JP2006243825A - 案内方法及び案内システム - Google Patents

Abstract

【課題】 娯楽施設では、多くのアトラクションやレストランまでの道のりを把握するため、案内図等が設置されている。しかし初めて行く娯楽施設では、案内図を見ても目的地までの経路を把握することは難しく、現在地さえ分からなくなり、また目的地にたどり着いても非常に混雑していることが多くあった。そこで最新の混雑情報を考慮し得る案内図及びＩＣチップを用いた案内方法、及びそのシステムを提供することを課題とする
【解決手段】 本発明は、入場者にメモリ装置を有するＩＣチップを配布し、当該メモリ装置を有するＩＣチップと案内図とにより、娯楽施設内の経路を検索する案内方法、及びそのシステムを提供する。
【選択図】
図４

Description

本発明は、娯楽施設において現在地から目的地までの経路を提供することができる案内方法、及びそのシステムに関する。

遊園地やテーマパークといった広い敷地面を有する娯楽施設では、多くのアトラクションやレストランが設けられている。これらアトラクションまでの道のりを把握するため、案内図が設置され、また地図が配布される。しかし初めて行く娯楽施設では特に、案内図を見ても目的地までの経路を把握することは難しく、現在地さえ分からなくなることがある。またたどり着いたアトラクション等が、非常に混み合っていることが多くある。

また入場を希望するアトラクションやレストランは、広い敷地内に点在するため、最短距離を探すことが望まれるが難しく、目的地へたどり着くために不必要に歩き回ってしまうことがある。近距離にあるアトラクション等へ順序に入場することを望んでいても、位置関係を把握できず、効率的な経路を見つけることは難しかった。

また入場者は帰宅時間や娯楽施設の閉園時間等によって、滞在時間が限られることがあり、効率的に目的地を回ることが望まれている。

このような娯楽施設において、入場者に対して施設の利用を効率良く行うことを可能にしたナビゲーションシステムが提案されている（特許文献１参照）。
特開２００４−３１８３８２号公報

上記特許文献１では、表示部において施設マップを作成するか否かを確認し、施設マップを作成すると選択した場合は、登録したアトラクションの待ち時間情報を情報サーバーから取得し、施設情報管理部に登録している。このように施設マップを作成する場合のみサーバーから待ち時間情報を取得する形態では、待ち時間の最新情報を取得できるとは限らない。またアトラクションの待ち時間のグラフを作成する機能を有しているが、それは予想待ち時間を示すことしかできなかった。すなわち、リアルタイムで最新の情報、つまり混雑情報を考慮することができなかった。

そこで本発明は娯楽施設内で、最新の混雑情報を考慮し得る案内図及びＩＣチップを用いた案内方法、及びそのシステムを提供することを課題とする。

上記課題を鑑み本発明は、入場者にメモリ装置を有するＩＣチップを入場者が持ち歩きやすいような形態として配布し、当該メモリ装置を有するＩＣチップと案内図とにより、娯楽施設内の経路を検索する案内方法、及びそのシステムを特徴とする。案内図には、情報処理措置やリーダ／ライタ装置が設けられている。案内図とは、設置されている大型地図が挙げられるが、入場者が携帯することができる地図であってもよい。携帯することができる地図の場合、本発明は情報処理装置やリーダ／ライタ装置等を必要とするため、携帯情報端末（ＰＤＡ）や携帯電話機等を用いる。

また案内図には、目的地等を入力するための入力手段が設けられている。メモリ装置からの情報により、入場者の現在地を特定し、さらに案内図に設けられた情報処理装置は、目的地までの経路を提供する。このとき、複数の目的地を入力してもよく、その場合、案内図に設けられた情報処理装置は、各目的地の最新の混雑情報と合わせて経路を検索することができる。

このような情報処理装置は、情報を蓄積するためのデータベースを有し、当該情報に基づき経路を検索することができる。

本発明のＩＣチップはアンテナを実装することができ、案内図に備えられたリーダ／ライタ装置とメモリ装置とは無線で通信することができる。アンテナを実装していなくとも、アンテナと接続するための端子を有するＩＣチップであれば、リーダ／ライタ装置にＩＣカードを挿入することで情報のやり取りを行うことができる。

なお本発明のメモリ装置は、絶縁基板上に形成されているため、製造コストを抑えることができる。具体的なメモリ装置は、一メモリ素子として一対の電極に介在されたメモリ材料層を有する。アクティブ型であれば当該メモリ素子に接続されたトランジスタ、代表的には薄膜トランジスタを有する。

以下に、本発明の具体的な形態を示す。

本発明は楽施設において、メモリ装置を有するＩＣチップに初期情報を書き込むステップと、目的地において、メモリ装置に目的地情報を書き込むステップと、娯楽施設内の決められた場所に設置された案内図により、メモリ装置に書き込まれた情報を読み込むステップと、情報に基づき目的地までの経路を検索するステップと、を有することを特徴とする案内方法である。

別の形態の本発明は、娯楽施設において、メモリ装置を有するＩＣチップに初期情報を書き込むステップと、目的地において、メモリ装置に目的地情報を書き込むステップと、娯楽施設内の決められた場所に設置された案内図により、メモリ装置に書き込まれた情報を読み込むステップと、情報に基づき目的地までの経路を検索するステップと、経路を出力するステップと、を有することを特徴とする案内方法である。

別の形態の本発明は、娯楽施設において、入場者にメモリ装置を有するＩＣチップに初期情報を書き込むステップと、入場者の目的地において、メモリ装置に目的地情報を書き込むステップと、娯楽施設内の決められた場所に設置された案内図により、メモリ装置に書き込まれた情報を読み込むステップと、情報に基づき経路を検索するステップと、経路をメモリ装置に書き込むステップと、を有することを特徴とする案内方法である。

別の形態の本発明は、娯楽施設内を複数の領域に分けるステップと、娯楽施設への入場者の目的地が領域のいずれに該当するか判断するステップと、領域の最新の混雑情報を取得するステップと、目的地と混雑情報とに基づき、領域を回る順序を決定するステップと、順序に基づき領域内での目的地を回る順序を決定するステップと、を有することを特徴とする案内方法である。

また本発明は、案内図に設置された第１の情報処理装置、及び情報入力手段と、目的地に設置された第２の情報処理装置と、を有し、第１の情報処理装置は、追記型メモリ装置を有するＩＣチップへ、案内情報を書き込み、且つ追記型メモリ装置に書き込まれた情報を読み出す手段と、情報入力手段から入力された情報、案内情報、及び追記型メモリ装置に書き込まれた情報に基づき経路を検索する手段と、第２の情報処理装置へ、通信ネットワークを介して情報を送受信する手段とを有し、第２の情報処理装置は、第１の情報処理装置へ、通信ネットワークを介して情報を送受信する手段とを有することを特徴とする案内システムである。

別の形態の本発明は、案内図に設置された第１の情報処理装置、及び情報入力手段と、目的地に設置された第２の情報処理装置と、を有し、第１の情報処理装置は、追記型メモリ装置を有するＩＣチップへ、案内情報を書き込み、且つ追記型メモリ装置に書き込まれた情報を読み出す手段と、情報入力手段から入力された情報、案内情報、及び追記型メモリ装置に書き込まれた情報に基づき経路を検索する手段と、第２の情報処理装置へ、通信ネットワークを介して情報を送受信する手段とを有し、第２の情報処理装置は、追記型メモリ装置を有するＩＣチップへ、目的地情報を書き込み、且つ追記型メモリ装置に書き込まれた情報を読み出す手段と、第１の情報処理装置へ、通信ネットワークを介して情報を送受信する手段とを有することを特徴とする案内システムである。

本発明によると、娯楽施設内において経路を簡便に検索することができる案内システムを提供することができる。さらに本発明の案内システムにより、最新の混雑情報を考慮した経路を取得することができる。その結果、入場者の待ち時間が減り、娯楽施設側にとっても効率的に入場者の出入りが行われるため好ましい。

またさらに本発明のメモリ装置は、絶縁基板上に形成しおり、さらにメモリ素子と駆動回路とを一体形成することができるため、価格を抑えたＩＣチップを提供することができる。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

また以下に示す実施の形態では、娯楽施設として遊園地を用いて説明するが、これ以外に美術館、展示会場、動物園、複合ショッピングセンタであってもよい。案内図は、娯楽施設によって適宜変更すればよく、本発明の案内方法及びそのシステムによって現在地から目的地までの経路を提供することができる。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の案内方法に用いるメモリ装置に入力される情報について説明する。

まず、入場者にメモリ装置１００を有するＩＣチップ１０１を配布する。ＩＣチップ１０１は、入場者が携帯しやすいように腕に巻く形態、首にかける形態等となって配布される。なお、入場券にＩＣチップ１０１が組み込まれていてもよい。

本発明のメモリ装置１００は、メモリ素子及び当該メモリ素子１０２を制御するための制御回路１０３が設けられている。詳細な形態は、以下の実施の形態で説明する。

図１（Ａ）に示すように、入場時において、メモリ装置１００には初期情報が入力されている。初期情報とは、娯楽施設側が固定情報として入力する来場日時、入場者識別番号、天気等が挙げられる。来場日時や天気は、入場券を発行する毎にメモリ装置へ入力していけばよい。また入場者識別番号とは、数字、文字、又は図形の組み合わせによって構成することができる。入場者の氏名等を入力する必要がないため、娯楽施設側へは個人情報を提供する必要がない。勿論、娯楽施設が入場者の個人情報を必要とする場合には、入場者に確認の上、メモリ装置１００へ入力することができる。

またメモリ装置１００に、入場者による情報の入力を行うこともできる。当該情報の入力は、入場者の任意によって行えばよい。例えば、入場者同士で入場者識別情報をグループ化する要否、目的地情報等を入力する。入場者識別情報をグループ化すると、迷子になったとき、センター等の中央管理室において、お互いの現在地を確認することができる。さらにグループ化することによって、レストラン等での座席を確保や予約を効率的に行うことができる。

また目的地情報を入力することで、目的地の最新の混雑情報、現在地から目的地までの経路の情報を得ることができる。

このような入場者による情報の入力は、入場口付近に設けられた情報処理装置（代表的にはコンピュータ）、当該情報処理装置に接続されたリーダ／ライタ装置によってメモリ装置１００へ入力することができる。そして入力された情報を読むための表示装置が、情報処理装置には接続されている。加えて当該情報を入力するための手段（情報入力手段）が情報処理装置に接続されている。情報処理入力手段とは、例えば表示装置に搭載されたタッチパネルを用いることができる。入場者は、表示装置に表示された情報のうち、希望する情報のボタンを押し、情報処理装置及びリーダ／ライタ装置を介して、メモリ装置１００へ当該情報を入力することができる。

また娯楽施設側から入場者へ提供する情報（割引券やおすすめ情報）を、メモリ装置１００へ入力してもよい。上記タッチパネルを用いて、希望する情報のボタンを押し、情報処理装置及びリーダ／ライタ装置を介して、メモリ装置１００へ当該情報を入力することができる。

このような情報処理装置、リーダ／ライタ装置、表示装置は、発券機にも搭載することができる。

次に図１（Ｂ）に示すように、目的地におけるメモリ装置１００への情報の入力について説明する。

目的地には、情報処理装置、及び当該情報処理装置に接続されたリーダ／ライタ装置が配置されている。入場者は、目的地を使用するにあたり、ＩＣチップ１０１を当該リーダ／ライタ装置にかざし、目的地情報をメモリ装置１００へ入力する。目的地情報は、目的地に付与されている番号（目的地識別番号）、利用開始時間、終了予定時間、利用回数等である。目的地識別番号は、数字、文字、又は図形の組み合わせによって構成することができる。これらは目的地の固定情報として入力することができる。

また目的地からの情報を読むことを可能にするため、上記情報処理装置には表示装置が接続されているとよい。

表示装置によって、入場時と同様に娯楽施設側から入場者へ提供する情報を知ることができ、なおかつメモリ装置１００へ入力することができる。

さらに表示装置にタッチパネル等の情報入力手段を搭載することによって、目的地においても、情報を入力することができる。

また表示装置にＩＣチップに入力された割引券を表示させてもよい。

次に図１（Ｃ）に示すように、案内図におけるメモリ装置１００への情報入力について説明する。

目的地を経由してきたメモリ装置１００には、初期情報及び目的地情報が入力されている。これら情報に基づいて、案内図において、現在地から、入場者が目的地までの経路を検索し、決定する。

