JP4785599B2 - 建築材料管理方法 - Google Patents

Description

本発明は材料分断工程、及び加工工程における管理、及び不正使用を防止するための建築用材料の管理方法、及びこれら方法に用いる無線チップに関する。

多くの建築物が建設されるなか、建築用材料の不正使用が行われることが懸念されている。例えば、特定の木材を使用していると広告しているにもかかわらず、当該木材を使用せずに建築してしまう不正が問題となる。これは工務店等によって木材が加工されてしまうと、建築依頼者や建築業者が真正品であるか否かの確認は困難を極めることが一原因となっている。

また建築依頼者の個性に合わせるため、木材や石材、その他多くの材料を指定するといった建築方式がある。このように多くの材料を、多くの業者から買い揃えることを考慮すると、管理が複雑となってしまうことが懸念される。

また建築業界において、建築用材料たるコンクリートにＲＦＩＤタグを埋没させたコンクリート品質管理システムが提案されている（特許文献１参照）。
特開２００４−１０９００２号公報

上記特許文献１では、コンクリート片１つに対してＲＦＩＤを埋没させることが記載されるが、コンクリート片をその後加工することは難しくなる。また、建築用材料の管理や不正を防止するシステムは構築されていない。

そこで本発明は、材料等の資材一般に関する管理方法及びそのシステムを提供することを課題とする。

上記課題を鑑み本発明は、ある材料に分断前の状態でチップを貼り付ける。当該チップに、材料に関する情報を書き込み、また書き込まれた情報を読み出すことによって材料の管理を行うことができる。チップはシート状に貼り付けることができ、分断後であっても、貼り付けた状態を維持できる。このような材料として建築用材料が挙げられ、当該建築用材料を用いて完成された建築物は、管理者等によって逐次その情報を得ることができ、材料管理を行うことができ、不正使用を防止することができる。

以下に具体的な本発明を示す。

本発明の一形態は、複数の材料の表面に、それぞれ、複数のメモリが一体となったシートを付着するステップと、メモリの情報に基づき、複数の材料を、それぞれ、シートとともに分断するステップと、メモリの情報に基づき、分断された材料を用いて建築物を組み立てるステップと、組み立てた建築物に対して複数のメモリに記憶された情報を確認するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法である。

また本発明の別形態は、複数の材料の表面に、それぞれ、当該材料の情報が記憶され、複数の追記型メモリが一体となったシートを付着するステップと、メモリの情報に基づき、複数の材料を、それぞれ、シートとともに分断し、当該分断に関する情報をメモリへ書き込むステップと、分断した材料を用いて建築物を組み立て、当該組み立てに関する情報をメモリへ書き込むステップと、組み立てた建築物に対して複数のメモリに記憶された情報を確認するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法である。

また本発明の別形態は、複数の材料の表面に、それぞれ、当該材料の情報が記憶され、且つ書き込みを不可能にしたログが設定された、複数のメモリが一体となったシートを付着するステップと、メモリの情報に基づき、複数の材料を、それぞれ、シートとともに分断するステップと、メモリの情報に基づき、分断された材料を用いて建築物を組み立てるステップと、組み立てた建築物に対してメモリに記憶された情報を確認し、メモリのログを解除し、書き込める状態としてメモリに情報を書き込むステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法である。メモリは、追記型であり、且つ消去することが不可能とである。その結果、管理情報の改竄を防止することができる。

また本発明の別形態は、第１の業者によって、複数の材料の表面に、それぞれ、当該材料の情報が記憶された複数のメモリが一体となったシートが付着されるステップと、第２の業者によって、メモリの情報が読み出され、当該情報に基づき、複数の材料を、それぞれ、シートとともに分断されるステップと、第３の業者によって、メモリの情報が読み出され、当該情報に基づき分断された材料を用いて建築物が組み立てられるステップと、第４の業者によって、組み立てられた建築物に対するメモリに記憶された情報が確認され、建築物作製依頼者に提供するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法である。

また本発明の別形態は、第１の業者によって、複数の材料の表面に、それぞれ、当該材料の情報が記憶された複数の追記型メモリが一体となったシートが付着されるステップと、第２の業者によって、メモリの情報が読み出され、複数の材料を、それぞれ、シートとともに分断され、当該分断に関する情報が記憶されるステップと、第３の業者によって、メモリの情報を読み出し、分断された材料を用いて建築物が組み立てられ、当該組み立てに関する情報が記憶されるステップと、第４の業者によって、組み立てられた建築物に対するメモリに記憶された情報が確認され、建築物作製依頼者に提供するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法である。

また本発明の別形態は、第１の業者によって、複数の材料の表面に、それぞれ、当該材料の情報が記憶され、且つ書き込みを不可能にしたログが設定された、複数のメモリが一体となったシートを付着させるステップと、第２の業者によって、読み出されたメモリの情報に基づき、複数の材料を、それぞれ、シートとともに分断されるステップと、第３の業者によって、読み出されたメモリの情報に基づき、分断された材料を用いて建築物が組み立てられるステップと、第４の業者によって、組み立てられた建築物に対するメモリに記憶された情報が確認され、メモリのログが解除されメモリに情報が書き込まれ、当該情報を建築物作製依頼者に提供するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法である。

また本発明は、当該方法に適用される無線チップを特徴とする。

本発明により、材料の管理を行うことができ、不正な材料を使用する行為、所謂偽造や改竄を防止することができる。

また本発明により、複数の業者を経由して建設される建築方式であっても、業者間での材料管理が簡便なものとなる。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、メモリ装置を備えた無線チップが一体となったシートを材料に付着させ、当該材料の管理方法について説明する。

