JP4811106B2 - Qcmセンサデバイス - Google Patents

Qcmセンサデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP4811106B2
JP4811106B2 JP2006128786A JP2006128786A JP4811106B2 JP 4811106 B2 JP4811106 B2 JP 4811106B2 JP 2006128786 A JP2006128786 A JP 2006128786A JP 2006128786 A JP2006128786 A JP 2006128786A JP 4811106 B2 JP4811106 B2 JP 4811106B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
qcm sensor
sensor device
crystal resonator
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006128786A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007298479A (ja
Inventor
卓孝 野口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Original Assignee
Meidensha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meidensha Corp filed Critical Meidensha Corp
Priority to JP2006128786A priority Critical patent/JP4811106B2/ja
Publication of JP2007298479A publication Critical patent/JP2007298479A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4811106B2 publication Critical patent/JP4811106B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

本発明は、水晶振動子の電極表面を試料ガスや試料溶液に晒したときの水晶振動子の発振周波数やインピーダンス等の電気的特性の変化から試料成分を検知・定量するQCM(Quartz Crystal Microbalance)センサのデバイス構造に関する。
化学・生化学の分野において、反応量や生成物質量を定量することは重要なことであるが、既存の計測装置では極めて微量の反応量に対して十分な検出感度を得ることは難しかった。
近年、ATカット水晶振動子を用いてマイクロバランス原理を応用したケミカル及びバイオセンサが注目を集めている。ATカット水晶振動子は、その主共振周波数が振動子の板厚と反比例する。この場合、水晶振動子の電極面に試料成分が成膜したり、あるいは物質の吸着が起きると表面に存在する物質の単位平面積当たりの重量に対応した周波数のシフトが起きる。
QCMセンサは、上記の周波数シフト現象を応用したもので、ATカット水晶振動子は広い温度範囲において周波数が安定しているため、安定した検出感度が期待でき、条件が揃えば1〜10ngの吸着物質の検出がリアルタイムで可能である。以下に吸着物質量と周波数のシフト量の関係を示す。
まず、ATカット水晶振動子の共振周波数は
Figure 0004811106
qはさらに、
Figure 0004811106
で表わされる。ここで、f0:水晶振動子の主共振周波数、vq:厚みすべり振動の音響波(横波)の伝播速度、tq:水晶振動子の厚み、μq:水晶の剛性率、ρq:水晶の密度である。
この主共振を持つ水晶振動子の厚み変化Δtによる共振周波数変化Δfは(1)、(2)式より、
Figure 0004811106
で表わされる。さらに,水晶の厚み変化Δtは、Δt=Δm/ρqである。ここで、Δmは単位表面積当たりの質量変化である。
水溶液中にQCMを浸漬すると、溶液の密度及び粘性率が気相中と比べて高い。したがって、厚みすべり振動の音響波が溶液側に減衰して伝わり、共振周波数が減少する。これは、水晶振動子上に有効厚さの液膜層が形成された状態と等価であるとみなすことができる。この液膜層の有効厚さd1は、水溶液がニュートン流体であるとすると、
Figure 0004811106
で近似される。ここで、v1:水溶液の動粘性率、η1:水溶液の粘性率、ρ1:水溶液の密度、f1:水溶液中の水晶振動子の共振周波数であり、v1=η1/ρ1である。
