JP4782712B2 - 多層基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板およびその製造方法に関するもので、特に絶縁層と導電層間の結合力が優れた基板およびその製造方法に関する。

電子機器の小型、薄膜、軽量、高機能化に応じて、これに用いられる部品素材もこれに相当する性能が要求されている。よって、部品素材としての基板は、高密度、薄板化、小型化、パッケージ化を満足しなくてはならないし、特に多様な種類の基板を用いた高集積部品ではこのような要求を満足させるために活発な研究が行われている。

一般的な印刷回路基板ではコア層としてエポキシ樹脂層の少なくとも一面に銅薄膜を積層した銅箔積層板（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、ＣＣＬ）を用いている。しかし、ＣＣＬの銅箔層が厚くて、この銅箔層とＣＣＬを構成する絶縁層間の結合力が弱くて微細回路を形成することができるセミアディティブ（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）方式を効率的に適用しにくい。また微細配線を形成するためにＡＢＦ（Ａｊｉｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）のような高価の材料を用いているが、これはコア材料としては用いることが不適切である。

また、基板の高密度化、薄板化が進行されることにより、高い電気的性能を具現するために、漸次ガラス転移温度の高い絶縁層が要求されている。これのために絶縁層は、難燃性物質やフィラーのような添加物をさらに含むことになるが、絶縁層がこのような添加材を含むほど配線のような導電層との結合力の落ちる問題点がある。

これにより、高いガラス転移温度を有する材料の使用が要求されると共に微細パターンを形成するためには絶縁層と導電層の結合力を向上させる方法が要求されている。このような問題点を改善するためにプラズマ処理やスパッタリングのような高価の装備を用いる方法や、基板の物理的または化学的表面処理方法が提示されているが、めっき層の結合力の向上のための根本的な代案にはなってない。したがって、コア層を含む基板の絶縁層と導電層間の結合力を向上させて内層回路や外層回路に微細配線を形成することができる方法が切実に要求されている。

本発明は、シード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）としてニッケル層を含み、コア絶縁層と導電層、例えば銅層との結合力を向上させてセミアディティブ方式により微細な内部回路を形成することができるコア層およびその製造方法を提供する。

また、従来の無電解銅めっきに比してめっき時間が１０％程度に過ぎなく、より薄ら無電解ニッケルめっき層を形成することができるし、フラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）時にニッケルだけ選択的にエッチングさせることができて、エッチング時間を減らすことができ、アンダーカット（ｕｎｄｅｒ ｃｕｔ）の発生危険を減らすことができるコア層およびその製造方法を提供する。

また、本発明は、コア層だけではなくプリプレグのような絶縁層と導電層、例えば銅層との結合力を向上させて微細配線を形成することができ、めっきの時間とめっきの厚みを減らすことができるし、フラッシュエッチング時選択的にエッチングさせることができて、エッチング時間を減らし、アンダーカットの発生危険を減らすことができる多層基板およびその製造方法を提供する。

また、本発明のコア層に直接微細配線を形成することができて積層される層数を減らし、形成される無電解ニッケルめっき層の厚みを減らすことができて基板の薄板化が可能となり、生産性を向上させることができるし、原価を節減することができるコア層、多層基板およびこれらの製造方法を提供する。

また、本発明は、無電解銅めっき液の還元剤として用いられるホルマリンの消費を抑制し、次亜リン酸ナトリウム用いるので人体に無害であり環境汚染を減らすことができるし、めっき時間を従来の１０％に減らすことができて原価節減の効果があるコア層、多層基板およびこれらの製造方法を提供する。

また、ニッケル層は、絶縁層と導電層、例えば銅層間の薄膜層の役目をして導電層を構成する金属または金属の酸化物による樹脂の変質を防止することができるし、この金属が樹脂内部へマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）されることで樹脂を変色させて絶縁性を落とすことや導電層との結合力を弱化させることを改善することができるコア層、多層基板およびこれらの製造方法を提供する。

本発明の一実施形態によれば、エポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ ｒｅｓｉｎ）からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含むコア絶縁層、および上記コア絶縁層の少なくとも一面に積層された第１ニッケル層を含むコア層が提供される。