図１（Ａ）には、無線チップ１００が隣接するように複数設けられ、一体となったシート１０１を示す。無線チップ１００は、無線通信により電力や信号を受け取ることができる。本発明の無線チップ１００は、フレキシブル基板を用いて形成することができ、多面取りを可能とする。そのため、無線チップ毎に切断する多面取り前の状態を、シート１０１として用いることができる。このような本発明の無線チップは、フレキシブル基板を用いて形成することができるため、シリコンウェハからなるチップと比較して、柔軟性に富む。そのため、このような柔軟性に富む無線チップは、平面以外の表面にも貼り付けることができる。シート１０１は多くの無線チップ１００を有しているが、その数、間隔、大きさ等は限定されない。すなわち、シート１０１内の無線チップ１００の数、間隔、大きさ等は、貼り付ける材料の形状や分断した後の形状に合わせて決定することができる。

図１（Ｂ）には、複数の材料として、第１の材料Ａ及び第２の材料Ｂを示す。第１の材料Ａの一面に、無線チップを有するシート１０１を付着する。同様に、第２の材料Ｂの一面に、無線チップを有するシート１０１を付着する。本実施の形態では、各材料の一面のみにシート１０１を付着しているが、全面に付着してもよい。但し、分断後の材料にシート１０１の存在しない領域がないように、シート１０１を付着する。

本発明の無線チップ１００は、メモリ装置１０２を有している。メモリ装置１０２は、無線通信によりメモリ領域への書き込み、当該メモリ領域からの読み出しを行うことができる。

表１には、メモリ装置１０２の機能及びその動作条件を示す。

メモリ装置１０２は、識別情報ＩＤ（Ａ）及びＩＤ（Ｂ）を構成するメモリ領域を有する。識別情報ＩＤ（Ａ）、ＩＤ（Ｂ）は、初期情報に該当し、無線通信を用いずにメモリ装置１０２へ書き込んでもよい。識別情報ＩＤ（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ同一シート１０１内にあるメモリ装置１０２であることを識別するための、グローバルＩＤ（ａ）（ｂ）と、同一シート１０１内にある他のメモリ装置と識別するためのローカルＩＤ（ａ）（ｂ）とに分けることができる。グローバルＩＤとは、固体を識別するためのＩＤであり、固体に貼られたシート１０１内の無線チップ１００に同一のグローバルＩＤを付与する。またローカルＩＤとは、同一の固体に貼られたシート１０１を構成する無線チップ１００個々を識別するためのＩＤである。

また、識別情報ＩＤ（ａ）の読み出しを制御するためのスイッチアドレス（ｓ）を有する。スイッチアドレス（ｓ）とは、ＩＤ（Ａ）を読み出すためのスイッチとして機能・動作する。このようなスイッチアドレス（ｓ）は、メモリ領域に記憶させておき、さらに制御回路によってオンオフが制御される。そのため、スイッチアドレス（ｓ）はライトワンスメモリ（追記型メモリであって、書き込みのみを行うことができ、消去が不可能となる構造を有するメモリ）から構成するとよい。スイッチアドレス（ｓ）は，最初オフとしておく。なお、スイッチアドレス（ｓ）に書き込みを行い、オンとする際には、パスワードを構成した信号を無線チップへ１０１入力するようにする。このように設定されたログを解除することができる。

一方、識別情報ＩＤ（Ｂ）は、随時読み出しが可能となるように設定されている。このように識別情報へアクセスする条件を異ならせることによって、偽造防止効果を奏することができる。

なお材料の管理工程等において、各メモリ装置１０２を識別する必要がなければ、識別情報ＩＤ（Ｂ）は設ける必要はない。

またメモリ装置１０２は、さらにライトワンスメモリを有する。ライトワンスメモリは、随時読み出し可能、及び書き込み可能とする。このライトワンスメモリによって、材料に関する情報を書き込み、その後読み出すことができる。そして、読み出された情報を、依頼者等へ提供することができる。

このようなメモリ装置１０２が一体となったシートを付着した状態で、第１の材料Ａ及び第２の材料Ｂを分断する。本実施の形態では、２つに分断し、第１の材料からＡ１及びＡ２を加工し、第２の材料からＢ１及びＢ２を加工する場合を示す。このとき、シート１０１では無線チップ１００まで分断され、破壊された領域１０７が生じてしまう。しかし、シート１０１には複数の無線チップ１００が形成されているため、一部が破壊されても構わない。破壊されてない無線チップ１００を用いて、第１の材料Ａと、第２の材料Ｂとを識別することができるからである。

その後、分断された材料を組み合わせ、加工品を作製する。本実施の形態では、Ａ１とＢ１とを組み合わせた加工品Ｃ１、Ａ２とＢ２とを組み合わせた加工品Ｃ２を作製する。

Ａ１とＡ２との識別が可能となるのは、メモリ装置内のローカルＩＤ（ａ）（ｂ）の違いによる。またＡ１とＡ２とは、同一の材料から加工されたことは、メモリ装置に記憶したグローバルＩＤ（ａ）（ｂ）によって識別できる。同様に、Ｂ１とＢ２との識別もローカルＩＤ及びグローバルＩＤによって行うことができる。その結果、加工品Ｃ１（＝Ａ１＋Ｂ１）、Ｃ２（＝Ａ２＋Ｂ２）は、それぞれのメモリ装置に記憶されたグローバルＩＤやローカルＩＤによって識別することができる。その後さらに、加工品Ｃ１、Ｃ２の加工に関する情報を、メモリ装置へ書き込むこともできる。その結果、材料以外の情報である加工に関する情報を読み出し、提供することができる。加工に関する情報とは、加工手段や加工寸法等がある。

このように加工された加工品は、メモリ装置１０２が付着したままの状態のため、当該メモリ装置から情報を読み取ることができる。

このようなメモリ装置１０２が付着した材料を用いて建築物を組み立てた場合、組み立てた途中においてもメモリ装置１０２からの情報を得ることができ、材料の不正使用を防止することができる。

このような本発明によって、建築物を構成する材料の品質管理を行うことができ、不正な材料を使用する行為を防止することができる。

また本発明によって、複数の業者を経由して建設される建築方式であっても、業者間での材料管理が簡便なものとなる。

本実施の形態では、無線チップ１００を材料表面に付着させる形態を示したが、材料自体に埋め込む形態であってもよい。無線チップ１００が埋め込まれた材料を加工した場合であっても、無線通信を用いて、上記のように材料に関する情報や加工情報をメモリ装置１０２へ書き込むことができる。

