JP4788425B2 - 半導体用接着剤、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体用接着剤、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明は、半導体用接着剤、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体装置の生産性を高めるために、接着剤を印刷法により支持部材の上に層状に形成し、その後半導体素子を当該接着剤層が形成された支持部材に熱圧着により搭載することで半導体装置を組み立てる製造方法が行われつつある。
ここで、上記製造方法が滞留なく連続的に行われる場合には、製造上の問題は起こりにくい。しかしながら、製造工程上の都合で、接着剤層が形成された支持部材を作り溜めしておき、保管しなければならない状況が現実には多々発生する。
前記保管が必要になってくる場合、接着剤が液状もしくはペースト状のまま保管すると、接着剤がタックを有するため異物が付着してしまうといった課題が生じる。また、このタックにより、接着剤層が形成された支持部材を重ね合わせて保管することができないために、多段式の保管庫が必要になってくるという課題も生ずる。さらには、保管時に印刷された接着剤の形状が変形してしまうなどといった課題も生じる。
これらの課題を解決するために、印刷後の接着剤を加熱することにより接着剤のタックをなくす試みがなされている。接着剤に含まれる樹脂自体にタックがなく、溶剤を含むワニス状態であるためにタックが生じている場合には、接着剤を加熱することにより、接着剤内部の溶剤を揮発させて樹脂成分だけにしてタックをなくすことが行われている。また、樹脂自体が液状樹脂でタックを有する場合には、接着剤中の樹脂成分の一部を加熱により反応させ、接着剤をＢステージ化することによりタックをなくすことが行われている（特許文献１）。
特開２００６−３２９３６号公報
しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では、溶剤を揮発させたり、樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい、半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題があった。
本発明者らは上記事情に鑑み、鋭意検討の結果、接着剤にラジカル重合性モノマーと熱硬化性樹脂を配合、光照射によりＢ−ステージ化することのできる接着剤を用いることにより、タックフリーになるまでの時間を大幅に短縮できることを見出した。
印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では、溶剤を揮発させたり、樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい、半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題があった。
本発明者らは上記事情に鑑み、鋭意検討の結果、接着剤にラジカル重合性モノマーと熱硬化性樹脂を配合、光照射によりＢ−ステージ化することのできる接着剤を用いることにより、タックフリーになるまでの時間を大幅に短縮できることを見出した。
本発明によれば、
一官能ラジカル重合性モノマーと、多官能ラジカル重合性モノマーとを含むアクリル化合物と、光照射によりラジカルを発生する化合物と、エポキシ樹脂とを含み、かつ、前記アクリル化合物と前記エポキシ樹脂の全量に対する前記アクリル化合物の割合が、５０重量％以上８５重量％以下である半導体用接着剤であって、
当該半導体用接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態において、
(i)２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ2以下であり、かつ、
(ii)室温から１０℃／分の昇温速度で昇温したときの７０℃以上１８０℃以下の範囲における最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下、
である半導体用接着剤が提供される。
本発明では、短時間の光照射後に半導体用接着剤の表面タック力が小さくなるために、短時間でＢ−ステージ化が可能となり、取扱い性が向上する。また、光照射後に、加熱することにより溶融粘度が一定値以下になるので、Ｂ−ステージ化後に容易に接着機能を発揮することができる。
一官能ラジカル重合性モノマーと、多官能ラジカル重合性モノマーとを含むアクリル化合物と、光照射によりラジカルを発生する化合物と、エポキシ樹脂とを含み、かつ、前記アクリル化合物と前記エポキシ樹脂の全量に対する前記アクリル化合物の割合が、５０重量％以上８５重量％以下である半導体用接着剤であって、
当該半導体用接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態において、
(i)２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ2以下であり、かつ、
(ii)室温から１０℃／分の昇温速度で昇温したときの７０℃以上１８０℃以下の範囲における最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下、
である半導体用接着剤が提供される。
本発明では、短時間の光照射後に半導体用接着剤の表面タック力が小さくなるために、短時間でＢ−ステージ化が可能となり、取扱い性が向上する。また、光照射後に、加熱することにより溶融粘度が一定値以下になるので、Ｂ−ステージ化後に容易に接着機能を発揮することができる。
本発明によれば、
半導体チップと、前記半導体チップを搭載する基板と、これら二つを固定している接着部材とで構成される半導体装置であって、
前記接着部材が、上述したいずれかの半導体用接着剤を硬化させたものである半導体装置が提供される。
本発明では、一官能ラジカル重合性モノマーと、多官能ラジカル重合性モノマーとを含むアクリル化合物と、光照射によりラジカルを発生する化合物と、エポキシ樹脂とを含み、一定のパラメータを具備する半導体用接着剤を用いて半導体装置を組み立てるため、接着安定性に優れる半導体装置が得られる。
半導体チップと、前記半導体チップを搭載する基板と、これら二つを固定している接着部材とで構成される半導体装置であって、
前記接着部材が、上述したいずれかの半導体用接着剤を硬化させたものである半導体装置が提供される。
本発明では、一官能ラジカル重合性モノマーと、多官能ラジカル重合性モノマーとを含むアクリル化合物と、光照射によりラジカルを発生する化合物と、エポキシ樹脂とを含み、一定のパラメータを具備する半導体用接着剤を用いて半導体装置を組み立てるため、接着安定性に優れる半導体装置が得られる。
本発明によれば、
基板を準備する工程と、
前記基板に上述したいずれかの半導体用接着剤を印刷により塗布する工程と、
前記半導体用接着剤を塗布した基板に光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程と、
前記Ｂ−ステージ化した基板に半導体チップを搭載して加熱圧着により接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
本発明では、ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とを含み、一定のパラメータを具備する半導体用接着剤を用いて半導体装置を組み立てるため、組み立て工程における部品取扱い性が向上する。
基板を準備する工程と、
前記基板に上述したいずれかの半導体用接着剤を印刷により塗布する工程と、
前記半導体用接着剤を塗布した基板に光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程と、
前記Ｂ−ステージ化した基板に半導体チップを搭載して加熱圧着により接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
本発明では、ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とを含み、一定のパラメータを具備する半導体用接着剤を用いて半導体装置を組み立てるため、組み立て工程における部品取扱い性が向上する。
本発明によれば、
ウエハーを準備する工程と、
前記ウエハーに上述したいずれかの半導体用接着剤を印刷により塗布する工程と、
前記半導体用接着剤を塗布したウエハーに光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程と、
前記光照射後のウエハーをダイシングにより半導体チップに個片化する工程と、
前記半導体チップを基板に搭載して加熱圧着により接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
本発明では、ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とを含み、一定のパラメータを具備する半導体用接着剤を用いて半導体装置を組み立てるため、組み立て工程における部品取扱い性が向上する。
ウエハーを準備する工程と、
前記ウエハーに上述したいずれかの半導体用接着剤を印刷により塗布する工程と、
前記半導体用接着剤を塗布したウエハーに光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程と、
前記光照射後のウエハーをダイシングにより半導体チップに個片化する工程と、
前記半導体チップを基板に搭載して加熱圧着により接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
本発明では、ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とを含み、一定のパラメータを具備する半導体用接着剤を用いて半導体装置を組み立てるため、組み立て工程における部品取扱い性が向上する。
本発明によれば、光照射により短時間でＢステージ化できる半導体用接着剤が提供される。
本発明の半導体用接着剤は、たとえば、まず(1)印刷等により層状に形成され、次に(2)光照射によりＢ−ステージ化され、続いて(3)加熱圧着により被着体に接着される、という工程によって使用される。