ここで、上記コア絶縁層は、ガラス繊維の補強材をさらに含むことができ、上記第１ニッケル層の厚みは０．３ないし２μｍであり、上記第１ニッケル層は全体１００重量部に対してリンを５ないし１５重量部でさらに含むことができ、上記コア絶縁層と上記第１ニッケル層の結合力は０．７ないし０．９ｋｇｆ／ｃｍであることができる。

またここで、上記第１ニッケル層の上に積層される第１銅層をさらに含むことができる。

本発明の別の実施形態によれば、配線パターンに応じて内部回路が形成されたコア層、上記コア層の上に形成されたエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含む第１絶縁層、上記第１絶縁層の上に上記配線パターンに応じて積層された第２ニッケル層および上記第２ニッケル層の上部に積層される第２銅層を含む多層基板が提供される。

ここで、上記コア層は、エポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含むコア絶縁層、上記コア絶縁層の少なくとも一面に上記配線パターンに応じて積層された第１ニッケル層および上記第１ニッケル層の上に積層される第１銅層を含むことができる。

またここで、上記第１ニッケル層および上記第１銅層の配線幅は１０ないし２０μｍであり、上記第２ニッケル層の厚みは０．３ないし２μｍであって、上記第２ニッケル層は全体１００重量部に対してリンを５ないし１５重量部でさらに含むことができる。

またここで、上記第１絶縁層と上記第２ニッケル層の結合力は０．７ないし０．９ｋｇｆ／ｃｍであり、上記第２ニッケル層および第２銅層の幅は１０ないし２０μｍであり得る。

本発明のまた別の実施形態によれば、エポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含むコア絶縁層を提供する段階および上記コア絶縁層の少なくとも一面に無電解めっき法により第１ニッケル層を形成する段階を含むコア層の製造方法が提供される。

ここで、上記無電解めっき法は、ニッケル塩、次亜リン酸ナトリウムおよびｐＨ調整剤を含むめっき浴でめっきすることができる。またここで、上記ニッケル塩は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウフッ化ニッケルおよびアミド硫酸ニッケル（ａｍｉｄｏｓｕｌｆｏｎａｔｅ）からなる群から選択される一つ以上の化合物であり、上記ニッケル塩は４ないし２５０ｇ／Ｌで含まれることができる。またここで、上記次亜リン酸ナトリウムは２０ないし７００ｇ／Ｌで含まれ、上記ｐＨ調整剤は、アンモニア水、塩酸および酢酸からなる群から選択される一つ以上の化合物であり、上記めっき浴のｐＨが４ないし６であることができる。またここで、上記めっき浴は錯化剤をさらに含み、上記錯化剤はコハク酸であり、上記コハク酸は５ないし５０ｇ／Ｌで含まれ、上記めっき浴の温度は６０ないし９０℃であり、上記無電解めっきは１ないし１０分間行うことができる。

またここで、上記第１ニッケル層の厚みは０．３ないし２μｍであって、上記第１ニッケル層は全体１００重量部に対してリンを５ないし１５重量部でさらに含むことができる。

またここで、上記第１ニッケル層の上に第１フォトレジスト層を積層する段階と、上記第１フォトレジスト層を配線パターンに応ずるように露光および現像する段階と、上記第１ニッケル層の上に電解めっき法により第１銅層を形成する段階と、上記第１フォトレジスト層を除去する段階と、上記第１ニッケル層をエッチングする段階と、をさらに含むことができる。ここで、上記第１ニッケル層および上記第１銅層の配線幅は１０ないし２０μｍであることができる。

本発明のまた別の実施形態によれば、コア層に配線パターンに応じて回路を形成する段階と、上記コア層の少なくとも一面にエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含む第１絶縁層を積層する段階と、上記第１絶縁層の上に無電解めっき法により第２ニッケル層を形成する段階と、上記第２ニッケル層上に第２フォトレジスト層を積層する段階と、上記第２フォトレジスト層を配線パターンに応ずるように露光および現像する段階と、上記第２ニッケル層の上に電解めっき法により第２銅層を形成する段階と、上記第２フォトレジスト層を除去する段階と、上記第１ニッケル層をエッチングする段階と、をさらに含む多層基板の製造方法が提供される。

