JP2000164968A - 光電モジュ―ルおよびその温度を安定化する方法 - Google Patents
光電モジュ―ルおよびその温度を安定化する方法Info
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電モジュールおよびその温度を安定化させ
る方法。 【解決手段】 温度センサのための基準温度の測定を光
電構成部品の基板表面上で行い、その結果精度の高い温
度安定度が確保されることを特徴とする。
る方法。 【解決手段】 温度センサのための基準温度の測定を光
電構成部品の基板表面上で行い、その結果精度の高い温
度安定度が確保されることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、独立請求項のプリ
アンブルに記載の光電モジュールおよびその温度を安定
化する方法に関する。
アンブルに記載の光電モジュールおよびその温度を安定
化する方法に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】たとえば、EP025
9888などの従来技術から、レーザダイオードやフォ
トダイオードなどの個々の光電構成部品を温度安定化で
きるように光電モジュールを設計することは知られてい
る。これを実施するために、基板上に形成されるかまた
は取り付けられた能動素子が、この基板によって、たと
えばペルチエ要素上に取り付ける。たとえば、レーザダ
イオードの出力電力および電流の消費量を安定化するた
めに、レーザダイオードを有する基板を冷却する。同じ
くこの基板上にあるサーミスタをペルチエ要素のための
センサとして使用する。サーミスタには、この基板の温
度、したがって、たとえばレーザダイオードの温度を安
定に保つための基準温度が必要である。これまではサー
ミスタを電気接続によってハウジングに直接接続するこ
とが通常であった。したがって、サーミスタの温度測定
はハウジング壁で行われる。そのような測定では、ハウ
ジングの温度が基板の温度と異なるので処理中の温度情
報は間違ったものになることがある。
9888などの従来技術から、レーザダイオードやフォ
トダイオードなどの個々の光電構成部品を温度安定化で
きるように光電モジュールを設計することは知られてい
る。これを実施するために、基板上に形成されるかまた
は取り付けられた能動素子が、この基板によって、たと
えばペルチエ要素上に取り付ける。たとえば、レーザダ
イオードの出力電力および電流の消費量を安定化するた
めに、レーザダイオードを有する基板を冷却する。同じ
くこの基板上にあるサーミスタをペルチエ要素のための
センサとして使用する。サーミスタには、この基板の温
度、したがって、たとえばレーザダイオードの温度を安
定に保つための基準温度が必要である。これまではサー
ミスタを電気接続によってハウジングに直接接続するこ
とが通常であった。したがって、サーミスタの温度測定
はハウジング壁で行われる。そのような測定では、ハウ
ジングの温度が基板の温度と異なるので処理中の温度情
報は間違ったものになることがある。
【0003】
【課題を解決するための手段】第1独立請求項に記載の
特徴を有する本発明による光電モジュールには、温度測
定が直接基板上で行われるという利点がある。サーミス
タは電気接続によって基板に接続され、温度測定は基板
上、したがってレーザダイオードまたはフォトダイオー
ドの近くで行われる。追加の電線接続の余分のコスト
は、このアセンブリの利点によって相殺される。この利
点は、レーザダイオードの位置で行われる温度測定に基
づく、レーザダイオード自体の位置での温度設定であ
る。こうすることによって、非常に高い温度安定度を達
成することができ、したがって高速データ伝送のために
非常に重要なレーザの安定度を確保することができる。
特徴を有する本発明による光電モジュールには、温度測
定が直接基板上で行われるという利点がある。サーミス
タは電気接続によって基板に接続され、温度測定は基板
上、したがってレーザダイオードまたはフォトダイオー
ドの近くで行われる。追加の電線接続の余分のコスト
は、このアセンブリの利点によって相殺される。この利
点は、レーザダイオードの位置で行われる温度測定に基
づく、レーザダイオード自体の位置での温度設定であ
る。こうすることによって、非常に高い温度安定度を達
成することができ、したがって高速データ伝送のために
非常に重要なレーザの安定度を確保することができる。
【0004】第2独立請求項に記載の特徴を有する本発
明による方法によって、高い精度の温度制御が可能にな
る。
明による方法によって、高い精度の温度制御が可能にな
る。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を添付の図面
に示し、次により詳しく説明する。この図は、ハウジン
グ1を有する光電モジュールの構造の概略図である。ハ
ウジング内で、レーザダイオード2およびサーミスタ4
が基板9上に取り付けられている。基板9は、ペルチエ
要素6上にぴったり載っている。レーザ2に接続されて
いる電流調整器5への電気接続を有するモニタフォトダ
イオード3が、レーザダイオード2のそばに示されてい
る。レーザダイオード2によって発射された光は、レン
ズ8によって集光され、光ファイバ中に発射される。サ
ーミスタ4は電線によって基板上の点10に接続され
る。サーミスタの電気リード線11はハウジングを通っ
て外に出ている。サーミスタはまた温度制御装置に接続
されており、この温度制御装置はペルチエ要素6に接続
されている。この実施形態では、追加の電線を介してサ
ーミスタ4を測定点10に接続することによって本発明
のアイディアを実施した。この追加の電線によって、従
来技術で慣習になっているように、電気リード線11が
ハウジング1の壁を通って送り込まれる点ではなく、点
10で基準温度を決定することができるようになる。本
発明によるアセンブリを用いれば、レーザダイオードの
位置での温度安定化を非常に高い精度で行うことが可能
である。温度安定化は、もはやハウジングを囲む空気の
温度に左右されない。したがって、レーザ温度の高い安
定度を達成することができ、したがって高速データ伝送
に必要な安定度が確保される。温度安定化を必要とする
他の光電モジュールにも同じ原理を適用することができ
る。
に示し、次により詳しく説明する。この図は、ハウジン
グ1を有する光電モジュールの構造の概略図である。ハ
ウジング内で、レーザダイオード2およびサーミスタ4
が基板9上に取り付けられている。基板9は、ペルチエ
要素6上にぴったり載っている。レーザ2に接続されて
いる電流調整器5への電気接続を有するモニタフォトダ
イオード3が、レーザダイオード2のそばに示されてい
る。レーザダイオード2によって発射された光は、レン
ズ8によって集光され、光ファイバ中に発射される。サ
ーミスタ4は電線によって基板上の点10に接続され
る。サーミスタの電気リード線11はハウジングを通っ
て外に出ている。サーミスタはまた温度制御装置に接続
されており、この温度制御装置はペルチエ要素6に接続
されている。この実施形態では、追加の電線を介してサ
ーミスタ4を測定点10に接続することによって本発明
のアイディアを実施した。この追加の電線によって、従
来技術で慣習になっているように、電気リード線11が
ハウジング1の壁を通って送り込まれる点ではなく、点
10で基準温度を決定することができるようになる。本
発明によるアセンブリを用いれば、レーザダイオードの
位置での温度安定化を非常に高い精度で行うことが可能
である。温度安定化は、もはやハウジングを囲む空気の
温度に左右されない。したがって、レーザ温度の高い安
定度を達成することができ、したがって高速データ伝送
に必要な安定度が確保される。温度安定化を必要とする
他の光電モジュールにも同じ原理を適用することができ
る。
【図1】ハウジング1を有する光電モジュールの構造の
概略図である。
概略図である。
1 ハウジング 2 レーザダイオード 3 モニタフォトダイオード 4 サーミスタ 5 電流調整器 6 ペルチエ要素 7 温度制御装置 8 レンズ 9 基板 10 温度測定点 11 電気リード線
Claims (3)
- 【請求項1】 熱的に安定化すべき少なくとも1つの光
電構成部品(2)を含むハウジング(1)を有する光電
モジュールであって、前記光電構成部品が基板(9)上
に形成されるかまたは取り付けられかつ温度安定化手段
(6)に接続され、温度が基板(9)上の電気構成部品
(4)によって測定され、前記電気構成部品(4)が基
板(9)上の点(10)に直接電気接続されること、お
よび前記点(10)が温度基準として働くことを特徴と
する光電モジュール。 - 【請求項2】 前記電気構成部品がサーミスタであるこ
とを特徴とする請求項1に記載の光電モジュール。 - 【請求項3】 温度安定化手段(6)と温度測定手段と
を含む光電モジュールの温度を安定化する方法であっ
て、光電構成部品(2)を支持もする基板表面上で基準