本発明は、ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とを含む半導体用接着剤であって、当該半導体用接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態において、(i)２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ2以下であり、かつ、(ii)室温から１０℃／分の昇温速度で昇温したときの７０℃以上１８０℃以下の範囲における最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下である半導体用接着剤に関するものである。以下、本発明のパラメータについて説明する。
本発明における、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態とは、半導体用接着剤に１５００ｍＪ／ｃｍ2の量の紫外光を照射することに相当する。これは、半導体用接着剤中に含まれる光照射によりラジカルを発生する化合物を反応させてラジカルを発生させ、ラジカル重合性モノマーを充分に重合させるのに必要な紫外線照射量である。たとえば、アクリル系のラジカル重合性モノマーを用いた場合には、前記条件により、光ＤＳＣにより求めた光反応率が通常９０％以上になる。
本発明において、「半導体接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態の、２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ2以下」とは、短時間の紫外光照射後に室温状態においてどれだけ接着剤表面のタックが残っているかを表すパラメータである。半導体接着剤を印刷法によって塗布した直後において紫外光照射することにより、溶剤の揮発等の影響を受けることなく、紫外線照射による変化を測定することができる。印刷法による塗布は、例えば、ソルダーレジストＰＳＲ−４０００ＡＵＳ−３０８（太陽インキ製造株式会社製）が塗布された有機基板に、印刷機（ＶＥ−５００、東レエンジニアリング株式会社製、）を用いて、スキージスピード1.5mm/s、スキージ角度45度、印刷圧0.2MPaの条件で、接着剤を膜厚１００μｍに塗布することによって行うことができる。
接着剤を(1)印刷等により層状に形成し、次に(2)光照射により接着剤をＢ−ステージ化する工程において、表面タック値が小さいほど、短時間の光照射で表面のタックがなくなり、取扱い性が向上することを意味する。
「照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態の、２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ2以下」を満たすことで、短時間で接着剤のタックを低減できる（短時間でＢステージ化が可能となる。）。これにより、製造工程に滞留が生じ、基板もしくは半導体チップ上に接着剤を塗布した状態で保管しなければならない事態が発生しても、２０秒という極短時間の処理で、素早く保管可能な状態にすることができる。
本発明では、半導体用接着剤にラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とが含まれているので、紫外線を照射した場合に光照射によりラジカルを発生する化合物がラジカルを発生させてラジカル重合性モノマーが重合し、接着剤の表面タック力が低下する。
タック値は、好ましくは１２ｇｆ／ｍｍ2以下、さらに好ましくは６ｇｆ／ｍｍ2以下である。この値は低ければ低いほどよい。タック値が上限値以下になると、接着剤のタック力（ベタつき）が弱くなり、実プロセス上問題がない程度に保管時の取り扱い性が向上する。なお、タック値は０であってもよい。タック値が０であればベタつきが全くなく、取り扱い性に特に優れる。
接着剤を(1)印刷等により層状に形成し、次に(2)光照射により接着剤をＢ−ステージ化する工程において、表面タック値が小さいほど、短時間の光照射で表面のタックがなくなり、取扱い性が向上することを意味する。
「照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態の、２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ2以下」を満たすことで、短時間で接着剤のタックを低減できる（短時間でＢステージ化が可能となる。）。これにより、製造工程に滞留が生じ、基板もしくは半導体チップ上に接着剤を塗布した状態で保管しなければならない事態が発生しても、２０秒という極短時間の処理で、素早く保管可能な状態にすることができる。
本発明では、半導体用接着剤にラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とが含まれているので、紫外線を照射した場合に光照射によりラジカルを発生する化合物がラジカルを発生させてラジカル重合性モノマーが重合し、接着剤の表面タック力が低下する。
タック値は、好ましくは１２ｇｆ／ｍｍ2以下、さらに好ましくは６ｇｆ／ｍｍ2以下である。この値は低ければ低いほどよい。タック値が上限値以下になると、接着剤のタック力（ベタつき）が弱くなり、実プロセス上問題がない程度に保管時の取り扱い性が向上する。なお、タック値は０であってもよい。タック値が０であればベタつきが全くなく、取り扱い性に特に優れる。
本発明において、「半導体用接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態の、室温から１０℃／分の昇温速度で昇温したときの７０℃以上１８０℃以下の範囲における最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下」とは、一定時間の光照射後に、半導体用接着剤を加熱した場合に最低溶融粘度が一定の範囲に入ることを意味するものである。接着剤を、まず(1)印刷等により層状に形成し、次に(2)光照射によりＢ−ステージ化し、続いて(3)加熱圧着により被着体に接着する工程において、最低溶融粘度が一定範囲に調整することで接着工程(3)を適切に行うことができる。
本発明では、半導体用接着剤にラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とが含まれているので、光照射をすることによってラジカル重合性モノマーが重合し、Ｂ−ステージ化する。次の工程である加熱圧着による接着は、未反応の熱硬化性樹脂成分が反応することによって行われる。ここで、ラジカル重合性モノマーが重合して、Ｂ−ステージ化した後に、更に加熱によって溶融粘度が一定範囲に入ることが、接着剤として機能するために必要である。
本発明では、半導体用接着剤にラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とが含まれているので、光照射をすることによってラジカル重合性モノマーが重合し、Ｂ−ステージ化する。次の工程である加熱圧着による接着は、未反応の熱硬化性樹脂成分が反応することによって行われる。ここで、ラジカル重合性モノマーが重合して、Ｂ−ステージ化した後に、更に加熱によって溶融粘度が一定範囲に入ることが、接着剤として機能するために必要である。
「７０℃以上１８０℃以下の範囲」について、この温度範囲は、光照射によりＢステージ化された接着剤を被着体に貼り付ける際に設定しうる温度である。最低溶融粘度が得られる付近の温度で本発明の半導体用接着フィルムを貼り付けすると、接着剤が適度に低い溶融粘度を実現することができ、接着剤のついた半導体素子を被着体に剥離なく接着することができる。
「最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下」とは、接着剤を被着体に貼り付ける際に適切に間隙を充填し、半導体装置の信頼性を向上させるために必要な溶融粘度のことである。最低溶融粘度は、好ましくは１Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下である。最低溶融粘度が上限値以下であると、熱圧着時に流動性が向上し、半導体チップ表面または基板に設けられた回路との間の空隙を充填することが可能となる。最低溶融粘度が下限値以上であると必要以上に半導体用接着剤がフローしてしまうことを抑制できるため、半導体素子を汚染する危険が低くなる。また、当該溶融粘度を実現する温度を従来の接着温度よりも比較的低い７０℃以上１８０℃以下に設定することで、半導体素子の熱損傷を防ぐことができる。
「１０℃／分の昇温速度」とは、接着剤を光照射によりＢ−ステージ化した後に、被着体に加熱接着する工程を想定したものである。実際の工程では１０℃／分よりも速い昇温速度で加熱接着されることが多いが、この場合は、一般的に最低溶融粘度が低くでる傾向がある。本発明者らは、室温から１０℃／分の昇温速度で昇温したときの７０℃以上１８０℃以下の範囲における最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下という規定をすることで、実際に接着した際にも良好な接着強度が安定的に得られることを見出した。
以上説明したように、「照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態において、(i)２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ2以下であり、かつ、(ii)室温から１０℃／分の昇温速度で昇温したときの７０℃以上１８０℃以下の範囲における最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下」という条件を満たすことにより、短時間の光照射によりＢ−ステージ化が可能であり、引き続き加熱により適切に貼り付けることのできる半導体用接着剤が提供される。
以上のパラメータは、例えば、本発明に含まれる、ラジカル重合性モノマー、熱硬化性樹脂の種類や混合比等を調整することによって得ることができる。一般的には、半導体接着剤のラジカル重合性モノマーの割合を高くすればタック値が低下しやすくなり、熱硬化性樹脂の割合を高くすれば最低溶融粘度が一定範囲に入りやすくなる。本発明では、両成分を適宜調整することにより上記パラメータを実現することが可能である。詳細は実施例にて説明する。