ここで、上記無電解めっき法は、ニッケル塩、次亜リン酸ナトリウムおよびｐＨ調整剤を含むめっき浴でめっきすることができる。またここで、上記ニッケル塩は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウフッ化ニッケルおよびアミド硫酸ニッケル（ａｍｉｄｏｓｕｌｆｏｎａｔｅ）からなる群から選択される一つ以上の化合物であり、上記ニッケル塩は４ないし２５０ｇ／Ｌで含まれることができる。またここで、上記次亜リン酸ナトリウムは２０ないし７００ｇ／Ｌで含まれ、上記ｐＨ調整剤は、アンモニア水、塩酸および酢酸からなる群から選択される一つ以上の化合物であり、上記めっき浴のｐＨが４ないし６であることができる。またここで、上記めっき浴は錯化剤をさらに含み、上記錯化剤はコハク酸であり、上記コハク酸は５ないし５０ｇ／Ｌで含まれ、上記めっき浴の温度は６０ないし９０℃であり、上記無電解めっきは１ないし１０分間行うことができる。

またここで、上記第２ニッケル層の厚みは０．３ないし２μｍであり、上記第２ニッケル層は全体１００重量部に対してリンを５ないし１５重量部でさらに含むことができる。

本発明に係るコア層、多層基板およびその製造方法は、シード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）としてニッケル層を含み、コア絶縁層と導電層、例えば銅層との結合力を向上させてセミアディティブ方式により微細な内部回路を形成することができるコア層およびその製造方法を提供する。

また、上記コア層、多層基板およびその製造方法によれば、従来の無電解銅めっきと比べて、めっき時間が１０％程度であるので、より薄い無電解ニッケルめっき層を形成することができる。また、上記コア層、多層基板およびその製造方法によれば、ラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）時において、ニッケルだけを選択的にエッチングさせることができるので、エッチング時間を減らすことができる。また、上記製造方法によれば、アンダーカット（ｕｎｄｅｒ ｃｕｔ）が発生する危険を減らすことができる。

また、上記コア層、多層基板およびその製造方法によれば、コア層だけではなくプリプレグのような絶縁層と導電層、例えば銅層との結合力を向上させて微細配線を形成することができ、めっきの時間とめっきの厚みを減らすことができるし、フラッシュエッチング時選択的にエッチングさせることができるのでエッチング時間を減らすことや、アンダーカットの発生危険を減らすことができる多層基板およびその製造方法を提供する。

また、上記コア層、多層基板およびその製造方法によれば、コア層に直接微細配線を形成することができるので、積層される基板の層数を減らし、形成される無電解ニッケルめっき層の厚みを減らすことができる。したがって、基板の薄板化が可能となり、生産性を向上させることができるし、原価を節減することができる。

また、上記製造方法によれば、無電解銅めっき液の還元剤として用いられるホルマリンの消費を抑制し、次亜リン酸ナトリウムを用いるので人体に無害である。したがって、環境汚染を減らすことができ、さらに、めっき時間を従来の１０％に減らすことができるので、製造原価を節減することができる。

また、上記コア層、多層基板およびその製造方法において、ニッケル層は、絶縁層と導電層、例えば銅層間に薄膜層の役目をするので導電層を構成する金属または金属酸化物による樹脂の変質を防止することができるし、この金属が樹脂内部へマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）されることで樹脂を変色させて絶縁性を落としたり、導電層との結合力を弱化させることを改善することができる。

以下、本発明による基板およびその製造方法の好ましい実施例を添付図面を参照して詳しく説明する。ここで、無電解ニッケルめっき層を含むコア層と無電解ニッケルめっき層を含む多層基板に分けて説明するが、ニッケルを無電解めっきする方法は同一である。

本実施例でのコア層は、基板を形成するときに、最初に提供される基板であってこれを中心として単面または両面に絶縁層と導電層を順次積層すれば多層基板を形成することができる。このコア層は一定した剛性を有するように要求されて、一般的に銅箔積層板（ｃｏｐｐｅｒ ｃｌａｄ ｌａｍｉｎａｔｅ、ＣＣＬ）がコア層として主に用いられている。本実施例では、このコア層にニッケル層を含ませることを特徴とする。これにより、本実施例のコア層はセミアディティブ方式により微細回路を形成することができる。

また、本実施例は、コア層だけではなく多層基板にセミアディティブ方式による回路の形成時、従来の無電解銅めっき層を取り替えて無電解ニッケルめっき層を含ませることができる。

