内の試験ボ
ードである第１のボード（ＤＵＴボード）の挿入枚数を
従来に比べて多く挿入できることによる装置の稼働率の
向上、各ＤＵＴボードに付しているＩＤ番号と校正デー
タを管理することで、恒温炉内あるいは別の恒温炉にボ
ードを挿入しても安定したＡＰＣ駆動ができるという効
果を奏するものである。
験装置により、ＡＰＣ駆動の安定化、恒温炉内の試験ボ
ードである第１のボード（ＤＵＴボード）の挿入枚数を
従来に比べて多く挿入できることによる装置の稼働率の
向上、各ＤＵＴボードに付しているＩＤ番号と校正デー
タを管理することで、恒温炉内あるいは別の恒温炉にボ
ードを挿入しても安定したＡＰＣ駆動ができるという効
果を奏するものである。
【図１】本発明の一実施形態の半導体レーザー素子の試
験装置のボードを示す構成図
験装置のボードを示す構成図
【図２】本発明の一実施形態の半導体レーザー素子の試
験装置のソケットを示す断面図
験装置のソケットを示す断面図
【図３】本発明の一実施形態の半導体レーザー素子の試
験装置の試験ボードをボードラックに挿入した状態を示
す図
験装置の試験ボードをボードラックに挿入した状態を示
す図
【図４】従来の半導体レーザー素子の試験装置の構成を
示す断面図
示す断面図
１ 半導体レーザー素子 ２ 第１のボード ３ 受光素子 ４ 光学フィルタ ５ 第２のボード ６ ドライバボード ７ 恒温炉 ８ 第１のボード ９ フレキシブル基板 １０ ソケット １１ ハンドル １２ 半導体レーザー素子 １３ ソケット台 １４ 載置台 １５ フタ １６ 受光素子 １７ 光学フィルタ １８ ボードラック
Claims (1)
- 【請求項１】 試験ボード上に設置した半導体レーザー
素子からの光出力を前記半導体レーザーの出射面に設け
た受光素子により計測し、前記半導体レーザー素子に印
加する電流を制御しながら一定時間発光させ、一定時間
内の電流変化量により特性試験を行なう半導体レーザー
素子の試験装置において、前記試験ボードは、半導体レ
ーザー素子が載置される載置台と、前記載置台を搭載す
るソケット台と、前記半導体レーザー素子から出射され
た光出力を計測制御する受光素子が組み込まれたフタ部
とよりなるソケットを有していることを特徴とする半導
体レーザー素子の試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17324996A JPH1019663A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体レーザー素子の試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17324996A JPH1019663A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体レーザー素子の試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1019663A true JPH1019663A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15956938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17324996A Pending JPH1019663A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体レーザー素子の試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1019663A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006170729A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子試験装置及び発光素子試験装置用光検出素子 |
| JP2007027206A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子試験装置及び光検出素子 |
| JP2008232862A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Daitron Technology Co Ltd | 半導体素子の検査用治具及び検査装置 |
-
1996
- 1996-07-03 JP JP17324996A patent/JPH1019663A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006170729A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子試験装置及び発光素子試験装置用光検出素子 |
| JP2007027206A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子試験装置及び光検出素子 |
| JP2008232862A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Daitron Technology Co Ltd | 半導体素子の検査用治具及び検査装置 |
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