本発明で用いられるラジカル重合性モノマーとは、一分子内に一つ以上のラジカル反応性二重結合を有するモノマーである。ラジカル重合性モノマーとしては、例えば、アクリル系モノマーやスチレン系モノマー、及びこれらのオリゴマーが挙げられる。これらは単独で用いることも、２種類以上を混合して用いることもできる。ラジカル重合性モノマーとしては２５℃で液状であることが好ましく、より短時間でＢ−ステージ化するために、反応性に優れたアクリロイル基を有する化合物が好ましい。
本発明で用いられるラジカル重合性モノマーの具体例としては、シクロへキシルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート、ジエチレングリコールアクリレート、トリエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチレングリコールアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、ベヘニルアクリレート、イソボロニルアクリレート、２−アクリロイロキシエチルコハク酸、オクトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、イソステアリルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、ラウリルアクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートなどの１官能アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、プロポキシ化ビスフェノールAジアクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、エトキシ化２−メチル−１，３−プロパンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、２−ヒドロキシ−３−アクリロイロキシプロピルメタクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなど多官能アクリレート、シクロへキシルメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、トリエチレングリコールメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシトリエチレングリコールメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、4-ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、フェノキシエチレングリコールメタクリレート、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸、２−メタクリロイロキシエチルフタル酸、２−メタイソステアリルメタクリレートクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイロキシプロピルヘキサヒドロフタル酸、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、イソボロニルメタクリレート、オクトキシポリエチレングリコールメタクリレート、ステアリルメタクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートなどの１官能メタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、２−メチル−１，８−オクタンジオールジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジメタクリレート、グリセリンジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレートなどの多官能メタクリレートなどが挙げられる。
本発明で用いられるラジカル重合性モノマーの具体例としては、シクロへキシルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート、ジエチレングリコールアクリレート、トリエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチレングリコールアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、ベヘニルアクリレート、イソボロニルアクリレート、２−アクリロイロキシエチルコハク酸、オクトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、イソステアリルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、ラウリルアクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートなどの１官能アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、プロポキシ化ビスフェノールAジアクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、エトキシ化２−メチル−１，３−プロパンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、２−ヒドロキシ−３−アクリロイロキシプロピルメタクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなど多官能アクリレート、シクロへキシルメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、トリエチレングリコールメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシトリエチレングリコールメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、4-ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、フェノキシエチレングリコールメタクリレート、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸、２−メタクリロイロキシエチルフタル酸、２−メタイソステアリルメタクリレートクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイロキシプロピルヘキサヒドロフタル酸、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、イソボロニルメタクリレート、オクトキシポリエチレングリコールメタクリレート、ステアリルメタクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートなどの１官能メタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、２−メチル−１，８−オクタンジオールジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジメタクリレート、グリセリンジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレートなどの多官能メタクリレートなどが挙げられる。
本発明で用いられる光照射によりラジカルを発生する化合物は、光照射によりラジカルを発生する化合物であれば特に限定されない。光照射の条件としては、例えば、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射する条件が挙げられる。
光照射によりラジカルを発生する化合物の具体例としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
本発明の光照射によりラジカルを発生する化合物の好ましい添加量は、ラジカル重合性モノマー１００重量部に対して、０．５重量部〜２０重量部が好ましく、さらに好ましくは３重量部〜１５重量部がよい。添加量が７重量部〜１２重量部であるとラジカル発生量がもっとも好ましい。
光照射によりラジカルを発生する化合物の具体例としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
本発明の光照射によりラジカルを発生する化合物の好ましい添加量は、ラジカル重合性モノマー１００重量部に対して、０．５重量部〜２０重量部が好ましく、さらに好ましくは３重量部〜１５重量部がよい。添加量が７重量部〜１２重量部であるとラジカル発生量がもっとも好ましい。
本発明で用いられる熱硬化性樹脂は、４０℃以上１８０℃以下の範囲で軟化または溶融する熱硬化性樹脂が好ましい。この範囲で軟化等することで、接着剤の貼り付け温度において熱硬化性樹脂が軟化等して溶融粘度が下がり、接着剤として機能するからである。
熱硬化性樹脂の具体例としては、ノボラック型エポキシ樹脂、ザイロック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、変性フェノール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、やフェノキシ樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いることも、２種類以上を混合して用いることもできる。
熱硬化性樹脂の具体例としては、ノボラック型エポキシ樹脂、ザイロック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、変性フェノール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、やフェノキシ樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いることも、２種類以上を混合して用いることもできる。
