JP4803998B2 - 電界放出型電子放出素子の製造方法 - Google Patents
電界放出型電子放出素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4803998B2 JP4803998B2 JP2004355877A JP2004355877A JP4803998B2 JP 4803998 B2 JP4803998 B2 JP 4803998B2 JP 2004355877 A JP2004355877 A JP 2004355877A JP 2004355877 A JP2004355877 A JP 2004355877A JP 4803998 B2 JP4803998 B2 JP 4803998B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- electrode
- electron
- acid
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
本実施形態におけるFE素子について図5及び図6を用いて説明する。尚、図5は、後述する表示面12が正面に位置するように配置された図であり、図6は、表示面12が上方に位置するように配置された図である。
主にエミッタ電極116を形成する際に余分に堆積される電子放出材料をエッチングするためのエッチング装置200について図7を用いて説明する。尚、図7においては、一つのFE素子100について説明するための図であり、理解を容易とするために、その他のFE素子については省略している。
このようなエッチング液160は、エミッタ電極116を形成する場合に、ゲート電極110上に堆積された不要な電子放出材料118をエッチングした後に、ゲート電極の厚さが、エッチング前の厚さの半分以下にならないこと、若しくは、ゲート電極110に形成された開口部112の直径が約1.5倍以上にならないことを達成するものである。もちろん、このような条件に加えて、ゲート電極110上に堆積された不要な電子放出材料118を完全に溶解、除去が可能なものであればよい。言い換えると、ゲート電極110の厚さ、開口部112の直径のサイズ、堆積された不要な電子放出材料118の高さなどを考慮すると、ゲート電極110と、不要な電子放出材料118との溶解比が1対10以上のエッチング液160を用いることによって、上述したような条件が満たされる。
上述したように構成されるFE素子100の製造方法について図2及び図7を用いて説明する。
[実験例]
次に、上述したような構成において実施される実施例について詳しく説明するが、これらの例に限ることはない。
12 表示面
20 アノードパネル
30 カソードパネル
40 カソード電極ライン
50 ゲート電極ライン
100 電界放出型電子放出素子
102 支持体
104 カソード電極
106 抵抗層
108 絶縁層
110 ゲート電極
112 開口部
114 キャビティ
116 エミッタ電極
118 不要な電子放出材料
122 蛍光体
124 アノード電極
126 ガラス基板
128 剥離層
150 対電極
152 壁部
160 エッチング液
170 電源
200 エッチング装置
Claims (3)
- 支持体上に、カソード電極と、第一の開口部が形成された絶縁層と、当該第一の開口部の上方に第二の開口部が形成されたゲート電極とが順次積層されており、前記第一の開口部内にエミッタ電極が設けられた電界放出型電子放出素子の製造方法であって、
クロム、アルミニウム、タンタル、チタン又はニオブ、若しくは、これらのいずれかを主成分とした合金から成り、過酸化水素と反応しても水易溶性とはならない前記ゲート電極を積層し、
モリブテン又はタングステンから成り、過酸化水素と反応して水易溶性の酸化物を形成する電子放出材料を前記ゲート電極側から蒸着することによって、前記第一の開口部内に前記電子放出材料を前記エミッタ電極として堆積させ、
前記ゲート電極と、前記ゲート電極上に堆積された不要な前記電子放出材料との溶解比が1対10以上であって過酸化水素を含有するエッチング液中に前記ゲート電極及び前記電子放出材料を浸した状態で、前記エッチング液中に浸した対電極に正電位を印加し、前記エミッタ電極に負電位を印加することによって、前記エミッタ電極の溶解を抑制するとともに、前記ゲート電極上における不要な前記電子放出材料を溶解し、除去することを特徴とする電界放出型電子放出素子の製造方法。 - 前記過酸化水素の濃度が0.1重量パーセント以上35重量パーセント以下であることを特徴とする請求項1に記載の電界放出型電子放出素子の製造方法。
- 前記エミッタ電極に印加される負電位を、ポテンショスタットを用いて制御することを特徴とする請求項1又は請求項2に電界放出型電子放出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004355877A JP4803998B2 (ja) | 2004-12-08 | 2004-12-08 | 電界放出型電子放出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004355877A JP4803998B2 (ja) | 2004-12-08 | 2004-12-08 | 電界放出型電子放出素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006164803A JP2006164803A (ja) | 2006-06-22 |
JP4803998B2 true JP4803998B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=36666563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004355877A Expired - Fee Related JP4803998B2 (ja) | 2004-12-08 | 2004-12-08 | 電界放出型電子放出素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4803998B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8465656B2 (en) | 2007-09-10 | 2013-06-18 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed circuit board and a printed circuit board obtained by the manufacturing method |
