JP4786887B2 - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Description
さらに、本発明に係る半導体装置の製造方法は、より好ましくは、前記半導体成長ステップは、前記半導体層を成長させる前に、前記デバイス領域の内側の基板上に溝を形成したり、前記半導体成長ステップに係る半導体層は、ほぼ平坦に埋め込むように形成してもよい。
また、本発明に係る半導体装置は、デバイス領域の周囲に溝が形成されていることを特徴とする。このような溝を形成することで半導体装置にクラックが発生することなく高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
(実施の形態1)
図1から図7を参照しながら、実施の形態1における紫外発光LED装置20(後述の図3(j)参照)の製造方法について説明する。なお、図1〜図3は、本実施の形態における紫外発光LED装置20の製造方法のプロセスを、断面図を用いて示したものである。図1(a)に示す基板1は、n型の6HSiCであり、その直径は2インチである。
次に、図2(g)に示すように、厚さ2μmのAl0.2Ga0.8Nからなるn型の第1クラッド層6、厚さ5nmのAl0.15Ga0.85Nからなる活性層7、厚さ0.2μmのAl0.2Ga0.8Nからなるp型の第2クラッド層8を、MOCVD法を用いて成長させる。なお、p型のドーパントにはMgやBeを用いることが可能であり、それぞれビスシクロペンタジエニルマグネシウムやビスシクロペンタジエニルベリリウムなどをMOCVD法の原料に加えることでドーピングすることが可能である。なお、第1クラッド層6、活性層7、第2クラッド層8は、下地層3の上にエピタキシャル成長されており、下地層3と面方位が一致している。
なお、この後、目的に応じて樹脂パッケージにて紫外発光LED装置20を封止したり、ベークライトなどの樹脂基板上に紫外発光LED装置20を表面実装するなどの工程を設けても良いことはいうまでもない。
図4の装置領域51の中には、図5に示すように、第1の溝501が形成されたデバイス領域61と、第2の溝502が形成されたデバイス周辺領域62およびデバイス周辺領域63が繰り返し形成されている。上記装置領域51の外側の周辺領域52は、基板周辺部のため、GaN層の厚さ等にばらつきが大きく紫外発光LED装置20の形成には適さない。周辺領域52には紫外発光LED装置20を形成しないため、本実施の形態では、周辺領域52には溝501や溝502を形成しないこととする。なお、図5は、図4の一つのデバイス領域61の周辺の拡大図の一例である。
デバイス周辺領域62やデバイス周辺領域63の形状については、後述する実施の形態3でより詳細に述べるが、溝の幅をデバイス領域61よりも広くすることで、第2クラッド層8に溝502cが形成されるように設定することが、本発明の効果を発現させるために重要である。
また、デバイス領域61の溝の幅の設定については、例えば、第2クラッド層8まで成長させて初めてクラックが発生するような構成であれば、第2クラッド層8が平坦に埋め込まれていれば十分である。この場合、デバイス領域61における第1クラッド層6や活性層7に溝があっても良い。
すなわち、本発明の構成によれば、格子定数差や熱膨張係数差によるクラックを抑制しながら、低欠陥領域を有することで長寿命で高効率のデバイスを形成できるという効果が得られ、しかも低欠陥化用溝とクラック伝播抑止用溝とを同時に形成しているため、工程が少なくてよいという効果がある。
前述のように、第4の溝502dは、図3(h)のように下部の層を露出する工程が存在する場合に形成する。第4の溝502dは、RIEのように全ての領域でほぼ同じエッチング速度でエッチングが進む場合、第3の溝502cの形状とほぼ同じ形状で形成される。第4の溝502dが存在すると、図3(i)の電極形成時のストレスによるクラック発生の防止や、実施の形態4で述べるようなデバイスを形成した後の信頼性向上などに効果がある。
第2の溝502および第4の溝502dが形成されている幅、すなわち図5の平面図における隣り合うデバイス領域61の間隔が100μmとなるので、ダイシングソーの刃の幅を100μm未満とすれば、デバイス領域61が切断されることなく紫外発光LED装置20を分離することができる。
図8から図14を参照しながら、実施の形態2における紫外発光LED装置30(図10(j)参照)の製造方法について説明する。本実施の形態では、デバイス領域61に低欠陥化のための段差が形成されていなくても、クラック抑制の効果がある実施例について示す。
n型の6HSiCからなる基板1の上に、MOCVD法により、AlN層2を1μmの厚さになるように形成する(図8(b))。
図8(d)に示すように、下地層3の上にフォトレジストによるマスク4を設ける。このときのマスクパターンは、後述の溝502が形成される位置以外が被覆されるようにパタニングされており、デバイス領域61には故意に段差を設けないこととする。