本発明で用いられる熱硬化性樹脂の硬化剤としては、エポキシ樹脂の硬化剤として働くものであれば適宜選択して用いることができる。例えば、フェノール性水酸基、酸無水物基、アミノ基、カルボキシル基等の官能基を有する化合物が挙げられる。また、イミダゾール化合物や、カルボン酸ヒドラジド化合物も挙げられる。これらは単独で用いることも、２種類以上を混合して用いることもできる。具体例としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ビス（モノまたはジｔ−ブチルフェノール）プロパン、メチレンビス（２−プロペニル）フェノール、プロピレンビス（２−プロペニル）フェノール、ビス[（２−プロペニルオキシ）フェニル]メタン、ビス[（２−プロペニルオキシ）フェニル]プロパン、４,４'−（１−メチルエチリデン）ビス[２−（１−フェニルエチル）フェノール]、４,４'−（１−メチルエチリデン）ビス[２−メチルー６−ヒドロキシメチルフェノール]、４,４'−（１−メチルエチリデン）ビス[２−メチル−６−（２−プロペニル）フェノール]、４,４'−（１−メチルテトラデシリデン）ビスフェノールなどのフェノール系硬化剤、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ドデシルコハク酸などの酸無水物、無水トリトメット酸、無水ピロリメット酸などの酸無水物系硬化剤、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシレリレンジアミン、などの脂肪族ポリアミン系硬化剤、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン、２，４−シ゛アミノ−６−［２'−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンなどの芳香族ポリアミン系硬化剤、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、ドデシルコハク酸などのカルボン酸系硬化剤、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系硬化剤、アジピン酸ジヒドラジド、セパシン酸ジヒドラジド、プロピオン酸ヒドラジド、サリチル酸ヒドラジドなどのカルボン酸ヒドラジド系化合物が挙げられる。
本発明においては、熱硬化性樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を、硬化剤としてフェノール性水酸基を有する化合物を用いることが好ましい。
本発明においては、熱硬化性樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を、硬化剤としてフェノール性水酸基を有する化合物を用いることが好ましい。
本発明においては、ラジカル重合性モノマーと熱硬化性樹脂の全量に対するラジカル重合性モノマーの割合が、５０重量％以上８５重量％以下であることが好ましい。より好ましくは、５３重量％以上８０％以下、さらに好ましくは５５％重量以上７５％重量以下である。ラジカル重合性モノマーの割合が下限値以上であると、接着剤中のラジカル重合性モノマー濃度が適度に高まって、紫外光を照射することによりラジカル重合性モノマーの重合反応が効率よく進行する。また、接着剤のタック力が光照射により大きく低下させることが可能となる。ラジカル重合性モノマーの割合が上限値以下であると、熱硬化性樹脂の割合がある程度以上になるために、接着剤と半導体チップ、もしくは接着剤と基板との接着強度が増し、半導体パッケージの信頼性が向上する。
本発明においては、ラジカル重合性モノマーが、一官能ラジカル重合性モノマーと、多官能ラジカル重合性モノマーとを含むものであることが好ましい。
一官能ラジカル重合性モノマーとして好ましくは、アクリロイル基を有するものがよい。これは、光重合反応性が高いためである。さらに好ましくは、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートなどのようにアクリロイル基を有し、かつ、水酸基を有するものがよい。これは水酸基の水素結合により接着剤自体のじん性や、被着体との接着性が高くなるためである。また、前記ラジカル重合性モノマーに対して、一官能ラジカル重合性モノマーの比率が、好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上９９重量％以下である。多官能ラジカル重合モノマーだけであると、光照射によりラジカル重合し接着剤はＢステージ化されるものの、光ラジカル重合による架橋が相対的に密となる。このため、光重合後の熱圧着のときに、接着剤が流動し難くなる可能性がある。また、一官能ラジカルモノマーだけであると、光照射によりラジカル重合し接着剤はＢステージ化されるものの、光ラジカル重合による架橋がないため、光重合後の熱圧着のときに、接着剤が流動しすぎ、本来、接着剤を塗布すべきでない部分にまで、接着剤が存在することとなる恐れがある。さらに、信頼性も低下する可能性がある。
一官能ラジカル重合性モノマーとして好ましくは、アクリロイル基を有するものがよい。これは、光重合反応性が高いためである。さらに好ましくは、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートなどのようにアクリロイル基を有し、かつ、水酸基を有するものがよい。これは水酸基の水素結合により接着剤自体のじん性や、被着体との接着性が高くなるためである。また、前記ラジカル重合性モノマーに対して、一官能ラジカル重合性モノマーの比率が、好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上９９重量％以下である。多官能ラジカル重合モノマーだけであると、光照射によりラジカル重合し接着剤はＢステージ化されるものの、光ラジカル重合による架橋が相対的に密となる。このため、光重合後の熱圧着のときに、接着剤が流動し難くなる可能性がある。また、一官能ラジカルモノマーだけであると、光照射によりラジカル重合し接着剤はＢステージ化されるものの、光ラジカル重合による架橋がないため、光重合後の熱圧着のときに、接着剤が流動しすぎ、本来、接着剤を塗布すべきでない部分にまで、接着剤が存在することとなる恐れがある。さらに、信頼性も低下する可能性がある。
本発明における半導体用接着剤には、上記成分のほか必要に応じて、シリカ、アルミナなどの無機充填材、ポリイミドパウダー、シリコン樹脂フィラーなどの有機充填材、アクリルゴム、シリコーンゴムなどの可塑性樹脂および可塑剤、イミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系や、トリフェニルホスフィン等リン系の熱硬化触媒や、シラン系、チタン系、アルミニウム系などのカップリング剤などを添加することも可能である。ナノシリカといわれるシリカの微粒子パウダーを添加するのが好ましい。この添加により、接着剤のチキソ比を高めることができ、印刷性を向上することができる。
また、カップリング剤としてはシラン系カップリング剤が好ましい。例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
また、カップリング剤としてはシラン系カップリング剤が好ましい。例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
本発明における半導体用接着剤は、ペースト状が好ましい。本発明の半導体用接着剤は、溶剤を含んでいてもいなくてもよいが、最終的に塗布可能なものである必要がある。溶剤を含んでいない場合には、たとえば、熱硬化性樹脂に液状樹脂を用いるなどして接着剤の粘度を下げることが必要である。
本発明において、光照射前の状態において、Ｅ型粘度計を用いて、回転数２．５ｒｐｍ、温度２５℃で測定したときの粘度が、１Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
本発明の半導体用接着剤は、例えば、カップや、シリンジ等の容器で供給されることがある。本発明の半導体用接着剤を、例えば、シリンジで供給する場合には、粘度が１Ｐａ・ｓ以上になると、シリンジの圧力をかけない状態で接着剤が漏れるといった問題が少なくなる。また、粘度が２００Ｐａ・ｓ以下になると、シリンジから接着剤を出す際に、適度な圧力で接着剤を出すことができ、出す時の時間も短縮できる。さらに印刷時に接着剤表面にスジ、泡等が入ることも少なくなり、作業性に優れる。このような利点は、シリンジやカップで接着剤を供給する場合以外にもあてはまる。好ましい粘度は、１０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下である。
本発明の半導体用接着剤は、たとえば、まず(1)印刷等により層状に形成され、次に(2)光照射によりＢ−ステージ化され、続いて(3)加熱圧着により被着体に接着される、という工程によって使用される。本パラメータを満たす半導体用接着剤を用いると、(1)の印刷等による層形成時に作業性が向上する。なお、２５℃は層形成時の温度（室温）を想定したものである。
上記粘度は、たとえば、半導体用接着剤中の液状成分の分子量や粘度、液状成分と固形成分の配合比を調整することによって達成できる。
本発明の半導体用接着剤は、例えば、カップや、シリンジ等の容器で供給されることがある。本発明の半導体用接着剤を、例えば、シリンジで供給する場合には、粘度が１Ｐａ・ｓ以上になると、シリンジの圧力をかけない状態で接着剤が漏れるといった問題が少なくなる。また、粘度が２００Ｐａ・ｓ以下になると、シリンジから接着剤を出す際に、適度な圧力で接着剤を出すことができ、出す時の時間も短縮できる。さらに印刷時に接着剤表面にスジ、泡等が入ることも少なくなり、作業性に優れる。このような利点は、シリンジやカップで接着剤を供給する場合以外にもあてはまる。好ましい粘度は、１０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下である。
本発明の半導体用接着剤は、たとえば、まず(1)印刷等により層状に形成され、次に(2)光照射によりＢ−ステージ化され、続いて(3)加熱圧着により被着体に接着される、という工程によって使用される。本パラメータを満たす半導体用接着剤を用いると、(1)の印刷等による層形成時に作業性が向上する。なお、２５℃は層形成時の温度（室温）を想定したものである。
上記粘度は、たとえば、半導体用接着剤中の液状成分の分子量や粘度、液状成分と固形成分の配合比を調整することによって達成できる。