そのため、案内図には、情報処理装置、及び当該情報処理装置に接続されたリーダ／ライタ装置が設置されており、経路は案内図上に表示される。このような経路等の案内情報をメモリ装置へ入力することができる。

勿論、メモリ装置にはアトラクション等に必要とされる料金を予めチャージしておくこともできる。その結果、従業員の手間を省き人員を削減することもできる。また従業員によるミスを低減することができる。

図７には、案内図として娯楽施設に設置されている大型地図の具体例を示す。案内図２００には、情報処理装置２０１、及び当該情報処理装置に接続されたリーダ／ライタ装置２０２、及びタッチパネルが搭載された表示装置２０３が設置されている。情報処理装置２０１は、案内図２００と離れた場所に設けられていてもよい。但し、リーダ／ライタ装置２０２や、タッチパネルが搭載された表示装置２０３は案内図２００の近くであって、入場者が案内図２００を確認しながら操作できる場所に配置する。

案内図２００には、娯楽施設の地図、及びすべてのレストランやアトラクションの入り口が掲載されている。この入り口うち目的地となる箇所、加えて現在地は点滅するようになっているとよい。例えば入場者が、リーダ／ライタ装置２０２にＩＣチップをかざすと、情報処理装置２０１によって演算処理が行われ、案内図２００中において現在地が点滅する。そして、入場者がタッチパネルのボタンを押すことにより、目的地を選択する。このとき、目的地が複数箇所となってもよい。すると、目的地の入り口位置が点滅する。

この状態で経路を検索しても構わないが、効率よく回るため最新の混雑情報を把握するとよい。例えば、図１（Ｂ）で示したように目的地となるレストランやアトラクションでは入場者がＩＣチップをリーダ／ライタ装置にかざすため、入場者数等の最新の混雑情報を情報処理装置によって集計し、把握することができる。最新の混雑情報は、通信ネットワークを介して、案内図２００が有する情報処理装置２０１に送信され、結果として案内図２００中に表示することができる。このような混雑情報は、入場者に認識しやすくするため、図形などの数によって表されるとよい。

その後、情報処理装置２０１において、最新の混雑情報、目的地の分布に基づき、経路を検索し、入場者へ提供することができる。このとき入場者は、帰宅予定時間や目的地の優先順位等を入力することができ、より好適な経路を検索することもできる。経路は複数提供することができ、入場者は選択することができる。

図７における案内図２００では、現在地、目的地（１から６）、当該目的地の最新の混雑情報が表示されており、さらに入場者によって選択された経路が表示されている。

入場者は、経路をリーダ／ライタ装置２０２を用いて、メモリ装置１００へ入力することができる。また経路は、情報処理装置２０１に接続された印刷手段によって出力することができる。メモリ装置１００へ経路を入力することによって、目的地近くに備えられた案内図を利用して、再度経路の確認を行うことができる。

退園時入場者は、ＩＣチップ１０１を持ち帰ってもよい。その場合、次回娯楽施設を利用するとき、蓄積された情報を利用することができる。勿論、娯楽施設を退場時、娯楽施設側によってＩＣチップ１０１を回収しても構わない。

このようなメモリ装置１００に本発明の追記型のメモリ装置を用いることによって、入力された情報は書き換えられることがなく、既に使用したレストランやアトラクション情報が書き換えられることはないため好ましい。

すなわち本発明は、上記したように現在地から目的地までの経路を提供するための案内方法及び案内システムであり、本効果を奏する限りメモリ装置の仕様や構造には限定されない。

そのため、メモリ装置及びアンテナが実装されたＩＣチップ、所謂非接触型ＩＣチップであっても、メモリ装置及びアンテナに接続する端子が実装されたＩＣチップ、所謂接触型ＩＣチップであっても、これらを合わせたハイブリッド型ＩＣチップであってもよい。

このように本発明は、娯楽施設において現在地から目的地までの経路を検索する案内方法及び案内システムを提供することができる。その結果、娯楽施設内を効率的に回ることができる。

さらに本発明のメモリ装置を用いた案内方法及びそのシステムにより、最新の混雑情報を考慮した経路を取得することができる。その結果、入場者の待ち時間が減り、娯楽施設側にとっても効率的に入場者の出入りが行われるため好ましい。

また本発明のメモリ装置は絶縁基板上に作製され、制御回路を一体形成することができるため、製造コストを低くすることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、案内図における経路検索の流れを、フローチャートを用いて説明する。

まず入場者が、案内図２００に設けられたリーダ／ライタ装置２０２に、ＩＣチップ１０１をかざす。すると、図２に示すように情報処理装置２０１を利用して現在地を特定することができる。これを第１ステップ（Ｓ０１）と呼ぶ。

次に、入場者は、タッチパネル等が搭載された表示装置２０３から目的地を入力する。これを第２ステップ（Ｓ０２）と呼ぶ。このとき目的地は複数箇所であってもよい。また入力しやすいように、表示装置２０３には案内図と同様の地図が表示されているとよい。

次に、目的地の最新の混雑情報を取得する。これを第３ステップ（Ｓ０３）と呼ぶ。目的地の混雑情報は、当該目的地に設けられた情報処理装置を用いて、通信ネットワークを介して、案内図２００に設けられた情報処理装置２０１が取得する。そのため、最新の混雑情報を得ることができる。そして当該混雑情報を入場者が把握するために案内図２００へ表示してもよい。このとき、目的地の混雑情報を知った入場者は、目的地を削除してもよい。

その後入場者は、既に入場した場所がある場合、当該場所を入力する。これを第４ステップ（Ｓ０４）と呼ぶ。このように既に入場した場所がある場合、当該場所を経路の検索対象から削除することにより、効率的に検索を行うことができうる。勿論、再度入場したい場合は、削除する必要がない。

次いで案内図２００に設けられた情報処理装置２０１は、現在地及び目的地の経路を検索し、結果を表示装置２０３へ表示する。これを第５ステップ（Ｓ０５）と呼ぶ。このとき、複数の検索結果を表示してもよい。

そして入場者が経路を選択する。例えば、タッチパネルを用いて表示装置２０３のボタンを押して選択することができる。これを第６ステップ（Ｓ０６）と呼ぶ。

その後入場者が、選択された経路図の要否を確認する。これを第７ステップ（Ｓ０７）と呼ぶ。経路図は、ＩＣチップ１０１に入力しても、情報処理装置２０１に接続された印刷手段から出力してもよい。このようにして、入場者は経路図を取得する。

このようにして案内図における経路検索が終了する。

図３には、図２と異なるフローチャートを示す。異なる点は、既に入場した場所を、入場者によって入力することなく、ＩＣチップ１０１に入力された情報を用いて把握する点である。

まず図２と同様に、入場者が、案内図２００に設けられたリーダ／ライタ装置２０２に、ＩＣチップ１０１をかざす。すると図３に示すように、ＩＣチップ１０１から情報処理装置２０１を利用して現在地及び入場者を特定することができる。これを第１ステップ（Ｓ１１）と呼ぶ。なお入場者の特定は、ＩＣチップ１０１に入力された入場者識別番号によって行うことができる。

次に、入場者を特定できたことに伴い、当該入場者の既に入場した場所を特定することができる。これを第２ステップ（Ｓ１２）と呼ぶ。なお特定された入場者が既に入場した場所は、当該場所の情報処理装置から入場したという情報を得ることができる。そして、当該入場したという情報は通信ネットワークを介して、案内図２００に設けられた情報処理装置２０１によって取得することができる。このように、ＩＣチップ１０１に入力された入場者識別番号により既に入場した場所を特定できるため、入場者は当該場所を直接入力する手間を省くことができる。また既に入場した場所は、案内図から削除することができる。このように既に入場した場所を経路の検索から削除することにより、効率的な検索を行うことができうる。

次に図２と同様に、入場者は、タッチパネル等が搭載された表示装置２０３から目的地を入力する。これを第３ステップ（Ｓ１３）と呼ぶ。このとき目的地は複数箇所であってもよい。また入力しやすいように、表示装置２０３には案内図と同様の地図が表示されているとよい。

次に図２と同様に、目的地の最新の混雑情報を取得する。これを第４ステップ（Ｓ１４）と呼ぶ。

次に図２と同様に、案内図２００に設けられた情報処理装置２０１は、現在地及び目的地の経路を検索し、結果を表示装置２０３へ表示する。これを第５ステップ（Ｓ１５）と呼ぶ。

そして図２と同様に、入場者が経路を選択する。例えば、タッチパネルを用いて表示装置２０３のボタンを押して選択することができる。これを第６ステップ（Ｓ１６）と呼ぶ。

その後図２と同様に、入場者が選択された経路図の要否を確認する。これを第７ステップ（Ｓ１７）と呼ぶ。経路図は、ＩＣチップ１０１に入力しても、情報処理装置２０１に接続された印刷手段から出力してもよい。このようにして、入場者は経路図を取得する。

このようにして案内図における経路検索が終了する。

なお本実施の形態におけるステップの順序はこれに限定されるものではなく、ステップの番号にも限定されない。すなわち本発明は、現在地から目的地までの経路を提供するための案内方法及び案内システムであり、本効果を奏する限りステップの順序には限定されない。

さらに本発明の案内方法により、最新の混雑情報を考慮した経路を取得することができる。その結果、入場者の待ち時間が減り、娯楽施設側にとっても効率的に入場者の出入りが行われるため好ましい。

（実施の形態３）
本実施の形態では、複数の案内図Ａ及びＢと、目的地ＡからＣとを有する案内システムについて説明する。

図４に示すように案内図Ａ及びＢにはそれぞれ、情報処理装置、及びリーダ／ライタ装置が設置されている。情報処理装置は、リーダ／ライタ装置のインターフェース部、これと情報のやり取りを行、演算処理を行う情報処理部、情報処理部によって演算処理等された情報を蓄積するデータベース、情報の送受信を行う送受信部を有する。

また目的地ＡからＣにはそれぞれ、情報処理装置が設けられており、情報処理装置は演算処理を行う情報処理部、情報処理部によって演算処理等された情報を蓄積するデータベース、情報の送受信を行う送受信部を有する。

各情報処理装置は、通信ネットワークを介して情報のやり取りを行うことができる。通信ネットワークとして、インターネットシステムや電子メールシステムを利用することができる。

例えば、既に目的地Ａ及びＢに入場した入場者が、案内図Ａが有するリーダ／ライタ装置にＩＣチップをかざす場合を説明する。ＩＣチップをかざすと、案内図Ａのリーダ／ライタインタフェース部を介して、情報処理部に入場者認識番号が入力される。このとき、案内図Ａが設けられている位置を現在地として表示させることができる。そして、案内図Ａの送受信部により、当該入場者認識番号を各目的地の情報処理装置へ送信する。入場者認識番号を受信した各目的地の情報処理装置では、当該入場者認識番号と一致する番号があるか否かを判定する。目的地ＡからＣの情報処理装置では、入場者認識番号が一致する。このように入場した入場者識別番号は、各目的地が有するデータベースに蓄積されている。なお入場者識別番号をＩＣチップから得るため、図５に示すように各目的地において、リーダ／ライタ装置が設置され、情報処理装置はリーダ／ライタ装置のインターフェース部を有する。その結果、入場者等が直接入力する手間を省くことができる。

そして一致した結果を送受信部により、案内図Ａの情報処理装置へ送信する。その結果、案内図Ａにおいて、入場者が既に入場した目的地Ａ及びＢを特定することができる。

その後、図２及び図３に示したようなステップを行い、現在地から目的地までの経路を検索し、決定することができる。そして入場者は、経路をＩＣチップへ入力等し、経路図を取得することができる。

このように娯楽施設において、入場者や現在地の特定、現在地から目的地までの経路の検索を可能とする案内システムを提供することができる。さらに経路の決定に際し、目的地の最新混雑情報を考慮することができる。

なお本発明は、現在地から目的地までの経路を提供するための案内方法及び案内システムであり、本効果を奏する限り案内図及び目的地の数は限定されない。また情報の送受信の方法やデータベースの保存先等にも限定されない。例えば本実施の形態において、データベースはコンピュータのハードウェアが有する形態を説明したが、サーバーやホストコンピュータが有していてもよい。すなわち本発明は、データベースの保存先には限定されるものではない。

（実施の形態４）
本実施の形態では、案合図に設けられたリーダ／ライタ装置の構成と合わせてＩＣチップの構成を示す。

図６に示すＩＣチップ６０１はアンテナ及び共振容量を有する共振回路６０２、電源回路６０３、クロック発生回路６０４、復調回路６０５、制御回路６０６、メモリ装置６０７、符号化回路６０８、変調回路６０９を有する。なおＩＣチップ６０１は、上記構成に制限されず、中央処理演算装置（ＣＰＵ）、輻輳制御回路等を有してもよい。またＩＣチップ６０１は、アンテナを有する構成に限定されず、アンテナを接続する端子のみを有してもよい。この場合、ＩＣチップに情報の送受信を行うとき、別途設けられたアンテナを配線に接続して使用する、所謂接触型ＩＣチップとなる。

ＩＣチップ６０１は、アンテナを有する共振回路６０２によって、リーダライタ装置６１０より発せられる電磁波から電力供給を受け、リーダライタ装置６１０と無線で情報の送受信を行うことができる。リーダライタ装置６１０はインターフェース部６１１を介して情報処理装置６１２と接続され、当該情報処理装置６１２の制御のもとにＩＣチップ６０１への電力供給を行ったり、情報の送受信を行うことができる。

共振回路６０２はリーダライタ装置６１０より発せられる電磁波を受信し、誘導電圧を発生させる機能を有する。この誘導電圧はＩＣチップ６０１の電力になるほか、リーダライタ装置６１０から送信される情報を含んでいる。電源回路６０３は共振回路６０２に発生した誘導電圧をダイオードで整流し、容量を用いて安定化し、各回路へ供給する機能を有する。クロック発生回路６０４は共振回路６０２に発生した誘導電圧を基に、必要な周波数のクロック信号を生成する機能を有する。復調回路６０５は共振回路６０２に発生した誘導電圧からデータを復調する機能を有する。制御回路６０６はメモリ装置６０７を制御する機能を有する。そのため、制御回路６０６はメモリ制御信号の生成のほか、リーダライタ装置６１０からのデータを読み込む情報判定回路等を含む。符号化回路６０８はメモリ装置６０７が有するデータを符号化信号に変換する。変調回路６０９は符号化信号を基に搬送波を変調する機能を有する。

本実施の形態はＩＣチップ６０１がリーダライタ装置６１０から電力供給を受ける例を示したが、本発明はこの形態に限定されない。例えば、ＩＣチップ６０１は内部に電池等を有し、当該電池により電力供給を受け、リーダライタ装置と無線で情報の送受信を行うことも可能である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、情報処理装置によって経路を決定する手順について説明する。

図１２（Ａ）に示すように、娯楽施設内を複数の領域に区分けする。これを第１ステップと呼ぶ。このとき、一領域が有するアトラクション等の数が均等になるようにするとよく、例えばＡからＦの領域に区分けする。

その後図１２（Ｂ）に示すように、入場者が入力した目的地はどの領域に該当するか判断し、分布をとる。これを第２ステップと呼ぶ。例えば領域Ａでは１つ（ａ1）、領域Ｂでは２つ（ｂ１、ｂ２）、領域Ｃ及び領域Ｄはなし、領域Ｅでは３つ（ｅ１、ｅ２、ｅ３）、領域Ｆでは１つ（ｆ１）であったとする。

さらに図１２（Ｃ）に示すように、各領域ＡからＦの最新の混雑情報を取得する。これを第３ステップと呼ぶ。当該混雑情報は、各目的地に配置された情報処理装置から通信ネットワークを介して得ることができる。そのため、領域ＡからＦにおける最新の混雑情報を取得することができる。

図１２（Ｄ）に示すように、得られた混雑情報と、目的地数は、領域ＡからＦ毎に統計を取り、数値化する。この数値に基づき、各領域を回る順序を決定する。これを第４ステップと呼ぶ。

なお混雑回避を優先したい場合など、入場者の希望に応じて、数値を変化させてもよい。例えば、入場者が混雑回避の優先度を高める場合、図１２（Ｄ）に示すように、数値化された混雑情報の倍数や乗数をとればよい。そして、これら数値に基づいて、各領域を回る順序を決定することができる。図１２（Ｄ）では、領域Ｆ、領域Ｅ、領域Ａ、領域Ｂの順に回ると決定することができる。

その後図１２（Ｅ）に示すように、上記順序に基づき、領域内において回る目的地の順序を決定する。これを第５ステップと呼ぶ。そして、情報処理装置によって、当該順序となる経路が検索される。例えば、領域Ｅはその前に領域Ｆ、その後に領域Ａを回ることが決定しているため、領域Ｅのうち領域Ｆに近い目的地を先に、領域Ａに近い目的地が後にくるように順序を決定する。

最後に、決定された順序を満たすような経路を検索し、入場者に提供する。

このような演算処理を情報処理部で行うことによって、入場者に経路を提供することができる。

さらに本発明の案内システムに及びその方法より、最新の混雑情報を考慮した経路を取得することができる。その結果、入場者の待ち時間が減り、娯楽施設側にとっても効率的に入場者の出入りが行われるため好ましい。

（実施の形態６）
本実施の形態では、メモリ装置、及びその動作方法について説明する。

図８に示すように、メモリ装置６０７はメモリ素子が形成されたメモリセルアレイ５０６及び制御回路を有する。制御回路は、カラムデコーダ５０１、ローデコーダ５０２、読み出し回路５０４、書き込み回路５０５、セレクタ５０３を有する。

メモリセルアレイ５０６はビット線Ｂｘ（ｍ＝１〜ｘ）、ワード線Ｗｙ（ｎ＝１〜ｙ）、ビット線とワード線とそれぞれの交点にメモリセル５０７を有する。なお、メモリセル５０７はトランジスタが接続されたアクティブ型であっても当該トランジスタのないパッシブ型であってもよい。またビット線Ｂｘはセレクタ５０３により制御され、ワード線Ｗｙはローデコーダ５０２により制御される。

カラムデコーダ５０１は、任意のビット線を指定するアドレス信号を受けて、セレクタ５０３に信号を与える。セレクタ５０３は、カラムデコーダ５０１の信号を受けて指定のビット線を選択する。ローデコーダ５０２は、任意のワード線を指定するアドレス信号を受けて、指定のワード線を選択する。上記動作によりアドレス信号に対応する一つのメモリセル５０７が選択される。読み出し回路５０４は選択されたメモリセルが有するデータを読み出し、好ましくは増幅して出力する。書き込み回路５０５は書き込みに必要な電圧を生成し、選択されたメモリセルに電圧を印加することで、データの書き込みを行う。

本発明は、このような制御回路を有するメモリ装置６０７を案内システム及びその方法に用いることができる。

次に、メモリセル５０７の等価回路を説明する。図１０（Ａ）に示すように、アクティブ型のメモリセルは、トランジスタ６２１とメモリ素子６２２とを有する。トランジスタ６２１は、薄膜トランジスタを適用することができる。トランジスタ６２１はゲート電極がワード線Ｗｙに接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方がビット線Ｂｘに接続され、他方がメモリ素子６２２と接続している。メモリ素子６２２は、下部電極、メモリ材料層、上部電極を有し、トランジスタ６２１のソース電極及びドレイン電極の一方と、メモリ素子６２２の下部電極とは、電気的に接続している。またメモリ素子６２２の上部電極（６２３に相当）は、各メモリ素子で共有することができる。共有する場合、メモリ装置の書き込み時、読み出し時には、全セルの上部電極に同じ電圧が印加される。

また図１０（Ｂ）に示すように、メモリ素子６２２がダイオード６３１に接続された構成を用いてもよい。ダイオード６３１は、トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方と、ゲート電極とが接続された所謂ダイオード接続構造を採用することができる。またダイオード６３１として、メモリ材料層と下部電極とのコンタクトによるショットキーダイオードを用いたり、メモリ材料層間のコンタクトによるダイオード特性を利用することもできる。

メモリ材料層とは、上部電極及び下部電極と比較して導電率が低く、電気的作用、光学的作用又は熱的作用等により、その性質や状態が変化する材料を用いることができる。例えば、ジュール熱による溶融、絶縁破壊等により、その性質や状態が変化し、下部電極と、上部電極とが短絡することができる材料を用いればよい。そのためメモリ材料層は、厚さが５ｎｍから１００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍから６０ｎｍとするとよい。
このようなメモリ材料層は、無機材料又は有機材料を用いることができ、蒸着法、スピンコーティング法、液滴吐出法等により形成することができる。

無機材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素等がある。このような無機材料であっても、その膜厚を制御することによって、絶縁破壊を生じさせ、下部電極と上部電極とを短絡させることができる。

有機材料としては、例えば、４、４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物、ポリビニルカルバゾール（略称：ＰＶＫ）やフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物等を用いることができる。これら材料は、正孔輸送性の高い物質である。

このような有機材料は、熱的作用等によりその性質を変化させるため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃から３００℃、好ましくは８０℃から１２０℃であるとよい。

また、他にも有機材料として、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ₃）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる材料や、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）₂）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）₂）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料も用いることができる。これら材料は、電子輸送性が高い物質である。

さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等の化合物等を用いることができる。

またメモリ材料層は単層構造であっても、積層構造であってもよい。積層構造の場合、上記材料から選び、積層構造することができる。また上記有機材料と、発光材料とを積層してもよい。発光材料として、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）等がある。

また、上記発光材料を分散してなる層を用いてもよい。発光材料分散してなる層において、母体となる材料としては、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ₂）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等を用いることができる。

また、有機材料や発光材料に金属酸化物を混在させた材料を用いてもよい。なお金属酸化物を混在させた材料とは、上記有機材料又は発酵材料と、金属酸化物とが混合した状態、又は積層された状態を含む。具体的には複数の蒸着源を用いた共蒸着法により形成された状態を指す。このような材料を有機無機複合材料と呼ぶことができる。

例えば正孔輸送性の高い物質と、金属酸化物を混在させる場合、当該金属酸化物にはバナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物を用いると好ましい。

また電子輸送性の高い物質と、金属酸化物を混在させる場合、当該金属酸化物にはリチウム酸化物、カルシウム酸化物、ナトリウム酸化物、カリウム酸化物、マグネシウム酸化物を用いると好ましい。

メモリ材料層には、電気的作用、光学的作用又は熱的作用により、その性質が変化する材料を用いればよいため、例えば光を吸収することによって酸を発生する化合物（光酸発生剤）をドープした共役高分子を用いることもできる。共役高分子として、ポリアセチレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリフェニレンエチニレン類等を用いることができる。また、光酸発生剤としては、アリールスルホニウム塩、アリールヨードニウム塩、ｏ−ニトロベンジルトシレート、アリールスルホン酸ｐ−ニトロベンジルエステル、スルホニルアセトフェノン類、Ｆｅ−アレン錯体ＰＦ６塩等を用いることができる。

次に、図１０（Ａ）に示したようなアクティブ型のメモリセル５０７にデータの書き込みを行うときの動作について説明する。なお本実施の形態では、初期状態を「０」、電気的作用等によって、メモリ材料層を破壊し上部電極及び下部電極を短絡させた状態を「１」とする。

この場合、カラムデコーダ５０１、ローデコーダ５０２、セレクタ５０３により、ｍ列目のビット線Ｂｍと、ｎ行目のワード線Ｗｎが選択され、ｍ列目ｎ行目のメモリセル５０７に含まれるトランジスタ６２１がオンとなる。

続いて、書き込み回路５０５により、ｍ列目のビット線Ｂｍに、所定の電圧が印加される。ここで印加する電圧は、メモリ素子６２２の両電極が短絡する程度の電圧値であり、通常よりも高い電圧が印加される。ｍ列目のビット線Ｂｍに印加された電圧は、メモリ素子６２２の下部電極に伝達され、上部電極との間には電位差が生じる。すると、メモリ素子６２２に大電流が流れ、メモリ材料層の状態に変化が生じ、部電極と上部電極６２３とが短絡する。このようにメモリ素子６２２へ電圧を印加し、「０」から「１」の状態へ変化させる。

上部電極と下部電極とを短絡させる方法は、透光性を有する上部電極から、メモリ材料層に対して、レーザ光を照射することにより行ってもよい。例えばメモリ材料層として、有機材料を用いた場合、レーザ光の照射により、メモリ材料層を酸化又は炭化させ絶縁化することができる。すると、レーザ光が照射されたメモリ素子６２２の抵抗値は増加し、レーザ光が照射されないメモリ素子６２２の抵抗値は変化しない。このようにして選択的にメモリ素子の状態を「０」から「１」へ変化させることができる。

また、光酸発生剤をドープした共役高分子材料を用いた場合、レーザ光の照射により、メモリ材料層に導電性を与えることができる。すると、レーザ光が照射されたメモリ素子６２２には導電性が与えられ、レーザ光が照射されないメモリ素子６２２には導電性が与えられない。このようにして選択的にメモリ素子の状態を「０」から「１」へ変化させることができる。

次に、データの読み出しを行う動作について説明する。図９に示すように読み出し回路５０４は、抵抗素子５５０とセンスアンプ５５１を有する。データの読み出しは、下部電極と上部電極の間に電圧を印加して、メモリ材料層の状態を読み取ることにより行う。具体的には、メモリ材料層の抵抗値を電気的に読み取ることにより、データの読み出しを行う。例えば、メモリセルアレイ５０６が含む複数のメモリ素子６２２から、ｍ列目ｎ行目のメモリ素子６２２のデータの読み出しを行う場合について説明する。まずカラムデコーダ５０１、ローデコーダ５０２、セレクタ５０３により、ｍ列目のビット線Ｂｍと、ｎ行目のワード線Ｗｎが選択される。すると、ｍ列目ｎ行目に配置されたメモリセル５０７が有するトランジスタ６２１がオン状態になり、メモリ素子６２２と、抵抗素子５５０とが直列に接続された状態となる。このとき、メモリ素子６２２は１つの抵抗素子としてみなすことができる。そのため、メモリ素子６２２と、抵抗素子５５０とは、直列に接続された２つの抵抗素子とみなされ、これの両端に電圧が印加されると、センスアンプ５５１のノードαの電位は、メモリ素子６２２の抵抗値に従って、抵抗分割された電位となる。

そして、ノードαの電位は、センスアンプ５５１に供給され、当該センスアンプ５５１において、「０」と「１」のどちらの情報を有しているかが判別される。その後、センスアンプ５５１において判別された「０」と「１」の情報を含む信号が、ＩＣチップが有する外部回路等に供給される。

上記の方法によると、メモリ素子６２２の抵抗値の相違と抵抗分割を利用して、電圧値で読み取っている。しかしながら、メモリ素子６２２が有する情報を、電流値により読み取ってもよい。

なお本発明の読み出し回路５０４は、上記構成に限定されず、メモリ素子が有する情報を読み出すことができればどのような構成を有していてもよい。

このような構成を有するメモリ素子は、「０」から「１」の状態へ変化させるため追記型となる。また「０」から「１」の状態へ変化は不可逆的であるため、書き換えが不可能なメモリ素子となる。

このようなメモリ素子６２２へ初期情報、目的地情報、案内情報等を書き込み、書き込まれた情報を読み出すことができる。

なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、メモリ装置の断面図について説明する。

図１１（Ａ）は、絶縁基板３１０上にメモリセル部３０１と制御回路部３０２とが一体形成されたメモリ素子の断面図を示す。絶縁基板３１０には、ガラス基板、石英基板、珪素からなる基板、金属基板等を用いることができる。

絶縁基板３１０上には下地膜３１１が設けられている。制御回路部３０２では下地膜３１１を介して薄膜トランジスタ３２０、３２１が設けられ、メモリセル部３０１には下地膜３１１を介して薄膜トランジスタ６２１が設けられている。各薄膜トランジスタは、島状にパターニングされた半導体膜３１２、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極３１４、ゲート電極側面に設けられた絶縁物（所謂サイドウォール）３１３、ゲート電極３１４が設けられている。半導体膜３１２は、膜厚が０．２μｍ以下、代表的には４０ｎｍ〜１７０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍとなるように形成する。さらに、サイドウォール３１３、及び半導体膜３１２を覆う絶縁膜３１６、半導体膜３１２に形成された不純物領域に接続する電極３１５を有する。なお電極３１５は不純物領域と接続するため、ゲート絶縁膜及び絶縁膜３１６にコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールに導電膜を形成し、当該導電膜をパターニングして形成することができる。

なお平坦性を高めるため、絶縁膜３１７、３１８が設けられているとよい。このとき絶縁膜３１７は有機材料から形成し、絶縁膜３１８は無機材料から形成するとよい。絶縁膜３１７、３１８が設けられている場合、電極３１５は、これら絶縁膜３１７、３１８にコンタクトホールを介して不純物領域と接続するように形成することができる。

さらに絶縁膜３２５が設けられ、電極３１５と接続するように下部電極３２７を形成する。下部電極３２７の端部を覆い、下部電極３２７が露出するように開口部が設けられた絶縁膜３２８を形成する。開口部内に、メモリ材料層３２９を形成し、上部電極３３０を形成する。このようにして、下部電極３２７、メモリ材料層３２９、上部電極３３０を有するメモリ素子６２２が形成される。メモリ材料層３２９は、有機材料又は無機材料から形成することができる。下部電極３２７又は上部電極３３０は、導電性材料から形成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜等から形成することができる。またインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム等の透光性材料を用いることができる。

さらに平坦性を高め、不純物元素の侵入を防止するため、絶縁膜３３１を形成するとよい。

本実施の形態で説明した絶縁膜は、無機材料又は有機材料を用いることができる。無機材料は、酸化珪素、窒化珪素を用いることができる。有機材料はポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合を含む樹脂であり、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されている。シロキサンが有する置換基には、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。また当該置換記にはフルオロ基を用いてもよい。またさらに、置換基として少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される。

図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）と異なり、電極３１５のコンタクトホール３５１内にメモリ材料層を形成したメモリ素子の断面図を示す。図１１（Ａ）と同様に、下部電極として電極３１５を用い、電極３１５上にメモリ材料層３２９、上部電極３３０を形成し、メモリ素子６２２を形成することができる。その後絶縁膜３３１を形成する。その他の構成は図１１（Ａ）と同様であるため、説明を省略する。

このようにコンタクトホール３５１にメモリ素子を形成すると、メモリ装置の小型化を図ることができる。またメモリ用の電極が不要となるため製造工程を削減し、低コスト化されたメモリ装置を提供することができる。

このように本発明の案内方法及びそのシステムに適用することができるメモリ装置は絶縁基板上に作製され、制御回路を一体形成することができるため、製造コストを低くすることができる。

本発明のメモリ装置の入力状態を示した図である 本発明の案内方法を示したフローチャートである 本発明の案内方法を示したフローチャートである 本発明の案内システムを示した図である 本発明の案内システムにおける情報処理装置を示した図である 本発明の案内システムにおける情報処理装置及びＩＣチップを示した図である 本発明の案内図を示した具体図である 本発明のメモリ装置を示した図である 本発明のメモリ装置の一部を示した図である 本発明のメモリセルを示した図である 本発明のメモリ装置を示した断面図である 本発明の案内方法を示したフローチャートである

Claims (13)

1. 娯楽施設において、メモリ装置を有するＩＣチップに初期情報を書き込むステップと、
   目的地において、前記メモリ装置に目的地情報を書き込むステップと、
   前記娯楽施設内の決められた場所に設置された案内図により、前記メモリ装置に書き込まれた情報を読み込むステップと、
   前記情報に基づき目的地までの経路を検索するステップと、
   を有することを特徴とする案内方法。
2. 娯楽施設において、メモリ装置を有するＩＣチップに初期情報を書き込むステップと、
   目的地において、前記メモリ装置に目的地情報を書き込むステップと、
   前記娯楽施設内の決められた場所に設置された案内図により、前記メモリ装置に書き込まれた情報を読み込むステップと、
   前記情報に基づき目的地までの経路を検索するステップと、
   前記経路を出力するステップと、
   を有することを特徴とする案内方法。
3. 娯楽施設において、入場者にメモリ装置を有するＩＣチップに初期情報を書き込むステップと、
   前記入場者の目的地において、前記メモリ装置に目的地情報を書き込むステップと、
   前記娯楽施設内の決められた場所に設置された案内図により、前記メモリ装置に書き込まれた情報を読み込むステップと、
   前記情報に基づき経路を検索するステップと、
   前記経路を前記メモリ装置に書き込むステップと、
   を有することを特徴とする案内方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記経路を検索するステップにおいて、前記目的地に設置された情報処理装置から当該目的地の混雑情報を得ることを特徴とする案内方法。
5. 娯楽施設内を複数の領域に分けるステップと、
   前記娯楽施設への入場者の目的地が前記領域のいずれに該当するか判断するステップと、
   前記領域の最新の混雑情報を取得するステップと、
   前記目的地と前記混雑情報とに基づき、前記領域を回る順序を決定するステップと、
   前記順序に基づき前記領域内での目的地を回る順序を決定するステップと、
   を有することを特徴とする案内方法。
6. 請求項５において
   前記領域を回る順序を決定するステップにおいて、
   前記入場者によって前記混雑情報に基づき混雑回避の優先度を高めることができることを特徴とする案内方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記メモリ装置は、メモリ素子と、前記メモリ素子に接続されたトランジスタとを有し、
   前記メモリ素子及び前記トランジスタは絶縁基板上に設けられた
   ことを特徴とする案内方法。
8. 案内図に設置された第１の情報処理装置、及び情報入力手段と、
   目的地に設置された第２の情報処理装置と、を有し、
   前記第１の情報処理装置は、追記型メモリ装置を有するＩＣチップへ、案内情報を書き込み、且つ前記追記型メモリ装置に書き込まれた情報を読み出す手段と、
   前記情報入力手段から入力された情報、前記案内情報、及び前記追記型メモリ装置に書き込まれた情報に基づき経路を検索する手段と、
   前記第２の情報処理装置へ、通信ネットワークを介して情報を送受信する手段とを有し、
   前記第２の情報処理装置は、
   前記第１の情報処理装置へ、通信ネットワークを介して情報を送受信する手段とを有する
   ことを特徴とする案内システム。
9. 案内図に設置された第１の情報処理装置、及び情報入力手段と、
   目的地に設置された第２の情報処理装置と、を有し、
   前記第１の情報処理装置は、追記型メモリ装置を有するＩＣチップへ、案内情報を書き込み、且つ前記追記型メモリ装置に書き込まれた情報を読み出す手段と、
   前記情報入力手段から入力された情報、前記案内情報、及び前記追記型メモリ装置に書き込まれた情報に基づき経路を検索する手段と、
   前記第２の情報処理装置へ、通信ネットワークを介して情報を送受信する手段とを有し、
   前記第２の情報処理装置は、
   前記追記型メモリ装置を有するＩＣチップへ、目的地情報を書き込み、且つ前記追記型メモリ装置に書き込まれた情報を読み出す手段と、
   前記第１の情報処理装置へ、通信ネットワークを介して情報を送受信する手段とを有する
   ことを特徴とする案内システム。
10. 請求項９又は１０において、
    前記メモリ素子は、絶縁基板上に形成されたトランジスタに接続され、
    前記トランジスタは、膜厚が０．２μｍ以下の半導体膜を有することを特徴とする案内システム。
11. 請求項９乃至１１のいずれか一において、
    前記追記型メモリ装置は、一対の電極間にメモリ材料層を介在させたメモリ素子を有し、電気的作用、光学的作用又は熱的作用によって、前記メモリ素子へ前記情報を書き込むことを特徴とする案内システム。
12. 請求項９乃至１２のいずれか一において、
    前記追記型メモリ装置は、書き換え不可能となる構造を有するメモリ素子を備えたことを特徴とする案内システム。
13. 請求項９乃至１３のいずれか一において、
    前記メモリ素子に接続されたアンテナを有することを特徴とする案内システム。

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