次に、図9(g)に示すように、厚さ2μmのAl0.2Ga0.8Nからなるn型の第1クラッド層6、厚さ5nmのAl0.14Ga0.84In0.02Nからなる活性層7、厚さ0.2μmのAl0.2Ga0.8Nからなるp型の第2クラッド層8をMOCVD法を用いて成長する。なお、AlGaInNはトリメチルガリウムとトリメチルアルミニウムとトリメチルインジウムとを適切な割合で混ぜて成長させることにより得ることが可能である。
最後に、図10(j)に示すように、第4の溝502dが形成されている領域に沿ってダイシングソーを用いて1つ1つ紫外発光LED装置30を切断することにより、LEDチップが完成する。
本実施の形態は、溝の平面形状について検討した実施例について示す。以下、図15および図16を参照しながら、本実施の形態における紫外発光LED装置40((図示せず)の製造方法について説明する。
図15(a)は、デバイス領域61が2本の溝部64と凸部65に囲まれた形状であり、クラック防止に効果がある。溝部の本数は、図15(a)のように2本、実施の形態1のようにそれ以上の数にすることができる。
図15(e)は、デバイス領域61の左右は、紙面上下方向のストライプ状の溝部64と凸部65となっており、デバイス領域61の上下はデバイス領域61と同じ幅の溝部64と凸部65になっている場合で、ストライプ状の凸部65からなるので、マスクの作製が容易であるのが特徴である。
図16(a)は、紙面左右方向のストライプ状の溝部64と凸部65でデバイス領域61を囲んだ場合である。この形状では、紙面左右の方向からデバイス領域61へ向かってクラックが伝播しやすい。特にストライプの方向をクラックが発生しやすい上述の方向と等価な方向に近いときはクラックがデバイス領域61に進入しやすい。
以上、説明したように、デバイス領域61が閉じた溝部64で囲んだ形状はクラック防止に高い効果を示し、デバイス領域61の周囲の溝部64が閉じていない形状では、クラックがデバイス領域61へ進入しやすい。
本実施の形態では、溝の形成によるIII族窒化物半導体を用いたLED装置の信頼性向上について検討した実施例について示す。
なお、本実施の形態では、直接チップに熱を加える方法により信頼性を確認しているが、大出力のLED装置や半導体レーザや高速動作トランジスタなどに本発明を適用することで、瞬間的に強いパルス電流を流す場合など、瞬時に発熱が起こる場合などで、同様に信頼性が向上することはいうまでもない。
2 AlN層
3 下地層
4 マスク
6 第1クラッド層
7 活性層
8 第2クラッド層
9 n型電極
10 p型電極
20 紫外発光LED装置
30 紫外発光LED装置
40 紫外発光LED装置
50 LEDチップ
51 装置領域
52 周辺領域
55 クラック
55a クラック
55b クラック
55c クラック
60 LEDチップ
61 デバイス領域
62 デバイス周辺領域
63 デバイス周辺領域
64 溝部
65 凸部
100 LED装置
501 第1の溝
502 第2の溝
502a 溝
502b 溝
502c 第3の溝
502d 第4の溝
Claims (4)
- 上面が平坦な基板を準備する工程と、
前記基板の上面に第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上面に、第1の幅を有する第1の溝を形成するとともに、前記第1の幅よりも大きい第2の幅を有する第2の溝を形成する工程と、
前記第1の溝および前記第2の溝が形成された前記第1の半導体層の上面に第2の半導体層を形成する工程とを含み、
前記第2の半導体層を形成する工程では、
前記第2の半導体層の、前記第1の溝の上方部分は平坦であり、前記第2の半導体層の、前記第2の溝の上方部分には前記第2の幅よりも小さい幅を有する第3の溝が形成されるように、前記第2の半導体層を形成する
半導体装置の製造方法。 - 前記第2の半導体層の平坦部が形成された領域は、デバイス領域である
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 上面が平坦な基板と、
前記基板の上面に形成され、第1の幅を有する第1の溝、および、前記第1の幅よりも大きい第2の幅を有する第2の溝が上面に形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上面に形成され、前記第1の溝の上方部分は平坦であり、前記第2の溝の上方部分には前記第2の幅よりも小さい幅を有する第3の溝が形成された第2の半導体層とを備える
半導体装置。 - 前記第2の半導体層の平坦部が形成された領域は、デバイス領域である
請求項3記載の半導体装置。
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