本発明の半導体用接着剤において、Ｅ型粘度計を用いて、温度２５℃、回転数０．５ｒｐｍで測定したときの粘度を、回転数２．５ｒｐｍで測定したときの粘度で割ったときの光照射前の状態において、チキソ比（Ｅ型粘度計を用いて、温度２５℃、回転数０．５ｒｐｍで測定したときの粘度を、温度２５℃、回転数２．５ｒｐｍで測定したときの粘度で割ったときの比率）が１．６以上であることが好ましい。
本発明の半導体用接着剤は、たとえば、まず(1)印刷等により層状に形成され、次に(2)光照射によりＢ−ステージ化され、続いて(3)加熱圧着により被着体に接着される、という工程によって使用される。チキソ比が下限値以上である半導体用接着剤を用いると、(1)の印刷等による層形成後に、長時間静置しておいても接着剤が流動しにくい。チキソ比は、１．８以上がこのましく、さらに２．０以上が好ましい。
上記チキソ比は、例えば、ナノシリカなどの微粉末フィラーを添加することにより達成できる。
本発明の半導体用接着剤は、たとえば、まず(1)印刷等により層状に形成され、次に(2)光照射によりＢ−ステージ化され、続いて(3)加熱圧着により被着体に接着される、という工程によって使用される。チキソ比が下限値以上である半導体用接着剤を用いると、(1)の印刷等による層形成後に、長時間静置しておいても接着剤が流動しにくい。チキソ比は、１．８以上がこのましく、さらに２．０以上が好ましい。
上記チキソ比は、例えば、ナノシリカなどの微粉末フィラーを添加することにより達成できる。
上記半導体用接着剤は、ガラス不織布等にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させ、その表面には銅などにより回路が形成され、さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたリジッド回路基板、４２アロイリードフレームや銅リードフレーム等のリードフレーム、または、ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム上に銅などにより回路が形成され、さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたフレキシブル回路基板、あるいは、セラミックス製の基板などに、印刷法によって塗布・光照射されＢステージ化することができる。これにより、短時間で接着剤をＢステージ化でき、製造工程に滞留が発生した場合でも、接着剤付半導体チップ又は基板等の保管を容易にすることができる。つぎに、このＢステージ化された接着剤付き基板上に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップをのせ、加熱圧着することにより、半導体チップと基板を接合する。その後、接着剤を硬化させる工程により、半導体チップが基板に搭載される。この接着剤の硬化は、実装組立工程での問題がない場合は、封止材の後硬化工程の際に併せて行ってもよい。
また、接着剤を半導体ウエハー上に塗布する方法でも半導体装置を製造することが可能である。
上記半導体用接着剤は、半導体ウエハー上に印刷法によって塗布・光照射されＢステージ化することができる。これにより、短時間で接着剤をＢステージ化でき、製造工程に滞留が発生した場合でも、接着剤付基板の保管を容易にすることができる。次にＢステージ化された接着剤を有する半導体ウエハーをダイシングし、半導体チップに個片化する。次に、ガラス不織布等にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させ、その表面には銅などにより回路が形成され、さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたリジッド回路基板、または、ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム上に銅などにより回路が形成され、さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたフレキシブル回路基板などの上に、個片化した半導体チップを接着剤層が回路基板に接するようにのせ、加熱圧着することにより、半導体チップと基板を接合する。その後、接着剤を硬化させる工程により、半導体チップが基板に搭載される。この接着剤の硬化は、実装組立工程での問題がない場合は、封止材の後硬化工程の際に併せて行ってもよい。
また、接着剤を半導体ウエハー上に塗布する方法でも半導体装置を製造することが可能である。
上記半導体用接着剤は、半導体ウエハー上に印刷法によって塗布・光照射されＢステージ化することができる。これにより、短時間で接着剤をＢステージ化でき、製造工程に滞留が発生した場合でも、接着剤付基板の保管を容易にすることができる。次にＢステージ化された接着剤を有する半導体ウエハーをダイシングし、半導体チップに個片化する。次に、ガラス不織布等にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させ、その表面には銅などにより回路が形成され、さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたリジッド回路基板、または、ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム上に銅などにより回路が形成され、さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたフレキシブル回路基板などの上に、個片化した半導体チップを接着剤層が回路基板に接するようにのせ、加熱圧着することにより、半導体チップと基板を接合する。その後、接着剤を硬化させる工程により、半導体チップが基板に搭載される。この接着剤の硬化は、実装組立工程での問題がない場合は、封止材の後硬化工程の際に併せて行ってもよい。
（実施例１）
ラジカル重合性モノマーとして１官能のブレンマー７０ＰＥＰ−３５０Ｂ（日本油脂（株）製）１０．００重量部、多官能のＮＫエステル３Ｇ（新中村化学工業（株）製）０．２０重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）５．２０重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）２．２１重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製）０．９１重量部を攪拌し溶解させ、さらに充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）１．１９重量部、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．０６重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表１に示す。
ラジカル重合性モノマーとして１官能のブレンマー７０ＰＥＰ−３５０Ｂ（日本油脂（株）製）１０．００重量部、多官能のＮＫエステル３Ｇ（新中村化学工業（株）製）０．２０重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）５．２０重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）２．２１重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製）０．９１重量部を攪拌し溶解させ、さらに充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）１．１９重量部、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．０６重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表１に示す。
表１、２で用いられた原料の詳細を以下に示す。
ブレンマー70PEP-350B：ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールモノメタクリレート
CHDMMA：1,4-シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート
NKエステルA-BPE-10：エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート
NKエステル3G：トリエチレングリコールジメタクリレート
HP-7200：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
NC-3000P：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂
N-685：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
PR-HF-3：フェノールノボラック
イルガキュア６５１：2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン
アエロシ゛ル R805：ナノシリカ（平均粒径１２ｎｍ）
ＳＧ−８０ＨＤＲ：アクリル酸エステル共重合体（ブチルアクリレート−アクリロニトリル−エチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体）
ブレンマー70PEP-350B：ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールモノメタクリレート
CHDMMA：1,4-シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート
NKエステルA-BPE-10：エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート
NKエステル3G：トリエチレングリコールジメタクリレート
HP-7200：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
NC-3000P：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂
N-685：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
PR-HF-3：フェノールノボラック
イルガキュア６５１：2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン
アエロシ゛ル R805：ナノシリカ（平均粒径１２ｎｍ）
ＳＧ−８０ＨＤＲ：アクリル酸エステル共重合体（ブチルアクリレート−アクリロニトリル−エチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体）
（実施例２）
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）、多官能のラジカル重合性モノマーとしてＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＮＣ−３０００Ｐ（日本化薬（株）製）を用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。配合及び実験結果を表１に示す。
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）、多官能のラジカル重合性モノマーとしてＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＮＣ−３０００Ｐ（日本化薬（株）製）を用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。配合及び実験結果を表１に示す。
（実施例３）
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）、多官能のラジカル重合性モノマーとしてＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）を用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。配合及び実験結果を表１に示す。
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）、多官能のラジカル重合性モノマーとしてＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）を用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。配合及び実験結果を表１に示す。
（実施例４）
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）１９．００重量部、多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）１．００重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）１０．１９重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）４．３４重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製）１．８０重量部を攪拌し溶解させ、さらに充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）２．３０重量部、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．１０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表１に示す。
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）１９．００重量部、多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）１．００重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）１０．１９重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）４．３４重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製）１．８０重量部を攪拌し溶解させ、さらに充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）２．３０重量部、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．１０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表１に示す。
（実施例５）
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）１８．００重量部、多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）２．００重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）１０．１９重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）４．３４重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ製）１．８０重量部を攪拌し溶解させ、さらに充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）２．３０重量部、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．１０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表１に示す。
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）１８．００重量部、多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）２．００重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）１０．１９重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）４．３４重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ製）１．８０重量部を攪拌し溶解させ、さらに充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）２．３０重量部、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．１０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表１に示す。
（実施例６）
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）１９．００重量部、多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）１．００重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）５．１０重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）２．１８重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ製）１．８０重量部を攪拌し溶解させ、さらに充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）２．３０重量部、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．１０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表１に示す。
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）１９．００重量部、多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）１．００重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）５．１０重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）２．１８重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ製）１．８０重量部を攪拌し溶解させ、さらに充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）２．３０重量部、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．１０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表１に示す。
（比較例１）
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）１０．００重量部、多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）１０．００重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）２２．９２重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）９．７８重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ製）１．８０重量部を攪拌し溶解させ、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．１０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表２に示す。