TWI437615B (zh) * | 2011-06-07 | 2014-05-11 | Au Optronics Corp | 場發射顯示元件之製作方法及應用於製作場發射顯示元件之電化學系統 |
WO2024053647A1 (ja) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | 花王株式会社 | 基板処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2726122B1 (fr) * | 1994-10-19 | 1996-11-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une source d'electrons a micropointes |
US5863233A (en) * | 1996-03-05 | 1999-01-26 | Candescent Technologies Corporation | Field emitter fabrication using open circuit electrochemical lift off |
US5766446A (en) * | 1996-03-05 | 1998-06-16 | Candescent Technologies Corporation | Electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device |
EP0993513B1 (en) * | 1997-06-30 | 2009-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Impedance-assisted electrochemical technique and electrochemistry for removing material, particularly excess emitter material in electron-emitting device |
FR2770683B1 (fr) * | 1997-11-03 | 1999-11-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une source d'electrons a micropointes |
-
2004
- 2004-12-08 JP JP2004355877A patent/JP4803998B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006164803A (ja) | 2006-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI532881B (zh) | 用於導電多層膜之蝕刻液組成物及其蝕刻方法 | |
JP2004193620A (ja) | 銅モリブデン膜で、モリブデンの残渣を除去するエッチング溶液及びそのエッチング方法 | |
JP4803998B2 (ja) | 電界放出型電子放出素子の製造方法 | |
KR20100040004A (ko) | 비과산화수소형 구리 또는 구리 합금 막의 에칭제 | |
KR20130071095A (ko) | 액정 표시장치용 어레이 기판 제조방법 | |
KR20090122610A (ko) | 비과산화수소형 구리 또는 구리 합금 막의 에칭제 | |
JP2015030855A (ja) | エッチング溶液及びエッチング方法 | |
TW202003922A (zh) | 薄膜蝕刻劑組合物及使用其之形成金屬圖案的方法 | |
KR102091847B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
JP5788400B2 (ja) | エッチング液組成物 | |
KR101966442B1 (ko) | 액정 표시장치용 어레이 기판 제조방법 | |
JP2019176128A (ja) | エッチング液 | |
CN107236956B (zh) | 用于铜基金属层的蚀刻剂组合物及用其制造显示设备的阵列基板的方法 | |
KR100315648B1 (ko) | 액정표시장치의 게이트 전극용 식각액 | |
JP2008266748A (ja) | 積層膜一括エッチング液およびこれを用いた電極形成方法 | |
JP6458913B1 (ja) | エッチング液 | |
JP3533366B2 (ja) | 半導体基板の洗浄処理及びウェットエッチング処理を同時に行う方法 | |
KR101971459B1 (ko) | 유기발광소자 제조용 도전 부재 세정용 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
JP3970248B2 (ja) | エッチング方法 | |
JP3587156B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
KR102639573B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
JP2007080626A (ja) | 電子放出型電極及びその製造方法 | |
JP2019008114A (ja) | マスクブランクスおよびその製造方法 | |
JP4803760B2 (ja) | 電子エミッタの電界エージング方法 | |
JP2010146914A (ja) | 電子放出素子の製造方法および画像表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070824 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091009 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091009 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091016 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091016 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110809 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110809 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |