JP2006227443A - 表示装置の管理方法、表示装置の流通管理システム、及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 権利者による侵害製品の特定は難しく、さらに時間を要する。また製品を構成する部品においては、多くの拠点を経由して市場に流出するため、許諾された製品か否かの判断により多くの時間を要する。そこで本発明は、侵害製品の情報の管理や侵害製品の特定を行うための製品管理方法、流通管理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、一対の電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を備え、有機無機複合材料の変化によって上電極間が短絡し、短絡前後の状態を用いて「０」又は「１」を示すメモリ装置を有し、当該メモリ装置に製品識別情報等を書き込み、当該情報による製品管理方法及び流通管理システムを特徴とする。
【選択図】
図１

Description

本発明は、産業財産権法により保護された製品、特に特許権に係る許諾製品の管理方法、または当該許諾製品の流通管理システムに関する。さらに本発明は、当該管理方法又は当該流通管理システムを達成するための表示装置に関する。

産業財産権法が注目されつつある今日、その管理方法には多くの形式がある。例えば、特許権に関すると、出願から権利化、さらに当該権利の維持にわたる管理システムが多く提供されている。また権利化後であれば、特許権者等は侵害製品に対して権利行使することができ、権利侵害情報をもとに法的措置を決定するようなシステムも提供されている（特許文献１参照）。

このようなシステムの構築、導入により、人為的ミスをなくすことができ、さらに正当権利者の利益を保護することができる。例えば知的所有権の正当な権利者の利益を保護するシステムとして、トランジスタを構成するいずれかの薄膜を用いてマーキングを形成し、当該マーキングが表示モジュールに関連する特定主体の情報を提供する製品管理方法がある（特許文献２参照）。
特開２００２−１３３０８７号公報 特開２００４−７２０７５号公報

従来の方法によると、権利侵害情報をどのように得るか、つまり侵害製品の情報の管理や侵害製品をどのように特定するかといった、製品管理や流通管理システムについては検討がされていなかった。このような侵害製品の特定は難しく、時間を要する。さらに製品を構成する部品においては、多くの拠点を経由して市場に流出するため、許諾された製品か否かの判断により多くの時間を要する。

また、マーキングの読み出しに特別な装置が必要となり、許諾製品か否かの特定に時間を要してしまう。またトランジスタを構成する薄膜を用いてマーキングを作製するため、数字や文字のためのパターニング工程が必要となり、書き込む情報に限度がある。またさらには、完成された製品の情報を書き込むことは不可能であった。

このような状況において本発明は、短時間で許諾製品か否かを判断することができる製品も管理方法、許諾製品の流通管理システムを提供することを課題とする。また本発明は、当該管理方法及び流通管理システムを達成するための表示装置を提供することを課題とする。

上記課題を鑑み本発明は、表示装置にメモリ素子を実装することを特徴とする。また本発明のメモリ素子は、当該表示装置が有する半導体素子と同一基板上に、同一工程を用いて一体形成することができる。このように形成されるメモリ素子は、数字や文字のためのパターニング工程を要しないため製造コストを抑えることができる。さらにＩＣにより形成されたメモリを別途実装するよりも低コストである。

具体的なメモリ素子は、上部電極と下部電極との間にメモリ材料が設けられており、メモリ材料の変化によって上部電極と下部電極とが短絡し、短絡前後の状態を用いて「０」又は「１」を示す。本発明は、このようなメモリ素子を有することを特徴とする。さらに本発明は、メモリ素子に接続された薄膜トランジスタを有することを特徴とする。さらに、メモリ素子にアンテナを一体形成することにより情報の読み出しや書き込みを、非接触で行うことができるため、好ましい。

また本発明のメモリ素子は、薄膜によるマーキングに比べて多くの情報を記録することができる。さらに本発明のメモリ素子は、追記型であって、書き換え不可能とすることができ、販売、購入までに多くの拠点を経由しても、記録されたデータは改ざんされにくい。

以下に、具体的な本発明の形態を示す。

本発明の一形態は、表示装置の製造工程中又は製造後に、追記型メモリ装置を付与するステップと、表示装置に係る権利の許諾情報、製造情報、製造者識別情報のいずれか一又は複数の製品識別情報を、追記型メモリ装置に記録するステップと、製品識別情報を、表示装置の権利者に通知するステップと、を有することを特徴とする表示装置の管理方法である。

本発明の一形態は、絶縁基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタに接続された、追記型メモリ装置と、を備えた表示装置の管理方法であって、表示装置の製造工程中又は製造後に、追記型メモリ装置を付与するステップと、表示装置に係る権利の許諾情報、製造情報、製造者識別情報のいずれか一又は複数の製品識別情報を、追記型メモリ装置に記録するステップと、製品識別情報を、表示装置の権利者に通知するステップと、を有することを特徴とする表示装置の管理方法である。

本発明の一形態は、絶縁基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタに接続された、下部電極、絶縁物、及び上部電極を有するメモリ素子と、アンテナと、を備え、下部電極は、発光素子の第１の電極と同時に形成され、上部電極は、発光素子の第２の電極と同時に形成された表示装置の管理方法であって、表示装置の製造工程中又は製造後に、追記型メモリ装置を付与するステップと、表示装置に係る権利の許諾情報、製造情報、製造者識別情報のいずれか一又は複数の製品識別情報を、追記型メモリ装置に記録するステップと、製品識別情報を、表示装置の権利者に通知するステップと、を有することを特徴とする表示装置の管理方法である。

本発明の一形態は、絶縁基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタに接続された、下部電極、絶縁物、及び上部電極を有するメモリ素子と、アンテナと、第１の電極、電界発光層、及び第２の電極を有する発光素子と、を備え、下部電極は、発光素子の第１の電極と同時に形成され、絶縁物は、発光素子の電界発光層と同時に形成され、上部電極は、発光素子の第２の電極と同時に形成された表示装置の管理方法であって、表示装置の製造工程中又は製造後に、追記型メモリ装置を付与するステップと、表示装置に係る権利の許諾情報、製造情報、製造者識別情報のいずれか一又は複数の製品識別情報を、追記型メモリ装置に記録するステップと、製品識別情報を、表示装置の権利者に通知するステップと、を有することを特徴とする表示装置の管理方法である。

本発明の管理方法において、情報は表示装置を製造する製造者によってリーダ／ライタ装置を介してえることができる。また製造者は、ＴＦＴ基板まで形成する第１製造者と、表示装置を完成させる第２製造者を含む。

本発明の一形態は、産業財産権に関する権利を有する者に属する第１の情報処理装置と、実施許諾を受けた者に属する第２の情報処理装置と、を有し、第１の情報処理装置は、製品識別情報を発生させる情報処理手段と、実施許諾を受けた者から通知を受けた製品識別情報を記録する記録媒体と、を有し、第２の情報処理装置は、産業財産権に関する権利を有する者から製品識別情報を受信する手段と、製品識別情報を出荷前の製品に付された追記型メモリ装置に記録する手段と、製品に関する製品識別情報を、第１の情報処理装置に通知する手段と、を有することを特徴とする流通管理システムである。

本発明の一形態は、産業財産権に関する権利を有する者に属する第１の情報処理装置と、実施許諾を受けた者であって、製造する者に属する第２の情報処理装置と、販売する者に属する第３の情報処理装置と、を有し、第１の情報処理装置は、製品識別情報を発生させる情報処理手段と、実施許諾を受けた者から通知を受けた製品識別情報を記録する記録媒体と、を有し、第２の情報処理装置は、産業財産権に関する権利を有する者から製品識別情報を受信する手段と、製品識別情報を出荷前の製品に付された追記型メモリ装置に記録する手段と、製品に関する製品識別情報を、第１の情報処理装置に通知する手段と、を有し、第３の情報処理装置は、産業財産権に関する権利を有する者から製品識別情報を受信する手段と、製品識別情報を追記型メモリ装置に記録する手段と、製品に関する製品情報を第１又は第２の情報処理装置に通知する手段と、を有することを特徴とする流通管理システムである。

本発明の流通管理システムにおいて、メモリ素子は、流通過程において、追加された製品識別情報を記録することができる。

また本発明は、上記管理方法、又は流通管理システムを提供することができる表示装置を特徴とする。このような本発明の表示装置の一形態は、画素部と、追記型メモリ部と、を有し、追記型メモリ部は、一対の電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を有し、有機無機複合材料は、ガラス転移温度が、８０℃から３００℃であり、追記型メモリ部に記録された情報を非接触で読み取ることができる制御回路が備えられている。

別の形態の本発明の表示装置は、画素部と、当該画素部と同一基板上に設けられた追記型メモリ部と、を有し、追記型メモリ部は、一対の電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を有し、有機無機複合材料は、ガラス転移温度が、８０℃から３００℃であり、追記型メモリ部に記録された情報を非接触で読み取ることができる制御回路が備えられている。

別の形態の本発明の表示装置は、発光素子が設けられた画素部と、当該画素部と同一基板上に設けられた追記型メモリ部と、を有し、追記型メモリ部は、上部電極及び下部電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を有し、有機無機複合材料は、ガラス転移温度が、８０℃から３００℃であり、下部電極は発光素子の第１の電極と同一導電層からなり、上部電極は発光素子の第２の電極と同一導電層からなり、追記型メモリ部に記録された情報を非接触で読み取ることができる制御回路が備えられている。

さらに本発明の表示装置は、メモリ素子に接続されたアンテナを有することを特徴とする。

なお許諾情報とは、産業財産権法により正当権利を許諾された者、製造期間、製造販売地域等の情報である。代表的には特許法、実用新案法、意匠法、商標法等に規定される専用実施権の設定、通常実施権の許諾内容が該当する。

本発明はメモリ素子を一体形成した表示装置を特徴とする。そのため、非破壊で、例えば完成品の状態、さらには梱包された状態でメモリ素子内の情報を識別することが可能となる。さらに、一度に多くの情報を処理することができる。そのため、製品管理が簡便なものとなる。

また本発明の一体形成されたメモリ素子は、別途ＩＣにより形成されたメモリを実装するよりも低コストであり、また数字や文字のためのパターニング工程を要しない。また本発明のメモリ素子は、薄膜によるマーキングに比べて多くの情報を記録することができる。

またメモリ素子は、表示装置と同一基板上に同一工程を用いて一体形成することができるため、実装の不具合をなくすことができる。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、メモリ素子を実装した製品の管理方法について説明する。

図１（Ａ）に示すように、製品は本発明のメモリ素子（図中メモリと表記する）を有する。また当該製品に係る権利の所有者（権利者と表記する）、当該権利者から正当な権利を許諾された設計者、当該設計者から委託された製造者、製造者で完成された製品を販売する販売者、購入する消費者といった拠点を経由する場合を考える。なお許諾を受けた設計者、製造者、販売者等を合わせて、許諾を受けた者と表記する。

権利者は、メモリ素子に書き込む情報として許諾情報を有する。許諾情報は、権利の帰属、例えば権利者名、許諾者名、又は当該権利に関する責任を負う者の情報がある。これら権利者の情報は、権利者識別情報とも呼び、予め付与された番号により書き込むことができる。具体的な権利の帰属とは、産業財産権法により正当権利を許諾された者、製造期間、製造販売地域等の情報である。特許法、実用新案法、意匠法、商標法等に規定される専用実施権の設定、通常実施権の許諾内容が該当する。

なお、許諾情報には、完成品に対する内容のみではなく、完成品たる製品を構成する部品に対する内容もある。

設計者は、本人に関する情報、及びメモリ素子に書き込む情報として設計仕様を有する。本人に関する情報とは、設計者識別情報とも呼び、予め付与された番号により書き込むことができる。設計仕様は、設計者、権利者、製造者、その他の提案者から、指定された仕様等である。例えば、表示装置を有する製品の場合、駆動電圧、動作環境温度、画素回路の構造、多階調表示方式などがある。また当該仕様を満たすように設計されたマスク情報、例えばマスク製造年月を示してもよい。

製造者は、本人に関する情報、及びメモリ素子に書き込む情報として製造番号を有する。本人に関する情報とは、製造者識別情報とも呼び、予め付与された番号により書き込むことができる。製造番号は、当該製品の型名、型番、モデルナンバー、その他製品を特定するための情報である。

販売者は、本人に関する情報、及びメモリ素子に書き込む情報として販売情報を有する。販売情報は、権利者、設計者、製造者等から提案された内容、独自に有する販売ルートに関する内容等である。

さらに消費者においても、メモリ素子に書き込む情報を提供することができる。例えば、購入年月日、消費者個人情報である。このような情報は、販売者にとって有用である。

勿論メモリ素子には、権利者以外の設計者、製造者、販売者等に関する情報を書き込んでもよい。このような情報は、言い換えると仕入れ先や出荷先に関する情報ということができる。また納品期限、希望小売価格、製造開始から経過した日時等を書き込んでもよい。上述した情報をまとめて、製品識別情報と呼ぶことができる。

また以上の情報を組み合わせて、メモリ素子に書き込むことができる。

なお図１（Ａ）において、「者」は個人だけでなく、法人または法人格を有する団体も含み、かつ、国、地方公共団体もしくは独立行政法人をも含むものとする。

図１（Ｂ）には、流通過程における具体的な形態、及びメモリ素子の情報について示す。

まず権利者は、設計者に当該権利の許諾を行う。このような許諾は、契約により発生する。そして設計者は、製造者に設計に基づく製造を委託する。このような委託も、契約により発生する。さらに権利者は、当該製造者にも当該権利の許諾を行ってもよい。但し、設計者との許諾内容によっては、必ずしも権利者と製造者間の許諾契約は要しない。また権利者は、製造者に製造を委託する契約を締結してもよい。

そして製造者は、正当な権利に基づき製品を製造する。当該製品には、メモリ素子が実装されており、上記内容、例えば許諾情報、設計仕様、製造番号等を書き込む。これら書き込まれた情報は、リーダ／ライタ装置（図中ではR/Wと表記する）を介してハードディスクに保存することができる。なお、権利者は製造者との契約において、リーダ／ライタ装置を用いた情報の読み出しを義務づけることができる。

当該書き込みには、リーダ／ライタ装置を用いる。本発明のメモリ素子は、アンテナを実装した非接触型のメモリ素子であると好ましく、リーダ／ライタ装置と無線により通信することができる。そのため、本発明の製品は非破壊で、情報を権利者等に提供することができ、好ましい。
しかし、必ずしも非接触型であることを要せず、アンテナ接続端子が形成された接触型、非接触型と接触型とを合わせたハイブリッド型であってもよい。

このようなメモリ素子を有する製品は、販売者へ納品され、消費者へとわたる。

販売者は、リーダ／ライタ装置を用いて、納品された製品のメモリ素子からの情報の書き込み、又は読み出しを行う。例えば販売情報、さらに購入されたときであれば消費者情報を書き込む。読み出しを行う場合、製造者等によって書き込まれた情報を読み出す。これら書き込まれた情報は、リーダ／ライタ装置を介してハードディスクに保存することができる。なお、権利者は販売者との契約において、リーダ／ライタ装置を用いた情報の読み出しを義務づけることができる。

そして権利者は、通信ネットワークを介して製造者又は販売者が保存したデータにアクセスできることを特徴とする。通信ネットワークとして、インターネットシステムや電子メールシステムを利用することができる。その結果、製品の現状、つまり製造状況や販売状況を瞬時に把握することができる。

本発明のメモリ素子は、追記型であって、書き換え不可能とすることができ、販売、購入までに多くの拠点を経由しても、記録されたデータは改ざんされにくい。また本発明のメモリ素子は、薄膜によるマーキングに比べて多くの情報を記録することができる。
その結果、人為的ミスをなくし、正当権利者はその利益を得ることができる。

さらに製品が有する半導体素子と同一基板上に、同一工程を用いて作製することができる。このようなメモリ素子は、別途ＩＣにより形成されたメモリを実装するよりも低コストであり、また数字や文字のためのパターニング工程を要しない。安価なメモリ素子は、製品の価格に影響を与えず、好ましい。

なお、本発明は図１（Ａ）（Ｂ）に示す流通形態に限定されずに適用することができる。
すなわち本発明は、安価に作製されたメモリ素子を用いることを特徴とし、設計者、製造者、又は販売者によって当該メモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことによって製品管理することを特徴とする。また本発明は、メモリ素子を用いた許諾製品の流通管理システムを特徴とする。その結果、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができる。また許諾された製品か否かの判断を短時間で行うことができる。

また本発明は、製品を構成する部品に関する許諾情報、製造情報等を書き込むことができる。その結果、多くの拠点を経由して市場に流出する部品の管理も簡便となり、許諾された部品か否かの判断を短時間で行うことができる。

以上のような効果を奏する限り、本発明を適用する製品の流通形態は、本実施の形態に限定されるものではない。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なる流通形態について説明する。

図１（Ａ）に示した、権利者、設計者、製造者、販売者は複数あってもよい。例えば図２に示すように、製造者及び販売者を２つとする形態もある。表示装置の場合、例えば第１製造者は半導体素子が形成されたＴＦＴ基板まで形成し、第２製造者は当該表示装置まで完成させる。また第１販売者は卸売りを専門とし、第２販売者は小売りを専門とする。

このような流通形態であっても、メモリ素子を第１の製造者又は第２の製造者によって形成し、各製造者、又は販売者によって情報を書き込み、当該情報に権利者がアクセスすることにより本発明の製品管理方法の効果を奏することができる。

このような流通形態において、権利者は設計者、各製造者及び各販売者とのそれぞれの契約において、リーダ／ライタ装置を用いた情報の読み出しを義務づけることができる。また設計者、製造者、販売者が複数となることにより、権利者からの許諾も複数の者、つまり各設計者、製造者、販売者と契約を締結してもよい。

本発明は、安価に作製されたメモリ素子を用いることを特徴とし、設計者、製造者、又は販売者によって当該メモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことによって製品管理することを特徴とする。また本発明は、メモリ素子を用いた許諾製品の流通管理システムを特徴とする。その結果、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができる。また許諾された製品か否かの判断を短時間で行うことができる。

また本発明は、製品を構成する部品に関する許諾情報、製造情報等を書き込むことができる。その結果、多くの拠点を経由して市場に流出する部品の管理も簡便となり、許諾された部品か否かの判断を短時間で行うことができる。

以上のような効果を奏する限り、本発明を適用する製品の流通形態は、本実施の形態に限定されるものではない。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる流通形態について説明する。

図３（Ａ）に示すように、権利者と製造者が同一であってもよい。そして、設計者に当該権利を許諾して、仕様に基づく最適な設計を提案させる。当該設計を納品させ、これに基づき製品を製造させる。その後、販売者へ納品された製品は、消費者へわたる。権利者及び製造者は、設計者の雇用、及び設計に関する装置の購入の必要がないため、経営コストを削減することができる。また設計者を別とすることにより、経営リスクの分散を図ることができ、専業のビジネスをより熟知して特化することが可能となる

このような流通形態であっても、メモリ素子を製造者によって形成し、設計者、又は販売者によって情報の書き込み等行い、当該情報に権利者がアクセスすることにより、製品の現状、つまり製造状況や販売状況を瞬時に把握することができる。

また権利者は設計者及び販売者とのそれぞれの契約において、リーダ／ライタ装置を用いた情報の読み出しを義務づけることができる。

また図３（Ｂ）に示すように、設計者から権利者に設計仕様を納品し、権利者から製造者へ委託する形態であってもよい。委託された製造者は、設計に基づき製品を製造し、販売者へ納品して消費者へわたる。権利者は、設計者及び製造者を選ぶことができるので、経営の自由度が高まる。このように設計者及び製造者を別とすることにより、経営リスクの分散化を図ることができ、専業のビジネスをより熟知して特化することが可能となる。

このような流通形態であっても、メモリ素子を製造者によって形成し、設計者、又は販売者によって情報の書き込み等行い、当該情報に権利者がアクセスすることにより、製品の現状、つまり製造状況や販売状況を瞬時に把握することができる。

また権利者は、設計者及び製造者とそれぞれ契約を締結することができるため、リーダ／ライタ装置を用いた情報の読み出しの義務づけを強化することができる。

また図３（Ｃ）に示すように、権利者と設計者が同一であってもよい。そして、製造者に当該権利を許諾及び製造の委託を行って、設計に基づき製品を製造させる。その後、販売者へ納品された商品は、消費者へわたる。権利者及び設計者は、製造者の雇用、及び製造に関する装置の購入の必要がないため、経営コストを削減することができる。また製造者を別とすることにより、経営リスクの分散を図ることができ、専業のビジネスをより熟知して特化することが可能となる。

このような流通形態であっても、メモリ素子を製造者によって形成し、設計者、又は販売者によって情報の書き込み等行い、当該情報に権利者がアクセスすることにより、製品の現状、つまり製造状況や販売状況を瞬時に把握することができる。

また権利者は、製造者及び販売者とのそれぞれの契約において、リーダ／ライタ装置を用いた情報の読み出しを義務づけることができる。

このように本発明は、安価に作製されたメモリ素子を用いることを特徴とし、設計者、製造者、又は販売者によって当該メモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことによって製品管理することを特徴とする。また本発明は、メモリ素子を用いた許諾製品の流通管理システムを特徴とする。その結果、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができる。また許諾された製品か否かの判断を短時間で行うことができる。

また本発明は、製品を構成する部品に関する許諾情報、製造情報等を書き込むことができる。その結果、多くの拠点を経由して市場に流出する部品の管理も簡便となり、許諾された部品か否かの判断を短時間で行うことができる。

以上のような効果を奏する限り、本発明を適用する製品の流通形態は、本実施の形態に限定されるものではない。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態に加えることができる一形態について説明する。

図４には、第２製造者aからみて、複数の設計者（a〜ｄ）、及び複数の第１製造者（ａ〜ｅ）が存在する形態を示す。また２重四角で囲まれた者は、権利者から許諾を受けている者である。このように多くの設計者及び第１製造者が存在するため、第２の製造者ａは瞬時に同一権利者から許諾を受けている者を特定することが困難である。特に、設計者とは直接契約を締結しないことが考えられるため、許諾を受けた設計者であるか否かの特定が難しい。また誤った許諾情報によっては、第２製造者が惑わされることがある。そこで、本発明を適用して、即座に許諾者の特定を行い、権利情報を把握する形態について説明する。

委託された第２製造者は、いずれかの第１製造者からTFT基板が納品される。ここで、第１製造者により作製されうるメモリ素子に書き込まれた情報により、権利者の特定、許諾を受けた設計者を経由しているか、許諾を受けた第１製造者であるか等を判断することができる。

このように本発明は、安価に作製されたメモリ素子により、権利の帰属を含めた製品管理を行うことができる。また本発明は、メモリ素子を用いた許諾製品の流通管理システムを提供することができる。勿論、本実施の形態の機能に加えて、上記実施の形態で示したように権利者は製品の状況を把握することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態に加えることができる一形態について説明する。

現在、多くの製品が市場にあるため、正当な権利を有する者による製品か否かを判断することが困難となっている。特に、製品の部品を製造する者にとっては、最終製品の形態や販売者の把握が困難となる。そこで、本発明を適用して、早期に非許諾製品を特定する形態について説明する。

図５には、権利者、販売者、製造者に加えて、「非許諾製造者又は違法製造者」がいる形態を示す。上記実施の形態と同様に、権利者は製造者及び販売者にリーダ／ライタ装置を用いた情報の書き出し及び読み出しを義務づける。その結果、製造者からは正規な情報である「β」が書き込まれた製品が、販売者へ納品される。一方、非許諾製造者又は違法製造者には情報がない、又は違法な情報である「β’」が書き込まれた製品が、販売者へ納品される。

多くの製造者から納品された製品は、販売者がリーダ／ライタ装置を用いてそのメモリ素子内の情報を読み出すことにより、「β」、「ナシ」、又は「β’」の情報を得ることができる。権利者は、リーダ／ライタ装置を介してハードディスクに保存された当該情報にアクセスすることにより、非許諾製品の特定を瞬時に行うことができる。

その結果、権利者は製品の調査等を行い、警告や交渉の措置をとることができる。警告や交渉の他にも、権利行使や損害賠償を提起することができる。このように本発明は、メモリ素子を用いた許諾製品の流通管理システムを提供することができる。

このように早期に非許諾品を特定することにより、正当権利者の利益を確保することができる。勿論、本実施の形態の機能に加えて、上記実施の形態で示したように権利者は製品の状況を把握することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明のメモリ素子が搭載された商品が海外で製造され、輸入される形態の管理方法について説明する。

上記した製造者は、国内のものには限られず、海外の者となる場合がある。海外で製造されたものは、輸入段階で適法な製品化、つまり侵害製品か否か確認される。このような確認段階において、本発明のメモリ素子が実装された商品は、リーダ／ライタ装置を用いて非接触でその情報を得ることができる。なお、非接触で情報を得ることができるため、梱包材から製品を取り出す必要ない。すなわち本発明のメモリ素子を実装した表示装置には、非破壊で情報を確認者等に提供することができ、好ましい。また当該メモリ素子は、梱包材表面等ではなく、表示装置内に一体形成されているため、第三者による改ざんを防止することができる。このように本発明のメモリ素子が実装された商品は、輸入段階の確認作業を簡便なものとすることができる。

勿論、本実施の形態に加えて、上記実施の形態で示したように権利者は製品の状況を把握することができる。例えば、確認者がリーダ／ライタ装置により得た情報をデータベース化し、通信ネットワークを介してアクセスすればよい。

（実施の形態７）
本実施の形態では、権利者が情報にアクセスするシステムについて説明する。

図６には、権利者、製造者、及び販売者は通信ネットワークを介して互いにアクセス可能な状態となっている。本実施の形態では、権利者、製造者、及び販売者の関係を示すが、権利者と製造者、権利者と販売者であっても、権利者は通信ネットワークを介して情報にアクセスできることは言うまでもない。また、製造者と販売者の間においても、互いに通信ネットワークを介して情報にアクセスできる。

権利者に属する情報処理装置（代表的にはコンピュータ）は、当該コンピュータはデータベース、当該データベースの情報を処理するための情報処理部（情報処理手段）、通信ネットワークとアクセスするための送受信部（送受信手段）を有する。なお受信部は、製品識別情報を受信する手段として機能し、送信部は、通信ネットワークを介して、他の情報処理装置に通知する手段として機能する。また情報処理装置は、製品識別情報を生成する演算処理部を有する。

更にコンピュータは、表示部を有しており、通信ネットワークとアクセスした結果、当該表示部に製品の情報が表示される。例えば、表示部には「許諾番号０１２３４５に係る製品は、○○製造者から発送され、△△販売者へ納品されました。」という情報が表示される。勿論、多くの製品があるため一覧表で表示し、多くの製品情報を記録する手段及び、当該情報が記録される記録媒体（代表的にはメモリ回路）を有する。記録媒体に基づき、情報をデータベース化することができ、当該データベースから所定の情報を検索することも可能である。

また製造者に属する情報処理装置（代表的にはコンピュータ）は、当該コンピュータはリーダ／ライタ装置とのインターフェース部、当該インターフェース部と情報交換が行われる情報処理部、当該情報処理部から演算処理されたデータを蓄積したデータベース、これらデータを送信し、また受信するための送受信部を有する。なお受信部は、製品識別情報を受信する手段として機能し、送信部は、通信ネットワークを介して、他の情報処理装置に通知する手段として機能する。また情報処理装置は、製品識別情報を生成する演算処理部を有し、製造者に関する情報を加えることができる。

さらに情報処理装置は、リーダ／ライタ装置により、複数の商品（Ａ〜Ｄ）が有するメモリ素子の情報を取得し、それを記録媒体（代表的にはメモリ回路）に記録する手段を有する。記録媒体に基づき、情報をデータベース化して管理することもでき、当該データベースから所定の情報を検索することも可能である。なお、商品（Ａ〜Ｄ）の形態には限定されず、出荷前の商品であればよい。すなわち、情報処理装置は、当該商品に関する情報を、出荷前の商品に設けられたメモリ素子へ記録する手段を有しており、当該情報はリーダ／ライタ装置とのインターフェース部を介して得ることができる。

さらに権利者は通信ネットワークを経由して、当該情報を把握することができる。勿論、販売者が当該情報を把握することもできる。

また販売者に属する情報処理装置（代表的にはコンピュータ）は、当該コンピュータはリーダ／ライタ装置とインターフェース部、情報処理部、データベース、送受信部を有する。なお受信部は、製品識別情報を受信する手段として機能し、送信部は、通信ネットワークを介して、他の情報処理装置に通知する手段として機能する。また情報処理装置は、製品識別情報を生成する演算処理部を有し、販売者に関する情報を加えることができる。

さらに情報処理装置は、リーダ／ライタ装置により、複数の商品（Ｅ〜Ｈ）が有するメモリ素子の情報を取得し、それを記録媒体（代表的にはメモリ回路）に記録する手段を有する。記録媒体に基づき、情報をデータベース化して管理することもでき、当該データベースから所定の情報を検索することも可能である。すなわち、情報処理装置は、当該商品に関する情報を、商品に設けられたメモリ素子へ記録する手段を有しており、当該情報はリーダ／ライタ装置とのインターフェース部を介して得ることができる。

さらに権利者は、通信ネットワークを経由して、当該情報を把握することができる。勿論、製造者が当該情報を把握することもできる。

このように、製造者や販売者がリーダ／ライタ装置によって情報を読み出し、データベース化することにより権利者が製品の現状を知ることができる。勿論、製造者や販売者が通信ネットワークを利用して、当該情報にアクセスしてもよい。また通信ネットワーク上では、パスワードを設定しておき、第三者には情報を開示しないようにする。

このような本発明により、許諾製品の流通管理システムを提供することができる。また本発明により製品の管理が簡便なものとなる。

なお本実施の形態では製造者の製品は、プリント配線が接続された状態の表示装置であるが、完成品、つまり筐体におさめられ状態の表示装置であっても構わない。すなわち、設計者、製造者、販売者、消費者間で流通する表示装置は、その状態に限定されるものではない。

また本実施の形態において、データベースはコンピュータのハードウェアが有する形態を説明したが、サーバーが有していてもよい。すなわち本発明は、データベースの保存先には限定されるものではない。

（実施の形態８）
本実施の形態では、メモリ素子を有する製品の代表例として表示装置の形態を説明する。

図７（A）には、絶縁基板１０１上に、画素部１０２、第１及び第２の走査線駆動回路１０３、信号線駆動回路１０４、及びメモリ素子を有するメモリ装置１０５が設けられた表示装置を示す。画素部１０２には、信号線及び走査線が設けられており、それぞれ信号線駆動回路１０４、及び第１及び第２の走査線駆動回路１０３に接続されている。画素部１０２には、表示素子として発光素子又は液晶素子が設けられる。なお本発明の表示装置は、信号線と、走査線の交差部に半導体素子を有するアクティブ型及び当該半導体素子のないパッシブ型のいずれを適用してもよい。

図７（B）には、図７（A）におけるA-A'の断面図を示す。

図７（A）（B）に示すようにメモリ装置１０５は、絶縁基板１０１上に作製することができる。すなわちメモリ装置１０５が有するメモリ素子は、表示素子と、同一基板上に同一工程を用いて作製することができる。その結果、工程数を増やすことがなく、安価なメモリ素子を提供することができる。このように本発明は製品管理を行うためのメモリ素子が一体形成された表示装置を特徴とする。

次に、メモリ装置１０５の詳細な形態を示す。図８に示すように、メモリ装置１０５はメモリ部１１６及び制御回路を有する。制御回路は、カラムデコーダ１１１、ローデコーダ１１２、読み出し回路１１４、書き込み回路１１５、セレクタ１１３を有する。

さらにメモリ装置１０５に、電力及び信号を供給するためのアンテナが設けられているとよい。当該アンテナも、絶縁基板１０１上に形成することができる。アンテナから得られた電力及び信号に基づき、制御回路が動作することで、記録された情報を非接触で読み取ることができる。

メモリ部１１６はビット線Ｂｍ（ｍ＝１〜ｘ）、ワード線Ｗｎ（ｎ＝１〜ｙ）、ビット線とワード線とそれぞれの交点にメモリ素子１１７を有する。当該メモリ素子１１７は、絶縁基板１０１上に作製されたことを特徴とする。またビット線はセレクタ１１３により制御され、ワード線はローデコーダ１１２により制御される。

カラムデコーダ１１１はメモリ部の行を指定するアドレス信号を受けて、指定行のセレクタ１１３に信号を与える。セレクタ１１３はカラムデコーダ１１１の信号を受けて指定行のビット線を選択する。ローデコーダ１１２はメモリ部の列を指定するアドレス信号を受けて、指定列のワード線を選択する。上記動作によりアドレス信号に対応する一つのメモリ素子１１７が選択される。読み出し回路１１４は選択されたメモリ素子が有するデータを読み出し、好ましくは増幅して出力する。書き込み回路１１５は書き込みに必要な電圧を生成し、選択されたメモリ素子に電圧を印加することで、短絡状態となり、データの書き込みが行われる。

このような本発明のメモリ素子は、追記型であって、書き換え不可能とすることができ、販売、購入までに多くの拠点を経由しても、記録されたデータは改ざんされ難く好ましい。

（実施の形態９）
本実施の形態では、絶縁基板としてガラス基板上に、画素部１０２、信号線駆動回路１０４、メモリ装置１０５を形成する方法例について説明する。

まず図９（Ａ）に示すように、ガラス基板４０１上に剥離層４０２を形成する。基板はガラス以外にも石英、シリコン、金属等を用いることができる。剥離層４０２は金属、珪素等の元素や化合物を基板全面又は選択的に形成する。金属としては、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、或いはこれらの積層を用いることができる。化合物としては、これ金属の酸化物、窒化物が挙げられる。また珪素を有する膜の状態は、結晶状態、非晶質状態、又は微結晶状態のいずれを有していてもよい。

次に、剥離層４０２を覆うように絶縁層４０３を形成する。絶縁層４０３は珪素酸化物、珪素窒化物等により形成する。そして、絶縁層４０３上に半導体層４０４を形成し、レーザー結晶化、金属触媒を用いた熱結晶化等により結晶化させ、その後所望の形状にパターニングする。レーザー結晶化には、連続発振型レーザー、パルス発振型レーザーのいずれを用いてもよい。レーザーとしては、Arレーザー、Krレーザー、エキシマレーザー、YAGレーザー、Y₂O₃レーザー、YVO₄レーザー、YLFレーザー、YAlO₃レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、Ti：サファイヤレーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種を用いることができる。例えばパルス発振型のエキシマレーザーを用いることができる。
パターニングされた半導体層は、その膜厚が０．２μｍ以下、代表的には４０ｎｍ〜１７０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍとなるように形成する。
なお半導体層は、結晶性半導体以外に、非晶質半導体、微結晶半導体、マイクロクリスタル半導体、有機半導体等のいずれを用いてもよい。

次に、半導体層を覆うようにゲート絶縁層４０５を形成する。ゲート絶縁層４０５は珪素酸化物、珪素窒化物等を用いて形成する。そして、ゲート電極層４０６を形成する。ゲート電極層４０６はタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成し、その後所望の形状にパターニングする。フォトリソグラフィ法によりパターニングを行う場合、レジストマスクをプラズマ等でエッチンし、当該マスクを用いるとゲート電極幅を短くすることができ、トランジスタの性能を高めることができる。図９（Ａ）では、ゲート電極層４０６を積層構造に形成した場合を示す。

次に、半導体層４０４に不純物元素を添加して不純物領域４０７を形成する。不純物領域４０７はフォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、燐、砒素、ボロン等の不純物元素を添加する。不純物元素によって、Ｎチャネル型、又はＰチャネル型を作り分けることができる。

次に図９（Ｂ）に示すように、窒素化合物等により絶縁層を形成し、当該絶縁層を垂直方向の異方性エッチングすることでゲート電極の側面に接する絶縁層４０９（サイドウォールと表記する）を形成する。サイドウォールを形成する際、ゲート絶縁層４０５はエッチングされてしまう。次に、Ｎ型不純物領域を有する半導体層に不純物を添加し、サイドウォール４０９直下の第一の不純物領域４１０と、第一の不純物領域よりも高い不純物濃度を有する第二の不純物領域４１１とを形成する。

続いて図９（Ｃ）に示すように、半導体層４０４、ゲート電極層４０６を覆うように絶縁層４１４を形成する。絶縁層４１４は絶縁性を有する無機材料、有機材料等により形成する。無機材料は酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。また有機材料は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される。

図９（Ｃ）は絶縁層４１４を積層構造で形成した形態を示しており、下から順に第１の絶縁層４１４ａ、第２の絶縁層４１４ｂ、第３の絶縁層４１４ｃとするとよい。第１の絶縁層４１４ａは水素を多く有するように、プラズマＣＶＤ法によって作製すると好ましい。水素によって、半導体層４０４のダングリングボンドを低減することができるからである。また第２の絶縁層４１４ｂは有機材料から形成すると好ましい。平坦性を高めることができるからである。そして第３の絶縁層４１４ｃは、無機材料から形成すると好ましい。有機材料から形成された第２の絶縁層４１４ｂからの水分等の放出、又は第２の絶縁層４１４を介した水分の侵入を防止するためである。

次に、第二の不純物領域４１１を露出させるコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールを充填するように導電層４１５を形成する。導電層４１５はアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜等を有する。また導電層４１５は、単層又は積層して形成して形成することができる。その後、導電層４１５を所望の形状にパターニングする。

次に、導電層４１５を覆うように絶縁層４１６を形成する。絶縁層４１６は絶縁性を有する無機材料、有機材料等で形成することができ、単層であっても積層であってもよい。

その後図１０に示すように、導電層４１５を露出させるように、絶縁層４１６にコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールを充填するように導電層４１７を形成する。導電層４１７はアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜等を有する。また導電層４１７は、単層又は積層して形成して形成することができる。その後、導電層４１７を所望の形状にパターニングする。パターニングされた導電層４１７は、発光素子の第１の電極、及びメモリ素子の下部電極として機能することができる。すなわち、発光素子の第１の電極と、メモリ素子の下部電極とは同一導電層からなり、当該導電層をパターニングすることにより同時に形成される。

なお本実施の形態では発光素子の第１の電極、及びメモリ素子の下部電極は、導電層４１７から形成する場合を示したが、導電層４１５から形成してもよい。すなわち薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極となる導電層４１５と、発光素子の第１の電極又はメモリ素子の下部電極とを共用してもよい。

パターニングされた導電層４１７を覆うように絶縁層を形成し、当該導電層４１７が露出し、且つ導電層４１７の端部を覆うように開口部が設けられたバンク４１８を形成する。バンク４１８は、有機材料又は無機材料等により形成することができる。バンク４１８の開口部の側面は、テーパーを有すると好ましい。後に形成する薄膜の段切れを防止することができるからである。

ここまでの状態でＴＦＴ基板が完成する。そして第１製造者がＴＦＴ基板まで形成し、第２製造者が製品として完成させる場合は、第１製造者はバンク４１８、及び開口部を覆って保護膜を形成した状態で、第２製造者へ納品するとよい。ゴミの付着を防止するためである。

またこの時点で、情報を書き込む必要がある場合、メモリ装置１０５ではメモリ素子まで完成させてから納品する。その場合、導電層４１７上にメモリ材料を形成し、上部電極となる導電層を形成すればよい。このとき、メモリ材料や上部電極は、メモリ装置１０５の領域のみに選択的に形成する。この状態で、バンク４１８、開口部、及びメモリ装置１０５を覆って保護膜を形成し、第２製造者へ納品することができる。

次にバンクの開口部に、電界発光層４１９を形成する。電界発光層は、発光層を有し、適宜電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層を有する。電界発光層４１９は、蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法を代表とする液滴吐出法により形成することができる。またメモリ材料は、電界発光層４１９と同一材料から形成することができ、例えば、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層のいずれかの材料、又は複数の材料を用いることができる。

そして、対向電極となる導電層４２０を形成する。対向電極４２０は画素部全面に形成することができるため、パターニングを要しない。勿論パターニングして、選択的に対向電極４２０を形成してもよい。対向電極４２０は、発光素子の第２の電極、及びメモリ素子の上部電極として機能することができる。すなわち、発光素子の第２の電極と、メモリ素子の上部電極とは同一導電層からなり、同時に形成される。

これら導電層４１７、電界発光層４１９、導電層４２０により発光素子が形成され、導電層４１７は第１の電極として機能し、導電層４２０は第２の電極として機能する。また導電層４１７、電界発光層４１９の少なくとも一部、導電層４２０によりメモリ素子が形成され、導電層４１７は下部電極として機能し、導電層４２０は上部電極として機能する。このように導電層を各素子で共用することにより、製造コストを抑えることができる。

そして、保護膜として機能する絶縁層４２１を形成する。耐衝撃性を高めるため、絶縁膜４２１の膜厚を厚くするとよい。そのため、絶縁膜４２１は、有機材料、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂から形成すると好ましい。また絶縁層４２１は、吸湿性材料から形成するとよい。水分により発光素子４２５は、劣化しやすいからである。このように絶縁層４２１を充填して封止することにより、水分に加え不要な酸素の侵入を防止することができる。

このようにして画素部１０２に設けられた薄膜トランジスタ、当該薄膜トランジスタに接続された発光素子４２５を形成することができる。また信号線駆動回路１０４に設けられた複数の薄膜トランジスタを形成することができる。またさらにメモリ装置１０５に設けられた薄膜トランジスタ、当該薄膜トランジスタに接続されたメモリ素子４２６を形成することができる。

このようにメモリ素子４２６と、発光素子４２５とを同一基板上に作製することができるため、各素子が一体形成された表示装置を提供することができる。さらに、ＩＣにより形成されたメモリ素子を実装する工程は不要となるため、接続不良がない。

図１１には、メモリ素子４２６に接続されたアンテナ４３０を設けた形態を示す。アンテナ４３０は、メモリ装置１０５に設けられた薄膜トランジスタに接続するように形成する。本実施の形態では、バンクに設けられた開口部にアンテナ４３０を形成する。アンテナ４３０は抵抗を低くするために、その膜厚を厚くするとよい。またアンテナは、蒸着法、印刷法、メッキ法、インクジェット法を代表とする液滴吐出法により形成することができる。

このようにアンテナ４３０を一体形成することにより、リーダ／ライタ装置と無線で通信を行うことができる。その結果、非破壊でメモリ素子の情報を得ることができる。

これまでの工程で、表示装置を完成することができるが、その後図１２（Ａ）に示すように溝を形成し、当該溝にエッチング材４４１を導入し、樹脂基板４４０を貼り付けて、ガラス基板４０１を剥離してもよい。その結果、表示装置の薄型化、軽量化を図り、柔軟性を高めることができる。樹脂基板４４０には、ポリエチレン-テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂を用いることができ、ガラス基板と比較して薄型、軽量であり、柔軟性に富むからである。このような樹脂基板は非常に薄いため、フィルム状態を有することができる。

なお、樹脂基板４４０は、絶縁層４２１が有する接着機能を用いて貼り付けることができる。エッチング材４４１４は、剥離層４０２を選択的にエッチングすることができれば、特に限定はなくハロゲン化合物を用いることができる。例えば剥離層に非晶質珪素やタングステンを用いる場合、エッチング材にはＣｌＦ₃（３フッ化塩素）を用いることができる。また剥離層に酸化珪素を用いる場合、エッチング材にはＨＦ（フッ化水素）を用いることができる。

そして図１２（Ｂ）に示すように、剥離したガラス基板４０１の代わりに、樹脂基板４４２を張り合わせる。なお、樹脂基板４４２は、接着剤を用いて貼り付けることができる。樹脂基板４４２には、ポリエチレン-テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂を用いることができる。このような樹脂基板は非常に薄いため、フィルム状態を有することができる。

次いで、表示装置毎に分断し、一枚の大型ガラス基板から、複数の表示装置を取り出すことができる。その結果、表示装置のコストを下げることができる。

さらに樹脂基板４４０、４４２の表面に、保護層を設けてもよい。保護層によりアルカリ元素の侵入を防止することができ、信頼性を向上することができる。当該保護層は窒化アルミニウム、窒化珪素膜等の無機材料により形成する。

なお、導電層４１７、導電層４２０の透光性により、発光素子４２５からの光の射出方向を決定することができる。図１２（Ｂ）矢印のように上方へ光を射出する場合、導電層４２０をＩＴＯ、ＩＴＯに珪素を添加したＩＴＳＯ等の透光性材料により形成する。また、非透光性を有する材料であっても、その膜厚を薄くすることにより光を透過することができる。そして導電層４１７を非透光性材料から形成する。

また図１３（Ａ）に示すように、下方へ光を射出する場合、導電層４１７を非透光性材料から形成し、導電層４２０を透光性材料から形成する。さらに図１３（Ｂ）に示すように、両方へ光を射出する場合、導電層４１７、及び導電層４２０を透光性材料から形成する。

本実施の形態では、ガラス基板４０１を除去し、樹脂基板４４２を貼り付けた形態を説明したが、本発明はこれに限定されない。但し、ガラス基板４０１を除去することによって、表示装置の軽量化、薄型化を図ることができる。

また、本実施の形態で示した薄膜トランジスタは、基板上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層を順に積層を積層させた構造を取るが、この例には限定されず、ゲート電極層、絶縁膜、半導体層を順に積層させる構造を取ることも可能である。また薄膜トランジスタの不純物領域は高濃度又は低濃度領域を有するが、これには限定されず不純物領域における不純物濃度が一様であってもよい。

また本実施の形態で示した薄膜トランジスタを積層した、多層構造を適用してもよい。このような多層構造で作製する場合は、薄膜トランジスタ間に設けられた絶縁膜に生じる寄生容量を低減するため、その材料として低誘電率材料を用いるとよい。例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂材料、シロキサン等の有機材料などが挙げられる。寄生容量を低減した多層構造を採用すれば、表示装置及びメモリ装置の小面積化、動作の高速化、低消費電力化を実現することができる。

このように本発明はメモリ素子が実装された表示装置を提供することができ、特に製品管理を行うためのメモリ素子が一体形成された表示装置を特徴とする。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、上記実施の形態の発光素子と異なり、液晶素子を有する表示装置について図１４を用いて説明する。

図１４に示す表示装置は、画素部１０２において、液晶素子つまり液晶層が設けられている構造が上記実施の形態と異なっている。その他信号線駆動回路１０４やメモリ装置１０５の構造は同様であるため、説明を省略する。

まず絶縁層４１６まで形成し、メモリ装置１０５の領域において開口部を形成する。当該開口部は、導電層４１５が露出するように、絶縁層４１６をエッチングして形成する。

またメモリ装置１０５においては、導電層４１５上にメモリ材料を形成し、メモリ材料上に上部電極４２０を形成することによってメモリ素子４２６を作製することができる。なお、導電層４１５は、メモリ素子４２６の下部電極として機能する。すなわち薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電層４１５と、メモリ素子の下部電極とは同時に形成され、共用することができる。このように導電層を共用することにより、安価なメモリ素子を提供することができる。

そして、少なくとも画素部１０２の領域には、配向膜４６０を形成する。当該配向膜は、信号線駆動回路１０４の領域、上部電極４２０上に形成されても構わない。

次いで対向基板４６４を用意する。当該対向基板には対向電極４６３、配向膜４６２が設けられている。このような対向基板４６４と、ガラス基板４０１とを張り合わせ、その間に液晶層４６１を注入する。当該液晶層は、信号線駆動回路１０４、メモリ装置１０５の領域にまで注入されても構わない。

また液晶層は、ガラス基板４０１側に滴下し、その後、対向基板４６４を張り合わせてもよい。

また本実施の形態において、上記実施の形態と同様にガラス基板４０１を剥離し、樹脂基板を張り合わせてもよい。その結果、薄型化、及び軽量化を図り、柔軟性を高めることができる。

このようにメモリ素子が一体形成された表示装置は、別途ＩＣにより形成されたメモリを実装するよりも低コストであり、実装の不具合も生じない。

さらにメモリ素子に電力や信号を供給するためのアンテナを、ガラス基板４０１上に実装してもよい。アンテナは、蒸着法、印刷法、メッキ法、インクジェット法を代表とする液滴吐出法により形成することができる。またアンテナは抵抗を低くするために、その膜厚を厚くするとよい。このようにアンテナを一体形成することにより、リーダ／ライタ装置と無線で通信を行うことができる。その結果、非破壊でメモリ素子の情報を得ることができる。

（実施の形態１１）
本実施の形態では、メモリ素子の材料、及び動作について説明する。

メモリ素子は、上部電極、メモリ材料、及び下部電極を有する。メモリ材料とは、上部電極及び下部電極と比較して導電率が低く、電気的作用、光学的作用又は熱的作用等により、その性質が変化する材料を用いればよい。例えば、ジュール熱による溶融、絶縁破壊等により、その性質が変化し、下部電極と、上部電極とが短絡することができる材料であればよい。そのためメモリ材料は、厚さが５ｎｍから１００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍから６０ｎｍとするとよい。このようなメモリ材料は、無機材料又は有機材料から形成することができ、蒸着法、スピンコーティング法、液滴吐出法等により形成することができる。

無機材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素等がある。このような無機材料であっても、その膜厚を制御することによって、絶縁破壊を生じるため、下部電極と上部電極とを短絡させることができる。

有機材料としては、例えば、４、４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物、ポリビニルカルバゾール（略称：ＰＶＫ）やフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物等を用いることができる。これら材料は、正孔輸送性の高い物質である。

このような有機材料は、熱的作用等によりその性質を変化させるため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が８０℃から３００℃、好ましくは１００℃から２５０℃であるとよい。

また、他にも有機材料として、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ₃）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる材料や、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）₂）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）₂）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料も用いることができる。これら材料は、電子輸送性が高い材料である。

さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等の化合物等を用いることができる。

またメモリ材料は単層構造であっても、積層構造であってもよい。積層構造の場合、上記有機材料から選ばれた材料を積層することができる。また上記有機材料と、発光材料とを積層してもよい。発光材料として、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）等がある。

また、上記発光材料を分散してなる層を形成する場合に母体となる材料としては、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ₂）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等を用いることができる。

また、上記有機材料や発光材料に金属酸化物を混在させた材料を用いてもよい。なお混在させた材料とは、混合した状態、又は積層された状態を含む。具体的には複数の蒸着源を用いた共蒸着法により形成された状態を指す。このような材料を有機無機複合材料と呼ぶことができる。

上記材料のうち正孔輸送性の高い物質と、金属酸化物を混在させる場合、当該金属酸化物にはバナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物を用いることができる。

上記材料の内電子輸送性の高い物質と、金属酸化物を混在させる場合、当該金属酸化物にはリチウム酸化物、カルシウム酸化物、ナトリウム酸化物、カリウム酸化物、マグネシウム酸化物を用いることができる。

また、メモリ材料には、電気的作用、光学的作用又は熱的作用により、その性質が変化する材料を用いればよいため、例えば光を吸収することによって酸を発生する化合物（光酸発生剤）をドープした共役高分子を用いることもできる。共役高分子として、ポリアセチレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリフェニレンエチニレン類等を用いることができる。また、光酸発生剤としては、アリールスルホニウム塩、アリールヨードニウム塩、ｏ−ニトロベンジルトシレート、アリールスルホン酸ｐ−ニトロベンジルエステル、スルホニルアセトフェノン類、Ｆｅ−アレン錯体ＰＦ６塩等を用いることができる。

図１６には、メモリ素子の電圧−電流特性を示す。初期状態：Ａでのメモリ素子には、一定の電圧（Ｖ_B）以上を印加しなければ電流は流れない。これに対して短絡状態：Ｂでは、メモリ素子にはわずかな電圧（Ｖ_A：Ｖ_B＞Ｖ_A）を印加するだけで電流が流れる。この電圧値の違いに基づき、「０」又は「１」の情報を提供することができる。なお、電圧Ｖ_A及び電圧Ｖ_Bは、メモリ素子に接続された薄膜トランジスタの電圧？電流特性：Ｃと、初期状態Ａ及び短絡状態とのそれぞれの交点における電圧値である。制御回路によって、この電圧値を読み出すことにより「０」又は「１」の情報を提供することができる。

このような「０」又は「１」の情報は、書き込み回路によって書き込まれ、読み出し回路によって読み出される。読み出された情報は、リーダ／ライタ装置によって、コンピュータに出力くされる。当該情報をデータベース化し、権利者、製造者、設計者、販売者等が通信ネットワークを介してアクセスすることができる。

このような本発明のメモリ素子は、追記型であって、書き換え不可能とすることができ、販売、購入までに多くの拠点を経由しても、記録されたデータは改ざんされ難く好ましい。

（実施の形態１２）
本発明の表示装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図１５を参照して説明する。

図１５（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２には、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、設計者、製造者、又は販売者によってメモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことができる。そして、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができる携帯情報端末機の管理方法、及び許諾を受けた携帯情報端末機の流通管理システムを提供することができる。

図１５（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１には、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、設計者、製造者、又は販売者によってメモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことができる。そして、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができるデジタルビデオカメラの管理方法、及び許諾を受けたデジタルビデオカメラの流通管理システムを提供することができる。

図１５（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。表示部９１０２には、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、その結果、設計者、製造者、又は販売者によってメモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことができる。そして、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができる携帯電話機の管理方法、及び許諾を受けた携帯電話機の流通管理システムを提供することができる。

図１５（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２には、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、設計者、製造者、又は販売者によってメモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことができる。そして、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができる携帯型のテレビジョン装置の管理方法、及び許諾を受けた携帯型のテレビジョン装置の流通管理システムを提供することができる。
また携帯型のテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の表示装置を適用することができる。

図１５（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２には、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、設計者、製造者、又は販売者によってメモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことができる。そして、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができる携帯型のコンピュータの管理方法、及び許諾を受けた携帯型のコンピュータの流通管理システムを提供することができる。

図１５（Ｆ）に示すテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含んでいる。表示部９５０２には、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、設計者、製造者、又は販売者によってメモリ素子へ情報を書き込み、若しくは読み出すことができる。そして、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができるテレビジョン装置の管理方法、及び許諾を受けたテレビジョン装置の流通管理システムを提供することができる。

このような本発明により、権利者は当該情報に瞬時にアクセすることができ、製品の状況を把握することができる電子機器の管理方法を提供することができる。

本発明の製品の管理方法示した図である 本発明の製品の流通形態を示した図である 本発明の製品の流通形態を示した図である 本発明の製品の利用方法を示した図である 本発明の製品の利用方法を示した図である 本発明の製品の管理システム示した図である 本発明の表示装置を示した図である 本発明のメモリ素子を示した図である 本発明の表示装置の作製工程を示した図である 本発明の表示装置の作製工程を示した図である 本発明の表示装置を示した断面図である 本発明の表示装置の作製工程を示した図である 本発明の表示装置を示した断面図である 本発明の表示装置を示した断面図である 本発明の電子機器を示した図である 本発明のメモリ素子の電流−電圧特性を示したグラフである

Claims (22)

