JP4783195B2 - 降圧コンバータ - Google Patents

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Description

本発明は、各種電子機器に直流電圧を供給する電源回路に関し、特にスイッチング方式の降圧型のDC−DCコンバータに関する。
近年、スイッチング方式の降圧型のDC−DCコンバータ(以下、降圧コンバータと称する。)は、高効率な電力変換特性から多くの電子機器の電源回路として用いられている。特に、携帯電話に代表される携帯機器においては、小型化が要望される反面、機器の高機能化に伴う大電力化の要望が強い。通常動作時には負荷に対して供給する電力が比較的小さくても、瞬時とも言える短時間だけ大電流を負荷に対して供給しなければならない場合もある。降圧コンバータにおいて電力変換を担う主要部品であるインダクタは、大電流において磁気飽和に至るとインダクタンスが急減する。このため、インダクタは限流素子として電流を制御できなくなり、スイッチ素子その他の部品はダメージを受けてしまう。一方、インダクタが大電流において磁気飽和を起こさないようにするためには、磁心の断面積を大きくしなければならず、インダクタは大型化する。
このような降圧コンバータに用いられるインダクタとして、例えば図4に示すインダクタが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。図4のインダクタに示すように、該インダクタでは、磁気飽和領域が高くて磁気飽和し難い材料によって構成された第1のコア61と、磁気飽和領域は低いが透磁率が大きい材料によって構成された第2のコア62とが並列されており、第1のコア61及び第2のコア62の上にコイル63が巻回された構成が開示されている。この構成により、インダクタに流れる電流が小さい場合にはインダクタの合成インダクタンスは大きな値となる一方、インダクタに流れる電流が大きい場合には第2のコア62は磁気飽和するものの、第1のコア61は磁気飽和せず、合成インダクタンスが小さくなる。
特開2000−58344号公報
ところで、上記の背景技術で説明したように、インダクタの構造によって大電流に対応する方法では、大電流時のインダクタンスが小さくなる。このため、インダクタに流れる電流の振幅が大きくなり、降圧コンバータの出力電圧に重畳されるリップル電圧が増大する。また、インダクタが大型化及び高価格化する。
前記に鑑み、本発明の目的は、磁気飽和させることなく、大電流を出力に供給できる降圧コンバータを提供することである。
前記の目的を達成するために、本発明の一側面に係る降圧コンバータは、入力端子からの入力電圧が供給されるスイッチと、スイッチに接続されたインダクタと、スイッチが開いているとき、インダクタに電流を流す整流手段と、インダクタの電流を平滑して出力端子への出力電圧を生成する平滑手段を有する降圧コンバータであって、インダクタに流れ込む電流が所定の値を超えると、入力端子から出力端子へインダクタを介さずに電流を流すパスを構成する電流バイパス回路を備えている。
本発明の一側面に係る降圧コンバータによると、インダクタに流れ込む電流が所定の値を超えると、入力端子から出力端子へインダクタを介さずに電流を流すパスが構成されるので、インダクタに流れ込む所定値を超える電流は、インダクタを介さずに入力端子から出力端子へ流れる。このため、インダクタを磁気飽和させることなく、大電流を出力端子に供給することができる。
本発明の一側面に係る降圧コンバータにおいて、電流バイパス回路は、一端がスイッチと入力端子との間に接続されていると共に、他端がインダクタと出力端子との間に接続されており、制御信号によって動作電流が制御されるトランジスタと、スイッチ又はインダクタに流れ込む電流を検出して電流検出信号を出力する電流検出回路と、電流検出信号の信号レベルが所定のレベルに到達すると、トランジスタの動作電流を増大させる制御信号を出力する制御回路とを備えていることが好ましい。この場合、トランジスタは、PMOSトランジスタであることがさらに好ましい。
本発明によると、インダクタに過大な電流が流れ込もうとすると、インダクタを介さずに入力端子から出力端子へ電流をバイパスするので、インダクタを磁気飽和させることなく、大電流を出力端子に供給することができる。
以下、本発明の各実施形態について図面を参照しながら説明する。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータについて説明する。
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータの回路構成を示している。
図1(a)に示すように、本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータは、直流入力電圧Viを供給する例えばバッテリーなどの直流入力電源1と、一端子が直流入力電源1に接続されるスイッチ2、カソードがスイッチの他端子に接続され、アノードが接地されるダイオード3(整流手段)と、一端がスイッチ2の他端子に接続され、スイッチ2のオン・オフ動作に応じて磁気エネルギーの蓄積と放出とを繰り返すインダクタ4と、インダクタ4の他端子に接続され、インダクタ4を流れる電流を平滑化して、インダクタ4の他端子に接続された図示していない負荷に出力直流電圧Voを供給する出力コンデンサ(平滑手段)5と、出力電圧Voが所定の目標値に安定化するように、スイッチ2の1スイッチング周期に占めるオン時間の割合を示すデューティ比δを調整した駆動信号をスイッチ2に出力することにより、スイッチ2を所定のスイッチング周波数でオン・オフする制御回路6とを備えている。