図１および図２は、本実施例によるコア層の断面を示す図面である。図１を参照すると、本実施例のコア層は、コア絶縁層３１と第１ニッケル層３３を含むことができ、図２を参照すると、本実施例のコア層は、コア絶縁層３１と配線パターンに応じて形成された第１ニッケル層３３と第１銅層３５を含むことができる。このコア絶縁層は、エポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ ｒｅｓｉｎ）からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含む。ニッケル層が、上部導電層を電解めっきして形成する時シード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）の役目をして導電層とコア絶縁層との結合力を向上させる。これは従来の銅シード層に比して２０ないし５０％の薄ら厚みで３００ないし４００％以上結合力が向上される優れた効果を有する。

ここで、コア絶縁層３１は、エポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ ｒｅｓｉｎ）からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含むコア絶縁層を用いることができる。また、コア絶縁層３１は、剛性を付与するために補強材または充填材（ｆｉｌｌｅｒ）を含むことができる。また、コア絶縁層３１は、難燃性を付与するために難燃材をさらに含むことができる。また、コア絶縁層３１は、上記以外にも当業者が通常的な範囲でコア絶縁層に含ませることができる添加剤を含むことができる。本実施例では、コア絶縁層３１は、補強材としてガラス繊維を含むことができる。

本実施例のニッケル層の厚みは０．３ないし２μｍであり、０．４ないし１μｍであることが好ましい。厚みが０．３μｍ未満であればコア絶縁層との密着力が落ちて好ましくないし、２μｍを越えると効率性の面から好ましくない。このニッケル層は、全体１００重量部に対してリンを５ないし１５重量部、好ましくは７ないし１２重量部で含むことができる。リンはニッケル層を形成するために無電解めっき浴に用いられる還元剤である次亜リン酸ナトリウムから供給されるが、このリンによりニッケル層の強度を向上させることができる。

本実施例により製造されたコア層におけるコア絶縁層とニッケル層の結合力を樹脂引張測定器（ＵＴＭ、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｍａｃｈｉｎｅ）で測定すると、０．７ないし０．９ｋｇｆ／ｃｍであった。従来の無電解銅めっきをした場合は、上記結合力は０．１ｋｇｆ／ｃｍ程度であり、０．５ｋｇｆ／ｃｍを超えないので、本実施例により製造されたコア層におけるコア絶縁層とニッケル層の結合力は、従来の無電解銅めっきをした場合と比べて非常に大きな上記結合力を有する。

コア層にさらに含ませることができる第１銅層３５は、通常の電解めっき法を用いて形成することができる。また、第１ニッケル層３３と第１銅層３５は、セミアディティブ方式などの配線形成方法により内部回路を形成することができる。すなわち、無電解めっきでシード層を形成した後、電解めっきで所望の厚みのめっき層を最終的に形成する方法により２０μｍ以下、好ましくは１０ないし２０μｍの配線幅を有する微細配線を形成することができるという長所がある。しかし、従来にはコア層である銅箔積層板では銅層の厚みによりセミアディティブ方式を用いることに制限を受けてきた。

図３は、本実施例による多層基板の断面を示す図面である。図３を参照すると、本実施例の多層基板４は、配線パターンに応じて内部回路が形成されたコア層３の上に形成された第１絶縁層４１、この第１絶縁層の上に配線パターンに応じて積層された第２ニッケル層４３、この第２ニッケル層の上部に積層される第２銅層４５を含むことができる。ここで、第１絶縁層４１はエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含む。

本実施例によれば、この多層基板４に含まれるコア層３は上述した微細配線を含むコア層であることができる。すなわち、コア絶縁層３１、このコア絶縁層３１の少なくとも一面に上記配線パターンに応じて積層される第１ニッケル層３３および第１ニッケル層３３の上に積層される第１銅層３５を含むコア層であることができる。このように形成されるコア層の配線幅は２０μｍ以下に形成することができるし、好ましくは１０ないし２０μｍに形成することができる。