なお本実施の形態では、材料として建築用材料を用いる場合を説明したがこれに限定されない。上記のような効果を奏する事業形態であれば、本発明のシステムを適用することができる。例えば、複数の食材からなる調理品や複数のパーツからなる乗用車工場においても、本発明を適用することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、複数のメモリ装置が一体となったシートをある材料に付着させ、当該材料を用いた管理方法について説明する。

図２には、材料として木材を用い、シート１０１を木材の一部に巻き付け、建築物を組み立てる建築工程を示す。

まず図２（Ａ）に示すように、複数の木材（１）から（ｎ）を用意する。木材（１）から（ｎ）は、互いに異なる木材とすることができ、建築依頼者から選択された木材とすることもできる。これら木材は、多業者から購入してもよく、一業者から購入してもよい。また木材以外であっても、壁材やコンクリート材料であっても、本発明を適用することができる。

そして図２（Ｂ）に示すように、複数の木材（１）から（ｎ）の一部に、シート１０１を巻き付けて付着させる。木材は、縦長方向に切断させることが多いため、当該方向に垂直な方向に沿ってシート１０１を巻き付ける。本発明はシート１０１の付着形態には限定されず、当該付着形態はその後の木材等の分断形態によって決定することができる。すなわち、木材を切断したときに、いずれの木材にもシート１０１が付着された状態となるようにする。

そして、シート１０１のメモリ装置には、木材に関する初期情報（伐採地、分断形状、建築物内の使用箇所等）が記憶されている。初期情報は、リーダライタ装置を用いて、メモリ装置へ記憶することができる。このような初期情報は、表１に示した追記型メモリ構造を有する領域に書き込むことができる。

次に図２（Ｃ）に示すように、各木材を所定の形状に分断し、建築用材料とする。建築用材料に分断した後であっても、材料にはメモリ装置が貼り付いているため、その情報を読み出したり、新たな情報を書き込むことができる。新たな情報とは、分断時期や分断業者名等に関する分断情報である。本実施の形態では、柱に使用する建築用材料として、長方形に分断する形態を示すが、柱以外であっても壁や屋根となる材料に本発明を適用することができる。

そして図２（Ｄ）に示すように、これら材料を用いて建築物を完成させる。このように建築物を構成する各材料はメモリ装置を有することができ、当該材料に関する情報を完成後、つまり竣工時に得ることができる。そして、違法な材料、違法な使用、例えば指定した材料より安価な材料を使用している等を発見することができる。

勿論、加工途中であっても、メモリ装置からの情報を得ることができ、また書き込むことができる。書き込む情報は、加工時期や加工業者等に関する加工情報がある。このように加工途中に定期的なメモリ装置からの加工情報を得ることによって、早期に違法な材料、違法な使用等を発見することができる。

図３には、図２に示した情報のやり取りを、フローチャートを用いて説明し、合わせて無線チップが有するメモリ装置１０２の状態を示す。

まずシート１０１を木材に貼り付けるステップ（Ｓ０１）がある。そして、シート１０１が有する無線チップ１００内のメモリに初期情報が書き込まれるステップ（Ｓ０２）がある。ここで全てのチップのメモリに初期情報を書き込む。その後の分断工程で、任意のチップが破壊される可能性があるからである。これらステップＳ０１、Ｓ０２はどちらを先に行ってもよい。

ステップＳ０１、Ｓ０２は同一業者内で行うことができるが、別の業者間で行ってもよい。例えば第１の業者によって初期情報をシート１０１に書き込み、これが納品される第２の業者によって木材にシートを貼り付けてもよい。このような場合、第１の業者と第２の業者とではその旨の契約を締結しておく。

次いで、材料を分断するステップ（Ｓ０３）がある。そして、シート１０１が有するチップのいずれかが破壊されてしまう恐れがある。しかし、本発明はシート１０１に複数の無線チップ１００が設けられ、全てのチップが有するメモリに初期情報が書き込まれているため、いずれのチップが破壊されても構わない。そして、破壊されていない全ての無線チップ１００内のメモリに、分断情報を書き込むステップ（Ｓ０４）がある。これらステップＳ０３、Ｓ０４はどちらを先に行ってもよい。

ステップＳ０３、Ｓ０４は同一業者内で行うことができるが、別の業者間で行ってもよい。このような形態は、ステップＳ０１、Ｓ０２間の形態を参照することができる。またステップＳ０１、Ｓ０２を行う業者と、ステップＳ０３、Ｓ０４を行う業者は同一であっても、別であってもよい。

次いで、建築物を組み立てるステップ（Ｓ０５）がある。そして、破壊されていない全ての無線チップ１００が有するメモリに、加工情報を書き込むステップ（Ｓ０６）がある。これらステップＳ０５、Ｓ０６はどちらを先に行ってもよい。

ステップＳ０５、Ｓ０６は同一業者内で行うことができるが、別の業者間で行ってもよい。このような形態は、ステップＳ０１、Ｓ０２間の形態を参照することができる。またステップＳ０１、Ｓ０２を行う業者、及びステップＳ０３、Ｓ０４を行う業者と、ステップＳ０５、Ｓ０６を行う業者は同一であっても、別であってもよい。

最後に書き込まれた情報を確認するステップ（Ｓ０７）がある。リーダライタ装置２１０を建築物の柱等にかざすことによって、無線通信により建築用材料の初期情報、分断情報、加工情報を得ることができる。得られた情報は、リーダライタ装置２１０を介して、有線又は無線により情報処理装置２１１に蓄積することができる。このように情報が蓄積される情報処理装置２１１はサーバとして機能する。

蓄積された情報は、建築依頼者、材料提供業者、分断業者、加工業者等に提供することができる。そして、違法な材料、違法な使用等を発見することができる。なお上述したように、加工途中でこれら情報を読み出すことも可能である。