温度の測定を行うことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP98440107A EP0961371B1 (en) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | Optoelectronic module containing at least one optoelectronic component and temperature stabilising method |
EP98440107.5 | 1998-05-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000164968A true JP2000164968A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=8235682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11138460A Pending JP2000164968A (ja) | 1998-05-25 | 1999-05-19 | 光電モジュ―ルおよびその温度を安定化する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6359330B1 (ja) |
EP (1) | EP0961371B1 (ja) |
JP (1) | JP2000164968A (ja) |
CA (1) | CA2272178A1 (ja) |
DE (1) | DE69801648T2 (ja) |
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US6693033B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
AU2001264987A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-14 | Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delware | Hybrid semiconductor structure and device |
US6555946B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Acoustic wave device and process for forming the same |
US6638838B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same |
JP4413417B2 (ja) * | 2000-12-18 | 2010-02-10 | 古河電気工業株式会社 | レーザダイオードモジュール |
US6673646B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same |
US6810049B2 (en) * | 2001-03-02 | 2004-10-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and semiconductor laser module |
DE10117020C2 (de) * | 2001-04-05 | 2003-05-08 | Unique M O D E Ag | Optisches oder optoelektronisches Modul |
US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
US6646293B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
US6667196B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method |
US6639249B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
US6589856B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices |
US6673667B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
US6916717B2 (en) * | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
GB2404281A (en) * | 2003-07-25 | 2005-01-26 | Agilent Technologies Inc | Optoelectronic assembly with thermoelectric cooler |
US7333521B1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-02-19 | National Semiconductor Corporation | Method of sensing VCSEL light output power by monitoring electrical characteristics of the VCSEL |
DE102004047682A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | LED-Array |
US7630422B1 (en) | 2005-01-14 | 2009-12-08 | National Semiconductor Corporation | Driver for vertical-cavity surface-emitting laser and method |
RU2525151C1 (ru) * | 2013-04-17 | 2014-08-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ" (ФГУП "ВНИИОФИ") | Способ термостабилизации фотодиода для измерения его электрических характеристик |
US9645333B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-05-09 | Lumentum Operations Llc | Optomechanical assembly |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH04112591A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザモジュール |
JP3047352B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2000-05-29 | 日本電気株式会社 | 温度制御型光結合構造 |
US6227724B1 (en) * | 1999-01-11 | 2001-05-08 | Lightlogic, Inc. | Method for constructing an optoelectronic assembly |
-
1998
- 1998-05-25 DE DE69801648T patent/DE69801648T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-25 EP EP98440107A patent/EP0961371B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-17 CA CA002272178A patent/CA2272178A1/en not_active Abandoned
- 1999-05-19 JP JP11138460A patent/JP2000164968A/ja active Pending
- 1999-05-24 US US09/317,222 patent/US6359330B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-12-13 US US10/013,659 patent/US6528329B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CA2272178A1 (en) | 1999-11-25 |
DE69801648T2 (de) | 2002-04-18 |
EP0961371A1 (en) | 1999-12-01 |
US6359330B1 (en) | 2002-03-19 |
EP0961371B1 (en) | 2001-09-12 |
US6528329B2 (en) | 2003-03-04 |
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