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）１０．００重量部、多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）１０．００重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）２２．９２重量部、硬化剤にフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（住友ベークライト（株）製）９．７８重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ製）１．８０重量部を攪拌し溶解させ、熱硬化触媒として２−（トリフェニルホスホニオ）フェノラート０．１０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表２に示す。
（比較例２）
１官能のラジカル重合性モノマーとしてブレンマー（日本油脂（株）製）１０．００重量部、充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）２．３０重量部を用いた以外は、比較例２と同様に実験を行った。配合及び実験結果を表１に示す。
１官能のラジカル重合性モノマーとしてブレンマー（日本油脂（株）製）１０．００重量部、充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）２．３０重量部を用いた以外は、比較例２と同様に実験を行った。配合及び実験結果を表１に示す。
（比較例３）
ラジカル重合性モノマーとして多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）５０．００重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ製）４．５０重量部を攪拌し溶解させ、充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）３．５０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表２に示す。
ラジカル重合性モノマーとして多官能のＮＫエステルＡ−ＢＰＥ―１０（新中村化学工業（株）製）５０．００重量部、光反応開始材として光照射によりラジカルを発生する化合物イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ製）４．５０重量部を攪拌し溶解させ、充填材としてシリカ微粒子パウダー・アエロジルＲ８０５（日本アエロジル（株）製）３．５０重量部を添加し、混練することにより接着剤を作製した。配合及び実験結果を表２に示す。
（比較例４）
ラジカル重合性モノマーとして多官能のＮＫエステル３Ｇ（新中村化学工業（株）製）を用いた以外は、比較例３と同様に実験を行った。配合及び実験結果を表２に示す。
ラジカル重合性モノマーとして多官能のＮＫエステル３Ｇ（新中村化学工業（株）製）を用いた以外は、比較例３と同様に実験を行った。配合及び実験結果を表２に示す。
（比較例５）
エポキシ樹脂としてＮ−６８５（大日本インキ化学工業（株）製）１００．００重量部、硬化剤としてジアミノジフェニルスルホン２９．２０重量部アクリル酸エステル共重合体ＳＧ−８０ＨＤＲ（ブチルアクリレート−アクリロニトリル−エチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、Ｔｇ：１０℃、重量平均分子量：３５０，０００）６０．００重量部を、溶剤γ―ブチルラクトン１５０重量部に溶解し、接着剤を作製した。配合及び実験結果を表２に示す。
エポキシ樹脂としてＮ−６８５（大日本インキ化学工業（株）製）１００．００重量部、硬化剤としてジアミノジフェニルスルホン２９．２０重量部アクリル酸エステル共重合体ＳＧ−８０ＨＤＲ（ブチルアクリレート−アクリロニトリル−エチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、Ｔｇ：１０℃、重量平均分子量：３５０，０００）６０．００重量部を、溶剤γ―ブチルラクトン１５０重量部に溶解し、接着剤を作製した。配合及び実験結果を表２に示す。
（半導体装置の製造方法）
各実施例および比較例に記載の接着剤を、ソルダーレジストＰＳＲ−４０００ＡＵＳ−３０８（太陽インキ製造株式会社製）が塗布されたビスマレイミド−トリアジン基板（回路段差５−１０μｍ）に、印刷機（ＶＥ−５００、東レエンジニアリング製、）を用いて、スキージスピード1.5mm/s、スキージ角度45度、印刷圧0.2MPaの条件で接着剤を５ｍｍ×５ｍｍ×厚み１００μｍに配置するように印刷した。その後、超高圧水銀ランプ（ＩＭＬ−５０００、オーク製作所製）を使用し、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒間照射し、接着剤をＢステージ化した。つぎに、半導体チップ（５ｍｍ×５ｍｍ×２００μｍ）を機能面が接着剤に接するように、位置あわせしてのせ、
１３０℃、３Ｎ、５秒間圧着して、１００℃で１時間、その後、１５０℃で１時間熱処理を行い、接着剤を半硬化させた後、樹脂で封止し、１７５℃２時間熱処理を行い、封止樹脂を硬化させて２０個の半導体装置を得た。
各実施例および比較例に記載の接着剤を、ソルダーレジストＰＳＲ−４０００ＡＵＳ−３０８（太陽インキ製造株式会社製）が塗布されたビスマレイミド−トリアジン基板（回路段差５−１０μｍ）に、印刷機（ＶＥ−５００、東レエンジニアリング製、）を用いて、スキージスピード1.5mm/s、スキージ角度45度、印刷圧0.2MPaの条件で接着剤を５ｍｍ×５ｍｍ×厚み１００μｍに配置するように印刷した。その後、超高圧水銀ランプ（ＩＭＬ−５０００、オーク製作所製）を使用し、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒間照射し、接着剤をＢステージ化した。つぎに、半導体チップ（５ｍｍ×５ｍｍ×２００μｍ）を機能面が接着剤に接するように、位置あわせしてのせ、
１３０℃、３Ｎ、５秒間圧着して、１００℃で１時間、その後、１５０℃で１時間熱処理を行い、接着剤を半硬化させた後、樹脂で封止し、１７５℃２時間熱処理を行い、封止樹脂を硬化させて２０個の半導体装置を得た。
（タック値の測定方法について）
ソルダーレジストＰＳＲ−４０００ＡＵＳ−３０８（太陽インキ製造株式会社製）が塗布された有機基板に、印刷機（ＶＥ−５００、東レエンジニアリング製）を用いて、スキージスピード1.5mm/s、スキージ角度45度、印刷圧0.2MPaの条件で接着剤を膜厚１００μｍになるように印刷した。その後、超高圧水銀ランプ（ＩＭＬ−５０００、オーク製作所製）を使用し、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒間照射し、評価用サンプルを作製した。本評価サンプルを、タック測定機（TACKINESS TESTER、RHESCA製）を用いて、プローブ直径５ｍｍ、接触速度３０ｍｍ／分、接触荷重１００ｇｆ、接触時間３秒、試験速度６００ｍｍ／分の条件で、タック力（ｇｆ）を測定した。このタック力（ｇｆ）をプローブの断面積（１９．６３ｍｍ2）で割ることにより、タック値（ｇｆ／ｍｍ2）を求めた。
ソルダーレジストＰＳＲ−４０００ＡＵＳ−３０８（太陽インキ製造株式会社製）が塗布された有機基板に、印刷機（ＶＥ−５００、東レエンジニアリング製）を用いて、スキージスピード1.5mm/s、スキージ角度45度、印刷圧0.2MPaの条件で接着剤を膜厚１００μｍになるように印刷した。その後、超高圧水銀ランプ（ＩＭＬ−５０００、オーク製作所製）を使用し、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒間照射し、評価用サンプルを作製した。本評価サンプルを、タック測定機（TACKINESS TESTER、RHESCA製）を用いて、プローブ直径５ｍｍ、接触速度３０ｍｍ／分、接触荷重１００ｇｆ、接触時間３秒、試験速度６００ｍｍ／分の条件で、タック力（ｇｆ）を測定した。このタック力（ｇｆ）をプローブの断面積（１９．６３ｍｍ2）で割ることにより、タック値（ｇｆ／ｍｍ2）を求めた。
（最低溶融粘度の測定方法）
照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒間照射した厚み１００ｕｍの接着剤を用意し、（株）ＨＡＡＫＥ社製 レオストレスＲＳ−１５０を用い、昇温速度１０℃／分で、周波数１Ｈｚのずりせん断を与えて測定した。
照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒間照射した厚み１００ｕｍの接着剤を用意し、（株）ＨＡＡＫＥ社製 レオストレスＲＳ−１５０を用い、昇温速度１０℃／分で、周波数１Ｈｚのずりせん断を与えて測定した。
（光照射前の粘度の測定方法）
光照射前の粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、２５℃、回転数２．５ｒｐｍで測定した。
光照射前の粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、２５℃、回転数２．５ｒｐｍで測定した。
（光照射前のチキソ比の測定方法）
また、光照射前のチキソ比は、Ｅ型粘度計を用いて、２５℃、回転数０．５ｒｐｍで測定した粘度を、２５℃、回転数２．５ｒｐｍで測定した粘度で割ることにより求めた。
また、光照射前のチキソ比は、Ｅ型粘度計を用いて、２５℃、回転数０．５ｒｐｍで測定した粘度を、２５℃、回転数２．５ｒｐｍで測定した粘度で割ることにより求めた。
（印刷性の測定方法）
印刷性の評価は、ソルダーレジストＰＳＲ−４０００ＡＵＳ−３０８（太陽インキ製造株式会社製）が塗布された有機基板に、印刷機（ＶＥ−５００、東レエンジニアリング製、）を用いて、スキージスピード1.5mm/s、スキージ角度45度、印刷圧0.2MPaの条件で、各実施例および比較例に記載の接着剤を膜厚１００μｍになるように印刷し評価した。各符号は、以下の通りである。
○：接着表面にスジがなく、印刷後、光照射することなく、２５℃で、３０分放置しても、印刷パターン形状を維持している。（接着剤端部にダレが生じていない）
△：接着表面にスジがないが、印刷後、光照射することなく、２５℃で、３０分放置すると、接着剤端部にダレが生じる。
×： 接着表面にスジが発生する。