図４には、業者（ニ）つまり管理業者と、設計業者と、建築依頼者間との通信システムについて示す。管理業者が有するサーバとして機能する情報処理装置２１１は、少なくとも演算処理部（ＣＰＵ）２１２、情報を送受信する機能を備えた送受信部２１３、情報が蓄積されるデータベース２１４、リーダライタ装置との通信を行うためのＲ／Ｗインタフェース部２１５を有する。データベース２１４には、メモリ領域が設けられている。これら情報処理装置内の機能は、バスによって接続されている。

設計業者が有する情報処理装置２２１は、少なくとも演算処理部２２２、情報を送受信する機能を備えた送受信部２２３、データベース２２４を有する。データベース２２４には、メモリ領域が設けられている。さらに情報処理装置２２１においても、リーダライタ装置との通信を行うためのＲ／Ｗインタフェース部を有してもよい。これら情報処理装置内の機能は、バスによって接続されている。

建築依頼者が有する情報処理装置２３１は、少なくとも演算処理部２３２、情報を送受信する機能を備えた送受信部２３３、データベース２３４を有する。データベース２３４には、メモリ領域が設けられている。さらに情報処理装置２３１においても、リーダライタ装置との通信を行うためのＲ／Ｗインタフェース部を有してもよい。これら情報処理装置内の機能は、バスによって接続されている。

これら情報処理装置は、通信ネットワークを介して情報のやり取りを行うことができる。通信ネットワークとして、インターネットシステムを利用することができ、その他電話回線、携帯電話などの公衆回線、ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）が挙げられる。通信ネットワークを用いた通信手段には、電子メールが挙げられる。

以上、本実施の形態では、材料として建築用材料を用いる場合を説明したがこれに限定されない。上記のような効果を奏する事業形態であれば、本発明のシステムを適用することができる。例えば、複数の食材からなる調理品や複数のパーツからなる乗用車工場においても、本発明を適用することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、各業者間における情報管理の方法及びそのシステムについて説明する。

図５に示すように、複数の業者（イ）から（ニ）によって、１つの建築物が完成する形態がある。例えば業者（イ）は木材を提供する業者、業者（ロ）は木材の分断を行う業者、業者（ハ）は組み立てを行う業者、業者（二）は情報を管理する業者とする。業者（二）は、竣工時にチップからの情報を得ることができる。

業者（イ）が木材を加工する際、シート１０１を貼り付けるが、この時点では、スイッチメモリアドレス（ｓ）をオフとする。その結果、ＩＤ（ａ）は読み取り不可、ＩＤ（ｂ）は読み出し可能な状態となる。

業者（ロ）は、シート１０１が貼り付けられた木材を受け取り、所定の形状に分断する。ＩＤ（ｂ）は読み出し可能となっているので、適式な材料や経路によって納品された木材か否か等は、業者（ロ）によって確認することができる。

このとき業者（ロ）において、シート１０１が貼られた木材に代えて、別の木材を使用するような不正行為を行うと、別の木材にはシート１０１がない。そのため業者（ニ）によって、不正行為を発見することができる。また業者（ニ）でなくとも、業者（ハ）によって当該不正行為を発見することができる。不正行為は、シート１０１にリーダライタ装置をかざすことによって、メモリ内の情報を得、整合性をとることによって発見することができる。

業者（ハ）は、納品された木材等を組み合わせて建築物を完成させる。ＩＤ（ｂ）は読み出し可能となっているため、適式な経路によって納品された木材か否かは、業者（ハ）によって確認することができる。

このとき業者（ハ）において、シート１０１が貼られた木材に代えて、別の材料を使用するような不正行為を行うと、別の材料にはシート１０１がない。そのため業者（ニ）によって、不正行為を発見することができる。

また業者（ニ）は、業者（イ）から（ハ）を管理する立場であり、情報を管理し確認する。そのため業者（ニ）は、ＩＤ（ａ）及びＩＤ（ｂ）を使用できる権限を有する。すなわち、点線四角で囲まれた業者（イ）から（ハ）は、ＩＤ（ｂ）のみ使用できる。このような権限の付与は、スイッチメモリアドレス（ｓ）によって制御することができる。その結果、業者（ニ）の情報確認における信憑性を向上させることができる。

また業者（イ）から（ハ）によって得られた情報を合わせて流通情報と呼ぶ。このような流通情報は、サーバに保存して管理することができる。このサーバへのアクセス権は、業者（ニ）のみが有する。このサーバへのアクセス権は、ＩＤ（ａ）の情報に基づき、管理することができる。図５において、ＩＤ（ａ）の情報の流れを二重点線で示す。一方、業者（イ）から（ハ）はサーバに保存された流通情報を読み出すことのみが可能となる。

建築依頼者は、サーバにアクセスすることができる。そのようにＩＤ（ａ）の情報を決定する。そのため業者（ニ）によって得られた情報がサーバに蓄積されると、建築依頼者は得られた情報を逐次確認することができる。図５において、情報に関する流れを一重点線で示す。

設計業者は、設計に関する情報をサーバに保存する。その結果、業者（ニ）がサーバにアクセスすることによって、設計に関する情報を読み出すことができる。そのようにＩＤ（ａ）の情報を決定する。図５において、設計に関する情報の流れを点線で示す。

このような本発明のシステムによって、建築物を構成する材料の品質管理を行うことができ、不正な材料を使用する行為を防止することができる。特に、完成後のみではなく建築途中であっても、サーバを介して建築依頼者が状況を確認することができる。そのため、建築途中であっても不正行為を発見及び早期解決ができ、不正行為防止につながる。

また本発明のシステムによって、複数の業者を経由して建設される建築方式であっても、業者間での材料管理が簡便なものとなる。各業者は、それぞれにサーバからの情報を得る権限が与えられているため、自社で情報を管理、整理する必要がないからである。またサーバ内の情報に基づき情報管理業者によって、予め材料を管理することができるからである。

なお本実施の形態では、材料として木材を用いる場合を説明したがこれに限定されない。上記のような効果を奏する事業形態であれば、本発明のシステムを適用することができる。例えば、複数の食材からなる調理品や複数のパーツからなる乗用車工場等においても、本発明を適用することができる。

（実施の形態４）
上記したチップを有するシートは、加工工程や建築工程において、剥がされたり、張り替えられたりする恐れがある。本実施の形態では、シートの貼り替え等の不正を防止するための構成を説明する。

図６に示すように材料３１０の表面に、複数の無線チップ１００を有するシート１０１を貼り付けるとき、バリア層３０５を介して接着することができる。なお無線チップ１００の表面には、保護層３０２が設けられている。バリア層３０５や保護層３０２によって、外部からの不純物や水分の侵入、衝撃を防ぐことができる。そのため、バリア層３０５や保護層３０２は、窒素を有する無機材料からなる絶縁膜と、有機材料からなる絶縁膜の積層構造とするとよい。勿論、無機材料からなる絶縁膜や有機材料からなる絶縁膜の単層構造であってもよい。

そしてバリア層３０５の下方には、接着層３０８が設けられ、接着層３０８は、粘着性の低い面（低粘着面）３０６と、その外側、つまり材料３１０に近い側に粘着性の高い面（高粘着面）３０７を有している。例えば、高粘着面３０７には、ポリエチレン系、ポリビニルアセテート（ＰＶＡ）系、エポキシ系の接着剤又は粘着剤を適用することができる。また例えば低粘着面３０６には、アクリル系の接着剤又は粘着剤を用いることができる。これら接着剤又は粘着剤から、粘着性を考慮して選択することができる。

図６に示す断面図でみると、低粘着面３０６と、高粘着面３０７とは、交互に配置しており、無線チップ１００の中心部の下方には高粘着面３０７が、無線チップ１００の両端の下方には低粘着面３０６が配置する。

このように貼り付けられた無線チップ１００は、シート１０１を剥がそうとすると、粘着強度の違いにより、破壊されてしまう。具体的には、高粘着面３０７は材料３１０に貼り付いたままとなり、低粘着面３０６のみが剥がれようとする。その結果、無線チップ１００は低粘着面３０６と、高粘着面３０７との境界で分裂し、破壊されうる。

このようにシートを無理矢理剥がすと無線チップ１００が破壊されるため、不正にシートを剥がしたり、シートを貼り替えることを防止できる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、無線チップの構成について説明する。また本発明の無線チップのような半導体素子を用いた装置を半導体装置と呼ぶことができる。

図７に示すように本発明の無線チップ７０１は、集積回路と、これに一体形成されたアンテナを有する。具体的には、アンテナと共振容量からなる共振回路７０２、電源回路７０３、クロック発生回路７０４、復調回路７０５、制御回路７０６、ライトワンスメモリが設けられるメモリ装置７０７、変調回路７０９を有する。勿論、無線チップ７０１は上記構成に制限されず、中央処理演算装置（所謂ＣＰＵ）、輻輳制御回路等を有することもある。またメモリ装置７０７には、ライトワンスメモリ以外にも、スタティック型メモリ（ＳＲＡＭ）やダイナミック型メモリ（ＤＲＡＭ）、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）、ＥＥＰＲＯＭ等のメモリ素子を有していてもよい。

また無線チップ７０１は、一体形成されたアンテナに代えて、アンテナを接続するための配線を有してもよい。この場合は無線チップを使用する時に、別途作製されたアンテナを当該配線に接続する。

また無線チップ７０１は、一体形成されたメモリ装置７０７に代えて、メモリ装置を接続するための配線を有してもよい。この場合は無線チップを使用する時に、別途作製されたメモリ装置７０７を当該配線に接続する。

本発明の無線チップ７０１は、共振回路７０２で、リーダライタ装置７１０より発せられる電波を受信すると、電源回路７０３で電源電位が生成される。また、復調回路７０５にて受信した電波から情報を復調する。情報の送信は、変調回路７０９によって行われる。このようにして無線チップ７０１は、リーダライタ装置７１０と無線通信で情報の送受信を行うことができる。

リーダライタ装置７１０は通信回線７１１を介して情報処理装置７１２と接続され、当該情報処理装置７１２の制御のもとに無線チップ７０１との情報の送受信を行うことができる。具体的な情報処理装置７１２として、コンピュータが挙げられる。通信回線７１１には有線の形態があるが、赤外線通信等の無線通信によって情報のやり取りを行ってもよい。

共振回路７０２はリーダライタ装置７１０より発せられる電波を受信し、アンテナ両端に交流信号を発生することができる。発生した交流信号は、無線チップ７０１の電力になるほか、リーダライタ装置７１０から送信される命令等の情報を含むことができる。電源回路７０３は共振回路７０２に発生した交流信号をダイオードで整流し、容量を用いて平滑化することで、電源電位を生成し、各回路へ供給する。クロック発生回路７０４は共振回路７０２に発生した交流信号を基に、様々な周波数のクロック信号を生成する。復調回路７０５は共振回路に発生した交流信号に含まれる情報を復調する。

制御回路７０６は、復調した信号から命令を抽出し、メモリ装置７０７へ書き込み命令を送ったり、レジスタなどに格納した情報をメモリ装置７０７の所定の記憶領域に格納することができる。勿論、レジスタを介さずに行っても良い。そして制御回路７０６内の符号化回路によって符号化した信号を生成し、変調回路７０９へ出力する。また変調回路７０９は符号化信号を基に搬送波を変調する機能を有する。

メモリ装置７０７には、ライトワンスメモリ等が設けられている。また、メモリ装置７０７は、蓄積された情報を書き込むことができる。また書き込まれた情報を読み出すことができる。

本実施の形態は無線チップ７０１がリーダライタ装置７１０から電力供給を受ける例を示したが、本発明はこの形態に限定されない。例えば無線チップ７０１は、内部に電池等を有して電力供給を行うことができ、リーダライタ装置７１０とは無線で情報の送受信のみを行うことも可能である。建築物に配置する無線チップ７０１は、その厚みの制約がさほど無いため、電池等を無線チップ７０１の内部に有することができる。

なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、無線チップ７０１が有するメモリ装置７０７の形態、及びその動作方法について説明する。

図８に示すように、メモリ装置７０７はメモリ素子が形成されたメモリセルアレイ７５６及び駆動回路を有する。駆動回路は、カラムデコーダ７５１、ローデコーダ７５２、読み出し回路７５４、書き込み回路７５５、セレクタ７５３を有する。

メモリセルアレイ７５６はビット線Ｂｍ（ｍ＝１〜ｘ）、ワード線Ｗｎ（ｎ＝１〜ｙ）、ビット線とワード線とそれぞれの交点にメモリセル７５７を有する。なお、メモリセル７５７はトランジスタが接続されたアクティブ型であっても、パッシブ素子だけで構成されるパッシブ型であってもよい。またビット線Ｂｍはセレクタ７５３により制御され、ワード線Ｗｎはローデコーダ７５２により制御される。

カラムデコーダ７５１は、任意のビット線を指定するアドレス信号を受けて、セレクタ７５３に信号を与える。セレクタ７５３は、カラムデコーダ７５１の信号を受けて指定のビット線を選択する。ローデコーダ７５２は、任意のワード線を指定するアドレス信号を受けて、指定のワード線を選択する。上記動作によりアドレス信号に対応する一つのメモリセル７５７が選択される。読み出し回路７５４は選択されたメモリセル７５７が有する情報を読み出して出力する。書き込み回路７５５は書き込みに必要な電圧を生成し、選択されたメモリセル７５７に電圧を印加することで、情報の書き込みを行う。

次に、メモリセル７５７の回路構成を説明する。本実施の形態では、下部電極、上部電極を有し、当該一対の電極間にメモリ材料層が介在したメモリ素子７８３を有するメモリセルの回路構成について説明する。

図９（Ａ）に示すメモリセル７５７は、トランジスタ７８１とメモリ素子７８３とを有するアクティブ型のメモリセルである。トランジスタ７８１は、薄膜トランジスタを適用することができる。トランジスタ７８１が有するゲート電極は、ワード線Ｗｙに接続される。また当該トランジスタ７８１が有するソース電極及びドレイン電極の一方は、ビット線Ｂｘに接続され、他方はメモリ素子７８３と接続される。メモリ素子７８３の下部電極は、トランジスタ７８１のソース電極及びドレイン電極の一方と電気的に接続している。またメモリ素子７８３の上部電極（７８２に相当）は、共通電極として、各メモリ素子で共有することができる。上部電極７８２は接地することができる。

また図９（Ｂ）に示すように、メモリ素子７８３がダイオード７８４に接続された構成を用いてもよい。ダイオード７８４は、トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方と、ゲート電極とが接続された所謂ダイオード接続構造を採用することができる。またダイオード７８４として、メモリ材料層と下部電極とのコンタクトによるショットキーダイオードを用いたり、メモリ材料の積層によって形成されるダイオードなどを利用することもできる。

メモリ材料層としては、電気的作用、光学的作用又は熱的作用等により、その性質や状態が変化する材料を用いることができる。例えば、ジュール熱による溶融、絶縁破壊等により、その性質や状態が変化し、下部電極と、上部電極とが短絡することができる材料を用いればよい。そのためメモリ材料層の厚さは、５ｎｍから１００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍから６０ｎｍとするとよい。このようなメモリ材料層は、無機材料又は有機材料を用いることができ、蒸着法、スピンコーティング法、液滴吐出法等により形成することができる。

無機材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素等がある。このような無機材料であっても、その膜厚を制御することによって、絶縁破壊を生じさせ、下部電極と上部電極とを短絡させることができる。

有機材料としては、例えば、４、４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物、ポリビニルカルバゾール（略称：ＰＶＫ）やフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物等を用いることができる。これら材料は、正孔輸送性の高い物質である。

また、他にも有機材料として、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる材料や、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料も用いることができる。これら材料は、電子輸送性が高い物質である。

さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等の化合物等を用いることができる。

またメモリ材料層は単層構造であっても、積層構造であってもよい。積層構造の場合、上記材料から選び、積層構造することができる。また上記有機材料と、発光材料とを積層してもよい。発光材料として、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）等がある。

また、上記発光材料を分散してなる層を用いてもよい。発光材料分散してなる層において、母体となる材料としては、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等を用いることができる。

このような有機材料は、熱的作用等によりその性質を変化することを可能とさせるため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃から３００℃、好ましくは８０℃から１２０℃であるとよい。

また、有機材料や発光材料に金属酸化物を混在させた材料を用いてもよい。なお金属酸化物を混在させた材料とは、上記有機材料又は発光材料と、金属酸化物とが混合した状態、又は積層された状態を含む。具体的には複数の蒸着源を用いた共蒸着法により形成された状態を指す。このような有機材料や発光材料に金属酸化物を混在させた材料を、有機無機複合材料と呼ぶことができる。

例えば正孔輸送性の高い物質と、金属酸化物を混在させる場合、当該金属酸化物にはバナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物を用いると好ましい。

また電子輸送性の高い物質と、金属酸化物を混在させる場合、当該金属酸化物にはリチウム酸化物、カルシウム酸化物、ナトリウム酸化物、カリウム酸化物、マグネシウム酸化物を用いると好ましい。

メモリ材料層には、電気的作用、光学的作用又は熱的作用により、その性質が変化する材料を用いればよいため、例えば光を吸収することによって酸を発生する化合物（光酸発生剤）をドープした共役高分子を用いることもできる。共役高分子として、ポリアセチレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリフェニレンエチニレン類等を用いることができる。また、光酸発生剤としては、アリールスルホニウム塩、アリールヨードニウム塩、ｏ−ニトロベンジルトシレート、アリールスルホン酸ｐ−ニトロベンジルエステル、スルホニルアセトフェノン類、Ｆｅ−アレン錯体ＰＦ６塩等を用いることができる。