QCMを水溶液中で使用する場合、両電極間の絶縁を保つため、水晶振動子の片面のみを溶液に浸漬する。水晶振動子の片面のみを浸漬する場合、電極の単位面積当たりの見かけの質量変化Δm1は(4)式より、
Figure 0004811106
ここで、f1=f0として、(5)式を(3)式に代入すれば、溶液に水晶振動子を片面のみ浸漬する場合の共振周波数変化Δfは、
Figure 0004811106
で表わされる。(6)式から分かるように、全体感度を上げるには主共振周波数f0を上げることが重要となる。従って、センサとして用いる水晶振動子の主共振周波数を高くするほど、高感度のセンサとすることができる。
上記のように、ATカット水晶振動子は、厚みすべりのモードを使用しているため、主共振周波数f0はその厚みtqと反比例する。また、水晶振動子は、十分なγ値(水晶振動子の等価回路では並列容量と直列容量の比、通常はATカットで250ぐらいで少ない程よい)を得るためには電極有効面積も周波数に比例して小さくする必要がある。以上の理由で高周波用の水晶振動子は電極面積が小さく、しかも水晶厚の薄いものに構成される。一方、QCMを溶液中で使用する場合、前記のように、水晶振動子の片面のみを溶液に浸漬する。
このような構造を実現させるための従来の構造を図4に、(a)に上面図を、(b)に側断面図で示す。この構造は、QCMセンサ用水晶振動子1を支持基板(または封止基板)2に貼付け、QCMセンサ用水晶振動子1の支持基板と対向した電極1Aが水溶液に接しないように封入気体を介して支持基板2に貼付けられている(例えば、特許文献1参照)。3は電極1A、1Bを周波数計測器等との接続を得るためのリード電極である。
特開2000−258324号公報
上記の貼付け構造を用いたQCMセンサデバイスを溶液中に浸漬した場合、その水圧(静水圧)により、支持基板に対して十分に厚みの薄い水晶振動子が1気圧下で封入された圧縮率の高い気体を押すかたちで凹形状に歪んでしまうこととなる。この水晶振動子の歪みは、周波数変動を引き起こすため、測定感度を低下させる原因となる。
例として、図4に示した振動子部直径8mm、板厚164μm、共振周波数10MHzの水晶振動子を水深5mm(純水、20℃)の位置に設置した場合、水圧により歪まされた10MHz水晶振動子の歪みに起因した周波数変動は約9Hzとなる。
この周波数変動は、中心に関して対称な荷重を受ける円板の曲げ定義から概算できる。この均等荷重を受ける円板の最大たわみwMax(X=0、中心)は、
Figure 0004811106
で表される。ここで、r:水晶振動子の半径、h:水晶振動子の板厚、E:水晶の縦弾性係数(ヤング率)、γ:水晶のポアソン比、p:圧力差である。
また、このときの最大応力(σxMaxは、x=r、z=±h/2において
Figure 0004811106
で表される。
この水晶振動子に働く応力による周波数変動は、
Figure 0004811106
で表される。ここで、Kf:応力−周波数比定数である。
本発明の目的は、水晶基板を薄くした高周波用の水晶振動子が、溶液圧による歪みで感度が低下するのを防止したQCMセンサデバイスを提供することにある。
本発明は、前記の課題を解決するため、水晶振動子を貼付ける支持基板には封入気体導入部分にダイアフラム部を形成し、水晶振動子部分を溶液中に浸漬したときに受ける溶液圧でダイアフラム部を封入気体導入部側に歪ませ、水晶基板が封入気体導入部側に歪むのを少なくし、さらに封入気体導入部側に装着した歪みゲージにより水晶基板の歪み量を検出して水晶振動子の計測値を補正するようにしたもので、以下の構成を特徴とする。
(1)QCMセンサ用水晶振動子をその支持基板に貼付け、前記水晶振動子の裏面が水溶液に接しないよう支持基板と対向した部分に封入気体導入部を設けたQCMセンサデバイスにおいて、
前記封入気体導入部は、水晶振動子部分を溶液中に浸漬したときに受ける溶液圧で水晶振動子基板が歪むのを緩衝するダイアフラム部を備え、
前記ダイアフラム部は、その表面に歪みゲージを装着し、溶液中での前記水晶振動子基板の歪み量を該歪みゲージにより検出し、該水晶振動子の計測値を補正可能にしたことを特徴とする。
(2)前記ダイアフラム部は、前記支持基板の封入気体導入部分を堀込んで窪みを形成し、窪み部分の板厚を水晶振動子の基板厚よりも薄くした構造としたことを特徴とする。
(3)前記ダイアフラム部は、前記支持基板の封入気体導入部分に貫通孔を設け、該貫通孔の一方の対向面には水晶振動子を貼付け、該貫通孔の他方の対向面はダイアフラム用封止ゴムシートで被覆した構造としたことを特徴とする。