さらに、本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータは、入力端子から出力端子へインダクタ4を介さずに電流を流すパスを構成する電流バイパス回路7を備えている。ここで、電流バイパス回路7は、直流入力電源1とインダクタ4の他端子との間に接続されたPMOSトランジスタ11と、スイッチ2とインダクタ4の一端子との間に接続され、インダクタ4に流れ込む電流を検出する電流検出器12と、電流検出器12からの信号を受けて、PMOSトランジスタ11の動作電流を制御する駆動信号を出力する電流制御回路13とを備えている。
図1(b)は、本発明の第1の実施形態における電流バイパス回路7の具体的な回路構成図を示している。
図1(b)に示すように、電流バイパス回路7を構成する電流検出器12は、検出抵抗よりなり、電流バイパス回路7を構成する電流制御回路13は、比較器14と電圧Vsを供給する電圧源15とよりなり、比較器14からの駆動信号Vg11がPMOSトランジスタ11に出力される。
以下に、図1(a)及び(b)に示した回路構成を有する本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータの動作について説明する。
まず、スイッチ2がオン状態にあるとき、インダクタ4には、入力電圧と出力電圧との差電圧(Vi−Vo)が印加され、増加する電流が流れ込むことによってインダクタ4に磁気エネルギーが蓄積される。インダクタ4に流れ込む電流は、検出抵抗12によって検出電圧V12に変換される。そして、比較器14は、電圧源15が出力する所定電圧Vsと検出電圧V12とを比較して比較結果を出力する。
当該降圧コンバータが、出力電流Ioが過大ではない通常動作を行っている場合には、検出抵抗12によって変換された検出電圧V12は所定電圧Vsに到達しないので、比較器14からの出力はHレベルであり、トランジスタ11はオフ状態である。次に、スイッチ2がターンオフすると、インダクタ4の電圧は反転してダイオード3が導通する。インダクタ4には、スイッチ2がオン状態にある場合の方向とは逆方向に出力電圧Voが印加され、減少する電流が流れ込むことによって蓄積された磁気エネルギーが放出される。以上の動作を繰り返すことにより、スイッチ2及びインダクタ4を介して入力直流電源1から出力へ電力が供給される。なお、出力電圧Voは、デューティ比δ及び入力電圧Viを用いて、Vo=δ×Viで表され、出力電流Ioは、インダクタ4を流れる電流が出力コンデンサ5によって平滑化されるので、インダクタ4を流れる電流の平均値となる。
次に、何らかの原因で負荷が一時的に急増する場合の動作、つまり、出力電流Ioが増大する場合の動作について説明する。
図2は、出力電流Ioが増大する場合の動作波形図を示すものであり、具体的には、検出電圧V12及び所定電圧Vsと、比較器14の出力すなわちトランジスタ11のゲート電位Vg11と、トランジスタ11の電流すなわちバイパス電流I11を示している。
降圧コンバータにおいて、出力電流Ioが急増した場合には、出力電流Ioはインダクタ4を流れる電流の平均値よりも大きくなるので、出力コンデンサ5において充放電の均衡が崩れて放電電荷が多くなり、出力電圧Voが低下する。出力電圧Voの低下を検知した制御回路6は、デューティ比δを大きくすることによってインダクタ電流を増加させて、出力電圧Voを安定化するように動作する。
しかしながら、出力電流Ioの増加量が過大であって、インダクタ電流の増加が所定値を越えると、検出電圧V12が所定電圧Vsに到達し、比較器14の出力Vg11がLレベルになる。これにより、トランジスタ11がオン状態となり、入力直流電源1からトランジスタ11を介して出力へ、インダクタ4を介することなく、バイパス電流I11が流れる。バイパス電流I11が出力コンデンサ5を充電するので、出力電圧Voが上昇するので、制御回路6はデューティ比δを抑える。その結果、インダクタ電流の増加が抑制される。
トランジスタ11をオン状態としてバイパス電流I11が流れ出すような出力電流Ioのレベルは、検出抵抗12の抵抗値と電圧源15の出力する所定電圧Vsとによって調整することができる。このように制限される出力電流Ioのレベルを、インダクタ4の許容電流値以下に設定することにより、インダクタ4を磁気飽和させることなく、トランジスタ11を介して大電流を出力に供給することができる。
(第2の実施形態)
以下に、本発明の第2の実施形態に係る降圧コンバータについて説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る降圧コンバータの回路構成図を示している。なお、図3に示す本発明の第2の実施形態に係る降圧コンバータにおいて、図1に示した第1の実施形態に係る降圧コンバータと対応する構成部分は同様であって、同一の符号を付しており、その対応する部分の構成及び動作の説明は以下で繰り返さない。