次に、図９（Ａ）に示したようなアクティブ型のメモリセル７５７に情報の書き込みを行うときの動作について説明する。なお本実施の形態では、初期状態のメモリ素子が格納する値を「０」、電気的作用等によって特性を変化させたメモリ素子が格納する値を「１」とする。また、初期状態のメモリ素子は抵抗値が高く、変化、つまり上部電極と下部電極が短絡した後のメモリ素子は抵抗値が低いものとなる。

書き込みを行う場合、カラムデコーダ７５１、ローデコーダ７５２、セレクタ７５３により、ｍ列目のビット線Ｂｍと、ｎ行目のワード線Ｗｎが選択され、ｍ列目ｎ行目のメモリセル７５７に含まれるトランジスタ７８１がオンとなる。

続いて、書き込み回路７５５により、ｍ列目のビット線Ｂｍに、所定の電圧が所定の期間印加される。この印加電圧及び印加時間は、メモリ素子７８３が初期状態から抵抗値の低い短絡状態へと変化するような条件を用いる。ｍ列目のビット線Ｂｍに印加された電圧は、メモリ素子７８３の下部電極に伝達され、上部電極との間には電位差が生じる。すると、メモリ素子７８３に電流が流れ、メモリ材料層の状態に変化が生じ、メモリ素子特性が変化する。そして、メモリ素子７８３が格納する値を「０」から「１」へ変化させる。

このような書き込み動作は、制御回路７０６に従って行われる。

次に、情報の読み出しを行う動作について説明する。図１０に示すように読み出し回路７５４は、抵抗素子７９０とセンスアンプ７９１を有する。情報の読み出しは、下部電極と上部電極の間に電圧を印加して、メモリ素子が、初期の状態か、短絡状態であるかを判定することで行う。具体的には、抵抗分割方式によって、情報の読み出しを行うことができる。

例えば、複数のメモリセル７５７から、ｍ列目ｎ行目のメモリ素子７８３の情報の読み出しを行う場合について説明する。

まずカラムデコーダ７５１、ローデコーダ７５２、セレクタ７５３により、ｍ列目のビット線Ｂｍと、ｎ行目のワード線Ｗｎが選択される。このとき、特定のビット線とワード線を選択するといったアドレス信号がカラムデコーダ７５１に入力される。すると、選択されたｍ列目ｎ行目に配置されたメモリセル７５７が有するトランジスタ７８１はオンとなり、メモリ素子７８３と、抵抗素子７９０とが直列に接続された状態となる。その結果、メモリ素子７８３の電流特性に応じて図１０に示したＰ点の電位が決まる。メモリ素子７８３の電気特性とは、初期状態と短絡状態で、当該メモリ素子の抵抗値が異なることに起因する。

例えばメモリ素子７８３が初期状態であるときのＰ点の電位をＶ１、メモリ素子７８３が短絡後の低抵抗状態であるときのＰ点の電位をＶ２とし、Ｖ１＞Ｖｒｅｆ＞Ｖ２となる参照電位Ｖｒｅｆを用いることで、メモリ素子に格納されている情報を読み出すことができる。具体的には、メモリ素子７８３が初期状態である場合、センスアンプ７９１の出力電位はＬｏとなり、メモリ素子７８３が低抵抗状態である場合、センスアンプ７９１の出力電位はＨｉとなる。

上記の方法によると、メモリ素子７８３の抵抗値の相違と抵抗分割を利用して、電圧値で読み取っている。しかしながら、メモリ素子７８３が有する情報を、電流値により読み取ってもよい。なお本発明の読み出し回路７５４は、上記構成に限定されず、メモリ素子が有する情報を読み出すことができればどのような構成を有していてもよい。

このような構成を有するメモリ素子は、「０」から「１」の状態へ変化させ、「０」から「１」の状態へ変化は不可逆的であるためライトワンスメモリ、つまり書き換え不可能なメモリ素子となる。

このようなメモリ素子７８３へ情報を書き込むことができる。そして書き込まれた情報は、無線通信により読み出すことができる。

このように建築物の情報を逐次メモリ装置に保存しておくことができ、蓄積された情報をリーダライタ装置によって読み出すことができる。

なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、メモリ装置７０７の断面図について説明する。

図１１（Ａ）は、絶縁基板３２３上にメモリセル部３０１と駆動回路部３２２とが一体形成されたメモリ装置の断面図を示す。絶縁基板３２３には、ガラス基板、石英基板、珪素からなる基板、金属基板等を用いることができる。

絶縁基板３２３上には下地膜３１１が設けられている。駆動回路部３２２では下地膜３１１を介して薄膜トランジスタ３２０、３２１が設けられ、メモリセル部３０１には下地膜３１１を介して薄膜トランジスタ６２１が設けられている。各薄膜トランジスタは、島状に加工、つまりパターニングされた半導体膜３１２、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極３１４、ゲート電極側面に設けられた絶縁物（所謂サイドウォール）３１３が設けられている。半導体膜３１２は、膜厚が０．２μｍ以下、代表的には４０ｎｍ〜１７０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍとなるように形成する。

さらに各薄膜トランジスタは、サイドウォール３１３、及び半導体膜３１２を覆う絶縁膜３１６、半導体膜３１２に形成された不純物領域に接続する電極３１５を有する。なお電極３１５は不純物領域と接続するため、ゲート絶縁膜及び絶縁膜３１６にコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールに導電膜を形成し、当該導電膜をパターニングすることによって形成することができる。

なお平坦性を高めるため、層間絶縁膜として機能する絶縁膜３１７、３１８が設けられているとよい。このとき絶縁膜３１７は有機材料から形成し、絶縁膜３１８は無機材料から形成するとよい。有機材料から形成される絶縁膜３１７への水分侵入を絶縁膜３１８が防止してくれるからである。絶縁膜３１７、３１８が設けられている場合、電極３１５は、ゲート絶縁膜及び絶縁膜３１６に加えて、絶縁膜３１７、３１８に設けられたコンタクトホールを介して、不純物領域と接続するように形成することができる。