第２ニッケル層も上述した第１ニッケル層のようにセミアディティブ方式で配線を形成することができるし、上部に導電層、例えば第２銅層をさらに形成することができる。このように、絶縁層上にニッケル層をシード層として銅層を積層することを順次繰り返してより多い層数を有する多層基板を製造することができる。ここで、提供されるニッケル層の厚み、リンの含量、絶縁層との結合力などの物性に関する内容は上述したコア層上のニッケル層の説明と同一である。

図４は、本実施例によるコア層の製造方法を示す図面である。図４を参照すると、本実施例のコア層の製造方法は、（ａ）エポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含むコア絶縁層を提供する段階を経た後、（ｂ）このコア絶縁層の少なくとも一面に無電解めっき法により第１ニッケル層を形成する段階を含む。ここで、無電解ニッケルめっき法は当該技術分野の通常的なニッケルめっき浴によりめっきすることができるし、特別に制限はない。以下、ニッケルめっき浴の実施例に関して説明するが、必ずこれに限定されることではない。

また、本実施例のコア層の製造方法は、無電解めっき法により積層された第１ニッケル層の上に次のような段階をさらに含んで配線を形成することができる。すなわち、（ｃ）無電解めっき法により積層した第１ニッケル層の上に第１フォトレジスト層を積層する段階と、（ｄ）第１フォトレジスト層を配線パターンに応ずるように露光および現像する段階と、（ｅ）第１フォトレジスト層の積層されていない第１ニッケル層上に電解めっき法で第１銅層を形成する段階と、（ｆ）第１フォトレジスト層を除去する段階と、（ｇ）上記第１ニッケル層をエッチングする段階と、をさらに含むことができる。このような方法によりコア層に幅が１０ないし２０μｍである配線を形成することができる。

本実施例によれば、ニッケル塩、次亜リン酸ナトリウムおよびｐＨ調整剤を含むめっき浴でニッケル層を形成することができる。ここで、ニッケル塩は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウフッ化ニッケルおよびアミド硫酸ニッケル（ａｍｉｄｏｓｕｌｆｏｎａｔｅ）からなる群から選択される一つ以上の化合物を用いることができ、４ないし２５０ｇ／Ｌ範囲で含まれることが好ましい。ニッケル塩の濃度が４ｇ／Ｌ未満である場合、めっき速度が低下することにより所望の厚みでめっきすることができない。また、ニッケル塩の濃度が２５０ｇ／Ｌを超える場合、めっき速度は増すが、めっき液の分解が起きることによりめっき不良が発生しやすくなり、効率性の面から好ましくない。

また、この実施例において、還元剤として用いられる次亜リン酸ナトリウムは、２０ないし７００ｇ／Ｌで含まれることが好ましいが、これは本実施例において０．３ないし２μｍ厚みのニッケル層を形成するのに適する濃度である。次亜リン酸ナトリウムの濃度がこの範囲の未満であれば、反応速度が遅くなり、この範囲を超えると少量の投入だけでも反応速度が非常に速くなってめっき溶液が自体分解反応を起こすことができる。従来の銅無電解めっきの場合、還元剤としてホルマリンを用いたが、この化合物は人体に有害であり、環境汚染を起こす主犯で使用が制限されている。しかし、本実施例では人体に無害な次亜リン酸ナトリウムを用いて基板を製造することができる。

またｐＨ調整剤は、アンモニア水、塩酸および酢酸からなる群から選択される一つ以上の化合物を用いてめっき浴のｐＨが４ないし６、好ましくはｐＨ４．２ないし４．８になるように調整する。このｐＨでは、めっきの速度が速いと共にめっきが効果的に実行される。例えば、アンモニア水をベースとしてめっきを進行しながらめっき液の急激なｐＨ低下を防止するために酢酸を緩衝剤として用いることができる。

錯化剤は、めっき速度を調節してめっき液自体が分解するのを防止する。なお、実施例では錯化剤にコハク酸を用いた。コハク酸の場合、５ないし５０ｇ／Ｌ濃度で添加することが好ましいが、この範囲より小さい場合、錯化されないニッケルイオンの量が多くなることにより、めっきが効果的に実行されないし、その範囲を超えると、めっき液の安定性は増加するが、めっき速度が低下されて好ましくない。