1. 表示装置の製造工程中又は製造後に、追記型メモリ装置を付与するステップと、
   前記表示装置に係る権利の許諾情報、製造情報、製造者識別情報のいずれか一又は複数の製品識別情報を、前記追記型メモリ装置に記録するステップと、
   前記製品識別情報を、前記表示装置の権利者に通知するステップと、
   を有することを特徴とする表示装置の管理方法。
2. 絶縁基板上に設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタに接続された、追記型メモリ装置と、を備えた表示装置の管理方法であって、
   前記表示装置の製造工程中又は製造後に、追記型メモリ装置を付与するステップと、
   前記表示装置に係る権利の許諾情報、製造情報、製造者識別情報のいずれか一又は複数の製品識別情報を、前記追記型メモリ装置に記録するステップと、
   前記製品識別情報を、前記表示装置の権利者に通知するステップと、
   を有することを特徴とする表示装置の管理方法。
3. 絶縁基板上に設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタに接続された、下部電極、絶縁物、及び上部電極を有するメモリ素子と、
   アンテナと、を備え、
   前記下部電極は、発光素子の第１の電極と同時に形成され、
   前記上部電極は、発光素子の第２の電極と同時に形成された表示装置の管理方法であって、
   前記表示装置の製造工程中又は製造後に、追記型メモリ装置を付与するステップと、
   前記表示装置に係る権利の許諾情報、製造情報、製造者識別情報のいずれか一又は複数の製品識別情報を、前記追記型メモリ装置に記録するステップと、
   前記製品識別情報を、前記表示装置の権利者に通知するステップと、
   を有することを特徴とする表示装置の管理方法。
4. 絶縁基板上に設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタに接続された、下部電極、絶縁物、及び上部電極を有するメモリ素子と、
   アンテナと、
   第１の電極、電界発光層、及び第２の電極を有する発光素子と、を備え、
   前記下部電極は、前記発光素子の第１の電極と同時に形成され、
   前記絶縁物は、前記発光素子の電界発光層と同時に形成され、
   前記上部電極は、前記発光素子の第２の電極と同時に形成された表示装置の管理方法であって、
   前記表示装置の製造工程中又は製造後に、追記型メモリ装置を付与するステップと、
   前記表示装置に係る権利の許諾情報、製造情報、製造者識別情報のいずれか一又は複数の製品識別情報を、前記追記型メモリ装置に記録するステップと、
   前記製品識別情報を、前記表示装置の権利者に通知するステップと、
   を有することを特徴とする表示装置の管理方法。
5. 請求項２乃至４のいずれか一において、
   前記トランジスタは、膜厚が０．２μｍ以下の半導体膜を有することを特徴とする表示装置の管理方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記追記型メモリ装置は、一対の電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を有し、電気的作用、光学的作用又は熱的作用によって、前記メモリ素子へ前記製品識別情報を書き込むことを特徴とする表示装置の管理方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記製品識別情報は、
   前記情報は前記表示装置を製造する製造者によってリーダ／ライタ装置を介して得られたことを特徴とする表示装置の管理方法。
8. 請求項７において、
   前記製造者は、ＴＦＴ基板まで形成する第１製造者と、表示装置を完成させる第２製造者を含むことを特徴とする表示装置の管理方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
   前記メモリ装置は、書き換え不可能となる構造を有するメモリ素子を備えたことを特徴とする表示装置の管理方法。
10. 産業財産権に関する権利を有する者に属する第１の情報処理装置と、
    実施許諾を受けた者に属する第２の情報処理装置と、
    を有し、
    前記第１の情報処理装置は、製品識別情報を発生させる情報処理手段と、前記実施許諾を受けた者から通知を受けた製品識別情報を記録する記録媒体と、を有し、
    前記第２の情報処理装置は、前記産業財産権に関する権利を有する者から前記製品識別情報を受信する手段と、前記製品識別情報を出荷前の製品に付された追記型メモリ装置に記録する手段と、前記製品に関する前記製品識別情報を、前記第１の情報処理装置に通知する手段と、
    を有すること
    を特徴とする流通管理システム。
11. 産業財産権に関する権利を有する者に属する第１の情報処理装置と、
    実施許諾を受けた者であって、製造する者に属する第２の情報処理装置と、
    販売する者に属する第３の情報処理装置と、を有し、
    前記第１の情報処理装置は、製品識別情報を発生させる情報処理手段と、前記実施許諾を受けた者から通知を受けた製品識別情報を記録する記録媒体と、を有し、
    前記第２の情報処理装置は、前記産業財産権に関する権利を有する者から前記製品識別情報を受信する手段と、前記製品識別情報を出荷前の製品に付された追記型メモリ装置に記録する手段と、前記製品に関する製品識別情報を、前記第１の情報処理装置に通知する手段と、を有し、
    前記第３の情報処理装置は、前記産業財産権に関する権利を有する者から前記製品識別情報を受信する手段と、前記製品識別情報を前記追記型メモリ装置に記録する手段と、前記製品に関する製品情報を前記第１又は第２の情報処理装置に通知する手段と、
    を有すること
    を特徴とする流通管理システム。
12. 請求項１０又は１１において、
    前記メモリ素子は、絶縁基板上に形成されたトランジスタに接続され、
    前記トランジスタは、膜厚が０．２μｍ以下の半導体膜を有することを特徴とする流通管理システム。
13. 請求項１０乃至１２のいずれか一において、前記追記型メモリ装置は、一対の電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を有し、電気的作用、光学的作用又は熱的作用によって、前記メモリ素子へ前記製品識別情報を書き込むことを特徴とする流通管理システム。
14. 請求項１０乃至１３のいずれか一において、
    前記メモリ素子は、流通過程において、追加された製品識別情報が記録されることを特徴とする流通管理システム。
15. 請求項１０乃至１４のいずれか一において、
    前記メモリ装置は、書き換え不可能となる構造を有するメモリ素子を備えたことを特徴とする流通管理システム。
    
16. 画素部と、追記型メモリ部と、を有し、
    前記追記型メモリ部は、一対の電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を有し、
    前記有機無機複合材料は、ガラス転移温度が、８０℃から３００℃であり、
    前記追記型メモリ部に記録された情報を非接触で読み取ることができる制御回路が備えられていること
    を特徴とする表示装置。
17. 画素部と、当該画素部と同一基板上に設けられた追記型メモリ部と、を有し、
    前記追記型メモリ部は、一対の電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を有し、
    前記有機無機複合材料は、ガラス転移温度が、８０℃から３００℃であり、
    前記追記型メモリ部に記録された情報を非接触で読み取ることができる制御回路が備えられていること
    を特徴とする表示装置。
18. 発光素子が設けられた画素部と、当該画素部と同一基板上に設けられた追記型メモリ部と、を有し、
    前記追記型メモリ部は、上部電極及び下部電極間に、有機無機複合材料を介在させたメモリ素子を有し、
    前記有機無機複合材料は、ガラス転移温度が、８０℃から３００℃であり、
    前記下部電極は前記発光素子の第１の電極と同一導電層からなり、
    前記上部電極は前記発光素子の第２の電極と同一導電層からなり、
    前記追記型メモリ部に記録された情報を非接触で読み取ることができる制御回路が備えられていること
    を特徴とする表示装置。
19. 請求項１６乃至１８のいずれか一において、
    前記有機無機複合材料は、
    ４、４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン、４，４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル、ポリビニルカルバゾール、フタロシアニン、銅フタロシアニン、バナジルフタロシアニンを有することを特徴とする表示装置。
20. 請求項１６乃至１９のいずれか一において、
    前記有機無機複合材料の膜厚は、５ｎｍから１００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
21. 請求項１６乃至２０のいずれか一において、
    前記メモリ素子に接続されたアンテナを有することを特徴とする表示装置。
22. 請求項１６乃至２１のいずれか一において、
    前記メモリ素子に接続された第１のトランジスタと、
    前記発光素子に接続された第２のトランジスタと、を有し、
    前記第１及び第２のトランジスタは、膜厚が０．２μｍ以下の半導体膜を有することを特徴とする表示装置。
    

Images