さらに絶縁膜３２５が設けられ、電極３１５と接続するようにメモリ素子の下部電極３２７を設ける。このとき、電極３１５上に直接下部電極３２７を設けてもよいが、本実施の形態では、絶縁膜３２５を設け、当該絶縁膜３２５の開口部を介して電極３１５と、下部電極３２７を接続させる。絶縁膜３２５によって、下部電極３２７の被形成面の平坦性を高めることができ、好ましい。

下部電極３２７の端部を覆い、下部電極３２７が露出するように開口部が設けられた絶縁膜３２８を形成する。

開口部内に、メモリ材料層３２９を形成し、上部電極３３０を形成する。このようにして、下部電極３２７、メモリ材料層３２９、上部電極３３０を有するメモリ素子７８３が形成される。メモリ材料層３２９は、有機材料又は無機材料から形成することができることは、上記実施の形態のとおりである。下部電極３２７又は上部電極３３０は、導電性材料から形成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜等から形成することができる。またインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム等の透光性材料を用いることができる。

その後、封止するため絶縁膜３３１を形成する。絶縁膜３３１によって、平坦性を高め、不純物元素の侵入を防止するためることもできる。

本実施の形態で説明した全ての絶縁膜には、無機材料又は有機材料を用いることができる。無機材料は、酸化珪素、窒化珪素を用いることができる。有機材料はポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される。なお平坦性を高めるためには有機材料が好ましく、不純物元素の侵入を防止するためには無機材料が好ましい。

図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）と異なり、電極３１５のコンタクトホール３５１内にメモリ材料層を形成したメモリセル部３０１のみの断面図を示す。図１１（Ａ）と同様に、下部電極として電極３１５を用い、電極３１５上にメモリ材料層３２９、上部電極３３０を形成し、メモリ素子６２２を形成することができる。図１１（Ｂ）には、絶縁膜３２５、３２８を省略する形態を示し、その他の構成は図１１（Ａ）と同様であるため、同じ番号を付し説明を省略する。

図１１（Ｂ）のようにコンタクトホール３５１にメモリ素子を形成すると、メモリ装置の小型化を図ることができる。また電極３１５が下部電極の機能を兼ねるため、メモリ用の電極が不要となる。その結果、製造工程を削減し、低コスト化されたメモリ装置を提供することができる。

このように本発明の建築物用材料管理システムに適用することができるメモリ装置は絶縁基板上に作製され、駆動回路を一体形成することができるため、製造コストを低くすることができる。

なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて実施することができる。

本発明の管理方法を示した図である 本発明の管理方法を適用した建築工程を示す図である 本発明の管理方法を示したフローチャートである 本発明の管理方法を行うためのシステムを示した図である 本発明の管理方法を行うためのシステムを示した図である 本発明のチップを貼り付けた断面図である 本発明のチップ構造を示した図である 本発明のメモリ装置を示した図である 本発明のメモリ素子を示した図である 本発明のメモリ装置の動作を示した図である 本発明のメモリ装置を示した断面図である

Claims (6)

1. 複数の材料の表面に、それぞれ、複数のメモリが一体となったシートを付着するステップと、
   前記複数のメモリの情報に基づき、前記複数の材料を、それぞれ、前記シートとともに分断するステップと、
   前記複数のメモリの情報に基づき、前記分断された材料を用いて建築物を組み立てるステップと、
   前記組み立てた建築物に対して前記複数のメモリに記憶された情報を確認するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法。
2. 複数の材料の表面に、当該材料の情報がそれぞれ記憶された複数の追記型メモリが一体となったシートを付着するステップと、
   前記複数のメモリの情報に基づき、前記複数の材料を、それぞれ、前記シートとともに分断し、当該分断に関する情報を前記複数のメモリへ書き込むステップと、
   前記分断した材料を用いて建築物を組み立て、当該組み立てに関する情報を前記複数のメモリへ書き込むステップと、
   前記組み立てた建築物に対して前記複数のメモリに記憶された情報を確認するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法。
3. 複数の材料の表面に、それぞれ、当該材料の情報がそれぞれ記憶され、且つ書き込みを不可能にしたログが設定された複数のメモリが一体となったシートを付着するステップと、
   前記複数のメモリの情報に基づき、前記複数の材料を、それぞれ、前記シートとともに分断するステップと、
   前記複数のメモリの情報に基づき、前記分断された材料を用いて建築物を組み立てるステップと、
   前記組み立てた建築物に対して前記複数のメモリに記憶された情報を確認し、前記複数のメモリのログを解除し前記複数のメモリに情報を書き込むステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法。
4. 第１の業者によって、複数の材料の表面に、当該材料の情報がそれぞれ記憶された複数のメモリが一体となったシートが付着されるステップと、
   第２の業者によって、前記複数のメモリの情報が読み出され、当該情報に基づき、前記複数の材料を、それぞれ、前記シートとともに分断されるステップと、
   第３の業者によって、前記複数のメモリの情報が読み出され、当該情報に基づき前記分断された材料を用いて建築物が組み立てられるステップと、
   第４の業者によって、前記組み立てられた建築物に対する前記複数のメモリに記憶された情報が確認され、建築物作製依頼者に提供するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法。
5. 第１の業者によって、複数の材料の表面に、当該材料の情報がそれぞれ記憶された複数の追記型メモリが一体となったシートが付着されるステップと、
   第２の業者によって、前記複数のメモリの情報が読み出され、前記複数の材料を、それぞれ、前記シートとともに分断され、当該分断に関する情報が記憶されるステップと、
   第３の業者によって、前記複数のメモリの情報を読み出し、前記分断された材料を用いて建築物が組み立てられ、当該組み立てに関する情報が記憶されるステップと、
   第４の業者によって、前記組み立てられた建築物に対する前記複数のメモリに記憶された情報が確認され、建築物作製依頼者に提供するステップと、を有することを特徴とする建築材料管理方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記複数のメモリは消去が不可能であることを特徴とする建築材料管理方法。

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