JP2002310789A - 光強度計測方法、光強度計測装置、投影露光装置 - Google Patents

光強度計測方法、光強度計測装置、投影露光装置

Info

Publication number
JP2002310789A
JP2002310789A JP2001118832A JP2001118832A JP2002310789A JP 2002310789 A JP2002310789 A JP 2002310789A JP 2001118832 A JP2001118832 A JP 2001118832A JP 2001118832 A JP2001118832 A JP 2001118832A JP 2002310789 A JP2002310789 A JP 2002310789A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
receiving element
light intensity
intensity measuring
perforated plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001118832A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsushi Nomura
達士 野村
Hiroshi Hamamura
寛 浜村
Kazuyuki Tadatomo
一行 只友
Masahiro Koto
雅弘 湖東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Nikon Corp
Original Assignee
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Cable Industries Ltd, Nikon Corp filed Critical Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority to JP2001118832A priority Critical patent/JP2002310789A/ja
Publication of JP2002310789A publication Critical patent/JP2002310789A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】光強度計測方法において、光強度に対する信号
出力が非線形となり、測定精度が低いという問題を解決
し、光強度に対する信号出力の線形性が良好で、かつ感
度が高いことにより、測定精度が良好な光強度計測方
法、光強度計測装置、投影露光装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】光強度を測定する方法において、受光素子
と光源部の間の複数の穴を有する穿孔板に光源からの光
を通して測定することにより、光強度に対する信号出力
の線形性が良好で、かつ感度が高いことにより、測定精
度が良好な光強度計測方法、光強度計測装置、投影露光
装置を提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】 本発明は、光強度計測方法
及び、それを用いた光強度計測装置や投影露光装置に関
するものである。特に紫外光を光源とする光強度計測方
法、光強度計測装置及び投影露光装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】 半導体素子の高集積化に伴い、その製
造のために重要な光リソグラフィー工程にて使用される
投影露光装置は長足の進歩を遂げてきている。この高集
積化は、主に露光光の短波長化によるところが大きい。
近年では、248nmの出力波長を持つ、弗化クリプト
ンエキシマレーザ(KrFエキシマレーザ)が露光用光源
として実用化され、更に最近では、193nmの出力波
長を持つ弗化アルゴンエキシマレーザ(ArFエキシマレ
ーザ)を光源とする投影露光装置も実用化が進められて
いる。さらには、157nmの出力波長を持つ弗素レーザ
(F2レーザ)も投影露光装置の光源として、検討され
ている。
【0003】これらの投影露光装置には、光源からの光
の強度を計測するためにSPD(Silicon Photo Diode)
が受光素子として使用されている。また、GaN系結晶
を使ったフォトダイオード(以下GaN系PDという)
が、光センサーとして近年検討されている。GaN径PD
は、波長200nm以下の光に対する感度が、SPDに比べ
て良く、また耐光性や温度特性に優れているため、実用
化が期待されている。
【0004】図2はSPDに照射される光強度と信号出力
の関係を示している。図を見て分かる通り、光強度が零
から所定の値までは、光強度に対する信号出力を表す線
がほぼ直線である。このような関係を線形という。ま
た、光強度が所定の値を越えた部分では、光強度に対す
る信号出力を表す線が直線ではなく曲線である。このよ
うな関係を非線形という。特に、図2に示したように、
光強度が強くなって行くのに対し、信号出力が頭打ちに
なってしまう状態を飽和という。線形である領域(以後
線形領域という)と、飽和である領域(以後飽和領域と