また、上記錯化剤以外に、安定剤または促進剤のような添加剤を通常的な範囲で選択的に用いることができる。安定剤としては、例えば鉛塩化物（ＬＡＴ）を添加することができるが、これはめっきの反応速度を落としてめっき液の自体分解反応を抑制する役割をし、１ないし３ｐｐｍでさらに添加することができる。この範囲を超えて安定剤を添加すると、めっき反応が止めて部分的にめっきが実行されない問題を起こすことができるし、この範囲の未満に安定剤を添加すると、安定剤としての性能を発揮することができない。また促進剤として、例えばフッ化物および／または硫化物（ＡＣＴ）を同一時間に析出量を増加させるために用いることができるが、この場合１ないし３ｐｐｍ程度用いることが好ましい。この範囲を超える濃度を用いると、自体分解反応のような良くない結果を見せることができるし、この範囲の未満の濃度では、その効果を発揮することができない。

このようなめっき浴の温度は、６０ないし９０℃で絶縁層をめっきすることが好ましく、この温度範囲の未満であるとめっき速度が遅くなり、この温度範囲を超えると不均一な析出が起きるおそれが高くて好ましくない。また、めっき時間は、上述した所望の厚みを形成するために１ないし１０分、好ましくは２ないし４分であれば可能となる。このめっき時間は、従来の銅無電解めっきの１０％程度しかかからなくて基板を製造する総時間を減らすことができる。

本実施例の別の実施例によれば、ニッケルめっき浴の主成分としてニッケル塩、還元剤および錯化剤を含み、ここで還元剤として４０ないし１５０ｇ／Ｌ範囲で、Ｎａ_３Ｃ_６Ｈ_５Ｏ_７、ＮａＣＯ_２ＣＨ_３、ヒドラジンまたは水素化ホウ素化合物などを用いて、錯化剤として４０ないし１５０ｇ／Ｌ範囲の次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ_２ＰＯ_２）を用いることができる。またここで、ニッケル塩として、好ましくは硫酸ニッケルまたは塩化ニッケルを１２ないし２２０ｇ／Ｌ範囲で含ませることができる。また、安定剤として少量のＰｂＮＯ_３をさらに含むことができる。この方法による場合、めっき浴のｐＨは、酸性浴の場合は４ないし６、アルカリ浴の場合は８ないし１０の範囲で用いることが好ましく、アルカリ性のめっき浴でのｐＨ調整剤としてはアンモニア水を用いることができ、酸性めっき浴でのｐＨ調整剤は塩酸を用いることが好ましい。

このようなめっき方法により、リンを５ないし１５重量部含むニッケル層を形成することができる。またシード層として要求されるニッケル層の厚みは０．３ないし２μｍであって、ニッケル層と絶縁層間の結合力が優れて従来の銅シード層より薄く形成されることができる。これは、追後配線を形成する段階にて無電解めっき層をフラッシュエッチングしなくてはならないが、このエッチング時間を減らすことができる効果がある。またシード層とその上に形成される導電層、例えば銅層間の構成要素が異なり、ニッケルだけ選択的なエッチングが可能であるため、シード層のアンダーカット（ｕｎｄｅｒ ｃｕｔ）による絶縁層と導電層間の結合力が弱化されることを防止することができる。

またニッケル層は、絶縁層と導電層、例えば銅層間に薄膜層の役目をして導電層を構成する金属または金属の酸化物による樹脂の変質を防止することができ、この金属が樹脂の内部にマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）されることで樹脂を変色させて絶縁性を落とすことや導電層との結合力を弱化させることを改善させることができる。

図５は、本実施例による多層基板の製造方法を示す図面である。図５を参照すると、本実施例の多層基板は、（ａ）コア層に配線パターンに応じて回路を形成する段階と、（ｂ）コア層の少なくとも一面にエポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含む第１絶縁層を積層する段階と、（ｃ）第１絶縁層上に無電解めっき法により第２ニッケル層を形成する段階と、（ｄ）第２ニッケル層上に第２フォトレジスト層を積層する段階と、（ｅ）第２フォトレジスト層を配線パターンに応ずるように露光および現像する段階と、（ｆ）第２ニッケル層上に電解めっき法により第２銅層を形成する段階と、（ｇ）第２フォトレジスト層を除去する段階と、（ｈ）第２銅層が積層されていない第２ニッケル層をエッチングする段階とを経て製造されることができる。