印刷性の評価は、ソルダーレジストＰＳＲ−４０００ＡＵＳ−３０８（太陽インキ製造株式会社製）が塗布された有機基板に、印刷機（ＶＥ−５００、東レエンジニアリング製、）を用いて、スキージスピード1.5mm/s、スキージ角度45度、印刷圧0.2MPaの条件で、各実施例および比較例に記載の接着剤を膜厚１００μｍになるように印刷し評価した。各符号は、以下の通りである。
○：接着表面にスジがなく、印刷後、光照射することなく、２５℃で、３０分放置しても、印刷パターン形状を維持している。（接着剤端部にダレが生じていない）
△：接着表面にスジがないが、印刷後、光照射することなく、２５℃で、３０分放置すると、接着剤端部にダレが生じる。
×： 接着表面にスジが発生する。
（Ｂ−ステージ化に要する時間の測定方法）
各実施例および比較例に記載の接着剤を上記のように印刷した後、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒、４０秒、６０秒、８０秒間照射した。その後、それぞれの接着剤を、上記の表面タック値の求め方に準じて、タック値を求めた。タック値が一定となり始める照射時間をＢ-ステージ化に要する時間とした。
各実施例および比較例に記載の接着剤を上記のように印刷した後、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒、４０秒、６０秒、８０秒間照射した。その後、それぞれの接着剤を、上記の表面タック値の求め方に準じて、タック値を求めた。タック値が一定となり始める照射時間をＢ-ステージ化に要する時間とした。
（マウント性の測定方法）
マウント性は、各実施例および比較例で得られる樹脂封止前の半導体装置を、走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）により、接着剤と半導体チップ界面の剥離を評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：剥離部が存在する半導体装置が０個
○：剥離部が存在する半導体装置が１−３個
△：剥離部が存在する半導体装置が４−１０個
×：剥離部が存在する半導体装置が１１−２０個
マウント性は、各実施例および比較例で得られる樹脂封止前の半導体装置を、走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）により、接着剤と半導体チップ界面の剥離を評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：剥離部が存在する半導体装置が０個
○：剥離部が存在する半導体装置が１−３個
△：剥離部が存在する半導体装置が４−１０個
×：剥離部が存在する半導体装置が１１−２０個
（信頼性の測定方法）
信頼性は、各実施例および比較例で得られた半導体装置１０個を３０℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２４０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：発生したクラックが、１０個中０個
○：発生したクラックが、１０個中１個以上３個以下
△：発生したクラックが、１０個中４個以上９個以下
×：発生したクラックが、１０個中１０個
信頼性は、各実施例および比較例で得られた半導体装置１０個を３０℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２４０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：発生したクラックが、１０個中０個
○：発生したクラックが、１０個中１個以上３個以下
△：発生したクラックが、１０個中４個以上９個以下
×：発生したクラックが、１０個中１０個
Claims (8)
- 一官能ラジカル重合性モノマーと、多官能ラジカル重合性モノマーとを含むアクリル化合物と、光照射によりラジカルを発生する化合物と、エポキシ樹脂とを含み、かつ、前記アクリル化合物と前記エポキシ樹脂の全量に対する前記アクリル化合物の割合が、５０重量％以上８５重量％以下である半導体用接着剤であって、
当該半導体用接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度７５ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍの紫外光を２０秒間照射した後の状態において、
(i)２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ2以下であり、かつ、
(ii)室温から１０℃／分の昇温速度で昇温したときの７０℃以上１８０℃以下の範囲における最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下、
である半導体用接着剤。 - 光照射前の状態において、Ｅ型粘度計を用いて、回転数２．５ｒｐｍ、温度２５℃で測定したときの粘度が、１Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下である請求項１記載の半導体用接着剤。
- 光照射前の状態において、Ｅ型粘度計を用いて、温度２５℃、回転数０．５ｒｐｍで測定したときの粘度を、温度２５℃、回転数２．５ｒｐｍで測定したときの粘度で割ったときの比率が１．６以上である請求項１又は２のいずれかに記載の半導体用接着剤。
- 前記一官能ラジカル重合性モノマーが、前記アクリル化合物に対して、８０重量％以上９９重量％以下含まれている請求項３に記載の半導体用接着剤。
- 前記光照射によりラジカルを発生する化合物が、前記アクリル化合物１００重量部に対して０．５重量部〜２０重量部である請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体用接着剤。
- 半導体チップと、前記半導体チップを搭載する基板と、これらを固定している接着部材とで構成される半導体装置であって、
前記接着部材が、請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体用接着剤を硬化させたものである半導体装置。 - 基板を準備する工程と、
前記基板に請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体用接着剤を印刷により塗布する工程と、
前記半導体用接着剤を塗布した基板に光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程と、
前記Ｂ−ステージ化した基板に半導体チップを搭載して加熱圧着により接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - ウエハーを準備する工程と、
前記ウエハーに請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体用接着剤を印刷により塗布する工程と、
前記半導体用接着剤を塗布したウエハーに光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程と、
前記光照射後のウエハーをダイシングにより半導体チップに個片化する工程と、
前記半導体チップを基板に搭載して加熱圧着により接着する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4788425B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258508A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着剤、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2012046695A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012238700A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| KR102325678B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2021-11-12 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 잉크젯용 광 및 열경화성 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 부품 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3739488B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2006-01-25 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
| US6407998B1 (en) * | 1997-10-02 | 2002-06-18 | Thomson Licensing S.A. | Multimedia decoder for prioritized bi-directional communication in a broadcast system |
| JP2002212522A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、その使用方法及び半導体装置 |
| JP2004043760A (ja) * | 2001-08-27 | 2004-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004038547A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Fujitsu Component Ltd | 入力装置、入力方法、入力プログラム |
| WO2005112091A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 粘接着シート並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法 |
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