いう)を比べると、線形領域で測定すると測定精度が良
いが、飽和領域で測定すると測定制度が悪い。したがっ
て、精度よく光強度を測定するためには、線形領域で測
定することが重要である。
【0005】しかし、投影露光装置では、光源の光強度
が高いので、そのまま受光素子に光を照射すると、飽和
してしまう。このため、精度の良い測定は困難である。
精度よく測定するためには、線形領域に入るように、光
強度を弱める必要がある。
【0006】一般的には、光強度を弱める手段として、
フィルターが用いられる。ここで言うフィルターとは、
光を吸収したり反射させたりして、光を減少させるもの
である。このフィルターを、光源と受光素子の間に設
け、受光素子に照射される光強度を、線形領域のレベル
まで減光されるように調整する。
【0007】しかし、ArFエキシマレーザやF2レーザの
ように、波長が200nm以下の光源を使用する場合、フィ
ルターが光により劣化する。そのため、経時的にフィル
ターの光透過率が変化してしまう。その結果受光素子に
照射される光強度が、所望の値からずれてしまう。この
ことは、精度の高い測定が不可能なことを意味してい
る。このため、フィルターの使用は困難である。
【0008】そこで、絞りを用いることが提案された。
絞りとは、遮光性基板に光軸を中心とした穴を1個開け
たものである。図6に示したように、絞り11を、紫外
光源と受光素子3の間に、穴22の中心が光軸に一致す
るように設ける。この絞り11により、紫外光源からの
光は、穴22を通過したものだけが受光素子3に到達す
る。このため、受光素子3に照射される光の総量は、絞
り11が無いときに比べて少なくなる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、絞りを用いて
も、測定精度の向上はほとんど見られなかった。図4
は、受光素子3に照射される光強度の分布を示してい
る。絞りの無い場合、受光素子には、全体に飽和領域の
強度の光が照射されている。絞りのある場合には、絞り
の中心付近には、やはり飽和領域の強度の光が照射され
ている。そして、その周辺に向かうにつれ、照射されて
いる光が弱くなる。このように、飽和領域の光が絞りの
中心付近で照射されているため、測定精度が上がらない
ことがわかった。
【0010】そこで、絞りの穴径を小さくすることが検
討された。図3は、絞りの穴径を変化させたときの、光
強度と信号出力の関係を示している。図3に示すよう
に、光強度に対する信号出力の関係は、穴径を小さくす
るに従い線形性が高くなった。これは、以下の理由によ
る。図5は、絞りの穴径の変化させたときの、受光素子
へ照射される光強度の分布を示している。図5を見ると
分かるように、絞りの穴径を小さくしていくと、絞りの
中心付近の飽和領域が減少する。一方、周辺部の光強度
の弱い部分、すなわち線形領域部分が増加する。つま
り、穴径が小さくなると、線形領域の比率が高くなり、
ついには、線形領域だけになるからである。
【0011】しかし、穴径を小さくすると、照射される
光の量は減少する。そのため、受光素子から出力される
信号のレベルが低くなる。信号レベルの低下は、S/N
比の低下を招く。すなわち、測定精度はやはり低下して
しまうという問題があった。
【0012】本発明は、上記問題点を解決し、光強度に
対する信号出力の線形性が良好で、かつ感度が高いこと
により、測定精度が良好な光強度計測方法、光強度計測
装置、投影露光装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、光源
からの光を受光素子へ導き、前記受光素子で受光した光
強度を電気信号に変換する光強度計測方法において、前
記光源からの光を、複数の穴を有する穿孔板を通過させ
て前記受光素子へ導くことを特徴とする。この構成によ
り、光強度に対する信号出力の線形性が良好で、かつ感
度が高いことにより、測定精度が良好になる。
【0014】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、前記光源からの光を、光を拡散する光拡散手段を介
して前記受光素子または前記穿孔板へ導くことを特徴と
する。
【0015】請求項3の発明は、請求項2の発明におい
て、前記光拡散手段が、レモンスキンガラス、反射式拡
散装置、フライアイ、光ファイバ束、レンズのうちの何
れか一つまたはこれらを二つ以上組み合わせたものであ
ることを特徴とする。これらの構成により、光をより拡
散させることができるので、線形性がより良好となり、
かつ感度調整が容易になるため、測定精度が向上する。
【0016】請求項4の発明は、請求項1の発明におい
て、光源からの光の波長を200nm以下とすることを特徴
とする。この構成により、より波長の短い紫外光に対し
ても、測定精度が良好となる。
【0017】請求項5の発明は、請求項1の発明におい
て受光素子がSi,GaN,AlxGa1-xN(0<x<
1)、およびダイヤモンド結晶を使ったフォトダイオー
ドであることを特徴とする。この構成により、より波長
の短い紫外光に対しても、感度が高くなり、測定精度が
向上する。
【0018】請求項6の発明は、請求項1の発明におい
て受光素子と穿孔板の位置を相対的に動かすことを特徴
とする。この構成により、さらに受光素子の測定精度を