図3に示すように、本発明の第2の実施形態に係る降圧コンバータは、PMOSトランジスタによって構成されたスイッチ2aと、図1における制御回路6とは異なる回路構成を有する制御回路6aとを有する点で、図1に示した本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータと異なっている。
制御回路6aは、出力電圧Voを検出して安定化するように、デューティ比δを調整した駆動パルスを出力するPWM回路16と、比較器17と、所定電圧Vs1を出力する電圧源18と、タイマー回路19と、OR回路20とを備えている。なお、PWM回路16は、図1における制御回路6の基本機能を備えている。
制御回路6aにおいて、比較器17は、検出抵抗12による検出電圧V12と所定電圧Vs1とを比較して比較結果を出力し、タイマー回路19は、比較器17からHレベルの信号を受けると、所定の期間Hレベルの信号を出力し、OR回路19は、PWM回路16の出力とタイマー回路19の出力との論理和を、スイッチ2aの駆動信号として出力する。
以上の構成を有する本発明の第2の実施形態に係る降圧コンバータの動作について説明する。
当該降圧コンバータが、出力電流Ioが過大ではない通常動作を行っている場合には、検出抵抗12の検出電圧V12が所定電圧Vs1に到達しないので、比較器17の出力はLレベルであり、タイマー回路19からの出力もLレベルになる。このため、OR回路20の出力はPWM回路16の出力と等しくなる。従って、通常動作時では、上述した本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータと同様の動作となる。
一方、何らかの原因で負荷が一時的に急増した場合の動作、つまり、出力電流Ioが増大した場合には、出力電流Ioの増加に伴うインダクタ電流の増加によって、検出抵抗12の検出電圧V12が所定電圧値Vs1に到達すると、比較器17の出力がHレベルになり、タイマー回路19は所定の期間Hレベルの信号を出力する。OR回路20は、所定の期間Hレベルの信号を受けて、その期間、スイッチ2aをオフ状態とする。このように、本実施形態における制御回路6aは、検出抵抗12を電流バイパス回路7用のものと共有して回路動作し、降圧コンバータを過電流から保護する過電流保護回路として機能する。
なお、制御回路6aと電流バイパス回路7とは、検出抵抗12を共有しているが、検出抵抗12の検出電圧V12と比較される所定電圧Vs1及びVsは、Vs1>Vsの関係を満たすほぼ同レベルの電圧に設定するとよい。すなわち、出力電流Ioが増加してスイッチ2aを流れるインダクタ電流が所定値に到達すると、トランジスタ11をターンオンすることによってバイパス電流を流す。そして、出力電流Ioがさらに増加すると、トランジスタ11のオン期間が増加して、バイパス電流I11が増加する。このようにして、インダクタ4は磁気飽和から保護される。インダクタ電流の増加が比較器17を反転させるレベルに到達すると、スイッチ2aをターンオフすることにより、スイッチ2aを過電流から保護する。以上のようにして、インダクタ4を磁気飽和から保護しながら、大電流を出力に供給し、且つ、スイッチ2aを過電流から保護することができる。
以上説明したように、本発明は、各種電子機器に直流電圧を供給する降圧型の電源回路等に有用である。
(a)は、本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータの回路構成図であり、(b)は、電流バイパス回路の回路構成図である。 本発明の第1の実施形態に係る降圧コンバータの動作波形図である。 本発明の第2の実施形態に係る降圧コンバータの回路構成図である。 従来例におけるインダクタの側面を示す断面図である。
符号の説明
1 直流入力電源
2、2a スイッチ
3 ダイオード(整流手段)
4 インダクタ
5 出力コンデンサ(平滑手段)
6、6a 制御回路
7 電流バイパス回路
11 トランジスタ
12 電流検出器
13 電流制御回路
14 比較器
15 電圧源
16 PWM回路
17 比較器
18 電圧源
19 OR回路

Claims (3)

  1. 入力端子からの入力電圧が供給されるスイッチと、
    前記スイッチに接続されたインダクタと、
    前記スイッチが開いているとき、前記インダクタに電流を流す整流手段と、
    前記インダクタの電流を平滑して出力端子への出力電圧を生成する平滑手段を有する降圧コンバータであって、
    前記インダクタに流れ込む電流が所定の値を超えると、前記入力端子から前記出力端子へ前記インダクタを介さずに前記所定の値を超える部分の電流を流すパスを構成する電流バイパス回路を備えていることを特徴とする降圧コンバータ。
  2. 前記電流バイパス回路は、
    一端が前記入力端子に接続されていると共に、他端が前記出力端子に接続されており、制御信号によって動作電流が制御されるトランジスタと、
    前記スイッチ又は前記インダクタに流れ込む電流を検出して電流検出信号を出力する電流検出回路と、
    前記電流検出信号の信号レベルが所定のレベルに到達すると、前記トランジスタの動作電流を増大させる前記制御信号を出力する制御回路とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の降圧コンバータ。
  3. 前記トランジスタは、PMOSトランジスタであることを特徴とする請求項2に記載の降圧コンバータ。
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