好ましい実施例によれば、ここでコア層は、上述した本実施例のコア層の製造方法により製造されることができる。ここで、第２ニッケル層を形成するための無電解めっき法は、上述した第１ニッケル層の製造方法が同一に用いられることができ、これに対する具体的な説明は略する。

当該技術の通常的な範囲で用いられる無電解めっきの前処理過程は、本実施例においても制限なしで用いることができる。例えば、コンディショニング（ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ）、プリディップ（ｐｒｅ−ｄｉｐ）、アクセラレーション（ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ）、還元剤処理などの前処理過程を挙げることができる。

以上で、本実施例の無電解めっき方法によるニッケル層は、エポキシ樹脂およびビスマレイミドトリアジン（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ ｒｅｓｉｎ、ＢＴ−ｒｅｓｉｎ）樹脂からなる群から選択される一つ以上の樹脂を含む絶縁層に対して適用することができる。このような樹脂は主に硬性基板に用いられる樹脂であって、剛性を向上させるために添加剤をたくさん含んでいるため、特に導電層との結合力が問題となってきた。この絶縁層は、単一な種類の樹脂だけからなった場合はあまりなく、同一のエポキシ樹脂中でも所望の物性に合わせて多様な種類の樹脂を混用して用いる場合が大部分である。一般的に多様な種類のエポキシ樹脂を混合したり、エポキシ樹脂をベースとしてビスマレイミドトリアジン樹脂を添加して改質されたエポキシ樹脂として用いる。

以下、具体的な実施例を説明する。

上記表１のようなめっき条件で、ＦＲ−４（Ｇｌａｓｓ ｅｐｏｘｙ ｌａｍｉｎａｔｅ）に０．４ないし１μｍのニッケルめっき層をめっき浴で形成する実験を３回繰り返した後、その密着力（ｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を測定した結果を表１に示した。また、ＢＴ−樹脂にも同一条件で０．４ないし１μｍのニッケルめっき層を形成する実験をし、密着力を測定してその結果を表１に示した。銅無電解めっき層に比して密着力がすべて優れることが分かった。

＜比較例＞

上記表２のようなめっき条件で、実施例と同じ樹脂に同じ厚みにめっき浴でめっきした後、密着力を測定した結果を表３に示す。なお、表３中の数値の単位はＫｇｆ／ｃｍである。

図６ないし図８は、比較例および本実施例による密着力の測定結果グラフである。図６の（Ａ）は、比較例１により製造された銅層の密着力を測定したグラフであり、図６の（Ｂ）は実施例１により製造されたニッケル層の密着力を測定したグラフである。図７の（Ａ）は、比較例２により製造された銅層の密着力を測定したグラフであり、図７の（Ｂ）は実施例２により製造されたニッケル層の密着力を測定したグラフである。図８の（Ａ）は、比較例４により製造された銅層の密着力を測定したグラフであり、図８の（Ｂ）は実施例４により製造されたニッケル層の密着力を測定したグラフである。

図６ないし図８の各（Ｂ）グラフ結果のように、絶縁層とニッケル層との結合力は０．７ないし０．９ｋｇｆ／ｃｍであって、絶縁層と銅層との結合力に比して０．５倍ないし５倍、特に、エポキシ樹脂を絶縁層とする場合には３ないし５倍の密着力が向上されることが分かった。

本発明は、上記実施例に限定されないし、多くの変形が本発明の思想内で当分野での通常の知識を持った者により可能となる。

本実施例によるコア層の断面を示す図面である。 本実施例によるコア層の断面を示す図面である。 本実施例による多層基板の断面を示す図面である。 本実施例によるコア層の製造方法を示す図面である。 本実施例による多層基板の製造方法を示す図面である。 比較例および本実施例による密着力測定結果グラフである。 比較例および本実施例による密着力測定結果グラフである。 比較例および本実施例による密着力測定結果グラフである。

符号の説明

３１ コア絶縁層、４１ 第１絶縁層、３３ 第１ニッケル層、４３ 第２ニッケル層、３４ 第１フォトレジスト層、４４ 第２フォトレジスト層、３５ 第１銅層、４５ 第２銅層、３ コア層、４ 多層基板

Claims (15)