向上させることが可能になる。
【0019】請求項7の発明は、光源からの光の光強度
を電気信号に変換する受光素子を有する光強度計測装置
において、前記光源と前記受光素子との間に、複数の穴
を有する穿孔板を設けたことを特徴とする。この構成に
より、光強度に対する信号出力の線形性と感度が良好
で、測定精度が良好となる。
【0020】請求項8の発明は、請求項7の発明におい
て、前記穿孔板と前記光源との間に光を拡散させる光拡
散手段を設けたことを特徴とする。請求項9の発明は、
請求項7の発明において、前記穿孔板と前記受光素子と
の間に光を拡散させる光拡散手段を設けたことを特徴と
する。
【0021】請求項10の発明は、請求項8および9の
光強度計測装置において、前記光拡散手段が、レモンス
キンガラス、反射式拡散装置、フライアイ、光ファイバ
束、レンズのうちの何れか一つまたはこれらを二つ以上
組み合わせたものであることを特徴とする。これらの構
成により、光をより拡散させることができるので、線形
性がより良好となり、測定精度が向上する。
【0022】請求項11の発明は、請求項7の発明にお
いて、光源光を波長200nm以下とすることを特徴とす
る。この構成により、より波長の短い紫外光に対して
も、線形性が良好となり、測定精度が向上する。
【0023】請求項12の発明は、請求項7の発明にお
いて、受光素子がSi,GaN,AlxGa1-xN(0<
x<1)、およびダイヤモンド結晶を使ったフォトダイ
オードであるとことを特徴とする。この構成により、よ
り波長の短い紫外光に対しても、線形性及び感度が向上
し、測定精度が向上する。
【0024】請求項13の発明は、請求項7の発明にお
いて、前記穿孔板と前記受光素子とを相対的に動かす可
動手段を設けたことを特徴とする。この構成により、さ
らに測定精度を向上させることが可能になる。
【0025】請求項14の発明は、紫外光を出射する露
光光源と、前記紫外光をマスクに照射する照明光学系
と、回路パターンが描画されているマスクを通過した照
明光を感光剤を塗布したウエハ上に結像させる投影光学
系と、ウエハを適切な露光位置に移動させるステージ
と、光強度を電気信号に変換する受光素子を有する前記
光源からの光強度を計測する光強度計測手段からなる投
影露光装置において、前記受光素子の光源側に複数の穴
を有する穿孔板を設けたことを特徴とする。この構成に
より、光強度に対する信号出力の線形性が良好で、かつ
感度が高いことにより、測定精度が良好になる。
【0026】請求項15の発明は、請求項14の発明に
おいて、前記光源と前記穿孔板との間に光を拡散させる
光拡散手段を設けたことを特徴とする。請求項16の発
明は、請求項14の発明において、前記穿孔板と前記受
光素子との間に光を拡散させる光拡散手段を設けたこと
を特徴とする。
【0027】請求項17の発明は、請求項15および1
6の光強度計測装置において、光拡散手段が、レモンス
キンガラス、反射式拡散装置、フライアイ、光ファイバ
束、レンズのうちの何れか一つまたはこれらを二つ以上
組み合わせたものであることを特徴とする。これらの構
成により、光をより拡散させることができるので、線形
性がより良好となり、測定精度が向上する。
【0028】請求項18の発明は、請求項14の発明に
おいて、前記光源からの光の波長は、200nm以下である
ことを特徴とする。この構成により、より波長の短い紫
外光に対しても、線形性が良好となり、測定精度が向上
する。
【0029】請求項19の発明は、請求項14の発明に
おいて、前記受光素子がSi,GaN,AlxGa1-x
(0<x<1)、およびダイヤモンド結晶を使ったフォ
トダイオードであることを特徴とする。この構成によ
り、より波長の短い紫外光に対しても、線形性及び感度
が向上し、測定精度が向上する。
【0030】請求項20の発明は、請求項14の発明に
おいて、前記穿孔板と前記受光素子を相対的に動かす可
動手段を設けたことを特徴とする。この構成により、さ
らに測定精度を向上させることが可能になる。
【0031】
【発明の実施の形態】
【0032】
【実施例1】以下、図面を参照しながら本発明の実施の
形態について説明する。 図1は、本発明に係る光強度計測方法及び光強度計測装
置を説明する概念図である。図1に示すように、ArFエ
キシマレーザを紫外光源として設置する。次に、紫外光
源からの光路上に受光素子3を設置する。受光素子3は
SPDを用いている。次に紫外光源と受光素子の間に穿孔
板1を設置する。穿孔板1は、ステンレス板に直径約1m
mの穴2を各々の中心を約5mm離して2個あけたものであ
る。受光素子3は、照射された光の強度を電気信号に変
換し、信号変換ユニットに送り出す。信号変換ユニット
は、受光素子3からの出力信号を増幅、変換し外部に出
力する。
【0033】光強度測定方法は以下のようになる。光源
を出射した光は、穿孔板1の2個の穴を通過する。通過
した光は、それぞれの穴に対して拡散し、受光素子表面
に照射される。受光素子からは、照射された光強度に応
じた信号が出力され、信号変換ユニットにより、外部に
計測値として出力される。
【0034】受光素子表面での、光強度の分布は図1の
光強度分布に示したようになる。受光素子表面での光強
度分布は、穴が1個の場合よりも、線形応答領域の強度