以上のとおり、本発明によれば、水晶振動子を貼付ける支持基板には封入気体導入部分にダイアフラム部を形成し、水晶振動子部分を溶液中に浸漬したときに受ける溶液圧でダイアフラム部を封入気体導入部側に歪ませ、水晶基板が封入気体導入部側に歪むのを少なくし、さらに封入気体導入部側に装着した歪みゲージにより水晶基板の歪み量を検出して水晶振動子の計測値を補正するようにしたため、水晶基板を薄くした高周波用の水晶振動子が、溶液圧による歪みで感度が低下するのを防止できる。具体的には、以下の効果がある。
(1)水晶振動子を貼り付ける支持基板の封入気体導入部に、圧力緩衝用のダイアフラム部を設けることで、溶液中に浸漬した水晶振動子がその水圧により歪まされることを防止することができ、高感度な測定が可能となる。
(2)上記のダイアフラム部に歪みゲージを装着し、その歪み量から予め求めた「歪み量に対する水晶振動子の周波数変動量」で水晶振動子の計測値を補正することが可能となり、高感度な測定が可能となる。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態を示す貼付け構造を用いたQCMセンサデバイス構造であり、(a)に上面図を、(b)に側断面図を示す。
同図が図4と異なる部分は、支持基板2の封入気体導入部分を堀込んで窪みを形成した構造とし、その板厚tを水晶振動子1の基板厚よりも十分に薄くしたダイアフラム構造にした点にある。
上記のQCMセンサデバイス構造において、支持基板2は例えば石英ガラスやATカット水晶板が使用され、水晶振動子1の水晶基板と同等の硬度になる。そして、支持基板のダイアフラム部2Aの板厚tが水晶振動子1の板厚に比べて十分に薄い構造とすることで、水晶振動子1部分を溶液中に浸漬したときに受ける溶液圧ではダイアフラム部2Aが封入気体導入部分側に歪み、水晶基板が封入気体導入部分側に歪むのを十分に少なくした圧力緩衝機能を持たせることができる。
例えば、上記の例で示した水晶振動子(振動子部直径8mm、板厚164μm、共振周波数10MHz)に対して、支持基板2に振動子板と同じ水晶を用いた場合には、ダイアフラム部2Aは直径8mm、板厚35μmの窪みとして形成することで、溶液圧による歪みで水晶振動子1の感度低下を少なくすることができる。
(実施形態2)
図2は、本実施形態の貼付け構造を用いたQCMセンサデバイス構造を示し、実施形態1のデバイス構造を安価に提供できるように工夫したものである。
この構造は、支持基板2の封入気体導入部分に貫通孔2Bを設けた構造とし、支持基板2の貫通孔2Bの一方の対向面には水晶振動子1を貼付け、貫通孔2Bの他方の対向面は弾性に優れるシリコーンゴムなどのダイアフラム用封止ゴムシート4で被覆したものである。
この構造により、水晶振動子1部分を溶液中に浸漬したときに受ける溶液圧ではダイアフラム用封止ゴムシート4が内側に歪み、水晶基板が内側に歪むのを十分に少なくした圧力緩衝機能を持たせることができる。
本実施形態では、実施形態1の効果に加えて、支持基板2にダイアフラム部を形成するための堀込み加工を不要にして製造コストを低減でき、さらに水晶基板などの脆性材料を用いたダイアフラム構造に比較し圧力緩衝範囲を大きく設定できる利点がある。
(実施形態3)
図3は、本実施形態の貼付け構造を用いたQCMセンサデバイス構造を示し、(a)に上面図を、(b)に側断面図を、(c)にA−A線に沿った断面図を示す。
この構造は、実施形態1に示したデバイス構造の支持基板2を例えば水晶振動子と同じATカット水晶板とし、この封入気体導入部分となるダイアフラム部2Aを水晶振動子1と同じ厚さとする。さらのダイアフラム部2Aの表面に歪みゲージ5を装着することで、溶液中での水晶振動子基板の歪み量を検出し、予め測定しておいた歪みに対する周波数変動量で計測値を補正する。6は歪みゲージ5のリード電極であり、リード電極3と同じ面に形成する。
本実施形態では、溶液圧により水晶振動子1の基板に歪みが発生したときにダイアフラム部2Aにほぼ同じ量の歪みを発生させ、この歪み量を水晶振動子1の基板歪み量として歪みゲージ5で検出することができる。これにより、水晶振動子1の歪み量に対応する周波数計測値を補正し、水晶振動子1の基板歪みによる感度低下を補償することができる。
なお、本実施形態において、ダイアフラム部2Aを水晶振動子1と同じ厚さにする構造に限られるものでない。また、実施形態1または2と同様のダイアフラム部を設け、このダイアフラム部の歪みをゲージ5で検出して感度低下を補償する構造とすることもできる。
本発明の実施形態1を示す貼付け構造を用いたQCMセンサデバイス構造。 本発明の実施形態2を示す貼付け構造を用いたQCMセンサデバイス構造。 本発明の実施形態3を示す貼付け構造を用いたQCMセンサデバイス構造。 従来の貼付け構造を用いたQCMセンサデバイス構造。
符号の説明
1 水晶振動子
1A、1B 電極
2 支持基板
2A ダイアフラム部
2B 貫通孔
3 水晶振動子のリード電極
4 ダイアフラム用封止ゴムシート
5 歪みゲージ
6 歪みゲージのリード電極

