JP4796216B2 - 型および型の製造方法ならびに反射防止膜 - Google Patents
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Description
cosθc=f1cosθ1+f2cosθ2 (1)
cosθc=f1cosθ1+f2cosθ2+f3cosθ3 (2)
tanα’=h/(φ/2) (3)
式(3)から、α’は、hとφを用いて下記式(4)のように表される。
α’=arctan(2h/φ) (4)
11 基材
12 第1凹部
14 第2凹部
15 微細な凹部
17 凹部
Claims (9)
- 表面に陽極酸化ポーラスアルミナ層を有し、複数の第1凹部と、複数の第2凹部とを有する型であって、
前記複数の第2凹部は、前記表面の法線方向から見たときに、2次元的な大きさが190nm以上50μm以下であって、内面に2次元的な大きさが10nm以上200nm以下である複数の微細な凹部が形成された形状を有し、
前記複数の第1凹部は、2次元的な大きさが10nm以上200nm以下であり、前記複数の第2凹部の間に形成されており、
前記複数の第2凹部の2次元的な大きさの平均値は、前記複数の第1凹部の2次元的な大きさの平均値より大きい、型。 - 前記複数の第2凹部の面積率は0.7%以上である、請求項1に記載の型。
- 前記複数の第2凹部の2次元的な大きさの平均値は、前記複数の第1凹部の2次元的な大きさの平均値の2.73倍以上である、請求項1または2に記載の型。
- 前記複数の第2凹部の前記内面の、前記表面に対する立ち下がり角は、90°以下である、請求項1から3のいずれかに記載の型。
- 前記複数の第2凹部の2次元的な大きさは400nm以上50μm以下であり、前記複数の第2凹部の前記面積率は0.8%以上である、請求項1から4のいずれかに記載の型。
- 請求項5に記載の型を用いて作製された反射防止膜であって、
表面に2次元的な大きさが100nm以上200nm以下である底面を有する複数の第1凸部と、2次元的な大きさが400nm以上50μm以下である複数の第2凸部とが設けられており、
前記複数の第2凸部の表面に対する立ち上がり角は、90°以下である、
反射防止膜。 - 表面に陽極酸化ポーラスアルミナ層を有し、複数の第1凹部と、複数の第2凹部とを有する型であって、前記複数の第2凹部は、2次元的な大きさが190nm以上50μm以下であって、内面に2次元的な大きさが10nm以上200nm以下である複数の微細な凹部が形成された形状を有し、前記複数の第1凹部は、前記表面の法線方向から見たときに、2次元的な大きさが10nm以上200nm以下であり、前記複数の第2凹部の間に形成されており、前記複数の第2凹部の2次元的な大きさの平均値は、前記複数の第1凹部の2次元的な大きさの平均値より大きい、型の製造方法であって、
(a)純度が99.5質量%以上のアルミニウム膜またはアルミニウム基材を用意する工程と、
(b)エッチング液中で、前記アルミニウム膜またはアルミニウム基材の表面を、前記アルミニウム膜またはアルミニウム基材より標準電極電位が高い金属に接触させた状態でエッチングを行うことにより、2次元的な大きさが190nm以上50μm以下である複数の凹部を形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後に、前記アルミニウム膜またはアルミニウム基材の前記表面を陽極酸化することによって、前記複数の凹部の内面および前記複数の凹部の間にポーラスアルミナ層を形成することにより、前記複数の第1凹部と前記複数の第2凹部とを形成する工程と、
を包含する、型の製造方法。 - (d)前記工程(c)の後に、前記ポーラスアルミナ層を前記エッチング液に接触させることによって、前記複数の微細な凹部と前記複数の第1凹部とを拡大させる工程と、
(e)前記工程(d)の後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部と前記複数の第1凹部とを成長させる工程と、
を包含する、請求項7に記載の型の製造方法。 - (f)前記工程(a)と(b)との間に、前記アルミニウム膜またはアルミニウム基材の表面を陽極酸化することによって陽極酸化層を形成する工程と、
(g)前記工程(b)と(c)との間に、前記陽極酸化層を溶解除去する工程と、
を包含する、請求項7または8に記載の型の製造方法。
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