の部分が広くなっている。その結果、出力信号が光強度
に対して非線形となる問題は改善され、測定精度は良好
となる。
【0035】
【実施例2】図7は、本発明に係る光強度計測方法及び
光強度計測装置を説明する概念図である。図7に示すよ
うに、穿孔板1と受光素子3の間に光拡散手段4を設置
する。光拡散手段としては、ガラス表面にレモンスキン
状の凹凸を有するレモンスキンガラスを用いる。その他
の構成は、実施例1と同様である。
【0036】光源を出射した光は、穿孔板1の2個の穴
2を通過した後、それぞれレモンスキンガラス4を通過
する。その時レモンスキンガラス4表面の凹凸に応じて
拡散され、受光素子3表面に照射される。その光強度分
布は図7の光強度分布図に示したようになる。
【0037】受光素子表面での光強度は、穴が2個のみ
の場合に比べて更に平均化され、光強度の線形応答領域
部分が広いことが分かる。その結果、出力信号が光強度
に対して非線形となる問題はさらに改善され、測定精度
はさらに良好となる。
【0038】
【実施例3】図8は、本発明に係る光強度計測方法及び
光強度計測装置を説明する概念図である。図8に示すよ
うに、紫外光源と穿孔板1の間に光拡散手段4を設置す
る。光拡散手段としては、レモンスキンガラスを用い
る。その他の構成は、実施例1と同様である。
【0039】光源を出射した光は、レモンスキンガラス
4に照射され、レモンスキンガラス4表面の凹凸に応じ
て拡散された後、穿孔板1の2個の穴2を通過する。そ
れぞれの穴2を通過した光は、レモンスキンガラス4を
通過する際に与えられた拡散角に応じて受光素子3表面
に照射される。その光強度分布は図8の光強度分布図に
示したようになる。
【0040】受光素子表面での光強度は、穴が2個のみ
の場合に比べて更に平均化され、光強度の線形応答領域
部分が広いことが分かる。その結果、出力信号が光強度
に対して非線形となる問題はさらに改善され、測定精度
がさらに向上する。
【0041】なお、実施例2及び実施例3においては、
光拡散手段4としてレモンスキンガラスを用いたが、レ
モンスキンガラスの代わりに、光ファイバ束、フライア
イ、レンズを用いても同様の効果が得られるし、また、
これらを複数種類併用してもよい。
【0042】また、穿孔板1と光拡散手段4は一体化し
ていても良い。たとえば、光拡散手段であるレモンスキ
ンガラスの片面に、Crなどの遮光性膜を付着させる。
その遮光性膜に、エッチング等で穴をあける。以上の構
成によって、穿孔板と光拡散手段とを一体にすることが
できる。
【0043】
【実施例4】図9は、本発明に係る光強度計測方法及び
光強度計測装置を説明する概念図である。図9に示すよ
うに、ArFエキシマレーザを紫外光源として設置する。
その光路上に光拡散手段4を設け、紫外光源からの光を
拡散しながら反射させる。光拡散手段4としては、炭酸
カルシウムの粉末をガラスセル中に充填した物を用い
る。光拡散手段4で拡散しながら反射された光路上に、
穿孔板1を設置する。穿孔板1は、ステンレス板に直径
約1mmの穴2を中心が約5mm離して2個あけた物である。
穿孔板1通過した光の光路上に受光素子3を設置する。
受光素子はSPDを用いている。光源を出射した光は、光
拡散手段4に照射され、ガラスセル内の粉末の表面反射
に応じて拡散しながら反射され、穿孔板1で2個の穴を
通過する。それぞれの穴2を通過した光は、反射式拡散
手段4で与えられた拡散角に応じて受光素子3表面に照
射される。その光強度分布は図9の光強度分布図のよう
になる。
【0044】受光素子表面での光強度は、穴が2個のみ
の場合に比べて更に平均化され、光強度の線形応答領域
部分が広いことが分かる。その結果、出力信号が光強度
に対して非線形となる問題はさらに改善される。
【0045】
【実施例5】受光素子としてGaN系PDであるAlx
Ga1-xN(0<x<1)を用いた以外は実施例1と同
じ構成で光強度計測を行う。
【0046】入射光強度に対してより高い信号強度であ
り、そのため、光強度に対する信号出力の線形性は向上
する。また、紫外光源としてF2レーザを用いた以外は
実施例1と同じ構成で光強度計測を行なう。
【0047】光強度に対する信号出力の線形性は良好で
ある。受光素子としてGaN及びダイヤモンド結晶を用
いた場合も、同様に光強度に対する信号出力の線形性は
良好である。
【0048】
【実施例6】図10に示すように、穿孔板1以外は、実
施例1と同じ構成で光強度計測を行った。穿孔板1は、
ステンレス板に直径0.2mmの穴を50個、直径10m
mの円内に開けたものである。光強度分布は、さらに平
均化され、光強度の線形応答領域部分がより広くなって
いることが分かる。その結果、測定精度はより向上す
る。
【0049】実施例1、実施例7及び従来例の光強度に
対する受光素子からの信号出力の関係を比較すると図1
1に示すようになる。即ち、穴径が小さいほど、照射強
度に対する信号出力の線形性が高くなることがわかる。
また穴の数が多くなるほど、照射強度に対する信号出力
の線形性が高くなることがわかる。
【0050】
【実施例7】図12に示すような穿孔板を用いても良
い。図12の(a)は、穿孔板の中心に近い穴は径が小
さく、中心から遠い穴は径が大きい構成になっている。
紫外光源から照射されるレーザ光は、中心部が比較的強