Claims (3)

  1. QCMセンサ用水晶振動子をその支持基板に貼付け、前記水晶振動子の裏面が水溶液に接しないよう支持基板と対向した部分に封入気体導入部を設けたQCMセンサデバイスにおいて、
    前記封入気体導入部は、水晶振動子部分を溶液中に浸漬したときに受ける溶液圧で水晶振動子基板が歪むのを緩衝するダイアフラム部を備え、
    前記ダイアフラム部は、その表面に歪みゲージを装着し、溶液中での前記水晶振動子基板の歪み量を該歪みゲージにより検出し、該水晶振動子の計測値を補正可能にしたことを特徴とするQCMセンサデバイス。
  2. 前記ダイアフラム部は、前記支持基板の封入気体導入部分を堀込んで窪みを形成し、窪み部分の板厚を水晶振動子の基板厚よりも薄くした構造としたことを特徴とする請求項1に記載のQCMセンサデバイス。
  3. 前記ダイアフラム部は、前記支持基板の封入気体導入部分に貫通孔を設け、該貫通孔の一方の対向面には水晶振動子を貼付け、該貫通孔の他方の対向面はダイアフラム用封止ゴムシートで被覆した構造としたことを特徴とする請求項1に記載のQCMセンサデバイス。
JP2006128786A 2006-05-08 2006-05-08 Qcmセンサデバイス Active JP4811106B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006128786A JP4811106B2 (ja) 2006-05-08 2006-05-08 Qcmセンサデバイス

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006128786A JP4811106B2 (ja) 2006-05-08 2006-05-08 Qcmセンサデバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007298479A JP2007298479A (ja) 2007-11-15
JP4811106B2 true JP4811106B2 (ja) 2011-11-09

Family

ID=38768080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006128786A Active JP4811106B2 (ja) 2006-05-08 2006-05-08 Qcmセンサデバイス

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4811106B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5069094B2 (ja) * 2007-12-28 2012-11-07 日本電波工業株式会社 圧電センサ及び感知装置
JP6266313B2 (ja) * 2012-12-17 2018-01-24 セイコーインスツル株式会社 Qcmセンサ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4991283A (en) * 1989-11-27 1991-02-12 Johnson Gary W Sensor elements in multilayer ceramic tape structures
JP3179178B2 (ja) * 1992-04-16 2001-06-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 水晶振動子セル
JP3717696B2 (ja) * 1999-03-04 2005-11-16 北斗電工株式会社 Qcmセンサデバイス
JP2001083031A (ja) * 1999-09-13 2001-03-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 圧力測定装置及びそれを用いた圧力測定システム
JP2005337876A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置、およびその製造方法
JP4586425B2 (ja) * 2004-06-07 2010-11-24 横河電機株式会社 振動式トランスデューサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007298479A (ja) 2007-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2382441C2 (ru) Электроакустический сенсор для сред с высоким давлением
JP3717696B2 (ja) Qcmセンサデバイス
US7148611B1 (en) Multiple function bulk acoustic wave liquid property sensor
EP1058109A1 (en) Qcm sensor
US9465012B2 (en) Measurement method using a sensor; sensor system and sensor
KR20080007478A (ko) 다기능 음파 오일 품질 센서
JP2008232886A (ja) 圧力センサ
Mirea et al. Impact of FBAR design on its sensitivity as in-liquid gravimetric sensor
JP2013104753A (ja) 物理量検出器
JP4811106B2 (ja) Qcmセンサデバイス
Mansoorzare et al. A microfluidic MEMS-microbalance platform with minimized acoustic radiation in liquid
JP3933340B2 (ja) マルチチャンネルqcmセンサデバイス
CN208333399U (zh) 双谐振器声波拉伸应变传感器芯片
JP2009031233A (ja) マルチチャンネルqcmセンサ
EP1519162A1 (en) Measurement method and biosensor apparatus using resonator
JP2004534222A (ja) 結晶点群32の圧電共振素子
Weber et al. Sensor for ambient pressure and material strains using a thin film bulk acoustic resonator
JP2005274578A (ja) Qcmセンサデバイス
JP4788259B2 (ja) フローセル型qcmセンサ
KR100924417B1 (ko) 고압 환경용 전자 음향 센서
JP2005214989A (ja) Qcmセンサデバイス
JP4707104B2 (ja) 振動素子の製造方法
JP4530361B2 (ja) 物質検出素子の製造方法
JP2004150879A (ja) バイオセンサ用セル
JP4784222B2 (ja) フローセル型qcmセンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110201

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110726

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110808

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4811106

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902

Year of fee payment: 3