1. 配線パターンに応じて内部回路が形成され、ビスマレイミドトリアジン樹脂からなるコア絶縁層と、前記コア絶縁層の少なくとも一面に前記配線パターンに応じて積層される第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層の上に積層される第１銅層とを含むコア層と、
   前記コア層上に形成される、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはエポキシ樹脂をベースとしてビスマレイミドトリアジン樹脂を添加して改質されたエポキシ樹脂を含む第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上に前記配線パターンに応じて積層され、厚みが０．３ないし２μｍである第２ニッケル層と、
   前記第２ニッケル層の上部に積層される第２銅層と
   を含み、前記第１ニッケル層、前記第１銅層、前記第２ニッケル層および前記第２銅層の配線幅は１０ないし２０μｍである多層基板。
2. 前記第２ニッケル層は、全体１００重量部に対してリンを５ないし１５重量部でさらに含む請求項１に記載の多層基板。
3. 前記第１絶縁層と前記第２ニッケル層の結合力は、０．７ないし０．９ｋｇｆ／ｃｍである請求項１に記載の多層基板。
4. ビスマレイミドトリアジン樹脂またはエポキシ樹脂をベースとしてビスマレイミドトリアジン樹脂を添加して改質されたエポキシ樹脂を含むコア絶縁層を提供する段階と、前記コア絶縁層の少なくとも一面に無電解めっき法により第１ニッケル層を形成する段階と、前記第１ニッケル層上に第１フォトレジスト層を積層する段階と、前記第１フォトレジスト層を配線パターンに応ずるように露光および現像する段階と、前記第１ニッケル層上に電解めっき法により第１銅層を形成する段階と、前記第１フォトレジスト層を除去する段階と、前記第１ニッケル層をエッチングする段階と、を含む方法によりコア層を製造する段階と、
   前記コア層の少なくとも一面にビスマレイミドトリアジン樹脂またはエポキシ樹脂をベースとしてビスマレイミドトリアジン樹脂を添加して改質されたエポキシ樹脂を含む第１絶縁層を積層する段階と、
   前記第１絶縁層上に無電解めっき法により厚みが０．３ないし２μｍである第２ニッケル層を形成する段階と、
   前記第２ニッケル層上に第２フォトレジスト層を積層する段階と、
   前記第２フォトレジスト層を配線パターンに応ずるように露光および現像する段階と、
   前記第２ニッケル層上に電解めっき法により第２銅層を形成する段階と、
   前記第２フォトレジスト層を除去段階と、
   前記第２ニッケル層をエッチングする段階と
   を含む、前記第１ニッケル層、前記第１銅層、前記第２ニッケル層および前記第２銅層の配線幅は１０ないし２０μｍである多層基板の製造方法。
5. 前記無電解めっき法は、ニッケル塩、次亜リン酸ナトリウムおよびｐＨ調整剤を含むめっき浴でめっきする請求項４に記載の多層基板の製造方法。
6. 前記ニッケル塩は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウフッ化ニッケルおよびアミド硫酸ニッケル（ａｍｉｄｏｓｕｌｆｏｎａｔｅ）からなる群から選択される一つ以上の化合物である請求項５に記載の多層基板の製造方法。
7. 前記ニッケル塩が、４ないし２５０ｇ／Ｌ含まれる請求項５に記載の多層基板の製造方法。
8. 前記次亜リン酸ナトリウムが、２０ないし７００ｇ／Ｌで含まれる請求項５に記載の多層基板の製造方法。
9. 前記ｐＨ調整剤は、アンモニア水、塩酸および酢酸からなる群から選択される一つ以上の化合物である請求項５に記載の多層基板の製造方法。
10. 前記めっき浴のｐＨが、４ないし６である請求項５に記載の多層基板の製造方法。
11. 前記めっき浴は、錯化剤をさらに含む請求項５に記載の多層基板の製造方法。
12. 前記錯化剤は、コハク酸であり、前記コハク酸は、５ないし５０ｇ／Ｌで含まれる請求項１１に記載の多層基板の製造方法。
13. 前記めっき浴の温度が、６０ないし９０℃である請求項５に記載の多層基板の製造方法。
14. 前記無電解めっきは、１ないし１０分間行う請求項５に記載の多層基板の製造方法。
15. 前記第２ニッケル層は、全体１００重量部に対してリンを５ないし１５重量部でさらに含む請求項４に記載の多層基板の製造方法。