い。そのため、中央付近の光強度を弱くすると効果的で
ある。したがって、この構成により、受光素子に到達す
る光がより均一に照射されるので、測定精度が高くな
る。
【0051】図12の(b)は、穿孔板の中心に近い穴
は密度が低く配置され、中心から遠い穴は密度が高く配
置されている構成である。この結果、受光素子に到達す
る光がより均一に照射されるので、測定精度が高くな
る。
【0052】図12の(c)のように、円形でない形状
の穴を用いても良い。この穴は、中心部が幅の狭い同心
円上のスリットになっており、中心から遠くなるにした
がい、スリットの幅が広くなる構成になっている。この
構成により、受光素子に到達する光がより均一に照射さ
れるので、測定精度が高くなる。
【0053】このように、穴は均等に配置されていなく
てもよい。また、密度や穴径が部分的に異なっていても
よい。さらに、穴の形状は円でなくても良い。
【0054】
【実施例8】図13は、本発明に係る光強度計測方法及
び光強度計測装置を説明する概念図である。図13に示
すように、ArFエキシマレーザを紫外光源として設置す
る。次に、紫外光源からの光路上穿孔板1を設置する。
穿孔板1はステンレス板に直径約1mmの穴2を中心が約5
mm離して2個あけたものである。次に、穿孔板1を通過
した光の光路上に受光素子3を設置する。
【0055】ここで、穿孔板1と受光素子3は互いに相
対的位置関係を変化させる。例えば、穿孔板1に振動子
を取り付け、上下方向に振幅1mmで振動させる。これ
により、受光素子3の表面における光強度分布は、時間
とともに変化するので、照射光の積算量が平均化され、
測定精度が向上する。位置を変化させるのは穿孔板1で
はなくて、受光素子3でもかまわないし、両方を変化さ
せてもよい。また、図13では光軸に対して垂直方向に
移動させているが、光軸方向に移動させてもよい。
【0056】
【実施例9】図14は、本発明に係る投影露光装置を説
明する概念図である。本発明の投影露光装置は少なくと
も、表面301aに置かれた感光剤を塗布した基板Wを
置くことのできるウエハステージ301、光を供給する
ための光源100、基板W上にマスクRのパターンのイ
メージを投影するためのマスクRが配された最初の表面
P1(物体面)と基板Wの表面と一致させた二番目の表
面(像面)との間に置かれた投影光学系500、を含
む。照明光学系100は、マスクRとウェハWとの間の
相対位置を調節するための、アライメント光学系110
も含んでおり、マスクRはウェハステージ301の表面
に対して平行に動くことのできるレチクルステージ20
1に配置される。レチクル交換系200は、レチクルス
テージ201にセットされたマスクRを交換し運搬す
る。レチクル交換系200はウェハーステージ301の
表面301aに対してレチクルステージ201を平行に
動かすためのステージドライバーを含んでいる。投影光
学系500は、スキャンタイプの投影露光装置に応用さ
れるアライメント光学系を持っている。
【0057】照明系の光強度を測定し、投影露光に使わ
れる露光光の積算強度の計測を行うため、ハーフミラー
を用いて、光源からの光を分岐し、その光を穿孔板1を
介して受光素子3に導く。穿孔板1はステンレス板に複
数の穴をあけたものを用いる。受光素子としてはSPDを
用いる。この構成で良好に、積算露光強度を精度よく行
うことができる。受光素子3をSPDからGaN,Alx
1-xN(0<x<1)、およびダイヤモンド結晶に変
えて光強度計測を行う。更に測定精度は良好である。
【0058】なお、本発明の計測装置は、投影露光装置
における積算露光強度の計測のみではなく、その他の目
的の紫外光強度測定全般に使うことができる。また、実
施の形態の説明では、穿孔板1は1枚の構成として説明
したが、複数枚使用しても良い。すなわち、穿孔板1を
通過した光が、別の穿孔板1を通過したのち照射される
構成として使用することができる。この構成により、受
光素子に到達する光がより均一に照射されるので、測定
精度が高くなる。
【0059】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、光
強度に対する信号出力の線形性が良好で、かつ感度が高
いことにより、測定精度が良好な光強度計測方法、光強
度計測装置、投影露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る光強度測定方法を説明する概念
図である。
【図2】 受光素子の光強度と信号出力の関係を説明す
るグラフである。
【図3】 絞りの穴径と信号出力の関係を説明するグラ
フである。
【図4】 絞りの有無と受光素子の光強度分布の関係を
説明するグラフである。
【図5】 絞りの穴径と受光素子の光強度分布の関係を
説明するグラフである。
【図6】 従来の光強度計測方法を説明する概念図であ
る。
【図7】 本発明に係る光強度測定方法を説明する概念
図である。
【図8】 本発明に係る光強度測定方法を説明する概念
図である。
【図9】 本発明に係る光強度測定方法を説明する概念
図である。
【図10】 本発明に係る光強度測定方法を説明する概
念図である。
【図11】 穿孔板の穴径及び穴の数と受光素子の関係
を説明するグラフである。
【図12】 穿孔板の形状を説明する概念図である。
【図13】 本発明に係る光強度測定方法を説明する概
念図である。
【図14】 本発明に係る投影露光装置を説明する概念
図である。
【符号の説明】
1 穿孔板 2、22 穴 3 受光素子 4 光拡散手段 11 絞り 100 紫外レーザ 101 照明光学系 500 投影光学系 R レチクル W ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜村 寛 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 (72)発明者 只友 一行 兵庫県伊丹市池尻4丁目3番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 湖東 雅弘 兵庫県伊丹市池尻4丁目3番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 Fターム(参考) 2G065 AA04 AA06 AB05 BA09 BB02 BB05 BB06 BB09 BB21 5F046 BA02 CA04 DA01 DB01 DB11 DB12 DC02 5F049 MB02 MB07 NA01 NA10 NB07 RA10

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光源からの光を受光素子へ導き、前記受光
    素子で受光した光強度を電気信号に変換する光強度計測
    方法において、 前記光源からの光を、複数の穴を有する穿孔板を通過さ
    せて前記受光素子へ導くことを特徴とする、光強度計測
    方法。
  2. 【請求項2】請求項1の光強度計測方法において、 前記光源からの光を、光を拡散する光拡散手段を介して
    前記受光素子または前記穿孔板へ導くことを特徴とする
    光強度計測方法。
  3. 【請求項3】請求項2の光強度計測方法において、 前記光拡散手段が、レモンスキンガラス、反射式拡散装
    置、フライアイ、光ファイバ束、レンズのうちの何れか
    一つまたはこれらを二つ以上組み合わせたものであるこ
    とを特徴とする光強度計測方法。
  4. 【請求項4】請求項1の光強度計測方法において、 前記光源からの光の波長は、200nm以下であることを特
    徴とする光強度計測方法。
  5. 【請求項5】請求項1の光強度計測方法において、 前記受光素子はSi,GaN,AlxGa1-xN(0<x
    <1)、およびダイヤモンド結晶を使ったフォトダイオ
    ードであることを特徴とする光強度計測方法。
  6. 【請求項6】請求項1の光強度計測方法において、 前記穿孔板と前記受光素子とを相対的に動かすことを特
    徴とする光強度計測方法。
  7. 【請求項7】光源からの光の光強度を電気信号に変換す
    る受光素子を有する光強度計測装置において、 前記光源と前記受光素子との間に、複数の穴を有する穿
    孔板を設けたことを特徴とする光強度計測装置。
  8. 【請求項8】請求項7の光強度計測装置において、 前記光源と前記穿孔板との間に光を拡散させる光拡散手
    段を設けたことを特徴とする光強度計測装置。
  9. 【請求項9】請求項7の光強度計測装置において、 前記穿孔板と前記受光素子との間に光を拡散させる光拡
    散手段を設けたことを特徴とする光強度計測装置。
  10. 【請求項10】請求項8および請求項9の光強度計測装
    置において、 前記光拡散手段が、レモンスキンガラス、反射式拡散装
    置、フライアイ、光ファイバ束、レンズのうちの何れか
    一つまたはこれらを二つ以上組み合わせたものであるこ
    とを特徴とする光強度計測装置。
  11. 【請求項11】請求項7の光強度計測装置において、 前記光源からの光の波長は、200nm以下であることを特
    徴とする光強度計測装置。
  12. 【請求項12】請求項7の光強度計測装置において、 前記受光素子はSi,GaN,AlxGa1-xN(0<x
    <1)、およびダイヤモンド結晶を使ったフォトダイオ
    ードであることを特徴とする光強度計測装置。
  13. 【請求項13】請求項7の光強度計測装置において、 前記穿孔板と前記受光素子とを相対的に動かす可動手段
    を設けたことを特徴とする光強度計測装置。
  14. 【請求項14】紫外光を出射する露光光源と、前記紫外
    光をマスクに照射する照明光学系と、回路パターンが描
    画されているマスクを通過した照明光を感光剤を塗布し
    たウエハ上に結像させる投影光学系と、ウエハを適切な
    露光位置に移動させるステージと、光強度を電気信号に
    変換する受光素子を有する前記光源からの光強度を計測
    する光強度計測手段からなる投影露光装置において、 前記光源と前記受光素子との間に複数の穴を有する穿孔
    板を設けたことを特徴とする投影露光装置。
  15. 【請求項15】請求項14の投影露光装置において、 前記光源と前記穿孔板との間に光を拡散させる光拡散手
    段を設けたことを特徴とする投影露光装置。
  16. 【請求項16】請求項14の投影露光装置において、 前記穿孔板と前記受光素子との間に光を拡散させる光拡
    散手段を設けたことを特徴とする投影露光装置。
  17. 【請求項17】請求項15および請求項16の投影露光
    装置において、 前記光拡散手段が、レモンスキンガラス、反射式拡散装
    置、フライアイ、光ファイバ束、レンズのうちの何れか
    一つまたはこれらを二つ以上組み合わせたものであるこ
    とを特徴とする投影露光装置。
  18. 【請求項18】請求項14の投影露光装置において、 前記光源からの光の波長は、200nm以下であることを特
    徴とする投影露光装置。
  19. 【請求項19】請求項14の投影露光装置において、 前記受光素子はSi,GaN,AlxGa1-xN(0<x
    <1)、およびダイヤモンド結晶を使ったフォトダイオ
    ードであることを特徴とする投影露光装置。
  20. 【請求項20】請求項14の投影露光装置において、 前記穿孔板と前記受光素子とを相対的に動かす可動手段
    を設けたことを特徴とする投影露光装置。
JP2001118832A 2001-04-17 2001-04-17 光強度計測方法、光強度計測装置、投影露光装置 Pending JP2002310789A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001118832A JP2002310789A (ja) 2001-04-17 2001-04-17 光強度計測方法、光強度計測装置、投影露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001118832A JP2002310789A (ja) 2001-04-17 2001-04-17 光強度計測方法、光強度計測装置、投影露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002310789A true JP2002310789A (ja) 2002-10-23

Family

ID=18969150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001118832A Pending JP2002310789A (ja) 2001-04-17 2001-04-17 光強度計測方法、光強度計測装置、投影露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002310789A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006170729A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子試験装置及び発光素子試験装置用光検出素子
JP2006329828A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Denso Corp 光センサ
JP2007027206A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子試験装置及び光検出素子
CN103487139A (zh) * 2012-06-12 2014-01-01 清华大学 光强分布的测量方法
WO2014020927A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 Eizo株式会社 マスクの構造
CN108873404A (zh) * 2018-06-25 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 测量显示面板亮度的方法
JP7447556B2 (ja) 2020-03-05 2024-03-12 コニカミノルタ株式会社 画像形成装置、画像形成装置の制御方法、および画像形成装置の制御プログラム

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006170729A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子試験装置及び発光素子試験装置用光検出素子
JP2006329828A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Denso Corp 光センサ
JP4661364B2 (ja) * 2005-05-26 2011-03-30 株式会社デンソー 光センサ
JP2007027206A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子試験装置及び光検出素子
CN103487139A (zh) * 2012-06-12 2014-01-01 清华大学 光强分布的测量方法
JP2014029306A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Eizo Corp マスクの構造
WO2014020927A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 Eizo株式会社 マスクの構造
CN104508437A (zh) * 2012-07-31 2015-04-08 Eizo株式会社 遮光罩结构
AU2013297884B2 (en) * 2012-07-31 2015-04-09 Eizo Corporation Mask
EP2881717A4 (en) * 2012-07-31 2015-07-15 Eizo Corp STRUCTURE FOR MASKS
RU2578267C1 (ru) * 2012-07-31 2016-03-27 ЭЙДЗО Корпорейшн Маска
US9389123B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Eizo Corporation Mask applied to a sensing surface of a dual pyroelectric sensor
CN108873404A (zh) * 2018-06-25 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 测量显示面板亮度的方法
JP7447556B2 (ja) 2020-03-05 2024-03-12 コニカミノルタ株式会社 画像形成装置、画像形成装置の制御方法、および画像形成装置の制御プログラム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5192505B2 (ja) リソグラフィ装置のためのレベルセンサの構成及びデバイス製造方法
KR0139309B1 (ko) 노광장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법
US8111378B2 (en) Exposure method and apparatus, and device production method
US5663784A (en) Slit-scanning type light exposure apparatus
US6268906B1 (en) Exposure apparatus and exposure method
TWI358753B (en) Exposure apparatus and device fabrication method
KR20120057495A (ko) 투과율 측정 장치, 포토마스크의 투과율 검사 장치, 투과율 검사 방법, 포토마스크 제조 방법, 패턴 전사 방법, 포토마스크 제품
WO2006126444A1 (ja) センサの校正方法、露光方法、露光装置、デバイス製造方法、および反射型マスク
US20040021854A1 (en) Flare measuring method and flare measuring device, exposure method and exposure system, method of adjusting exposure system
US7382469B2 (en) Exposure apparatus for manufacturing semiconductor device, method of exposing a layer of photoresist, and method of detecting vibrations and measuring relative position of substrate during an exposure process
JP4303192B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TW201137533A (en) Lithographic apparatus and patterning device
US20080088815A1 (en) Polarization optical system
JP2002310789A (ja) 光強度計測方法、光強度計測装置、投影露光装置
TW200921285A (en) Adjustment method, exposure method, device manufacturing method, and exposure apparatus
JP2009032747A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US20070019173A1 (en) Photolithography arrangement
US8139201B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing device
JP2001284236A (ja) 投影露光装置及び露光方法
KR100955744B1 (ko) 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP2009516367A (ja) 微細構造化部品を製造するためのマイクロリソグラフィ投影露光装置及び方法
JP2003257846A (ja) 光源ユニット、照明装置、露光装置及び露光方法
JPH11260709A (ja) 露光装置および該露光装置に用いられるマスク
JP2001044114A (ja) 信号処理方法、露光方法および露光装置
JP5352989B2 (ja) 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法